電子化學(xué)品行業(yè)系列報告之六：光刻膠：政策支持疊加需求爆發(fā)光刻膠企業(yè)任重道遠

20180425能源與環(huán)境研究中心

行業(yè)研市場數(shù)據(jù)(市場數(shù)據(jù)(人民幣300

國金行 滬深

行業(yè)觀點光刻膠是半導(dǎo)體工藝中最核心的材料，直接決定芯片制程，國內(nèi)光刻膠產(chǎn)業(yè)和國外先進產(chǎn)品相差三四代。未來我國大力發(fā)展芯片事業(yè)，如果在光刻極大的阻礙。所以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開上游材料的配到，尤其是光刻膠（包括光刻膠）2025》重點領(lǐng)域。半導(dǎo)體及集成電路保持增長，國產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠成長空間巨大。中國半WSTSSIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，20161659.09.2%，大于全（1.1%相關(guān)報告2.《地緣局勢推高國際油價，有機硅再次提4.4月反彈-相關(guān)報告2.《地緣局勢推高國際油價，有機硅再次提4.4月反彈-LCDLCD光刻膠增長。LCD廠商面板出貨量有所下降，但是由于大屏顯示的市場擴增，LCD整體出貨面出貨面積的持續(xù)增長，未來幾年全球LCD光刻膠的需求量增長速度為4%~6%LCDLCD光刻膠需PCB產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定，光刻膠剛需強勁。2016年，全球PCB市場規(guī)模達542.1億美元。國外研究機構(gòu)預(yù)測，PCB市場年復(fù)合增長率可達3%2020年，PCB6102020PCB投資建議：蒲強分析師SAC執(zhí)業(yè)編號：S1130516090001蒲強分析師SAC執(zhí)業(yè)編號：S1130516090001霍堃何雄聯(lián)系人聯(lián)系人風(fēng)險提示受國外公司降價沖擊，光刻膠材料國產(chǎn)化率慢；對應(yīng)公司認(rèn)證周期過長，

-1內(nèi)容目錄投資邏 一、概 簡介及工作原 光刻膠的分 光刻膠的應(yīng) 光刻加工分辨率與光刻 二、產(chǎn)業(yè)鏈及市場容 光刻膠產(chǎn)業(yè) 光刻膠市場規(guī)模與發(fā)展趨 下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢及需 三、國內(nèi)市場分析及預(yù) 行業(yè)壁 國內(nèi)廠商相對國際廠商劣 國產(chǎn)光刻膠政策支 國產(chǎn)化趨 投資建 風(fēng)險提 圖表目錄圖表1：光刻膠工藝示意 圖表2：ArF光刻膠及其配套高純化學(xué) 圖表4：晶體結(jié)構(gòu)與特征尺 圖表5：光刻分辨率影響因 圖表6：雙掩膜技術(shù)示意 圖表7：雙刻蝕技術(shù)示意 圖表9：臺積電發(fā)展計 圖表10：光刻膠產(chǎn)業(yè) 圖表14：全球光刻膠市場份 圖表16：全球半導(dǎo)體用光刻膠市場現(xiàn)狀及預(yù)測（億美元 圖表17：全球LCD面板需求面積(萬平方米)及增速

-2圖表18：2015年國內(nèi)各類LCD光刻膠市場規(guī)模及增 圖表20：國際主要光刻膠供應(yīng) 圖表21：國際光刻膠供應(yīng)商經(jīng)營產(chǎn)品及特 圖表25：晶瑞股份核心技術(shù)簡 錯誤!未定義書簽

-3本篇報告是我們新材料系列報告的第六篇。前兩篇報告我們分別對平面顯示材料、半導(dǎo)體材料行業(yè)的整體狀況進行了回顧和展望，從第三篇起我們開始對子行業(yè)進行詳細的剖析。繼電子氣體和濕電子化光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料，具有技術(shù)門檻高、資金投入大、產(chǎn)品更新?lián)Q代快等特點。隨著半導(dǎo)體、PCB和LCD等下游產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，光刻膠國內(nèi)市場需求持續(xù)增大。未來隨著國內(nèi)企業(yè)光刻膠國產(chǎn)化核心技術(shù)的繼續(xù)突破，國內(nèi)投資邏輯國內(nèi)政策支持助推光刻膠產(chǎn)業(yè)崛起?？傮w上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持。結(jié)合工業(yè)大背景，我國“十三五”規(guī)劃中提出要引導(dǎo)制造業(yè)朝著分工細化、協(xié)作緊密蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品作為精細化學(xué)品重（包括光刻膠）2025》重點領(lǐng)域。國內(nèi)光刻膠市場潛力尚未開發(fā)完全，未來供給端仍將存在缺口。201551.7億元，同比發(fā)展空間巨大。20159.75萬噸，而10.12萬噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計，未來半導(dǎo)體及集成電路保持增長，國產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠成長空間巨大，取得技術(shù)突破的企業(yè)將率先抓住國內(nèi)市場機遇?，F(xiàn)階段，日美企業(yè)壟斷國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場，但國內(nèi)企業(yè)g/i線光刻膠、KrF/ArFJSR、TOK、陶氏化學(xué)等。但隨著國內(nèi)企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入和創(chuàng)新，如蘇州瑞紅、北京科華等，他們有望持續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體光刻膠國

-4產(chǎn)化進程，逐漸降低我國對半導(dǎo)體光刻膠的進口依賴程度。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移。WSTSSIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2016年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1。LCD面板產(chǎn)能擴增，國內(nèi)市場空間潛力巨大。我國高檔LCD光刻膠基本依賴進口。由于LCD光刻膠行業(yè)技術(shù)壁壘高，市場主要由日本及韓國的廠商壟斷。國內(nèi)廠商在該領(lǐng)域也已起步，目前北京科華、蘇州瑞紅、飛凱材料等可以生產(chǎn)一些彩色光刻膠，在該領(lǐng)域進行布局。雖然近三年市場擴增，LCD整體出貨面積變大，2016年出貨總面積1.74.6%LCD出貨面積的持續(xù)增長，未來幾年全球LCD光刻膠的需求量增長速斷突破，LCD光刻膠及其專用化學(xué)品將迎來巨大的進口替PCB產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定，向國產(chǎn)化趨勢日益明顯。2002年起，隨著越來越多外資在我國建廠和內(nèi)資工廠的崛起，我國逐漸從PCB光刻膠進口大國轉(zhuǎn)變?yōu)镻CB出口大國。2015PCB12.6億美元，占全球市場70%。2016PCB542.1億美元。國外研究機構(gòu)預(yù)測，PCB3%，2020年，PCB610億美元；中國2020PCB311億美元。三、投資建議：晶瑞股份（30655：公司主要從事微電子化學(xué)品的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，主要生產(chǎn)超凈高純試劑、80%左右的微電子化學(xué)品產(chǎn)品依賴進口，公司微電子化學(xué)品年產(chǎn)能48萬噸，其中雙氧水已經(jīng)突破5級別技術(shù)，206年國內(nèi)市場占有率7%，內(nèi)資企業(yè)領(lǐng)先，爭取進口替代空間是公司的發(fā)展方向。公司產(chǎn)品應(yīng)用于五大新興并處于快速發(fā)展期行業(yè)。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏太陽能電池、ED、平板顯示和鋰電池等五大新興行業(yè)，具體應(yīng)用到下游電子信息產(chǎn)品的清洗、光刻、顯影、蝕刻、去膜、漿料制備等工藝環(huán)節(jié)。（30023：2萬片，2016年已經(jīng)獲得了臺積電供貨15萬片/月，預(yù)計186月達產(chǎn)。公司目前計劃投資2億元用于193nm

-55000萬元，有望打破國外專業(yè)公司的壟斷，填補國內(nèi)空白。南大光電（00346：公司是國內(nèi)唯一的半導(dǎo)體前驅(qū)供應(yīng)商，作為電子氣體的龍頭，在全球MO源的市場份額中位居第一。公司1.2億元入股北京科華，占有31.39%股權(quán)，切入光刻膠領(lǐng)域。248nm產(chǎn)品已經(jīng)通過中芯國際認(rèn)證并獲得訂單，邁出了國產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠關(guān)鍵的一步。強力新材（30429：公司主要從事光刻膠專用化學(xué)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要生產(chǎn)光刻膠引發(fā)劑和光刻膠樹脂兩大PCB光刻膠、LCD光刻膠以及半導(dǎo)體光刻膠等光刻膠產(chǎn)品里所需的各類光引發(fā)劑、感光樹脂等電子化學(xué)品領(lǐng)域形成了豐富的產(chǎn)品體系和技術(shù)儲備。20161.1634.10%。

-6一、概述光刻膠又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學(xué)敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設(shè)計好的微細圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。因此光刻膠微細加工技術(shù)中的關(guān)鍵性化工材料，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路的加工制作。生產(chǎn)光刻膠的原料包光刻膠的分類依照化學(xué)反應(yīng)和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負(fù)性光刻膠工藝，形成按照感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特點；②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性膠；③光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可nmnm束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越TOK光刻膠的應(yīng)用1975年，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，SEMI)首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍光刻膠廣泛應(yīng)用于印刷電路板（PrintedCircuitBoard，PCB）的設(shè)計與加工中。PCB光刻膠主要包括干膜光刻膠、濕膜光刻膠和光成像阻焊油墨。自2006PCB的最大生產(chǎn)國和最大使用國。PCB光刻膠技術(shù)壁壘較低，但是我國PCB10%左右。

-7平板顯示器領(lǐng)域，TFT-LCD（薄膜晶體管液晶顯示器）是市場的主流，彩色濾光片是TFT-LCD實現(xiàn)彩色顯示的關(guān)鍵器件，占面板成本的15%左右；彩27%90%。半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用光刻膠應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的晶圓加工過程。隨著市場對半導(dǎo)體產(chǎn)品小型化、功能多樣化的要求，半導(dǎo)體用光刻膠需要不斷通過縮短曝光波長提高極現(xiàn)代微電子(集成電路)3年縮小√2倍。柵極的寬度為典型的特征尺寸，圖中的晶體管結(jié)構(gòu)中，電流從Source(源極)流入Drain(漏級)，Gate(柵極)相當(dāng)于閘門，主要負(fù)責(zé)控制兩端源極和漏級的通斷。電流會損耗，而柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表(柵長)XXnm工藝中的數(shù)值。三星、intel22nm、16nm、14nm10nm以下工藝。光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率表達

-8光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線(436nm)→i線(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應(yīng)光刻光路的設(shè)計，有利于進一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔0.351。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求0.80.410nm工藝的光刻。來源：Mentor7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出，臺積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧

-9來源：ASML/CarlZeissSMT光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋范圍廣，從上游的基礎(chǔ)化工材料行業(yè)、精細化學(xué)品行業(yè)，到下游電子加工商、各電子器產(chǎn)品應(yīng)用終端；各行業(yè)分工明確，環(huán)環(huán)相扣，聯(lián)系緊密。由于上游產(chǎn)品對最終下游企業(yè)的產(chǎn)品性能具有重大影響，下游行業(yè)企業(yè)對公司產(chǎn)品的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認(rèn)證采購的模式?？紤]到采購成本和認(rèn)證成本，上游供應(yīng)商和下游采購商通常會形成比較穩(wěn)固的合作模式，新的我國化工產(chǎn)品原料品種齊全，可以為光刻膠產(chǎn)業(yè)提供充足和價格低廉的基礎(chǔ)原料供給，但是由于資金和技術(shù)的差距，生產(chǎn)光刻膠的原料如引發(fā)劑、增感光刻膠樹脂等被外資壟斷導(dǎo)致光刻膠自給能力不足。當(dāng)下電子產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)主要被日本、韓國、臺灣地區(qū)的大公司控制，我國電子化學(xué)品供應(yīng)商要突破現(xiàn)有的全球光刻膠市場擴增，對光刻膠的總需求不斷提升。據(jù)估計，2015年國際光刻膠市場達73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占26.6%24.1%。20102015年期間，國際光刻膠市場年復(fù)合增長率約為5.8%；據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2015年，PCB光刻膠、LCD5%左右。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動2022100億美

-10圖表122007-2015年我國光刻膠產(chǎn)量和需求量（單位：萬噸）場增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。2015年我國光刻膠產(chǎn)量為9.7510.12萬噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計，未來仍將保持供不應(yīng)求的局面。據(jù)智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)202227.2萬噸。在光刻膠生產(chǎn)種類PCBLCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進口。放眼國際市場，光刻膠也主要被日本（JSR光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。35%，并且耗費時間約占整個芯片工40%50%。IC4%，市場巨大。因WSTSSIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，20161659.09.2%，大（1.119.7623.15

-1122.6429.36億元28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，需求增長持續(xù)性強。近些年來，全球半導(dǎo)體廠商在中國大陸投設(shè)多家工廠，如臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導(dǎo)體工廠的設(shè)立，也拉動來源：WSTS，SIA201614.5節(jié)點生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加。。LCDLCDLCD面板總出貨面積增長，LCDWitsView數(shù)據(jù)，LCD廠商面板出貨量有所下降，但是由于大屏顯示的市場擴增，LCD整體出貨面積變大，2016年出貨總面積達到1.7億平方米，同比增長4.6%。隨著LCD出貨面積的持續(xù)增長，中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)預(yù)測，未來幾年全球LCD4%~6%LCD市場比重越

-12PCBPCB2016年，全PCB542.1億美元。國外研究機構(gòu)預(yù)測，PCB市場年復(fù)合增長PCB3112015-2020年期間，年復(fù)合增長率略高3.5%PCBPCB光刻膠需求空行業(yè)壁壘資金壁壘光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設(shè)備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運營成本較高，下游廠商認(rèn)證采購時間較長，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需要投技術(shù)壁壘由于光刻膠用于微米級甚至納米級圖形加工，光刻膠產(chǎn)品需要嚴(yán)格控制質(zhì)量。光刻膠及其專用化學(xué)品的化學(xué)結(jié)構(gòu)特殊、品質(zhì)要求高、微粒子及金屬離子含量極低、生產(chǎn)工藝復(fù)雜，因此生產(chǎn)具有較高技術(shù)門檻。光刻技術(shù)的發(fā)展，其對光刻膠也有不同需求，而光刻膠的研發(fā)受制于人才和技術(shù)。因此，技術(shù)壁壘

-13商供貨給下游企業(yè)需要經(jīng)過較長時間的認(rèn)證，一旦認(rèn)證通過，下游企業(yè)也不太愿意更換上游供應(yīng)商。加之下游光刻工藝更新?lián)Q代快，光刻膠廠家需要與原料供應(yīng)商進行密切的聯(lián)合研發(fā)，研發(fā)過程技術(shù)保密非常嚴(yán)格，光刻膠專用化學(xué)品行業(yè)下游客戶轉(zhuǎn)換成本高，使得光刻膠行業(yè)上下游相互依存度高?？傮w來說，廠商體量差距光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設(shè)備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運營成本較高，下游廠商認(rèn)證采購時間較長，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需要投入較大的資金，因此，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘國外光刻膠廠商相對于國內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢。國外廠商供應(yīng)產(chǎn)品齊全，光刻膠種類豐富，同時有著較為全面的配套化學(xué)品，方便下游客戶采購和

-14技術(shù)劣勢3代。尤其是高端光刻膠材料及其配套材料的設(shè)計和生產(chǎn)能力不足，大多相關(guān)光刻膠制造企業(yè)都是從刻膠材料的研發(fā)，理解和相關(guān)生產(chǎn)經(jīng)驗，所以在高端光刻膠的設(shè)計和生產(chǎn)水平較低，生產(chǎn)效率較低，無法滿足高端光刻膠市場的需求，中國的高端光刻膠材料的供應(yīng)仍以進口為主。北京科華算是國內(nèi)技術(shù)較為先進的光刻膠供應(yīng)商，其現(xiàn)在正研發(fā)上一代光刻機配套產(chǎn)品（2019193nmArF光刻機）所用光刻膠。來源：inpria上下游關(guān)系劣勢國外廠商，借助技術(shù)資金優(yōu)勢，早早布局光刻膠產(chǎn)業(yè)，在供應(yīng)鏈上形成了較為穩(wěn)固的關(guān)系，其上下游之間合作也頗為緊密。以韓國東進世美肯為例，其LCDBOE和三星，基本對標(biāo)兩家廠商的光刻膠需求。國內(nèi)公司上下游廠商關(guān)系有待加強，國內(nèi)光刻膠上游原材料廠商較少，下游客戶認(rèn)證也需時間。產(chǎn)業(yè)上下游關(guān)系劣勢，會使得國總體上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持。結(jié)合工業(yè)大背景，我國“十三五”規(guī)劃中提出要引導(dǎo)制造業(yè)朝著分工細化、協(xié)作緊密方向發(fā)展，推動“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”；國家重點支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）中提到“高分辨率光刻刻技術(shù)（包括光刻膠）2025》重點領(lǐng)域。國產(chǎn)化趨勢PCBPCB出口大國。2015PCB12.6

-15來源：HISLCDLCDLCDLCD光刻膠行業(yè)技術(shù)壁壘高，市場主要由日本及韓國的廠商壟斷。國內(nèi)廠商在該領(lǐng)域也已起步，目前北京科現(xiàn)階段，日美企業(yè)壟斷國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場，但國內(nèi)企業(yè)在資金和技g/i線光刻膠、KrF/ArF光刻膠市場，生產(chǎn)商包括JSR、TOK、陶氏化學(xué)等。但隨著國內(nèi)企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入和創(chuàng)新，如蘇州瑞紅、北京科華等，他們有望持續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化進程，逐漸降

-16投資建議晶瑞股份（30655：公司是一家專業(yè)從事微電子化學(xué)品的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，主要生產(chǎn)超凈高純試劑、光刻膠、功能性材料和鋰電池粘結(jié)劑微電子化學(xué)品。80%左右的微電子化學(xué)品