中職教育一年級(jí)上學(xué)期電子與信息《打點(diǎn)與烘烤》教學(xué)課件

項(xiàng)目四晶圓檢測(cè)流程4.3打點(diǎn)與烘烤微電子技術(shù)與器件制造主講人：鐘雪梅4.3打點(diǎn)與烘烤引言

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INTRODUCTION本項(xiàng)目從扎針測(cè)試任務(wù)入手，先讓讀者對(duì)晶圓測(cè)試工藝有一個(gè)初步了解；然后詳細(xì)介紹扎針測(cè)試、晶圓打點(diǎn)、晶圓烘烤等專(zhuān)業(yè)技能。通過(guò)晶圓打點(diǎn)、晶圓烘烤的任務(wù)實(shí)施，讓讀者進(jìn)一步了解晶圓測(cè)試工藝。PART01

晶圓打點(diǎn)PART02晶圓打點(diǎn)實(shí)施目錄4.3打點(diǎn)與烘烤PART03晶圓烘烤PART04晶圓烘烤實(shí)施4.3打點(diǎn)與烘烤知識(shí)目標(biāo)掌握晶圓打點(diǎn)流程4.3.1晶圓打點(diǎn)4.3.1晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)的作用在晶圓上，每顆晶粒的外觀相同，很難區(qū)分合格的晶粒與不合格的晶?；蜓剡吿蕹齾^(qū)域的晶粒，此時(shí)給測(cè)試不合格的晶粒和沿邊直接剔除區(qū)域的晶粒中央打上墨點(diǎn)，可作為區(qū)分標(biāo)記，便于識(shí)別。在后續(xù)的封裝過(guò)程中通過(guò)墨點(diǎn)進(jìn)行判別，減少了工藝中材料和設(shè)備損耗，從而降低封裝成本。4.3.1晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)原材料打點(diǎn)時(shí)所用的墨水通常為6993烘烤型墨水，打點(diǎn)后需要進(jìn)行高溫烘烤。根據(jù)晶粒大小的不同，需要采用不同規(guī)格的墨管。（1）5mil墨管針尖細(xì)，墨點(diǎn)尺寸大小為125μm，晶粒尺寸大小在2.0以下，適用于晶粒面積小的晶圓。常用于5英寸、6英寸的晶圓。（2）30mil墨管針尖較粗，墨點(diǎn)尺寸大小為750μm，晶粒尺寸大小在4.0以上，適用于晶粒面積大的晶圓。常用于8英寸、12英寸的晶圓。4.3.1晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)的質(zhì)量要求打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在晶粒面積的1/4~1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。合格的墨點(diǎn)，如圖所示。占晶粒面積的1/4占晶粒面積的1/3打點(diǎn)不合格的現(xiàn)象，主要有墨點(diǎn)位置偏移、墨點(diǎn)大小不一致、墨點(diǎn)有空心等。4.3.1晶圓打點(diǎn)

晶圓打點(diǎn)一般在探針臺(tái)上進(jìn)行，探針臺(tái)可分為手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)3種。其中，全自動(dòng)探針臺(tái)一般是扎針測(cè)試和打點(diǎn)一體的設(shè)備，主要由上片區(qū)、顯示區(qū)和打點(diǎn)區(qū)等3部分組成。探針臺(tái)晶圓放置的位置，從該位置取放晶圓。調(diào)用打點(diǎn)MAP圖以及顯示打點(diǎn)過(guò)程。設(shè)備工作區(qū)，打點(diǎn)運(yùn)行后，設(shè)備自動(dòng)完成取片、聚焦、清零、打點(diǎn)、收料等一系列操作，完成晶粒的打點(diǎn)過(guò)程。晶圓打點(diǎn)設(shè)備

4.3.1晶圓打點(diǎn)知識(shí)總結(jié)晶圓設(shè)備探針臺(tái)可分為手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)3種。全自動(dòng)探針臺(tái)一般是扎針測(cè)試和打點(diǎn)一體的設(shè)備，主要由上片區(qū)、顯示區(qū)和打點(diǎn)區(qū)等3部分組成。4.3打點(diǎn)與烘烤知識(shí)目標(biāo)掌握晶圓打點(diǎn)實(shí)施流程4.3.2晶圓打點(diǎn)實(shí)施4.3.2晶圓打點(diǎn)實(shí)施

物料準(zhǔn)備參數(shù)設(shè)置結(jié)批晶圓打點(diǎn)流程設(shè)備運(yùn)行4.3.2晶圓打點(diǎn)實(shí)施知識(shí)總結(jié)1.物料準(zhǔn)備2.參數(shù)設(shè)置3.設(shè)備運(yùn)行4.結(jié)批4.3打點(diǎn)與烘烤知識(shí)目標(biāo)掌握晶圓烘烤流程4.3.2晶圓烘烤4.3.2晶圓烘烤認(rèn)識(shí)晶圓烘烤

烘烤是在烘箱中進(jìn)行的，其目的是將打點(diǎn)后的墨點(diǎn)進(jìn)行固定，防止在后續(xù)工藝環(huán)節(jié)中因液體沖擊而被洗掉。晶圓烘烤的作用在集成電路制造過(guò)程中，會(huì)對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，為防止標(biāo)記的墨點(diǎn)在制作過(guò)程中被清洗掉而影響后續(xù)工藝，需要根據(jù)墨水的特性對(duì)晶圓進(jìn)行烘烤，以起到固化墨點(diǎn)的作用。晶圓烘烤的質(zhì)量要求晶圓烘烤后，合格的墨點(diǎn)應(yīng)正常固化且不開(kāi)裂。4.3.2晶圓烘烤

晶圓烘烤設(shè)備

烘箱也稱(chēng)高溫烘干箱，是一種進(jìn)行高溫加熱的烘烤設(shè)備，其在烘烤時(shí)可以提供潔凈無(wú)塵的烘烤環(huán)境。溫度顯示采用數(shù)字顯示，具有觀察直觀、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。設(shè)備主要由參數(shù)設(shè)置區(qū)和烘烤區(qū)組成。注意：烘箱每層放入的產(chǎn)品，不得超過(guò)該層空間的三分之二。烘箱參數(shù)設(shè)置區(qū)是設(shè)置烘烤溫度和烘烤時(shí)間的，主要包括電源開(kāi)關(guān)、參數(shù)選擇、參數(shù)設(shè)置和溫度顯示等部分。烘烤區(qū)是烘箱的箱體內(nèi)部，進(jìn)行高溫烘烤的區(qū)域。裝有待烘晶圓的高溫花籃放置于烘烤架上，在烘烤的整個(gè)過(guò)程中，烘箱內(nèi)部處于一個(gè)密封的狀態(tài)。4.3.2晶圓烘烤知識(shí)總結(jié)晶圓烘烤設(shè)備由烘烤區(qū)、參數(shù)設(shè)置區(qū)，4.3打點(diǎn)與烘烤知識(shí)目標(biāo)掌握晶圓烘烤實(shí)施流程4.3.4晶圓烘烤實(shí)施4.