我國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展研究現(xiàn)狀分析

我國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展研究現(xiàn)狀分析我國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展研究現(xiàn)狀分析我國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展研究現(xiàn)狀分析國內(nèi)外區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)技術(shù)工藝進(jìn)展路徑及商業(yè)應(yīng)用前景詢問報(bào)告區(qū)熔硅單晶也稱區(qū)熔硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。區(qū)熔硅單晶是電力電子器件的關(guān)鍵材料。區(qū)熔硅單晶是較一般電子級(jí)單晶硅具有更高純度和更高電阻率。區(qū)熔硅單晶采納的多晶硅材料成本大大高于直拉單晶硅所用材料，而其產(chǎn)品銷售價(jià)格也數(shù)倍于直拉單晶。半導(dǎo)體單晶硅材料行業(yè)的高速進(jìn)展，有利于分立器件行業(yè)的進(jìn)展；如果上游行業(yè)處于低谷，而分立器件行業(yè)沒有實(shí)行相應(yīng)的應(yīng)對(duì)策略，則分立器件行業(yè)亦將進(jìn)入低谷。中國市場(chǎng)來說，區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)商只有幾家。從全球來看，該趨勢(shì)全球并購也格外明顯，我們認(rèn)為，將來進(jìn)一步的整合還會(huì)連續(xù)。目前全球區(qū)熔硅單晶產(chǎn)業(yè)集中度已經(jīng)較高，主要為日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco收購），丹麥TOPSIL、德國Siltronic(由WackerChemieAG控股)、中環(huán)股份（環(huán)歐）等五家公司。目錄TOC\o"1-3"\n\u第一章中國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品進(jìn)展現(xiàn)狀分析第一節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)進(jìn)展現(xiàn)狀一、2010年國內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)進(jìn)展概況二、國內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局其次節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)政策一、產(chǎn)業(yè)政策二、技術(shù)壁壘三、人民幣升值影響分析第三節(jié)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品供求格局一、2008-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品總產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)二、2008-2009年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)三、2005-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品市場(chǎng)容量統(tǒng)計(jì)四、2010-2012年我國區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)供求猜測(cè)第四節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成模型分析一、區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成二、區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈模型分析其次章2008-2009年區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)市場(chǎng)調(diào)查第一節(jié)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品構(gòu)成一、區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)品分類標(biāo)準(zhǔn)二、區(qū)熔硅單晶行業(yè)主要產(chǎn)品市場(chǎng)份額其次節(jié)國內(nèi)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀第三節(jié)國外區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀第四節(jié)我國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用成熟度分析第五節(jié)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)與應(yīng)用市場(chǎng)關(guān)系第三章2008-2009年區(qū)熔硅單晶當(dāng)前生產(chǎn)工藝革新路徑第一節(jié)區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)工藝介紹其次節(jié)區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)工藝進(jìn)展歷程第三節(jié)國外區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)工藝進(jìn)展階段比較第四節(jié)我國區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)工藝革新路徑第五節(jié)國內(nèi)區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)設(shè)備介紹第六節(jié)國內(nèi)區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)設(shè)備應(yīng)用現(xiàn)狀第七節(jié)我國區(qū)熔硅單晶技術(shù)研發(fā)現(xiàn)狀第四章國內(nèi)外典型區(qū)熔硅單晶企業(yè)生產(chǎn)技術(shù)工藝應(yīng)用調(diào)查第一節(jié)中環(huán)股份一、企業(yè)基本情況二、企業(yè)技術(shù)進(jìn)展歷程三、企業(yè)技術(shù)實(shí)力分析其次節(jié)企業(yè)生產(chǎn)技術(shù)工藝應(yīng)用情況一、企業(yè)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)選擇二、企業(yè)區(qū)熔硅單晶工藝設(shè)備配置三、企業(yè)區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)與革新狀況第五章國內(nèi)外區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品技術(shù)工藝研發(fā)動(dòng)態(tài)第一節(jié)國內(nèi)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品技術(shù)工藝研發(fā)動(dòng)態(tài)其次節(jié)國外區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品技術(shù)工藝研發(fā)動(dòng)態(tài)第三節(jié)2011-2012年區(qū)熔硅單晶技術(shù)工藝研發(fā)趨勢(shì)分析第四節(jié)國內(nèi)外企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力對(duì)比分析1.研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力分析2.生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力分析3.銷售競(jìng)爭(zhēng)力分析4.管理競(jìng)爭(zhēng)力分析第五節(jié)國外主要代表性企業(yè)討論一、德國瓦克（WackerChemieAG）二、日本信越（Shin-EtsuHandotai）三、日本小松四、丹麥Topsil第六節(jié)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品現(xiàn)行技術(shù)同類替代技術(shù)進(jìn)展第六章2009-2012年區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品技術(shù)工藝應(yīng)用前景研判第一節(jié)國外區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品技術(shù)工藝應(yīng)用前景其次節(jié)我國區(qū)熔硅單晶技術(shù)工藝應(yīng)用前景第三節(jié)我國區(qū)熔硅單晶技術(shù)工藝進(jìn)展對(duì)行業(yè)項(xiàng)目投資的影響第七章我國區(qū)熔硅單晶行業(yè)典型投資項(xiàng)目分析第一節(jié)項(xiàng)目總投資估算一、固定資產(chǎn)建設(shè)投資估算二、流淌資金估算三、項(xiàng)目總投資其次節(jié)資金籌措及投資計(jì)劃一、資金來源與出資方式二、項(xiàng)目籌資方案三、投資使用計(jì)劃四、借款償還計(jì)劃第三節(jié)項(xiàng)目財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)一、計(jì)算依據(jù)及相關(guān)說明二、總成本費(fèi)用估算三、銷售收入、銷售稅金及附加和增值稅估算四、損益及利潤及安排第四節(jié)盈利能力分析一、投資利潤率，投資利稅率二、財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率、財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值、投資回收期三、項(xiàng)目財(cái)務(wù)現(xiàn)金流量表四、項(xiàng)目資本金財(cái)務(wù)現(xiàn)金流量表五、盈虧平衡分析六、敏感性分析第五節(jié)效益分析一、經(jīng)濟(jì)效益二、社會(huì)效益第八章2010-2012年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)行情第一節(jié)市場(chǎng)狀況分析及猜測(cè)（2010-2012年）其次節(jié)供需狀況分析及猜測(cè)（2010-2012年）第三節(jié)進(jìn)出口狀況分析一、2005-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品進(jìn)口量統(tǒng)計(jì)二、2008-2009年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品出口量統(tǒng)計(jì)三、2010-2012年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品出口猜測(cè)第九章區(qū)熔硅單晶銷售策劃第一節(jié)國內(nèi)外市場(chǎng)分布其次節(jié)部分國內(nèi)需求廠家及聯(lián)系方式第三節(jié)部分國外需求廠家及聯(lián)系方式第十章區(qū)熔硅單晶技術(shù)開發(fā)、項(xiàng)目投資、生產(chǎn)及銷售注意事項(xiàng)第一節(jié)產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)注意事項(xiàng)其次節(jié)項(xiàng)目投資注意事項(xiàng)第三節(jié)產(chǎn)品生產(chǎn)注意事項(xiàng)第四節(jié)產(chǎn)品銷售注意事項(xiàng)第十一章華經(jīng)縱橫主要討論結(jié)論及策略建議第一節(jié)策略建議主要理論及數(shù)據(jù)支持說明其次節(jié)針對(duì)客戶需求給出獨(dú)家策略建議一、宏觀策略角度二、中觀產(chǎn)業(yè)角度三、微觀企業(yè)角度

第一章中國區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品進(jìn)展現(xiàn)狀分析第一節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)進(jìn)展現(xiàn)狀一、2010年國內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)進(jìn)展概況區(qū)熔硅單晶也稱區(qū)熔硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。區(qū)熔硅單晶是電力電子器件的關(guān)鍵材料。區(qū)熔硅單晶是較一般電子級(jí)單晶硅具有更高純度和更高電阻率。區(qū)熔硅單晶采納的多晶硅材料成本大大高于直拉單晶硅所用材料，而其產(chǎn)品銷售價(jià)格也數(shù)倍于直拉單晶。半導(dǎo)體單晶硅材料行業(yè)的高速進(jìn)展，有利于分立器件行業(yè)的進(jìn)展；如果上游行業(yè)處于低谷，而分立器件行業(yè)沒有實(shí)行相應(yīng)的應(yīng)對(duì)策略，則分立器件行業(yè)亦將進(jìn)入低谷。二、國內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局中國市場(chǎng)來說，區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)商只有幾家。從全球來看，該趨勢(shì)全球并購也格外明顯，我們認(rèn)為，將來進(jìn)一步的整合還會(huì)連續(xù)。目前全球區(qū)熔硅單晶產(chǎn)業(yè)集中度已經(jīng)較高，主要為日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco收購），丹麥TOPSIL、德國Siltronic(由WackerChemieAG控股)、中環(huán)股份（環(huán)歐）等五家公司。其次節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)政策一、產(chǎn)業(yè)政策高純的區(qū)熔硅單晶是制作各種探測(cè)器、傳感器的關(guān)鍵原材料，其市場(chǎng)增長趨勢(shì)也很明顯。另外采納高阻區(qū)熔硅制造微波單片集成電路（MMIC）以及微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）等高端微電子器件，被廣泛應(yīng)用于微波通訊、雷達(dá)、導(dǎo)航、測(cè)控、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，也顯示出巨大的應(yīng)用前景。區(qū)熔硅單晶的具有重要的戰(zhàn)略意義，2011年科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目指南中，我們看到了區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制項(xiàng)目。面對(duì)高壓大功率IGBT芯片產(chǎn)品制造需求，我國討論開發(fā)直徑150mm和200mm區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，形成性能穩(wěn)定的批量生產(chǎn)能力；滿意1200V－3300VIGBT芯片產(chǎn)業(yè)化對(duì)區(qū)熔硅單晶的要求和4500－6500V以上IGBT芯片的研制需求。2012年供應(yīng)生產(chǎn)線用戶考核認(rèn)證，2013年形成5000片/月以上的銷售。討論開發(fā)國產(chǎn)區(qū)熔單晶爐，2012年進(jìn)入生產(chǎn)線考核并通過用戶驗(yàn)證，形成批量供貨，供應(yīng)IGBT材料項(xiàng)目使用。主要產(chǎn)業(yè)政策如下：1、調(diào)整和振興規(guī)劃出臺(tái)電子信息產(chǎn)業(yè)企穩(wěn)回升態(tài)勢(shì)明朗2009年4月152、3G牌照發(fā)放通信制造業(yè)保持平穩(wěn)進(jìn)展工業(yè)和信息化部1月7日正式宣布，批準(zhǔn)中國移動(dòng)通信集團(tuán)公司增加基于TD-SCDMA技術(shù)制式的第三代移動(dòng)通信(3G)業(yè)務(wù)經(jīng)營許可，中國電信集團(tuán)公司增加基于CDMA2000技術(shù)制式的3G業(yè)務(wù)經(jīng)營許可，中國聯(lián)合網(wǎng)絡(luò)通信集團(tuán)公司增加基于WCDMA技術(shù)制式的3G業(yè)務(wù)經(jīng)營許可。中國電信業(yè)全面進(jìn)入3G時(shí)代。2009年前10個(gè)月，我國3G進(jìn)展總體進(jìn)展順利，3G用戶總數(shù)達(dá)到977萬，其中中國移動(dòng)TD3、物聯(lián)網(wǎng)等新業(yè)態(tài)興起戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)成為新增長點(diǎn)2009年8月，溫家寶總理指示要加快傳感網(wǎng)討論，把傳感系統(tǒng)和3G中的TD技術(shù)結(jié)合起來，盡快建立“感知中國”中心。9月，中國傳感器網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)工作組成立。除了物聯(lián)網(wǎng)以外，以可再生能源技術(shù)、節(jié)能減排技術(shù)、清潔煤技術(shù)及核能技術(shù)支撐的新能源產(chǎn)業(yè)，以傳感網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)、后IP時(shí)代相關(guān)技術(shù)支撐的信息網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)，以微電子及光電子材料和器件、新型功能材料、高性能結(jié)構(gòu)材料、納米技術(shù)和材料支撐的微電子和光電子材料和器件產(chǎn)業(yè)，以醫(yī)療器械關(guān)鍵核心技術(shù)支撐的先進(jìn)醫(yī)療設(shè)備制造等，逐漸成為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。下游的推動(dòng)將會(huì)直接擴(kuò)大區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)需求。從世界范圍來講，我國出臺(tái)十項(xiàng)措施時(shí)機(jī)選得比較好，是對(duì)金融危機(jī)的危險(xiǎn)性看準(zhǔn)摸清了火候到了的時(shí)候才出手的。我國出臺(tái)十項(xiàng)措施對(duì)我國的區(qū)熔硅單晶行業(yè)也是利好，有利于企業(yè)自主創(chuàng)新和結(jié)構(gòu)調(diào)整，有利于技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。我國的人民幣匯率實(shí)現(xiàn)了有限的浮動(dòng)政策，人民幣的升值壓力逐漸釋放。我國貨幣的升值不行避開的使得進(jìn)口產(chǎn)品的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力增加。區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)的價(jià)格目前還處于高位運(yùn)行，國內(nèi)外產(chǎn)商均通過維持市場(chǎng)高價(jià)來獵取高額利潤。如果我國的匯率連續(xù)向著人民幣升值的方向進(jìn)展，將會(huì)有利于我國進(jìn)口。估計(jì)將來幾年隨著我國匯率的調(diào)整和人民幣的升值，國內(nèi)的區(qū)熔硅單晶進(jìn)口價(jià)格的下降趨勢(shì)，這主要體現(xiàn)在我國人民幣升值帶來的一系列好處。與此同時(shí)，國外市場(chǎng)的疲軟，對(duì)于國內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)來說是一個(gè)好機(jī)會(huì)，引入技術(shù)和設(shè)備的成本也比較低，將很好的促進(jìn)國內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)的技術(shù)更新和產(chǎn)品改造工作，也降低了國內(nèi)區(qū)熔硅單晶的成本和價(jià)格。二、技術(shù)壁壘高反壓、大電流電力電子器件的進(jìn)展要求區(qū)熔硅單晶直徑進(jìn)一步增大。大直徑區(qū)熔硅單晶的拉制，最大困難在于高頻加熱設(shè)備能力和成晶工藝條件。由于技術(shù)封鎖，研制和生產(chǎn)大直徑區(qū)熔硅單晶的工藝條件需要摸索，格外是加熱線圈結(jié)構(gòu)和拉晶參數(shù)。購買國際先進(jìn)的技術(shù)儀器，仿效學(xué)習(xí)并研發(fā)出自己的技術(shù)，前期購買儀器成本太高，一般的小型公司難以擔(dān)當(dāng)先進(jìn)的Typ-FZ系列儀器昂揚(yáng)的價(jià)格。因此，國內(nèi)企業(yè)只有在生產(chǎn)中不停地摸索，克服技術(shù)壁壘，逐步研發(fā)并填補(bǔ)我國大直徑區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)技術(shù)的空白。在半導(dǎo)體單晶硅材料產(chǎn)業(yè)鏈中，多晶硅是生產(chǎn)硅單晶的原料，是半導(dǎo)體器件的上游基礎(chǔ)材料。2006年國內(nèi)包括半導(dǎo)體器件和硅晶體太陽能電池的多晶硅年需量超過10,000噸，而國內(nèi)的生產(chǎn)能力僅為300噸/年左右，因此多晶硅材料絕大部分依靠進(jìn)口。單晶硅材料的支撐體系薄弱，所需的關(guān)鍵設(shè)備和檢測(cè)儀器主要依靠進(jìn)口，形成了產(chǎn)品更新一代就必須從國外引進(jìn)新一代設(shè)備的局面，這就客觀上加大了產(chǎn)業(yè)進(jìn)展的投入，在肯定程度上制約了國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)的進(jìn)展。三、人民幣升值影響分析我國的人民幣匯率實(shí)現(xiàn)了有限的浮動(dòng)政策，人民幣的升值壓力逐漸釋放。我國貨幣的升值不行避開的使得進(jìn)口產(chǎn)品的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力增加。區(qū)熔單晶硅市場(chǎng)的價(jià)格目前還處于高位運(yùn)行，國內(nèi)外產(chǎn)商均通過維持市場(chǎng)高價(jià)來獵取高額利潤。如果我國的匯率連續(xù)向著人民幣升值的方向進(jìn)展，將會(huì)有利于我國進(jìn)口。估計(jì)將來幾年隨著我國匯率的調(diào)整和人民幣的升值，國內(nèi)的區(qū)熔單晶硅進(jìn)口價(jià)格的下降趨勢(shì)，這主要體現(xiàn)在我國人民幣升值帶來的一系列好處。與此同時(shí)，國外市場(chǎng)的疲軟，對(duì)于國內(nèi)區(qū)熔單晶硅行業(yè)來說是一個(gè)好機(jī)會(huì)，引入技術(shù)和設(shè)備的成本也比較低，將很好的促進(jìn)國內(nèi)區(qū)熔單晶硅行業(yè)的技術(shù)更新和產(chǎn)品改造工作，也降低了國內(nèi)區(qū)熔單晶硅的成本和價(jià)格。第三節(jié)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品供求格局一、2008-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品總產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)2005-2008年，我國區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)量呈現(xiàn)快速增長的趨勢(shì)，2009年產(chǎn)量有所下降，2005年產(chǎn)量為71噸，2006年為76.31噸，增速為7.48％，到了2009年為71.54噸，增長率比2008年下降了16.53％，2010年1-5月份為39.12噸。同比增長率為8.42%.

圖表2008-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品總產(chǎn)量資料來源：中國產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)二、2008-2009年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)區(qū)熔硅單晶目前的主要應(yīng)用產(chǎn)品包括2種：氣相摻雜（GasDopsiton）和中子嬗變摻雜（NTD）。其中GD目前市場(chǎng)規(guī)模約占區(qū)熔硅總體規(guī)模的80%左右，主要的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)閭鹘y(tǒng)電子電力器件，格外是高壓大功率器件，400V以上電壓產(chǎn)品等；NTD規(guī)模約占20%左右，主要應(yīng)用于鐵路、電站以及由新型能源技術(shù)所推動(dòng)的變壓變頻器件應(yīng)用中。前者受電源管理等市場(chǎng)的節(jié)能需求的推動(dòng)；后者由于鐵路、電廠的大規(guī)模建設(shè)以及新型能源如風(fēng)能發(fā)電等市場(chǎng)的進(jìn)展，目前有較快的市場(chǎng)增長。2005年GD產(chǎn)量為58.22噸，NTD為12.78噸，到了2009年GD產(chǎn)量為58.92噸，NTD為12.62噸。2010年1-5月份GD與NTD分別31.92噸7.2噸。2009年之前，產(chǎn)量均保持了較為平穩(wěn)的增長趨勢(shì)。

圖表2008-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品總產(chǎn)量資料來源：中國產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)三、2005-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品市場(chǎng)容量統(tǒng)計(jì)2005區(qū)熔硅單晶行業(yè)市場(chǎng)容量為79.41噸，2006年為94.1噸，增速為18.5％，2009年市場(chǎng)容量達(dá)到118.74噸。同比增長4.56%，2010年1-5月份為68.91噸，同比增長18.14％。圖表2005-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品市場(chǎng)容量資料來源：中國產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)四、2010-2012年我國區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)供求猜測(cè)從下表可以看出，近年來，GD比重在81%-82%之間浮動(dòng)，變化不大，市場(chǎng)比例處于較為穩(wěn)定的狀態(tài)。圖表2005-2010年中國區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化資料來源：中國產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)第四節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成模型分析一、區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成產(chǎn)業(yè)鏈即從一種或幾種資源通過若干產(chǎn)業(yè)層次不斷向下游產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移直至到達(dá)消費(fèi)者的路徑，它包含四層含義：一是產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)钱a(chǎn)業(yè)層次的表達(dá)；二是產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)钱a(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)程度的表達(dá)；產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性越強(qiáng)，鏈條越緊密，資源的配置效率也越高；三是產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)琴Y源加工深度的表達(dá)；產(chǎn)業(yè)鏈越長，表明加工可以達(dá)到的深度越深；四是產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)菨M意需求程度的表達(dá)。產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)加谧匀毁Y源、止于消費(fèi)市場(chǎng)，但起點(diǎn)和終點(diǎn)并非固定不變。區(qū)熔硅單晶產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析：上游原材料供應(yīng)商，中游區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)廠家，下游大功率器件、電力機(jī)車的牽引系統(tǒng)等相關(guān)區(qū)熔硅單晶消費(fèi)者，此外還有貫穿產(chǎn)業(yè)鏈的物流配送廠家等。

圖表區(qū)熔硅單晶產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖區(qū)熔硅單晶區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)商原材料供應(yīng)商下游消費(fèi)物流配送大功率器件企業(yè)等多晶硅中環(huán)股份等資料來源：中國產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)二、區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈模型分析1、上游原材料供應(yīng)單晶硅由多晶硅制得，而近幾年，太陽能電池產(chǎn)業(yè)快速進(jìn)展，多晶硅供應(yīng)急劇增加。2008年國內(nèi)多晶硅產(chǎn)量超過4500噸，產(chǎn)能超過1萬噸。依據(jù)最新的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，我國目前在建和籌建的多晶硅項(xiàng)目總能將接近8萬噸，而需求量?jī)H為4.6萬噸，如果產(chǎn)能全部釋放，將過剩近一半的多晶硅產(chǎn)品。2009年9月26日，國務(wù)院轉(zhuǎn)發(fā)國家發(fā)改委、工業(yè)和信息化部等10產(chǎn)能過剩是下游需求轉(zhuǎn)暖未能傳導(dǎo)至上游的主要緣由。我們估量明年全球光伏多晶硅需求量在6萬噸，而供應(yīng)量在10萬噸（已扣除半導(dǎo)體行業(yè)用量），其中4萬噸來自中國。因此我們認(rèn)為多晶硅現(xiàn)貨價(jià)格還將連續(xù)下跌，我們目前假設(shè)2010~2011年均價(jià)分別為55和50美元/公斤，該假設(shè)有下調(diào)空間。擺在中國多晶硅企業(yè)面前的迫切任務(wù)是降成本，途徑有二：一是在現(xiàn)有還原西門子法基礎(chǔ)上降成本，例如采納更先進(jìn)的氫化方法循環(huán)利用四氯化硅/二氯二氫硅、自產(chǎn)三氯氫硅、申請(qǐng)直供電降低電費(fèi)等等，但該類方法難以將成本降至30美元之下；二是采納更先進(jìn)的還原方法，例如硅烷法可以產(chǎn)生很少副產(chǎn)品，成本可望降低至25美元甚至更低。從價(jià)格看，多晶硅的價(jià)格風(fēng)光不再，70美元/公斤現(xiàn)貨價(jià)格以下已經(jīng)徘徊數(shù)月，生產(chǎn)商的盈利空間進(jìn)一步被壓縮。目前國內(nèi)技術(shù)基本采納改良西門子發(fā)，生產(chǎn)成本基本掌握在50-60美元/公斤之間，部分較好企業(yè)可以達(dá)到40多美元/公斤，即便如此，產(chǎn)能過剩帶來的多晶硅售價(jià)的緩慢回落仍然使我們對(duì)行業(yè)前景堪憂。從污染和耗能角度看，國內(nèi)多晶硅項(xiàng)目在現(xiàn)有條件下屬于高排放，高污染行業(yè)，主要是對(duì)于尾氣中四氯化硅、氯化氫的回收率不高。雖然目前，國內(nèi)企業(yè)引進(jìn)的第三代設(shè)備完全可以做到尾氣的閉路回收，現(xiàn)在已經(jīng)解決了污染的問題，但這需要較高的成本，只有大企業(yè)才能實(shí)現(xiàn)，小規(guī)模生產(chǎn)企業(yè)排放問題仍然沒有得到有效解決。提高準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)可以有效掌握污染。圖表