高中化學(xué)同步講義（選擇性必修二）第23講 物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)收官測試1（教師版）

第23課物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)收官測試1（考試時(shí)間：75分鐘試卷滿分：100分）可能用到的相對原子質(zhì)量：H1C12O16S32K39Ni59Ge73Zr91Ba137Bi209第Ⅰ卷一、選擇題：本題共14小題，每小題3分，共42分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題意。1．是目前儲氫密度最高的材料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長為apm。Mg原子占據(jù)Fe形成的所有四面體空隙，儲氫后，分子占據(jù)Fe形成的八面體空隙，化學(xué)式為。下列說法正確的是A．晶胞中，存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵和離子鍵B．氫氣儲滿后晶體的化學(xué)式為C．氫氣儲滿后，和的最短距離為D．晶胞中Fe與Mg的配位數(shù)均為4【答案】C【解析】A．構(gòu)成該晶體的元素均為金屬元素，所以存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵，A錯(cuò)誤；B．原子形成的八面體空隙在晶胞的棱心和體心，所以每個(gè)晶胞中含有4個(gè)和8個(gè)，個(gè)，因此氫氣儲滿后晶體的化學(xué)式為，B錯(cuò)誤；C．和的最短距離為面對角線的二分之一，為，C正確；D．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，距離原子最近且等距的原子有4個(gè)，即的配位數(shù)為4，而該晶體的化學(xué)式為，所以的配位數(shù)為8，D錯(cuò)誤。2．用價(jià)層電子對互斥模型預(yù)測和的空間結(jié)構(gòu)，兩個(gè)結(jié)論都正確的是A．直線形；正四面體形 B．V形；平面正方形C．直線形；平面正方形 D．V形；正四面體形【答案】D【解析】中S原子的孤電子對數(shù)為，鍵電子對數(shù)為2，S原子的價(jià)層電子對數(shù)為4，的空間結(jié)構(gòu)為V形；中N的孤電子對數(shù)為，鍵電子對數(shù)為4，N原子的價(jià)層電子對數(shù)為4，的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形；故答案為：D。3．下列敘述正確且相關(guān)解釋合理的是選項(xiàng)敘述解釋A酸性：的第一電離能大于B熱穩(wěn)定性：鍵的鍵能大于鍵C熔點(diǎn)：的摩爾質(zhì)量大于D水溶性：乙醇>正戊醇乙醇能與水形成氫鍵而正戊醇不能【答案】B【解析】A．的非金屬性大于，所以酸性：，與第一電離能無關(guān)，故A錯(cuò)誤；B．鍵的鍵能大于鍵，不易斷鍵，則熱穩(wěn)定性：，故B正確；C．CO2是分子晶體，是共價(jià)晶體，則熔點(diǎn)：，與摩爾質(zhì)量無關(guān)，故C錯(cuò)誤；D．乙醇和正戊醇都能和水分子形成氫鍵，飽和一元醇中羥基的質(zhì)量分?jǐn)?shù)越大，其溶解性越強(qiáng)，則水溶性：乙醇>正戊醇，故D錯(cuò)誤；故選B。4．下列說法中錯(cuò)誤的是A．根據(jù)水的沸點(diǎn)高于氟化氫，推斷分子間氫鍵數(shù)目：B．根據(jù)推電子基團(tuán)種類不同，推斷酸性：C．根據(jù)核外電子數(shù)不同，推斷核外電子空間運(yùn)動狀態(tài)種類：D．根據(jù)中心原子電負(fù)性不同，推斷鍵角：【答案】C【解析】A．水分子之間和HF分子之間都存在氫鍵，水常溫下為液體，HF常溫下為氣體，則分子間氫鍵數(shù)目：，A正確；B．乙基的推電子能力比甲基大，則正丙酸中的羧基較難電離出氫離子，其酸性較弱，B正確；C．S的核外電子排布式為1s22s22p63s23p4，P的核外電子排布式為1s22s22p63s23p5，兩者的核外電子空間運(yùn)動狀態(tài)種類都為1+1+3+1+3=9，C錯(cuò)誤；D．N的電負(fù)性大于P，則N—H鍵中的共用電子對都更加偏向于N原子，相互之間斥力較大，鍵角大，D正確；故選C。5．下列每組分子的中心原子雜化方式相同的是A． B． C． D．【答案】A【解析】A．中心原子屬于雜化，中心原子屬于雜化，A正確；B．中心原子屬于雜化，中心原子屬于雜化，B錯(cuò)誤；C．中心原子屬于雜化，中心原子屬于雜化，C錯(cuò)誤；D．中心原子屬于雜化，中心原子屬于雜化，D錯(cuò)誤；答案選A。6．下列有關(guān)VIA族元素及其化合物說法正確的是A．是非極性分子B．與的鍵角相等C．基態(tài)Se的價(jià)層電子排布式為D．VIA族元素氫化物的沸點(diǎn)從上到下依次升高【答案】C【解析】A．中S是雜化，四面體結(jié)構(gòu)，沒有對稱中心，正電荷、負(fù)電荷中心不重合，為極性分子，A錯(cuò)誤；B．為平面三角形，為三角錐形，二者的的鍵角不等，B錯(cuò)誤；C．硒位于第四周期ⅥA族，其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為，C正確；D．VIA族元素氫化物中，分子間能形成氫鍵，水的熔沸點(diǎn)最高，D錯(cuò)誤；故選C。7．下列化學(xué)用語中表示錯(cuò)誤的是A．碳原子的價(jià)電子軌道表示式B．氫元素的三種不同核素：H、D、TC．的VSEPR模型為平面三角形D．鈉原子電子云圖【答案】C【解析】A．碳原子的價(jià)電子排布式為2s22p2，其價(jià)電子軌道表示式，A正確；B．H、D、T分別為1H、2H、3H，它們是氫元素的三種不同核素，B正確；C．的中心原子的σ鍵電子對數(shù)3，孤電子對為1，則價(jià)層電子對數(shù)4，其VSEPR模型為四面體，C錯(cuò)誤；D．鈉原子的2p軌道為啞鈴形，其電子云圖為，D正確；故選C。8．具有下列電子層結(jié)構(gòu)的原子或離子，其對應(yīng)元素一定屬于同一周期的是A．兩原子核外全部都是s電子B．最外層電子排布式為的原子和最外層電子排布式為的離子C．能級上只有一個(gè)空軌道的原子和能級上只有一個(gè)未成對電子的原子D．原子核外M層上的s、p能級都充滿電子，而能級上沒有電子的原子和離子【答案】C【解析】A．氫原子和鋰原子的核外全部都是s電子，但氫元素和鋰元素不在同一周期，故A錯(cuò)誤；B．最外層電子排布式為3s23p6的原子為氬原子，最外層電子排布式為3s23p6的離子可能為鉀離子，鉀元素和氬元素不在同一周期，故B錯(cuò)誤；C．3p能級上只有一個(gè)空軌道的原子為硅原子，3p能級上只有一個(gè)未成對電子的原子為氯原子，硅元素和氯元素都位于元素周期表第三周期，故C正確；D．原子核外M層上的s、p能級都充滿電子，而3d能級上沒有電子的原子為氬原子、離子可能為鉀離子或鈣離子，氬元素與鉀元素或鈣元素不在同一周期，故D錯(cuò)誤；故選C。9．物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定其性質(zhì)。下列實(shí)例與解釋不相符的是選項(xiàng)實(shí)例解釋A熔點(diǎn)：NH4NO3低于NaNO3摩爾質(zhì)量M(NaNO3)>M(NH4NO3)B酸性：強(qiáng)于羥基極性：強(qiáng)于C冠醚15-冠-5能夠與Na+形成超分子，而不能與K+形成超分子Na+的直徑與冠醚空腔的直徑相當(dāng)D不存在穩(wěn)定的H3、H2Cl和Cl3共價(jià)鍵具有飽和性【答案】A【解析】A．NH4NO3和NaNO3都是離子晶體，其熔點(diǎn)受離子半徑和離子所帶電荷的影響，離子半徑越小、離子所帶電荷越多，則該離子晶體的熔點(diǎn)越高，由于銨根離子半徑大于鈉離子半徑，因此熔點(diǎn)：NH4NO3低于NaNO3，與摩爾質(zhì)量無關(guān)，故A錯(cuò)誤；B．Cl原子的電負(fù)性大于H，使羥基極性增強(qiáng)，易發(fā)生斷裂，導(dǎo)致酸性增強(qiáng)，故B正確；C．超分子有“分子識別”的特性，冠醚15-冠-5能夠與Na+形成超分子，而不能與K+形成超分子，可知Na+的直徑與冠醚空腔的直徑相當(dāng)，故C正確；D．根據(jù)共價(jià)鍵的飽和性，H原子達(dá)到2電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，H只能共用1對電子對，Cl原子最外層有7個(gè)電子，達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Cl原子只能共用1對電子對，因此只存在H2、HCl、Cl2分子，不存在穩(wěn)定的H3、H2Cl和Cl3，故D正確；故選A。10．鈦酸鋇()是一種新型太陽能電池材料，其制備原理為：。已知鈦酸鋇的晶胞結(jié)構(gòu)均與接觸)和元素周期表中鈦的數(shù)據(jù)如圖所示，晶胞參數(shù)為為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列有關(guān)敘述正確的是A．Ti元素的質(zhì)量數(shù)為47.87 B．晶體中與緊鄰的有12個(gè)C．的化學(xué)式為 D．鈦酸鋇的密度約為【答案】C【解析】A．Ti元素的相對原子質(zhì)量為47.87，故A錯(cuò)誤；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖，晶體中與緊鄰的有6個(gè)，故B錯(cuò)誤；C．根據(jù)均攤原則，晶胞中Ti4+數(shù)、Ba2+數(shù)1、O2-數(shù)為，鈦酸鋇的化學(xué)式為BaTiO3，根據(jù)元素守恒，的化學(xué)式為，故C正確；D．根據(jù)均攤原則，晶胞中Ti4+數(shù)1、Ba2+數(shù)1、O2-數(shù)為3，鈦酸鋇的密度約為，故D錯(cuò)誤；選C。11．鉍化鋰晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。晶胞可以看作是由鉍原子構(gòu)成的面心立方晶格，鋰原子填充在其中的四面體和八面體空隙處。設(shè)晶胞參數(shù)為apm，阿伏伽德羅常數(shù)為。下列敘述錯(cuò)誤的是A．若A的坐標(biāo)為，C的坐標(biāo)為，則B的坐標(biāo)為B．與Li距離最近的Bi的數(shù)目為6個(gè)C．鉍原子的半徑為D．晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為【答案】B【解析】A．若A的坐標(biāo)為，C的坐標(biāo)為，根據(jù)結(jié)構(gòu)圖，則B的坐標(biāo)為，故A正確；B．鋰原子填充在其中的四面體和八面體空隙處，與Li距離最近的Bi的數(shù)目為4個(gè)，故B錯(cuò)誤；C．設(shè)鉍原子的半徑為r，晶胞可以看作是由鉍原子構(gòu)成的面心立方晶格，晶胞的面對角線為4r，，鉍原子的半徑為，故C正確；D．根據(jù)均攤原則，晶胞中Bi原子數(shù)為，Li原子數(shù)為，晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為，故D正確；選B。12．硫化鉀主要用作分析試劑、脫毛劑，也可用于醫(yī)藥工業(yè)。其晶體具有如圖所示的反螢石結(jié)構(gòu)，已知晶胞參數(shù)為，為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．圖中X代表的是 B．之間的最短距離為C．硫化鉀的密度為 D．填充在構(gòu)成的正四面體空隙中【答案】B【分析】K2S中，K+和S2-個(gè)數(shù)比為2：1，晶胞中X個(gè)數(shù)為，晶胞中Y的個(gè)數(shù)為4個(gè)，都在晶胞內(nèi)部，因此X代表K+，Y代表S2-?！窘馕觥緼．X代表的是，A正確；B．之間的最短距離為對角線的一半，等于，B錯(cuò)誤；C．晶胞中有4個(gè)K2S，質(zhì)量為g，體積為(a×10-10)3cm3，密度為，C正確；D．S2-離子圍成1個(gè)正四面體，K+離子處于正四面體的中心，填充在構(gòu)成的正四面體空隙中，D正確；答案選B。13．某立方晶系的銻鉀合金可作為鉀離子電池的電極材料，下圖表示晶胞。下列說法中錯(cuò)誤的是A．該晶胞的體積為 B．和原子數(shù)之比為C．與最鄰近的原子數(shù)為4 D．該晶胞的俯視圖為【答案】D【解析】A．晶胞的體積為，該晶胞的體積為，A正確；B．根據(jù)圖示晶胞中平均含有原子數(shù)為，原子數(shù)為，和原子數(shù)之比為，B正確；C．由圖可知，晶胞體心處最鄰近的原子數(shù)為4，C正確；D．根據(jù)圖示推出晶胞頂點(diǎn)、面心、內(nèi)部存在原子，該晶胞的俯視圖為，D錯(cuò)誤；故選D。14．硅材料在生活中占有重要地位。Si(NH2)4(結(jié)構(gòu)如圖所示)受熱分解可生成Si3N4和NH3。Si3N4是一種優(yōu)良的耐高溫結(jié)構(gòu)陶瓷。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是A．電負(fù)性N>SiB．Si3N4屬于分子晶體C．基態(tài)Si和N原子的未成對電子數(shù)之比為2：3D．Si(NH2)4中的Si、N原子軌道的雜化類型相同【答案】B【解析】A．C與N同周期，同周期從左到右電負(fù)性依次增大，則電負(fù)性：N>C；C與Si同主族，同主族從上到下電負(fù)性依次減小，則電負(fù)性：C>Si，所以電負(fù)性：N>Si，A不符合題意；B．由Si3N4是一種優(yōu)良的耐高溫結(jié)構(gòu)陶瓷可知，Si3N4屬于共價(jià)晶體，B符合題意；C．基態(tài)Si原子的未成對電子數(shù)為2，基態(tài)N原子的未成對電子數(shù)為3，C不符合題意；D．Si(NH2)4中的Si、N原子軌道的雜化類型均為sp3雜化，相同，D不符合題意；故選B。第Ⅱ卷二、非選擇題：共4題，共58分。15．（12分）與同族，有3種常見晶胞結(jié)構(gòu)，最為常見的是立方(晶胞為立方體)、四方(晶胞為長方體，其底面為正方形)，立方性質(zhì)與鉆石接近，可加工為璀璨奪目的飾品。

(1)Zr的價(jià)電子軌道表示式為。(2)將氧氯化鋯配制成物質(zhì)的量濃度為的溶液，持續(xù)煮沸50小時(shí)后過濾，即可得到粉末狀的，制備的化學(xué)方程式。(3)上圖所示立方的晶胞中，位于頂點(diǎn)的原子是。(4)上圖所示四方的晶胞中，每個(gè)O原子周圍，距離“最近”的Zr原子與其距離為或，其余Zr原子距離明顯遠(yuǎn)于，距離每個(gè)O原子“最近”的Zr原子共個(gè)。(5)四方升溫至2370℃時(shí)轉(zhuǎn)化為立方，兩種晶體中Zr原子間最近距離均為，則四方轉(zhuǎn)化為立方時(shí)，密度(填“增大”“不變”或“減小”)。兩種晶體中，密度較大的晶體的密度計(jì)算式為。(列出計(jì)算式即可。以表示阿伏加德羅常數(shù)的值。)【答案】(1)

（2分）

(2)（2分）(3)（2分）(4)4（2分）(5)增大（2分）（2分）【解析】（1）鋯是40號元素，位于第五周期ⅣB族，其價(jià)電子為4d能級上有2個(gè)電子，5s能級上有2個(gè)電子，u軌道表示式為：。（2）溶于水形成溶液后持續(xù)煮沸促進(jìn)其水解，水解生成的氯化氫揮發(fā)，最后得到氧化鋯，方程式為：。（3）在立方中，白色的球位于頂點(diǎn)和面心，原子個(gè)數(shù)為，黑色的球在晶胞內(nèi)部，有8個(gè)，結(jié)合化學(xué)式分析，晶胞中位于定點(diǎn)的原子為。（4）在四方的晶胞中，鋯原子位于晶胞的頂點(diǎn)和體心，氧原子位于晶胞的面上，一個(gè)晶胞中每個(gè)氧原子與三個(gè)鋯原子直接連接，一個(gè)為晶胞的體心，兩個(gè)為晶胞的頂點(diǎn)，另外氧原子還有相鄰的晶胞中體心的鋯原子相連，故距離每個(gè)氧原子最近的鋯原子個(gè)數(shù)為4個(gè)。（5）在一個(gè)立方晶胞中含有4個(gè)，立方晶胞的密度表示為，，一個(gè)四方晶胞中含有2個(gè)，密度表示為，故從四方晶胞變成立方晶胞密度增大。16．（16分）我國在新材料領(lǐng)域研究的重大突破，為“天宮”空間站的建設(shè)提供了堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)?！疤鞂m”空間站使用的材料中含有B、C、N、P、Ni、Fe等元素?；卮鹣铝袉栴}：(1)下列不同狀態(tài)的硼中，失去一個(gè)電子需要吸收能量最多的是(填標(biāo)號，下同)，用光譜儀可捕捉到發(fā)射光譜的是。A．B．

C．

D．(2)鎳能形成多種配合物，其中Ni(CO)4是無色揮發(fā)性液體，K2[Ni(CN)4]是紅黃色單斜晶體。K2[Ni(CN)4]的熔點(diǎn)高于Ni(CO)4的原因是。(3)氮化硼(BN)晶體有多種結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，質(zhì)地軟，可作潤滑劑。立方相氮化硼與金剛石相似，是超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)及晶胞如圖所示。①石墨能導(dǎo)電，六方相氮化硼結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電，原因是。②立方相氮化硼晶體中“一般共價(jià)鍵”與配位鍵的數(shù)目之比為。③立方相氮化硼晶胞邊長為apm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g·cm-3。(4)FeSO4·7H2O的結(jié)構(gòu)如圖所示，F(xiàn)eSO4·7H2O中∠1、∠2、∠3由大到小的順序是。(5)鎳的某種氧化物常用作催化劑，其晶胞有如圖結(jié)構(gòu)特征：鎳離子形成面心立方結(jié)構(gòu)，氧離子填充在鎳離子構(gòu)成的八面體空隙中，填充率為100%。①從該晶胞中能分割出來的結(jié)構(gòu)圖有(填標(biāo)號)。a．

b．

c．

d．

e．②已知該晶體密度為ρg?cm-3，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。該晶胞中鎳離子周圍與其等距離且最近的鎳離子有個(gè)，該距離為pm(用含ρ和NA的代數(shù)式表示)。【答案】(1)A（1分）CD（1分）(2)K2[Ni(CN)4]為離子晶體，熔化破壞離子鍵，離子鍵鍵能大，故熔沸點(diǎn)高，Ni(CO)4為分子晶體，熔化破壞分子間作用力，分子間作用力小，故熔沸點(diǎn)?。?分）(3)六方相氮化硼中氮的電負(fù)性大，π電子很大程度上被定域在氮原子周圍，不能自由移動，不可以導(dǎo)電（2分）3：1（1分）（2分）(4)∠3>∠1>∠2（2分）(5)La2Cu5As3O2（2分）4（1分）（2分）【解析】（1）A中各軌道都處于全滿狀態(tài)比較穩(wěn)定，較難失去電子，因此失去一個(gè)電子需要的能量最高；發(fā)射光譜是指電子從高能量軌道躍遷到低能量軌道時(shí)釋放能量的現(xiàn)象，即原子從激發(fā)態(tài)到穩(wěn)態(tài)過程發(fā)出電離輻射的過程，選項(xiàng)中處于激發(fā)態(tài)的原子為C、D；（2）K2[Ni(CN)4]為離子晶體，熔化破壞離子鍵，離子鍵鍵能大，故熔沸點(diǎn)高，Ni(CO)4為分子晶體，熔化破壞分子間作用力，分子間作用力小，故熔沸點(diǎn)??；（3）①石墨能導(dǎo)電，六方相氮化硼結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電，原因是：六方相氮化硼與石墨一樣都具有層狀結(jié)構(gòu)，但石墨中每個(gè)碳原子最外層4個(gè)電子，形成3條共價(jià)鍵后，還有1個(gè)電子自由移動，而六方相氮化硼中沒有自由移動電子，不可以導(dǎo)電；②立方相氮化硼晶體中B-N原子之間存在“一般共價(jià)鍵”，N原子含有孤電子對，B原子含有空軌道，可以形成配位鍵，由立方相氮化硼晶體結(jié)構(gòu)可知“一般共價(jià)鍵”與配位鍵的數(shù)目之比為：3：1；③由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含有4個(gè)N、8×+6×=4個(gè)B，即4個(gè)BN，故晶胞的摩爾質(zhì)量為[4×(11+14)]g/mol，NA=；（4）H2O中O原子是sp3雜化，有2個(gè)孤電子對，空間構(gòu)型為V形，兩個(gè)H-O之間的夾角∠2為105°，∠3為中兩個(gè)氧硫鍵之間的夾角，中S原子是sp3雜化，且沒有孤電子對，空間構(gòu)型為正四面體形，鍵角為109°28′，∠3為109°28′，形成∠1的水分子中的O原子和Fe原子形成了配位鍵，仍然是sp3雜化，但只有1個(gè)孤電子對，空間構(gòu)型為三角錐形，105°＜∠1＜109°28′，故FeSO4·7H2O中∠1、∠2、∠3由大到小的順序是∠3>∠1>∠2；（5）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于棱上和體內(nèi)的鑭原子個(gè)數(shù)為8×+1=4，位于面上、棱上的銅原子個(gè)數(shù)為18×+4×=10，位于頂點(diǎn)、棱上、面心的砷原子個(gè)數(shù)為8×+8×+4×=6，位于面上的氧原子個(gè)數(shù)為8×=4，則晶胞的化學(xué)式為La2Cu5As3O2；晶胞中8個(gè)氧原子分別位于4個(gè)不同的面心上，上下面心的原子坐標(biāo)相同，則晶胞中原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)不同的氧原子有4個(gè)；設(shè)晶體的密度為dg/cm3，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=10—21a2cd，解得d=，故答案為：La2Cu5As3O2；4；。17．（15分）填空。(1)晶胞有兩個(gè)基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)；B為(，0，)；C為(，，0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為。②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm，其密度為g·cm-3(列出計(jì)算式即可)。③GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是。

(2)單質(zhì)銅及鎳都是由鍵形成的晶體。某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為。②若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=nm。

③第IIA族金屬碳酸鹽分解溫度如下：BeCO3MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3分解溫度100℃540℃960℃1289℃1360℃分解溫度為什么越來越高？。(3)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如左圖所示。該晶體的類型為，Ga與As以鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為。甲烷晶體的晶胞如圖所示，該晶胞中含有個(gè)甲烷分子。

【答案】(1)①(，，)（2分）②（2分）③由于GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，所以離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高（2分）(2)金屬（1分）①3:1（1分）②（2分）③陽離子半徑越小對氧的吸引力越大，奪取氧的能力越強(qiáng)（2分）(3)原子晶體（1分）共價(jià)鍵（1分）（2分）4（1分）【解析】（1）①根據(jù)各個(gè)原子的相對位置可知，D在各個(gè)方向的1/4處，所以其坐標(biāo)是(，，)；②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，在晶胞中含有的Ge原子數(shù)是8×1/8+6×1/2+4=8，所以晶胞的密度=cm3；③由于GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，所以離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高；（2）銅和鎳屬于金屬，則單質(zhì)銅及鎳都是由金屬鍵形成的晶體；①根據(jù)均攤法計(jì)算，晶胞中銅原子個(gè)數(shù)為6×（1/2）=3，鎳原子的個(gè)數(shù)為8×1/8=1，則銅和鎳原子的數(shù)量比為3：1；②根據(jù)上述分析，該晶胞的組成為Cu3Ni，若合金的密度為dg/cm3，根據(jù)ρ=m÷V，則晶胞參數(shù)a=nm；③在離子晶體中，離子半徑越小晶格能越大，所以在第ⅡA族金屬碳酸鹽中，陽離子半徑越小對氧的吸引力越大，就越容易導(dǎo)致碳酸根的分解，所以在第ⅡA族金屬碳酸鹽中，隨著原子序數(shù)的增加，原子半徑增大，碳酸鹽的分解溫度也增大；（3）GaA