SJ∕T 1839-2016 半導體分立器件 3DK108型NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范

ICS31.080.30L42中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布ISJ/T1839—2016——原標準開關參數(shù)ts(載流子貯存時間)和tg(下降時間)在本規(guī)范中合并為tor(關斷時間),1半導體分立器件3DK108型NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范中華人民共和國工業(yè)和信息化部評定器件質量的根據(jù)：GB/T4589.1-2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》GB/T12560-1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》SJ/T1839-2016半導體分立器件3DK108型NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范外形符合GB/T7581-1987《半導體分立器件外形尺寸》中A3-02C型的規(guī)定。 1.發(fā)射極2.基極3.集電極單位為毫米開關用雙極型晶體管半導體材料：硅金屬封裝(空腔)應用：各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用。3質量評定類別考數(shù)據(jù)T=25℃)=1800mWIc=1000mAVCBo=40V(3DK108AVcBo=60V(3DK108B、DVcEo=30V(3DK108A、C)VCEo=45V(3DK108B、D)Yo=4Vhg:25～180C尺寸數(shù)值最小最大A6.709.900.400.518.64—9.398.018.50j0.710.790.87K0.74L24規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2423.23—2013環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Q:密封GB/T4587—1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法GB/T6218—1996開關用雙極型晶體管空白詳細規(guī)范GB/T7581—1987半導體分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半導體器件分立器件分規(guī)范5極限值(絕對最大額定值)極限值見表1。除非另有規(guī)定，這些極限值在整個工作溫度范圍內(nèi)適用。章條號符號最小值最大值工作環(huán)境溫度℃貯存溫度℃最大集電極-基極直流電壓Vso—V最大集電極-發(fā)射極直流電壓Vceo V最大發(fā)射極-基極直流電壓Vn—4V最大直流集電極電流mAT=25℃,不加散熱片時的最大額定功率PotmW最高結溫T—℃電特性見表2。檢驗要求見本標準的第9章。3SJ/T1839—2016章條號特性和條件除非另有規(guī)定，T=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號單位試驗分組最小值最大值正向電流傳輸比Va=1V,I=500mA色標：橙綠藍紫A2b特征頻率Ve=10V,I=100mA,f30MzMHz—A4、C2a集電極-基極截止電流A2b集電極-發(fā)射極截止電流u1A2b高溫下的集電極-基極器止電流A發(fā)射極基極截止電流A1A2b基極-發(fā)坩極飽和電壓A2b集電極發(fā)射極飽和電用VA2b共基極輸出電容V=10v,Z=0,=5MLz導通時間關斷時間C——A4A47標志4 檢驗批的識別代號。7.2包裝盒上的標志——制造廠商標；——制造廠聯(lián)系方式。8訂貨資料訂貨單上應有下列內(nèi)容：——產(chǎn)品型號和分檔標志，如3DK108A; ——質量評定類別標志Ⅱ,如3DK108AIⅡ; 9試驗條件和檢驗要求試驗條件和檢驗要求按表3～表5的規(guī)定。本章中，LTPD抽樣引自GB/T12560—1999。5表3A組—逐批檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—-2006的4.1)極限值單位LTPD最小值最大值A1分組外部目檢GB/T4589.1—20064.3.1.1-—標志清晰，表面無機械損傷、破損5A2a分組不工作器件集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,Va=20Ve=1V,I=500mA短路：Iao?≥50μA開路：hE≤5A2b分組集電極-基極截止電流集電極-發(fā)射極截止電流發(fā)射極-基極截止電流正向電流傳輸比基極-發(fā)射極飽和電壓集電極-發(fā)射極飽和電壓VeaatGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黃綠藍紫I=0,a=20VI=0,K=20VL=0,k=4VVc=1V,I=500mAI?=50mA,I=500mAI?=50mA,I=500mA—115580VV5A4分組特征頻率導通時間關斷時間3DK108A、B3DK108C、DtonGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Va=10V,I=100mAf=30MHzI=50mA,I=500mAI=50mA,I=500mA—-MHz6SJ/T1839—2016表4B組一逐批檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位LTPDB1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD見第1章外形圖B3分組引出彎曲(D)GB/T4937—1995方法1,受試引出端數(shù)：3外加彎曲力：2.5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動，均認為器件失效B4分組可焊性GB/I4937—1995焊槽法潤濕良好B5分組快速溫度變化(D)密封a.細檢漏b.粗檢漏最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4937—1995Ⅲ,1.2GB/14937—1995GB/29871995H,7.3.6GB/T4681994IV,1,2.1GB/T4587—1994橙橙黃綠藍紫0℃~100℃:10個循環(huán)GB/122423.23—2013試驗Q,方法1K=1V,1=500mA0B8分組電耐久性(168h)最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比集電極-發(fā)射極飽和電壓VdsatGB/T4587—199V,1GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994工作壽命t168h,V=0.6Koa=1000mWI=0,Va=20VVa=1V,I=500mA黃紫I=50mA,I=500mA16696—注：標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C組—周期檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值單位C1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖C2a分組特征頻率共基極輸出電容CGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Ve=10V,I=100mA,f=30MHzXs=10V,I=0,f=5MHzMHzC2b分組高溫下的集電極-基極截止電流GB/T4587—1994IV,1,2.1Tm=125℃I=0,Va=20V—C3分組引出端強度(D)拉力GB/T4937—1995受試引出端數(shù)：3外加力：5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動均認為器件失效C4分組耐焊接熱(D)最后測試GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分組最后測試——C6分組恒定加速度最后測試GB/T4937—199520000g同B5分組最后測試—一C7分組穩(wěn)態(tài)濕熱(D)最后測試GB/T4937—1995Ⅲ,585℃±2℃,相對濕度85%±5%,時間168h同B8分組最后測試C8分組電耐久性(1000h)最后測試GB/T4587—1994V,1Pot=1000mW同B8分組最后測試——C9分組高溫貯存(D)最后測試GB/T493