2024年半導體物理學題庫講解

填空題能帶中載流子的有效質量反比于能量函數對于波矢的_________，引入有效質量的意義在于其反應了晶體材料的_________的作用。（二階導數，內部勢場）半導體導帶中的電子濃度取決于導帶的_________（即量子態(tài)按能量怎樣分布）和_________（即電子在不一樣能量的量子態(tài)上怎樣分布）。（狀態(tài)密度，費米分布函數）兩種不一樣半導體接觸後,

費米能級較高的半導體界面一側帶________電，到達熱平衡後兩者的費米能級________。（正，相等）半導體硅的價帶極大值位于空間第一布裏淵區(qū)的中央，其導帶極小值位于________方向上距布裏淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于_________半導體。（[100]，間接帶隙）間隙原子和空位成對出現(xiàn)的點缺陷稱為_________；形成原子空位而無間隙原子的點缺陷稱為________。（弗侖克耳缺陷，肖特基缺陷）在一定溫度下，與費米能級持平的量子態(tài)上的電子占據概率為_________，高于費米能級2kT能級處的占據概率為_________。（1/2，1/1+exp(2)）從能帶角度來看，鍺、硅屬于_________半導體，而砷化稼屬于_________半導體，後者有助于光子的吸取和發(fā)射。（間接帶隙，直接帶隙）一般把服從_________的電子系統(tǒng)稱為非簡并性系統(tǒng)，服從_________的電子系統(tǒng)稱為簡并性系統(tǒng)。（玻爾茲曼分布，費米分布）9.對于同一種半導體材料其電子濃度和空穴濃度的乘積與_________有關，而對于不一樣的半導體材料其濃度積在一定的溫度下將取決于_________的大小。（溫度，禁帶寬度）10.半導體的晶格構造式多種多樣的，常見的Ge和Si材料，其原子均通過共價鍵四面體互相結合，屬于________構造；與Ge和Si晶格構造類似，兩種不一樣元素形成的化合物半導體通過共價鍵四面體還可以形成_________和纖鋅礦等兩種晶格構造。（金剛石，閃鋅礦）假如電子從價帶頂躍遷到導帶底時波矢k不發(fā)生變化，則具有這種能帶構造的半導體稱為_________禁帶半導體，否則稱為_________禁帶半導體。（直接，間接）12.半導體載流子在輸運過程中，會受到多種散射機構的散射，重要散射機構有_________、

_________

、中性雜質散射、位錯散射、載流子間的散射和等價能谷間散射。（電離雜質的散射，晶格振動的散射）13.半導體中的載流子復合可以有諸多途徑，重要有兩大類：_________的直接復合和通過禁帶內的_________進行復合。（電子和空穴，復合中心）14.反向偏置pn結，當電壓升高到某值時，反向電流急劇增長，這種現(xiàn)象稱為pn結擊穿，重要的擊穿機理有兩種：_________擊穿和_________擊穿。（雪崩，隧道）15._________雜質可明顯變化載流子濃度；_________雜質可明顯變化非平衡載流子的壽命，是有效的復合中心。（淺能級，深能級）選擇題1．本征半導體是指（A）的半導體。A．不含雜質和缺陷B．電阻率最高C．電子密度和空穴密度相等D．電子密度與本征載流子密度相等2.假如二分之一導體的導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，那么該半導體必然（D）。A.不含施主雜質B.不含受主雜質C.不含任何雜質D.處在絕對零度3.有效復合中心的能級必靠近(

A

)。

禁帶中部

B.導帶

C.價帶

D.費米能級

4．對于只含一種雜質的非簡并n型半導體，費米能級EF隨溫度上升而（D）。A.單調上升B.單調下降C.通過一種極小值趨近EiD.通過一種極大值趨近Ei5.當一種n型半導體的少子壽命由直接輻射復合決定期，其小注入下的少子壽命正比于（A）。A.1/n0

B.1/△n

C.1/p0

D.1/△p

6.在Si材料中摻入P，則引入的雜質能級（B）A.在禁帶中線處B.靠近導帶底C.靠近價帶頂D.以上都不是7．公式中的τ是半導體載流子的（C）。A.遷移時間B.壽命C.平均自由時間D.擴散時間8.對于一定的n型半導體材料，溫度一定期，減少摻雜濃度，將導致（D）靠近Ei。A.EcB.EvC.EgD.EF9.在晶體硅中摻入元素（B）雜質後，能形成N型半導體。A.鍺 B.磷 C.硼 D.錫10.對大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與（D）。A．平衡載流子濃度成正比B．非平衡載流子濃度成正比C．平衡載流子濃度成反比D．非平衡載流子濃度成反比11.重空穴是指（C）A.質量較大的原子構成的半導體中的空穴B.價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C.價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴D.自旋－軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴12.電子在導帶能級中分布的概率體現(xiàn)式是（C）。A.B.C.D.13.如在半導體中以長聲學波為重要散射機構是，電子的遷移率與溫度的（B）。A.平方成正比B.次方成反比C.平方成反比D.次方成正比14.把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（D）。A.變化禁帶寬度B.產生復合中心C.產生空穴陷阱D.產生等電子陷阱15.一般半導體器件使用溫度不能超過一定的溫度，這是由于載流子濃度重要來源于_________，而將_________忽視不計。（A）A.雜質電離，本征激發(fā) B.本征激發(fā)，雜質電離 C.施主電離，本征激發(fā)D.本征激發(fā)，受主電離16..一塊半導體壽命τ=15μs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照忽然停止30μs後，其中非平衡載流子將衰減到本來的（C）。A.1/4B.1/eC.1/e2D.1/217.半導體中由于濃度差引起的載流子的運動為（

B）。

A.

漂移運動

B.

擴散運動

C.

熱運動

D.共有化運動18.硅導帶構造為（D）。A.位于第一布裏淵區(qū)內沿<100>方向的6個球形等能面B.二分之一位于第一布裏淵區(qū)內沿<111>方向的6個球形等能面C.二分之一位于第一布裏淵區(qū)內沿<111>方向的8個橢球等能面D.位于第一布裏淵區(qū)內沿<100>方向的6個橢球等能面19.雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（B）。A.變大，變小B.變小，變大C.變小，變小D.變大，變大20.與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（A）。A.比半導體的大B.比半導體的小C.與半導體的相等D.不確定21.一般半導體它的價帶頂位于_________，而導帶底位于_________。（D）A.波矢k=0或附近，波矢k≠0 B.波矢k≠0，波矢k=0或附近C.波矢k=0，波矢k≠0D.波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=022.鍺的晶格構造和能帶構造分別是（

C

）。

A.

金剛石型和直接禁帶型

B.

閃鋅礦型和直接禁帶型C.

金剛石型和間接禁帶型

D.

閃鋅礦型和間接禁帶型

23.假如雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（D）。A.施主B.復合中心C.陷阱D.兩性雜質24.雜質對于半導體導電性能有很大影響，下面哪兩種雜質分別摻雜在硅中能明顯地提高硅的導電性能（C）。A.硼或鐵B.鐵或銅 C.硼或磷D.金或銀25.當施主能級ED與費米能級EF相等時，電離施主的濃度為施主濃度的（C）倍；A.1

B.1/2C.1/3D.1/426.同一種施主雜質摻入甲、乙兩種半導體，假如甲的相對介電常數εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用類氫模型計算成果是（D）。A.甲的施主雜質電離能是乙的8/3，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的3/4B.甲的施主雜質電離能是乙的3/2，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的32/9C.甲的施主雜質電離能是乙的16/3，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的8/3D.甲的施主雜質電離能是乙的32/9，的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的3/827.本征半導體費米能級的體現(xiàn)式是。（B）A.B.C.D.28.載流子在電場作用下的運動為（

A）。

A.

漂移運動

B.

擴散運動

C.

熱運動

D.共有化運動29.下面狀況下的材料中，室溫時功函數最大的是（A）。A.含硼1×1015cm-3的硅B.含磷1×1016cm-3的硅C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅D.純凈的硅30.一般可以認為，在溫度不很高時，能量不小于費米能級的量子態(tài)基本上_________，而能量不不小于費米能級的量子態(tài)基本上為__________，而電子占據費米能級的概率在多種溫度下總是_________，因此費米能級的位置比較直觀地標志了電子占據量子態(tài)的狀況，一般就說費米能級標志了電子填充能級的水平。（A）A.沒有被電子占據，電子所占據，1/2B.電子所占據，沒有被電子占據，1/2C.沒有被電子占據，電子所占據，1/3D.電子所占據，沒有被電子占據，1/3簡答題簡要闡明費米能級的定義、作用和影響原因。答：電子在不一樣能量量子態(tài)上的記錄分布概率遵照費米分布函數：費米能級EF是確定費米分布函數的一種重要物理參數，在絕對零度是，費米能級EF反應了未占和被占量子態(tài)的能量分界線，在某有限溫度時的費米能級EF反應了量子態(tài)占據概率為二分之一時的能量位置。確定了一定溫度下的費米能級EF位置，電子在各量子態(tài)上的記錄分布就可完全確定。費米能級EF的物理意義是處在熱平衡狀態(tài)的電子系統(tǒng)的化學勢，即在不對外做功的狀況下，系統(tǒng)中增長一種電子所引起的系統(tǒng)自由能的變化。半導體中的費米能級EF一般位于禁帶內，詳細位置和溫度、導電類型及摻雜濃度有關。只有確定了費米能級EF就可以記錄得到半導體導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度。在本征半導體中進行故意摻雜多種元素，可變化材料的電學性能。請解釋什么是淺能級雜質、深能級雜質，它們分別影響半導體哪些重要性質；什么是雜質賠償？雜質賠償的意義何在？答：淺能級雜質是指其雜質電離能遠不不小于本征半導體的禁帶寬度的雜質。它們電離後將成為帶正電（電離施主）或帶負電（電離受主）的離子，并同步向導帶提供電子或向價帶提供空穴。它可有效地提高半導體的導電能力。摻雜半導體又分為n型半導體和p型半導體。深能級雜質是指雜質所在的能級位置在禁帶中遠離導帶或價帶，在常溫下很難電離，不能對導帶的電子或價帶的空穴的濃度有所奉獻，但它可以提供有效的復合中心，在光電子開關器件中有所應用。當半導體中既有施主又有受主時，施主和受主將先互相抵消，剩余的雜質最終電離，這就是雜質賠償。運用雜質賠償效應，可以根據需要變化半導體中某個區(qū)域的導電類型，制造多種器件。什么叫受主？什么叫受主電離？受主電離前後有何特性？答：半導體中摻入受主雜質後，受主電離後將成為帶負電的離子，并同步向價帶提供空穴，這種雜質就叫受主。受主電離成為帶負電的離子（中心）的過程就叫受主電離。受主電離前帶不帶電，電離後帶負電。什么叫復合中心？何謂間接復合過程？有哪四個微觀過程？試闡明每個微觀過程和哪些參數有關。答：半導體內的雜質和缺陷可以增進復合，稱這些增進復合的雜質和缺陷為復合中心；間接復合：非平衡載流子通過復合中心的復合；四個微觀過程：俘獲電子，發(fā)射電子，俘獲空穴，發(fā)射空穴；俘獲電子：和導帶電子濃度和空穴復合中心濃度有關。發(fā)射電子：和復合中心能級上的電子濃度。俘獲空穴：和復合中心能級上的電子濃度和價帶空穴濃度有關。發(fā)射空穴：和空的復合中心濃度有關。漂移運動和擴散運動有什么不一樣？兩者之間有什么聯(lián)絡？答：漂移運動是載流子在外電場的作用下發(fā)生的定向運動，而擴散運動是由于濃度分布不均勻導致載流子從濃度高的地方向濃度底的方向的定向運動。前者的推進力是外電場，後者的推進力則是載流子的分布引起的。漂移運動與擴散運動之間通過遷移率與擴散系數相聯(lián)絡。而非簡并半導體的遷移率與擴散系數則通過愛因斯坦關系相聯(lián)絡，兩者的比值與溫度成反比關系。即簡要闡明pn結空間電荷區(qū)怎樣形成？答：當p型半導體和n型半導體結合形成pn結時，由于兩者之間存在載流子濃度梯度，從而導致了空穴從p區(qū)到n區(qū)、電子從n區(qū)到p區(qū)的擴散運動。對于p區(qū)，空穴離開後留下了不可動的帶負電荷的電離受主，因此在p區(qū)一側出現(xiàn)了一種負電荷區(qū)；同理對于n區(qū)，電子離開後留下了不可動的帶正電荷的電離施主，因此在n區(qū)一側出現(xiàn)了一種正電荷區(qū)。這樣帶負電荷的電離受主和帶正電荷的電離施主形成了一種空間電荷區(qū)，并產生了從n區(qū)指向p區(qū)的內建電場。在內建電場作用下，載流子的漂移運動和擴散運動方向相反，內建電場阻礙載流子的擴散運動。隨內建電場增強，載流子的擴散和漂移到達動態(tài)平衡。此時就形成了一定寬度的空間電荷區(qū)，并在空間電荷區(qū)兩端產生了電勢差，即pn結接觸電勢差。簡要闡明載流子有效質量的定義和作用。答：能帶中電子或空穴的有效質量m*的定義式為：有效質量m*與能量函數E(k)對于波矢k的二次微商，即能帶在某處的曲率成反比；能帶越窄，曲率越小，有效質量越大，能帶越寬，曲率越大，有效質量越小；在能帶頂部，曲率不不小于零，則有效質量為負值，在能帶底部，曲率不小于零，則有效質量為正值。有效質量的意義在于它概括了內部勢場的作用，使得在處理半導體中載流子在外場作用下的運動規(guī)律時，可以不波及內部勢場的作用。對于摻雜的元素半導體Si、Ge中，一般情形下對載流子的重要散射機構是什么？寫出其重要散射機構所決定的散射幾率和溫度的關系。答：對摻雜的元素半導體材料Si、Ge，其重要的散射機構為長聲學波散射和電離雜質散射其散射幾率和溫度的關系為：聲學波散射：，電離雜質散射：9.闡明能帶中載流子遷移率的物理意義和作用。答：載流子遷移率m反應了單位電場強度下載流子的平均漂移速度，其定義式為：；其單位為：cm2/V×s半導體載流子遷移率的計算公式為：其大小與能帶中載流子的有效質量成反比，與載流子持續(xù)兩次散射間的平均自由時間成正比。確定了載流子遷移率和載流子濃度就可確定該載流子的電導率。證明題1．試推證：對于只含一種復合中心的間接帶隙半導體晶體材料，在穩(wěn)定條件下非平衡載流子的凈復合率公式證：題中所述狀