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單級(jí)共射放大器的高頻響應(yīng)分析

單級(jí)共射放大器的高頻響應(yīng)分析一、共射放大器的高頻小信號(hào)等效電路共射放大器及其高頻小信號(hào)等效電路（設(shè)RB1‖RB2>>Rs)跨接在輸入輸出間共射放大器單向化模型進(jìn)一步等效三、高頻增益表達(dá)式及上限頻率單級(jí)共射放大器的幅頻特性和相頻特性如圖：

在半功率點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的附加相移為-45°，而當(dāng)頻率f≥10fH以后，附加相移趨向于最大值(-90°)。四、頻率特性的波特圖近似表示法用對(duì)數(shù)表示的放大器增益五負(fù)載電容和分布電容對(duì)高頻響應(yīng)的影響

等效總上限頻率為：計(jì)入Ci、CL影響的高頻源增益為：六、結(jié)果討論設(shè)計(jì)寬帶放大器的依據(jù)：2、關(guān)于信號(hào)源內(nèi)阻Rs

信號(hào)源的內(nèi)阻盡可能的小。3、關(guān)于集電極負(fù)載電阻RC的選擇原則

RC應(yīng)兼顧AUI和fH的要求。1、選擇晶體管的依據(jù)選擇Cb’c小而fT高的晶體管作寬帶放大管。4、關(guān)于負(fù)載電容CL

設(shè)法減小負(fù)載電容CL和分布電容。7.5共集電路的高頻響應(yīng)共集電路的高頻響應(yīng)比共射好，即f

H(CC)>>f

H(CE)一、Cb′c的影響Cb′c：無密勒倍增效應(yīng)。且Cb′c很小(零點(diǎn)幾～幾pF)，若Rs及rbb′較小，Cb′c對(duì)高頻響應(yīng)的影響就很小。二、C

b′e的影響C

b′e對(duì)高頻的影響很小。Cb’e：跨接輸入輸出端的電容，輸入端等效電容CM為結(jié)論：共集電路的fH1可接近管子的特征頻率fT。三、CL的影響若Rs較小，電流ICQ較大，則Ro可以很小。時(shí)常數(shù)RoCL很小，fH2

很高。共集電路有很強(qiáng)的承受容性負(fù)載的能力。二、C

b’c及CL的影響

如果忽略rbb′的影響，則Cb’c直接接到輸出端，無密勒倍增效應(yīng)。輸出端總電容為Cb’c+CL。輸出回路時(shí)常數(shù)為R’o(Cb′c+CL)，輸出回路決定的fH

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