復(fù)旦微電：2021年年度報(bào)告摘要

2021年年度報(bào)告摘要?jiǎng)?，投資者應(yīng)當(dāng)?shù)骄W(wǎng)站仔細(xì)閱讀年度報(bào)告全文。公司已在本報(bào)告“第三節(jié)管理層討論與分析”之“四、風(fēng)險(xiǎn)因素”中披露了可能面對(duì)的風(fēng)險(xiǎn)，提請(qǐng)第一節(jié)本公司董事會(huì)、監(jiān)事會(huì)及董事、監(jiān)事、高級(jí)管理人員保證年度報(bào)告內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確□√民幣0.65元（含稅，預(yù)計(jì)分配現(xiàn)金紅利總額為52,942,630.00元（含稅第二節(jié)公司基本情況第二節(jié)公司基本情況AH021-021-(一)專業(yè)公司。公司目前已建立健全安全與識(shí)別芯片、非揮發(fā)存儲(chǔ)器、智能電表芯片、FPGA芯片和復(fù)旦微電安全與識(shí)別產(chǎn)品線依托自主研發(fā)的射頻、存儲(chǔ)器和安全防攻擊技術(shù)，已形成了RFID超高頻標(biāo)簽、NFCTAG、接觸式/非接觸式/SE芯片、安全MCU芯片、非接觸FM11、FM13、FM44系列產(chǎn)品構(gòu)成，包括非接觸邏輯加密NFC標(biāo)簽和通道RFID芯片、RFID標(biāo)簽芯片和讀寫器芯片、傳感主要由FM12、FM15等系列產(chǎn)品構(gòu)成，包CPU卡芯CPUFM17系列構(gòu)成，產(chǎn)品類型為非接EEPROM主要由FM24I2C、SPIMicroWireNORFlashFM25/FM29系SPI、通SLCNANDFlash存主要由FM25/FM9系列SPI、ONFI并行接口，存儲(chǔ)容量品構(gòu)成，產(chǎn)品類型為32Cortex-M0內(nèi)核MCUIR46網(wǎng)2020規(guī)范智能電能電能表、海外單/低功耗通用主要由FM33A、FM33G、FM33L、FM33LCFM33LG、包括ARMCortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片、16位增強(qiáng)型8xC251處理器內(nèi)MCU表、智能水表/熱量表/燃FPGAFPGA名為現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列，是一種硬件可重構(gòu)的集成電路芯片。FPGA擁有軟件的可編程5G通信、人工智能等具有較頻繁的迭代升級(jí)周期、較大的技術(shù)不確定性的領(lǐng)域，F(xiàn)PGAFPGA領(lǐng)域技術(shù)較為領(lǐng)先的公司之一。65nmCMOS工高性價(jià)比SRAM型FPGA產(chǎn)品億門級(jí)FPGA芯28nmCMOS工大規(guī)模的SRAM型FPGA產(chǎn)品5G通信、人件PSoC28nmCMOS工(二)Fabless經(jīng)營(yíng)模式，專注于集成電路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，將晶圓制(三)C制造業(yè)——C39計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)”。1（AIICInsights最新的數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體集成5098202025%。486916.55.71101322對(duì)于RFDRFDTDES、RSA、SM4、SM2等密碼算法外，還需要支持多種防護(hù)技術(shù)，在國(guó)內(nèi)需獲得銀聯(lián)卡芯片產(chǎn)品安全認(rèn)證證書、商用密碼產(chǎn)品認(rèn)證證書、IT產(chǎn)品信息安全認(rèn)證證書等，EEPROM、NORFlash、SLCNAND限，國(guó)內(nèi)國(guó)際處于相同水平。NORFLASH55nm節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，50nm-40nm節(jié)點(diǎn)處于開發(fā)階段，并基本達(dá)到該器件機(jī)理物理性能極限，國(guó)內(nèi)國(guó)際處于相同水SLCNANDFLASH產(chǎn)品領(lǐng)域，2XnmIDM廠商成熟工藝，國(guó)內(nèi)代工廠尚處于3XnmSOP/TSSOP/DFN等塑封形式是常規(guī)消費(fèi)類工業(yè)產(chǎn)品主流的封裝形式，WLCSP封裝形式在手機(jī)、CCM模組等對(duì)體積敏感的領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，SIP及3D封裝在特定客戶、特定應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用也趨于普遍。20MCU和載波通信芯片等MCUMCU芯片普遍采MHz-此外，智能電表對(duì)主控MCU有較高的可靠性要求，必須滿足工業(yè)級(jí)溫度范圍-4055nm及以下的嵌入式閃存工藝發(fā)展。通用低功耗MCUMU80m0m40m16B2KB4KB18KBSRM，ASmDelaDFPGAFPGA可開發(fā)的潛力。當(dāng)前數(shù)字信息的爆發(fā)導(dǎo)致了硬件承載數(shù)據(jù)量的爆炸等待處理而導(dǎo)致數(shù)據(jù)擁塞。因此，SerDesFPGA的實(shí)際性能表現(xiàn)也有很大的影FPGA與外界數(shù)據(jù)交換的能力，Serdes速率越高其交換能力越強(qiáng)。FPGA上增加應(yīng)用處理單元、人工智能加速引擎、圖像處理單元、專用高速協(xié)議接口等FPGA芯片F(xiàn)PGAFPGA技術(shù)的分水嶺。28nm716nmUltrascale+7nm工藝制程上進(jìn)FPGA產(chǎn)品的研發(fā)。Fabless經(jīng)營(yíng)模式，在專業(yè)化分工行RFID芯片與防偽應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)安全、NFC應(yīng)用方案等方向拓展。2EEPROM，NORFlashSLCNANDFlash產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與量產(chǎn)能力，存儲(chǔ)產(chǎn)品1Kbit-4GbitEEPROM產(chǎn)品通國(guó)內(nèi)智能電表、VR/ARADASFlash需求有大幅增加的前景。4、FPGA公司在國(guó)內(nèi)FGAFA221308mFPGAPoeFPGAFGA復(fù)旦微電PSoC是國(guó)內(nèi)發(fā)布的首款高性能PSoC產(chǎn)品，采用異構(gòu)計(jì)算的新興技術(shù)，實(shí)現(xiàn)“分FPGA產(chǎn)品的發(fā)展瓶頸，通過將通用處理器及常見功能模塊硬核化，減少了芯片面積與功耗，1在RFDRFD+RFRFDC和RFDCCCP+DC和RFD安全SE芯片和安全MCU芯片的形式，逐步向醫(yī)療、可穿戴設(shè)備、定位等應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展。2EEPOM013m9m（非X）替代工藝器件產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)，以期獲得成本和可靠性的持續(xù)優(yōu)化。高可靠要求的領(lǐng)域（如變頻對(duì)EPMNORFlash50nm、40nmETOX架構(gòu)演進(jìn)至CPENORFlash的市場(chǎng)容量。SLCNANDFlash方面，成本與可靠性進(jìn)一步優(yōu)化后，SLCNANDFlash產(chǎn)品將進(jìn)入更多的應(yīng)NANDFlashNORFlash承擔(dān)程序代3、MCU功耗、易開發(fā)的優(yōu)點(diǎn)，而32位主要應(yīng)用于中高端場(chǎng)景。以智能電表MCU為例，當(dāng)前主控64MCU芯4、FPGA人工智能、5GFPGA應(yīng)用的重點(diǎn)領(lǐng)域，數(shù)據(jù)量大是二者的共同特點(diǎn)，因此需SerDesFPGA5G時(shí)代，SerDes32GbpsFPGA56Gbps甚至CPU+FPGA+AICPU+FPGA+GPUPSoC3

單位：萬元202120202019---益率-基本每股收益（／股-稀釋每股收益（／股-