• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2024-10-22 頒布
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【正版授權(quán)-英語版】 IEC 60747-15:2024 RLV EN Semiconductor devices - Part 15: Discrete devices - Isolated power semiconductor devices_第1頁(yè)
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基本信息：

  • 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：IEC 60747-15:2024 RLV EN
  • 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件-第15部分：分立器件-隔離型功率半導(dǎo)體器件
  • 英文名稱：Semiconductor devices - Part 15: Discrete devices - Isolated power semiconductor devices
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期：2024-10-22

文檔簡(jiǎn)介

IEC60747-15:2024RLVENSemiconductordevices-Part15:Discretedevices-Isolatedpowersemiconductordevices標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)于電氣和電子元件的標(biāo)準(zhǔn)之一，特別是關(guān)于隔離式功率半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了隔離式功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和標(biāo)記等方面的要求。

具體來說，該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了以下內(nèi)容：

1.設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)：該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了隔離式功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)要求，包括器件的尺寸、電氣連接、散熱設(shè)計(jì)等。此外，該標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了器件的結(jié)構(gòu)要求，例如材料、密封性等。

2.制造過程：該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了制造隔離式功率半導(dǎo)體器件的工藝要求，包括制造過程中的清潔度、溫度控制、材料選擇等。此外，該標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了制造過程中的質(zhì)量控制要求。

3.測(cè)試和驗(yàn)證：該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)試隔離式功率半導(dǎo)體器件的方法和驗(yàn)證其性能的方法。測(cè)試包括電氣性能測(cè)試、機(jī)械性能測(cè)試、環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試等。驗(yàn)證包括產(chǎn)品的合格性、性能的一致性等。

4.標(biāo)記和文檔：該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了隔離式功率半導(dǎo)體器件的標(biāo)記要求，包括標(biāo)記的內(nèi)容、位置、清晰度等。此外，該標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了制造商的文檔要求，包括產(chǎn)品說明書、質(zhì)量保證書等。

IEC60747-15:2024RLVENSemiconductordevices-Part15:Discretedevices-Isolatedpowersemiconductordevices標(biāo)準(zhǔn)對(duì)隔離式功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試

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