SJ∕T 1486-2016 半導體分立器件 3CG180型硅PNP高頻高反壓小功率晶體管詳細規(guī)范

ICS31.080.303CG180型硅PNP高頻高反壓小功率晶體管中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布ISJ/T1486—2016——本標準依據(jù)GB/T4589.1—2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》?！緲藴释庑纬叽?、測試方法、試驗方法引用相應的現(xiàn)行國家標準。——本標準增加了極限值參數(shù)VcBo(見本規(guī)范4.3),增加了電特性參數(shù)V(BR)CBo(見本規(guī)范A2b分組)和高溫下的截止電流Loso2(見本規(guī)酒5.8p(見本規(guī)范A2b分組，舊版見3CG130型PNP硅外延平面三極管規(guī)范表)測試條件由Vep=-L,5V改為=-2V,刪掉了交流參數(shù)Kp和NF(見舊版3CG130型PNP硅外延平面三極管規(guī)范表)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任。本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本標準起草單位濟南市半導體元件實本標準主要超草人侯秀萍、卞巖。本標準于19t9年首次發(fā)布本次為第一次修燈。件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范》1半導體分立器件3CG180型硅PNP高頻高反壓小功率晶體管詳細規(guī)范中華人民共和國工業(yè)和信息化部評定器件質(zhì)量的根據(jù)：GB/T4589.1—2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》,GB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》SJ/T1486—2016半導體分立器件3CG180型硅PNP高頻高反壓小功率晶體管詳細規(guī)范外形尺寸高頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管半導體材料：硅封裝：金屬封裝(空腔)應用：在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用。中A3-02B型的要求。0上(Xp0.500x0P4工程數(shù)據(jù)Po=700mw(TA=25℃)=100mAhe:25～270o=-1203240VEBO=-4Vf≥50MHz(3CG180A~3CG)80p)f≥150MHz(3CG18QEr3CG18OH)單位為毫來符號尺寸數(shù)值最大A6.106.60——0.41—0.518.649.398.018.50j0.710.790.87K0.74L—L—24規(guī)范性引用文件下列文件對于本標準的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本標準。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本標準。GB/T4587—1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法GB/T6217—1998半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范GB/T7581—1987半導體分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半導體器件分立器件分規(guī)范5極限值(絕對最大額定值)極限值見表1。除非另有規(guī)定，這些極限值在整個工作溫度范圍內(nèi)適用。章號符號單位最小值最大值環(huán)境溫度Tamb℃貯存溫度Tatg℃最大集電極-基極直流電壓VcsoV最大集電極-發(fā)射極直流電壓V最大發(fā)射極-基極直流電壓V最大直流集電極電流mAT=25℃,不加散熱片時的最大額定功率PtotmW最高結溫℃3SJ/T1486—20166電特性電特性見表2。檢驗要求見本標準的第9章。表2電特性章號特性和條件除非另有規(guī)定，Tmb=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號單位試驗分組最小值最大值黃綠正向電流傳輸比V=-10V,I=20黃綠色標：橙灰A2b、C2b特征頻率V=-20=20mA,30MHz3CG180A~3CC(80D3CC180E30G180HzA4、C2a集電極-基極截止電流-30集電板發(fā)射極截止電流Vf30yAA2bA2b高溫下的縣電極-基極截止電流發(fā)射極-基板開路，Tm=150℃,Va=-30VC2b發(fā)射極-基極截上電流集電極-基極開路；=-2VA2b基極-發(fā)射極飽和電壓I=5mA,I=50mAVe(sat)V-1.0A5集電極-發(fā)射極飽和電壓I=5mA,I=50mA-0.6A5集電極-基極擊穿電壓發(fā)射極-基極開路，I=100μA3CG180A3CG180B3CG180C3CG180D3CG180E3CG180F3CG180G3CG180HVV-120-160-200-240-120-160-200-240A5發(fā)射極-基極擊穿電壓集電極-基極開路，I=100μAVR)VA547.1器件上的標志——hE分檔色標；包裝盒上的標志包括：——制造廠商標；8訂貨資料——產(chǎn)品型號和分檔標志；——he分檔色標；——質(zhì)量評定類別標志Ⅱ,如3CG180AⅡ;9試驗條件和檢驗要求5SJ/T1486—2016表3A組一逐批檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，Tamb=25℃±5℃極限值單位LTPD最小值最大值A1分組外部目檢GB/T4589.1—20064.3.1.1標志清晰，表面無機械損傷、破損5A2a分組不能工作器件集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,發(fā)射極-基極開路，V=-30VV=-10V,I=20mA短路：Ico≥50μA開路：he≤5A2b分組集電極-基極截止電流集電極-發(fā)射極截止電流發(fā)射極-基極截止電流正向電流傳輸比集電極-基極擊穿電壓3CG180A3CG180B3CG180C3CG180D3CG180E3CG180F3CG180G3CG180H發(fā)射極-基極擊穿電壓基極-發(fā)射極飽和電壓集電極-發(fā)射極飽和電壓Vg)EGB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.2GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,發(fā)射極-基極開路，=-30V發(fā)射極-基極開路，=-30V集電極-基極開路，V=-2VVa=-10V,I=20mA發(fā)射極-基極開路，I=100μA集電極-基極開路，I=100μAI=5mA,I=50mAI=5mA,Ic=50mA-120-160-200-240-120-160-200-2401—-1.0-0.8VV5A4分組特征頻率3CG180A～3CG180D3CG180E～3CG180HIV,1,13.2Ke=-10V,I=20mA,f=30MHzMHz注：全部試驗都是非破壞性的(見GB/T4589.1-2006的3.6.6)。6檢驗或試驗符號引用標準(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位B1分組尺寸A、φD見第1章外形圖B3分組引出端強度(D)彎曲方法1,受試引電端數(shù)：3外如彎曲力：發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面器件管體之間有相對移動均認為器件失效B4分組可焊性GB/C4937—1995焊槽法潤濕良好B5分組快速溫度變化密封最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比IV,1.2.17=-55T=175℃;5個環(huán)發(fā)射極基極開路2分組正南電流傳輸出B8分組電耐久性(168h)最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比IV,1,2.1工作壽命：t=168h,V=-35V,Pot=700mW發(fā)射極-基極開路Ka=-30VG=+10v,G20橙1—注：標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1-2006的3.6.6)。7檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃,(見GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值單位C1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖C2a分組特征頻率3CG180A～D3CG180E～HGB/T4587—1994,IV,1,13.2V=-10V,I=20mA,f=30MHz—MHzC2b分組正向電流傳輸比高溫下的集電極-基極截止電流GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.1Ve=-10V,I=20mATm=150℃,發(fā)射極-基極開路，V=-30V—C3分組引出端強度(D)拉力GB/T4937—1995IⅡ,1.1發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動均認為器件失效C4分組耐焊接熱(D)最后測試GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分組最后測試C6分組恒定加速度最后測試GB/T4937—199520000g同B5分組最后測試C7分組穩(wěn)態(tài)濕熱(D)最后測試GB/T4937—1995Ⅲ,585℃,相對濕度85%,Vca=-100V,時間168h同B8分組最后測試C8分組電耐久性(1000h)最后測試GB/T4587—1994V,1工作壽命：t=1000h,Vg=-35V,Pot