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文檔簡(jiǎn)介
ICSXX.XXX.XX
XXX
團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
T/CSTMXXXXX-201X
船用厚板焊接接頭衍射聲時(shí)技術(shù)(TOFD)及
相控陣超聲(PAUT)聯(lián)合檢測(cè)
Time-Of-FlightDiffraction(TOFD)TechniqueandPhasedArrayUltrasonicTesting(PAUT)forMarineThickPlate
WeldJoints
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船用厚板焊接接頭衍射聲時(shí)技術(shù)(TOFD)及相控陣超聲(PAUT)聯(lián)
合檢測(cè)
1范圍
1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了大型集裝箱船、大型礦砂船等結(jié)構(gòu)檢測(cè)中,使用衍射聲時(shí)技術(shù)(TOFD)及相控陣超聲
(PAUT)聯(lián)合檢測(cè)方法對(duì)厚板對(duì)接接頭進(jìn)行檢測(cè)的方法及要求。其他船型的厚板檢測(cè)也可參照本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)
行。
1.2本標(biāo)準(zhǔn)中定義的厚板是指公稱(chēng)厚度不小于30mm的船用鋼板。
1.3本標(biāo)準(zhǔn)適用于同時(shí)滿(mǎn)足以下條件的焊接接頭:
(1)母材及焊縫材料為低碳鋼或低合金高強(qiáng)鋼;
(2)接頭形式為全熔透型對(duì)接接頭;
(3)材料厚度t:30mm≤t≤100mm(當(dāng)焊縫兩側(cè)母材厚度不一致時(shí),以薄側(cè)母材為準(zhǔn))。
1.4對(duì)于無(wú)法滿(mǎn)足TOFD及PAUT聯(lián)合檢測(cè)實(shí)施條件的結(jié)構(gòu)部位,應(yīng)按原檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅所注日期的版本適用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T9445-2015無(wú)損檢測(cè)人員資格鑒定與認(rèn)證
GB/T40733-2021焊縫無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)自動(dòng)相控陣超聲技術(shù)的應(yīng)用
GB/T40732-2021焊縫無(wú)損檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)驗(yàn)收等級(jí)
GB/T41115-2021焊縫無(wú)損檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)驗(yàn)收等級(jí)
GB/T41116-2021焊縫無(wú)損檢測(cè)衍射時(shí)差技術(shù)(TOFD)驗(yàn)收等級(jí)
GB/T11259-2015無(wú)損檢測(cè)超聲波檢測(cè)用鋼參考試塊的制作與校驗(yàn)方法
GB/T12604.1-2005無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)超聲檢測(cè)
GB/T29302-2012無(wú)損檢測(cè)儀器相控陣超聲檢測(cè)系統(tǒng)的性能與檢驗(yàn)
GB/T32563-2016無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)方法
GB/T23902-2009無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)超聲衍射聲時(shí)技術(shù)檢測(cè)和評(píng)價(jià)方法
JB/T11731-2013無(wú)損檢測(cè)相控陣超聲波探頭通用技術(shù)條件
3術(shù)語(yǔ)和定義
3.1本標(biāo)準(zhǔn)采用的術(shù)語(yǔ)與定義如下:
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(1)衍射聲時(shí)法超聲檢測(cè)(TOFD,TimeofFlightDiffraction):
是采用一發(fā)一收探頭對(duì)工作模式、主要利用缺陷端點(diǎn)的衍射波信號(hào)探測(cè)和測(cè)定缺陷位置及尺寸的一種超
聲檢測(cè)方法。
(2)掃查面系指放置探頭并進(jìn)行掃查的工件表面。
(3)底面系指與掃查面相對(duì)的工件另一側(cè)表面。
(4)直通波系指從發(fā)射探頭沿工件以最短路徑到達(dá)接收探頭的超聲波。
(5)底面反射波系指從發(fā)射探頭經(jīng)底面反射到接收探頭的超聲波。
(6)探頭中心間距是發(fā)射探頭和接收探頭入射點(diǎn)之間的直線距離。
(7)平行掃查指探頭運(yùn)動(dòng)方向與聲束方向平行的掃查方式,一般指探頭沿Y軸運(yùn)動(dòng)的掃查方式,見(jiàn)圖
3.1(a)。
圖3.1(a)平行掃查
(8)非平行掃查:
探頭運(yùn)動(dòng)方向與聲束方向垂直的掃查方式,一般指探頭對(duì)稱(chēng)布置于焊縫中心線兩側(cè)沿焊縫長(zhǎng)度方向
(X軸)運(yùn)動(dòng)的掃查方式,見(jiàn)圖3.1(b)。
圖3.1(b)非平行掃查
(9)偏置非平行掃查:
探頭對(duì)稱(chēng)中心與焊縫中心線保持一定偏移距離的非平行掃查方式,見(jiàn)圖3.1(c)。
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圖3.1(c)偏置非平行掃查
(10)斜向掃查:
探頭沿X軸方向運(yùn)動(dòng),且探頭對(duì)連線與焊縫中心線成30°~60°夾角的掃查方式,見(jiàn)圖3.1(d)。
圖3.1(d)斜向掃查
(11)掃查面盲區(qū)
由于直通波有一定的寬度以及工件外形結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的掃查面無(wú)法檢測(cè)的區(qū)域,一般以檢測(cè)區(qū)域內(nèi)無(wú)
法檢出的掃查面缺陷高度最大值表征。
(12)底面盲區(qū)
非平行掃查或偏置非平行掃查時(shí),因軸偏離引起的底部無(wú)法檢測(cè)的區(qū)域,一般以檢測(cè)區(qū)域內(nèi)無(wú)法檢
出的底面缺陷高度最大值表征。
(13)TOFD圖像
TOFD數(shù)據(jù)的二維顯示,是將掃查過(guò)程中采集的A掃描信號(hào)連續(xù)拼接而成;一個(gè)軸代表探頭移動(dòng)距
離,另一個(gè)軸代表深度,一般用灰度表示A掃描信號(hào)的幅度。
(14)相控陣超聲檢測(cè)(PAUT,PhasedArrayUltrasonicTesting)
一種依據(jù)設(shè)定的聚焦法則對(duì)陣列探頭各個(gè)單元在發(fā)射或接收聲波時(shí)施加不同的時(shí)間延遲(或電壓),
通過(guò)波束形成實(shí)現(xiàn)檢測(cè)聲束的移動(dòng)、偏轉(zhuǎn)和聚焦等功能的超聲檢測(cè)成像技術(shù)。
(15)扇形掃描
用特定的聚焦法則激發(fā)相控陣探頭中的部分相鄰或全部晶片,使激發(fā)晶片組形成的聲束在設(shè)定的角
度范圍內(nèi)以一定的步進(jìn)值變換角度掃過(guò)扇型區(qū)域的一種掃描方式。
(16)聚焦法則
通過(guò)控制激發(fā)晶片數(shù)量,以及施加到每個(gè)晶片上的發(fā)射和接收延時(shí),實(shí)現(xiàn)波束的偏轉(zhuǎn)和聚焦的算法
或相應(yīng)程序。
(17)探頭位置指探頭前端距離焊縫中心線的距離。
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(18)掃查增量系指在掃查方向上,連續(xù)數(shù)據(jù)采集點(diǎn)之間的距離。
(19)掃描增量特指扇形掃描時(shí)兩相鄰波束之間的角度差或線形掃描時(shí)兩相鄰波束之間的位置差。
(20)相關(guān)顯示系指檢測(cè)圖像中,由缺陷引起的顯示。
(21)非相關(guān)顯示系指檢測(cè)圖像中,由于工件結(jié)構(gòu)或者材料冶金成分的偏差引起的顯示
(22)坐標(biāo)定義
規(guī)定檢測(cè)起始參考點(diǎn)O點(diǎn)以及X、Y和Z坐標(biāo)的含義,見(jiàn)圖3.1(e)。
說(shuō)明:
O—設(shè)定的檢測(cè)起始參考點(diǎn)
Y—沿焊縫寬度方向的坐標(biāo)
X—沿焊縫長(zhǎng)度方向的坐標(biāo)
Z—沿焊縫厚度方向的坐標(biāo)
圖3.1(e)坐標(biāo)定義
4一般要求
4.1人員與資質(zhì)
4.1.1檢測(cè)人員應(yīng)符合GB/T9445-2015標(biāo)準(zhǔn)要求,并獲得CCS認(rèn)可的PAUT和TOFD證書(shū),且僅可從
事技術(shù)資格證書(shū)資質(zhì)范圍內(nèi)的相關(guān)檢測(cè)工作。
4.1.2持有TOFDI級(jí)或PAUTI級(jí)專(zhuān)項(xiàng)技術(shù)資格的人員,可按照工藝規(guī)程和操作指導(dǎo)書(shū)調(diào)整和操作設(shè)備、
執(zhí)行現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)和記錄。
4.1.3持有TOFDII級(jí)或PAUTII級(jí)專(zhuān)項(xiàng)技術(shù)資格的人員,可制定工藝規(guī)程和操作指導(dǎo)書(shū)、設(shè)置儀器參
數(shù)、校準(zhǔn)、現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)采集和記錄、數(shù)據(jù)判讀及簽發(fā)報(bào)告,指導(dǎo)和監(jiān)督I級(jí)人員的操作。
4.1.4持有TOFDIII級(jí)或PAUTIII級(jí)專(zhuān)項(xiàng)技術(shù)資格的人員,可制定、驗(yàn)證和審核工藝規(guī)程及作業(yè)指導(dǎo)書(shū),
解釋規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)條件和工藝規(guī)程,實(shí)施、監(jiān)督I、II級(jí)人員的工作
4.2檢測(cè)設(shè)備主機(jī)及輔助器材
4.2.1設(shè)備主機(jī)應(yīng)具有產(chǎn)品質(zhì)量合格證或制造廠家出具的合格文件,以及廠家或國(guó)家認(rèn)可的計(jì)量部門(mén)出
具的校準(zhǔn)報(bào)告,且在校準(zhǔn)報(bào)告規(guī)定的有效期內(nèi)。
4.2.2TOFD儀器應(yīng)至少具有超聲波發(fā)射、接收、放大、數(shù)據(jù)采集、記錄、顯示及分析功能。其應(yīng)具有足
夠的通道數(shù)以便進(jìn)行多通道同時(shí)檢測(cè),且其應(yīng)至少滿(mǎn)足以下性能指標(biāo)要求:
(1)發(fā)射脈沖可以是單極、雙極尖脈沖或方波脈沖,上升時(shí)延不超過(guò)0.25倍的探頭標(biāo)稱(chēng)頻率。
(2)儀器的脈沖寬度應(yīng)可調(diào),以得到優(yōu)化的脈沖幅值和脈沖持續(xù)時(shí)間。脈沖寬度調(diào)節(jié)的步進(jìn)量不得大
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于10ns。
(3)儀器的脈沖重復(fù)頻率應(yīng)可調(diào),最大值不得小于500Hz。
(4)儀器應(yīng)具有足夠的電壓,確保檢測(cè)系統(tǒng)具有足夠的靈敏度及信噪比。
(5)接收器的帶寬至少應(yīng)等于探頭的名義帶寬,以確保探頭的-6dB帶寬沒(méi)有落在接收器的-6dB帶寬之
外。
(6)系統(tǒng)應(yīng)具備足夠的增益,增益應(yīng)連續(xù)可調(diào)且步進(jìn)值不大于1dB。
(7)數(shù)字化采樣頻率至少應(yīng)為探頭標(biāo)稱(chēng)頻率的8倍。
(8)采樣位數(shù)不小于8位。
(9)至少應(yīng)具有256級(jí)灰度編碼顯示。
(10)儀器應(yīng)具有信號(hào)平均功能,最大平均次數(shù)不少于8次。
(11)儀器應(yīng)具有位置編碼功能。
(12)儀器軟件應(yīng)具有深度坐標(biāo)的線性化計(jì)算或深度校準(zhǔn)功能。
(13)儀器能將采集到的所有原始數(shù)據(jù)以不可更改的方式進(jìn)行拷貝。
(14)儀器可以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行軟件處理(如直通波同步、直通波去處,SAFT等),但不得更改原始檢測(cè)數(shù)
據(jù)。
4.2.3PAUT儀器應(yīng)至少具有超聲波發(fā)射、接收、放大、數(shù)據(jù)采集、記錄、顯示及分析功能。且其應(yīng)至少
滿(mǎn)足以下性能指標(biāo)要求:
(1)發(fā)射脈沖可以是單極或雙極的尖脈沖或方波脈沖,上升時(shí)延不超過(guò)0.25倍的探頭標(biāo)稱(chēng)頻率。
(2)儀器的脈沖寬度應(yīng)可調(diào),以得到優(yōu)化的脈沖幅值和脈沖持續(xù)時(shí)間。脈沖寬度調(diào)節(jié)的步進(jìn)量不得大
于10ns。
(3)儀器的脈沖重復(fù)頻率應(yīng)可調(diào),最大值不得小于500Hz。
(4)儀器應(yīng)具有足夠的電壓,確保檢測(cè)系統(tǒng)具有足夠的靈敏度及信噪比。
(5)接收器的帶寬至少應(yīng)等于探頭的名義帶寬,以確保探頭的-6dB帶寬沒(méi)有落在接收器的-6dB帶寬之
外。
(6)系統(tǒng)應(yīng)具備足夠的增益,增益應(yīng)連續(xù)可調(diào)且步進(jìn)值不大于1dB。
(7)數(shù)字化采樣頻率至少應(yīng)為探頭標(biāo)稱(chēng)頻率的8倍。
(8)采樣位數(shù)不小于8位。
(9)至少應(yīng)具有256級(jí)彩色或偽彩色編碼顯示。
(10)A掃信號(hào)的起始延遲應(yīng)在0~200μs范圍可調(diào),窗口范圍在5~100μs范圍可調(diào)。
(11)儀器應(yīng)具有位置編碼功能。
(12)軟件應(yīng)具有聚焦法則計(jì)算功能
(13)軟件至少應(yīng)具有A,B,C,D,S等視圖或成像方式
(14)儀器應(yīng)具有內(nèi)部補(bǔ)償功能,能進(jìn)行ACG及TCG/DAC校準(zhǔn)。
(15)推薦具有視頻平滑功能
(16)儀器能將采集到的所有原始數(shù)據(jù)以不可更改的方式進(jìn)行拷貝。
4.2.4探頭
4.2.4.1所使用的探頭應(yīng)具有出廠檢測(cè)報(bào)告及合格證。
4.2.4.2探頭檢測(cè)報(bào)告中至少應(yīng)包含探頭的晶片尺寸、中心頻率、-6dB帶寬等信息,相控陣探頭還應(yīng)具
有晶片排布方式以及晶片一致性等測(cè)試參數(shù)。
4.2.5楔塊
檢測(cè)報(bào)告中應(yīng)注明楔塊設(shè)計(jì)參數(shù),如楔塊聲速,理論折射角度,晶片位置等。TOFD楔塊還應(yīng)在楔
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塊上標(biāo)明理論波束出射點(diǎn)位置。
4.2.6掃查裝置
掃查裝置一般包括探頭夾持裝置,導(dǎo)向部分,驅(qū)動(dòng)部分及位置記錄部分。
4.2.6.1探頭夾持部分應(yīng)能調(diào)節(jié)探頭位置及間距,并能在掃查時(shí)保證探頭相對(duì)位置不變。
4.2.6.2導(dǎo)向部分應(yīng)能使掃查裝置按照預(yù)先設(shè)計(jì)的軌跡移動(dòng)。
4.2.6.3驅(qū)動(dòng)部分可以采用人工或電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4.2.6.4位置記錄部分的記錄精度等應(yīng)能滿(mǎn)足本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)數(shù)據(jù)采集的要求。
4.2.7檢測(cè)設(shè)備的組合性能
檢測(cè)設(shè)備組合性能應(yīng)至少滿(mǎn)足以下要求。
(1)水平線性誤差不大于1%。
(2)垂直線性誤差不大于5%。
(3)動(dòng)態(tài)范圍不小于26dB。
(4)靈敏度余量不小于42dB。
4.2.8耦合劑
4.2.8.1耦合劑應(yīng)在操作溫度范圍內(nèi)保證穩(wěn)定可靠的超聲特性。
4.2.8.2耦合劑應(yīng)對(duì)操作人員及環(huán)境無(wú)害。
4.2.8.3實(shí)際檢測(cè)采用的耦合劑應(yīng)與檢測(cè)系統(tǒng)校準(zhǔn)時(shí)采用的耦合劑相同。
4.2.9試塊
4.2.9.1標(biāo)準(zhǔn)試塊是用于儀器探頭性能測(cè)試的試塊,本標(biāo)準(zhǔn)中使用的標(biāo)準(zhǔn)試塊為CSK-IA試塊。
4.2.9.2對(duì)比試塊指用于靈敏度校準(zhǔn)的試塊,其至少應(yīng)滿(mǎn)足下列要求
(1)試塊材料中超聲波束可能通過(guò)的區(qū)域用直探頭檢測(cè)時(shí),不得有大于或等于?2平底孔當(dāng)量的缺陷出
現(xiàn)。
(2)材料的聲學(xué)性能應(yīng)與被檢工件材料一致或接近。
(3)當(dāng)工件表面曲率半徑大于或等于150mm時(shí),可采用平面校準(zhǔn)試塊。當(dāng)工件表面曲率半徑小于150mm
時(shí),應(yīng)采用曲面校準(zhǔn)試塊。曲面校準(zhǔn)試塊的曲率半徑應(yīng)在實(shí)際工件曲率半徑的0.9-1.5倍之間。
(4)本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的TOFD平面對(duì)比試塊如圖4.2.9(1)所示。
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注:孔誤差不大于±0.02mm,開(kāi)孔垂直度誤差不超過(guò)±0.1°,其它尺寸誤差不超過(guò)±0.05mm。
圖4.2.9(1)平面TOFD對(duì)比試塊
(5)本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的PAUT平面對(duì)比試塊如圖4.2.9(2)所示。
圖4.2.9(2)平面PAUT對(duì)比試塊
4.2.9.3模擬驗(yàn)證試塊應(yīng)滿(mǎn)足如下要求
(1)模擬驗(yàn)證試塊中的模擬缺陷應(yīng)為采用實(shí)際焊接工藝制備或使用以往檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)的實(shí)際缺陷。其厚
度應(yīng)為實(shí)際工件的0.9-1.3倍,且最大差值不超過(guò)25mm。
(2)模擬試塊中至少應(yīng)包含上下表面缺陷及內(nèi)部埋藏缺陷至少各1處。分區(qū)檢測(cè)時(shí),應(yīng)保證每個(gè)分區(qū)
至少有一個(gè)缺陷。
(3)模擬試塊中的缺陷應(yīng)覆蓋到橫向缺陷,縱向缺陷,體積型缺陷及面積型缺陷等缺陷特征。
(4)模擬試塊中的缺陷,尺寸不應(yīng)大于相應(yīng)的驗(yàn)收要求。
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(5)單個(gè)試塊未完全包含以上要求缺陷的,可多個(gè)試塊組合使用。
4.2.10儀器的定期校驗(yàn)
4.2.10.1儀器設(shè)備的水平線性、垂直線性及衰減器線性應(yīng)周期性進(jìn)行校驗(yàn)并記錄,最長(zhǎng)校驗(yàn)周期不超過(guò)
一年。
4.2.10.2TOFD設(shè)備及PAUT設(shè)備每個(gè)獨(dú)立發(fā)射接收通道的衰減器線性應(yīng)分別進(jìn)行。
4.2.10.3每次系統(tǒng)調(diào)試時(shí),應(yīng)對(duì)位置傳感器(編碼器)的精度進(jìn)行校準(zhǔn),校準(zhǔn)長(zhǎng)度應(yīng)不小于500mm,誤
差應(yīng)不大于1%。
5檢測(cè)方法
5.1總體要求
5.1.1檢測(cè)前應(yīng)編寫(xiě)針對(duì)具體項(xiàng)目的檢測(cè)工藝規(guī)程,并宜進(jìn)行工藝驗(yàn)證。關(guān)鍵因素詳見(jiàn)表5.1.1。
關(guān)鍵因素表5.1.1
序號(hào)相關(guān)因素
1產(chǎn)品范圍(工件形狀、規(guī)格、材質(zhì)、壁厚等)
2依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)、法規(guī)
3檢測(cè)設(shè)備和器材以及校準(zhǔn)、核查、運(yùn)行核查或檢查的要求
4檢測(cè)工藝(探頭配置、掃查方式、厚度分區(qū)等)
5檢測(cè)前的表面準(zhǔn)備要求
6盲區(qū)檢測(cè)方式及工藝試驗(yàn)報(bào)告
7橫向缺陷檢測(cè)方式及工藝試驗(yàn)報(bào)告
8檢測(cè)數(shù)據(jù)的分析和解釋
9缺陷評(píng)定與質(zhì)量分級(jí)
5.1.2檢測(cè)工藝卡
5.1.2.1應(yīng)按照批準(zhǔn)的檢測(cè)工藝文件編寫(xiě)針對(duì)不同結(jié)構(gòu)的檢測(cè)工藝卡,檢測(cè)人員應(yīng)按照檢
工藝卡的要求對(duì)具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè),驗(yàn)船師應(yīng)按照工藝卡的內(nèi)容對(duì)現(xiàn)場(chǎng)操作進(jìn)行監(jiān)督。檢測(cè)工藝卡至少
應(yīng)包含以下內(nèi)容:
(1)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn),驗(yàn)收等級(jí),檢測(cè)時(shí)機(jī),檢測(cè)比例,表面要求。
(2)儀器,探頭,試塊的型號(hào)及生產(chǎn)序列號(hào)
(3)楔塊,掃查器,耦合劑名稱(chēng)
(4)掃查面,探頭參數(shù)及分布,儀器靈敏度設(shè)置,掃查增量,掃描增量,脈沖重復(fù)頻率,信號(hào)平均,
視頻平滑,分區(qū)及波束覆蓋范圍,掃查方式,掃查速度,橫向缺陷檢測(cè)方案(需要時(shí)),
(5)檢測(cè)標(biāo)識(shí)要求,檢測(cè)操作程序
(6)數(shù)據(jù)記錄要求
5.1.3工藝驗(yàn)證要求
5.1.3.1應(yīng)使用擬投入實(shí)際生產(chǎn)的檢測(cè)設(shè)備及人員,以及事先設(shè)計(jì)好的檢測(cè)工藝在4.2.9.3規(guī)定的模擬試
塊上進(jìn)行操作及數(shù)據(jù)判讀演示。
5.1.3.2工藝驗(yàn)證時(shí)應(yīng)使用實(shí)際檢測(cè)所使用的工藝參數(shù)及設(shè)置,檢測(cè)結(jié)果符合如下要求時(shí)視為驗(yàn)證通過(guò)。
(1)檢測(cè)數(shù)據(jù)合格有效;
(2)能夠檢測(cè)出試塊中所有預(yù)期檢測(cè)到的缺陷;
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(3)按照工藝文件規(guī)定的測(cè)量方法對(duì)缺陷進(jìn)行定量時(shí),不應(yīng)小于缺陷實(shí)際尺寸。
5.2檢測(cè)區(qū)域
5.2.1檢測(cè)區(qū)域應(yīng)包含焊縫和熱影響區(qū)。熱影響區(qū)寬度按相應(yīng)工藝認(rèn)可實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)或兩側(cè)熔合線外各10mm
的區(qū)域(取大者),如圖5.2.1所示。
圖5.2.1檢測(cè)區(qū)域
5.2.2任何情況下,均需保證TOFD及PAUT聯(lián)合檢測(cè)時(shí)能完整覆蓋檢測(cè)區(qū)域,否則,應(yīng)增加補(bǔ)充檢測(cè)。
5.3檢測(cè)工藝設(shè)計(jì)
5.3.1檢測(cè)工藝
檢測(cè)時(shí),應(yīng)使用非平行掃查方式進(jìn)行TOFD檢測(cè),并進(jìn)行單面雙側(cè)的PAUT檢測(cè)。兩種檢測(cè)方式應(yīng)
同時(shí)進(jìn)行。
5.3.2不等厚對(duì)接焊縫檢測(cè)
不等厚對(duì)接焊縫的檢測(cè)可參照附錄A中的規(guī)定執(zhí)行。
5.3.3TOFD設(shè)置
進(jìn)行TOFD檢測(cè)時(shí),可參照表5.3.1選擇探頭及劃分檢測(cè)分區(qū)。
TOFD檢測(cè)分區(qū)及探頭選擇推薦表表5.3.1
工件厚度(t)深度范圍標(biāo)稱(chēng)頻率聲束角度α晶片直徑
厚度分區(qū)數(shù)
mmmmMHz(°)mm
30≤t≤5010~t5~370~603~6
0~0.4t7.5~570~603~6
2
50<t≤1000.4t~t5~360~456~12
5.3.4PAUT設(shè)置
5.3.4.1PAUT檢測(cè)時(shí),探頭頻率應(yīng)在2MHz-5MHz之間。
5.3.4.2PAUT檢測(cè)應(yīng)使用扇形掃描,扇形掃描的主波束應(yīng)完整覆蓋TOFD技術(shù)的檢測(cè)盲區(qū)??墒褂貌ㄊ?/p>
覆蓋仿真軟件或通過(guò)繪圖方式確認(rèn)PAUT探頭的位置及波束覆蓋范圍,TOFD檢測(cè)盲區(qū)可按理論公式進(jìn)
行計(jì)算或通過(guò)實(shí)測(cè)予以確認(rèn)。
5.3.5橫向缺陷檢測(cè)
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當(dāng)考慮橫向缺陷檢測(cè)時(shí),可增加專(zhuān)門(mén)的TOFD斜向掃查。
5.4總體要求
5.4.1檢測(cè)時(shí)機(jī)
5.4.1.1如果需要進(jìn)行熱處理,那么檢測(cè)工作應(yīng)在熱處理完成之后進(jìn)行。
5.4.1.2檢測(cè)工作至少應(yīng)在焊接完成24小時(shí)以后進(jìn)行。
5.4.1.3對(duì)最小屈服強(qiáng)度大于或等于420N/mm2的淬火回火鋼,焊縫的無(wú)損檢測(cè)應(yīng)在焊后48h以后進(jìn)行。
5.4.2檢測(cè)面要求
5.4.2.1檢測(cè)面探頭移動(dòng)區(qū)域應(yīng)打磨平順,并清除焊接飛濺、鐵屑、油污及其他影響聲能傳播的雜質(zhì)。
5.4.2.2對(duì)于打磨的表面,其表面粗糙度Ra應(yīng)不大于6.3um;
5.4.2.3當(dāng)檢測(cè)面存在較大的凹坑,應(yīng)經(jīng)過(guò)補(bǔ)焊并將補(bǔ)焊區(qū)域修磨至與臨近母材平齊。
5.4.3母材檢測(cè)
5.4.3.1重要工件檢測(cè)時(shí),應(yīng)使用直探頭對(duì)可能影響檢測(cè)聲束傳播的母材區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),以識(shí)別母材中可
能存在的缺陷對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響。同樣,若檢測(cè)人員對(duì)檢測(cè)結(jié)果有疑問(wèn)時(shí),也可使用上述方法。
5.4.3.2直探頭進(jìn)行母材檢測(cè)時(shí),至少顯示兩次工件底波,將無(wú)缺陷處的二次底波調(diào)整到滿(mǎn)刻度的100%,
作為檢測(cè)靈敏度。對(duì)于缺陷信號(hào)幅度超過(guò)20%或底波消失的區(qū)域,應(yīng)在工件表面做出標(biāo)記,并予以記錄。
5.4.4溫度
5.4.4.1當(dāng)使用普通探頭及耦合劑時(shí),工件表面溫度應(yīng)在0℃~50℃,否則,應(yīng)使用特殊探頭及專(zhuān)用耦合
劑。
5.4.4.2檢測(cè)校準(zhǔn)與實(shí)際備檢工件表面溫度變化應(yīng)在20℃以?xún)?nèi)。
5.4.5掃查標(biāo)記要求
5.4.5.1檢測(cè)位置應(yīng)根據(jù)焊縫、結(jié)構(gòu)等信息給出永久性參考位置,方便數(shù)據(jù)的可追溯及可重復(fù)性。
焊縫的掃查方向應(yīng)制訂專(zhuān)門(mén)的規(guī)則,例如甲板焊縫從左舷向右舷,舷側(cè)焊縫從上向下,縱縫從船頭
向船尾等。以上內(nèi)容應(yīng)在檢測(cè)工藝中予以明確。
5.4.5.2掃查時(shí),應(yīng)根據(jù)焊縫中心線繪制掃描位置參考線,并標(biāo)明掃查方向,以保證探頭沿預(yù)期的掃查計(jì)
劃運(yùn)動(dòng)。
5.5儀器設(shè)置
5.5.1掃查增量
掃查增量建議設(shè)置為1mm。
5.5.2掃查速度
掃查速度應(yīng)小于或等于最大掃查速度Vmax,最大掃查速度可按下式進(jìn)行計(jì)算。
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=
式中:
Vmax─最大掃查速度,mm/s;
PRF─激發(fā)探頭的脈沖重復(fù)頻率,Hz;
Δx─設(shè)置的掃查增量值,mm;
N─設(shè)置的信號(hào)平均次數(shù)。
——PAUT波束數(shù)量
——TOFD波束數(shù)量
5.5.3掃查覆蓋及數(shù)據(jù)記錄長(zhǎng)度
5.5.3.1若對(duì)焊縫在長(zhǎng)度方向上分段掃查,則各段掃查區(qū)域應(yīng)至少有20mm的重疊,對(duì)于環(huán)焊縫,則掃
查停止位置應(yīng)越過(guò)起始位置至少20mm。
5.5.3.2實(shí)際檢測(cè)時(shí)儀器設(shè)定的數(shù)據(jù)記錄長(zhǎng)度應(yīng)大于實(shí)際掃查長(zhǎng)度20-30mm。
5.6TOFD系統(tǒng)調(diào)試
5.6.1顯示時(shí)間窗口設(shè)置
5.6.1.1當(dāng)使用單通道TOFD進(jìn)行檢測(cè)時(shí),其時(shí)間窗口的起始位置應(yīng)設(shè)置到直通波前0.5μs以上,底面
一次波形轉(zhuǎn)換信號(hào)后0.5μs以上。
5.6.1.2當(dāng)進(jìn)行TOFD分區(qū)檢測(cè)時(shí),第一個(gè)分區(qū)的A掃描信號(hào)應(yīng)顯示到直通波前0.5μs;最后一個(gè)分區(qū)
顯示終止應(yīng)設(shè)置到底面反射回波后0.5μs;中間分區(qū)與鄰近分區(qū)之間顯示范圍應(yīng)至少保證深度方向上
有25%的重合。
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5.6.2TOFD靈敏度設(shè)定
5.6.2.1TOFD進(jìn)行單通道檢測(cè)時(shí),可直接在工件表面設(shè)定靈敏度。設(shè)定時(shí),將無(wú)缺陷部位的直通波信
號(hào)調(diào)整至滿(mǎn)屏高度的40%-80%,作為基準(zhǔn)靈敏度。
5.6.2.2進(jìn)行多通道TOFD檢測(cè)時(shí),應(yīng)使用對(duì)比試塊調(diào)整檢測(cè)靈敏度。將試塊上較弱的衍射波信號(hào)調(diào)整
至滿(mǎn)屏高的40%-80%作為基準(zhǔn)靈敏度。
5.6.2.3設(shè)置完靈敏度后,儀器的電噪聲信號(hào)不允許大于滿(mǎn)屏高度的5%。
5.6.3TOFD深度校準(zhǔn)
檢測(cè)前,應(yīng)按照PCS及聲速對(duì)TOFD檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行深度校準(zhǔn),需要時(shí)還應(yīng)進(jìn)行深度修正,校準(zhǔn)及修
正后,其在試塊上的深度顯示誤差應(yīng)不大于0.2mm。
5.6.4耦合補(bǔ)償修正
5.6.4.1當(dāng)使用試塊調(diào)整靈敏度時(shí),實(shí)際檢測(cè)靈敏度應(yīng)在基礎(chǔ)靈敏度基礎(chǔ)上增加耦合補(bǔ)償,修正值應(yīng)通
過(guò)實(shí)測(cè)得出。
5.6.4.2當(dāng)直接在實(shí)際工件上調(diào)整靈敏度時(shí),則無(wú)需進(jìn)行耦合補(bǔ)償。
5.7PAUT系統(tǒng)調(diào)試
5.7.1總體要求
相控陣超聲檢測(cè)調(diào)試及校準(zhǔn)包括探頭晶片檢查,被檢材料聲速測(cè)試、楔塊延遲校準(zhǔn)、靈敏度校準(zhǔn),
TCG曲線的添加。
5.7.2晶片檢查
每次系統(tǒng)調(diào)試時(shí),應(yīng)對(duì)探頭擬使用的晶片進(jìn)行檢查,探頭應(yīng)滿(mǎn)足以下要求:
(1)擬使用晶片組中晶片損壞不大于10%,且不允許相鄰晶片損壞。
(2)擬使用晶片間的靈敏度偏差不大于6dB,且相鄰晶片間的靈敏度偏差不大于3dB,偏差大于6dB
的晶片,按照損壞晶片統(tǒng)計(jì)。
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5.7.3楔塊延遲校準(zhǔn)
應(yīng)使用對(duì)比試塊上的圓弧對(duì)聲速及楔塊延遲進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)后,設(shè)備在試塊上3mm孔的深度及水平
定位精度誤差不大于1mm。
5.7.4靈敏度及TCG校準(zhǔn)
應(yīng)使用對(duì)比試塊上的橫通孔對(duì)PAUT系統(tǒng)進(jìn)行靈敏度及TCG校準(zhǔn)。校準(zhǔn)后,檢測(cè)范圍內(nèi)各位置的波
幅一致性誤差不大于±5%滿(mǎn)屏高。
5.7.5PAUT聚焦設(shè)置
5.7.5.1PAUT扇形掃描時(shí)的角度步進(jìn)應(yīng)不大于1°。
5.7.5.2推薦PAUT扇形掃描以深度為基準(zhǔn)進(jìn)行聚焦,當(dāng)僅使用1次波時(shí),聚焦深度應(yīng)設(shè)置為1.2t;當(dāng)
同時(shí)使用一二次波或僅使用二次波時(shí),聚焦深度應(yīng)設(shè)置為2.2t,其中t為母材標(biāo)稱(chēng)厚度。
5.7.6耦合補(bǔ)償修正
當(dāng)使用試塊調(diào)整靈敏度時(shí),實(shí)際檢測(cè)靈敏度應(yīng)在基礎(chǔ)靈敏度基礎(chǔ)上增加耦合補(bǔ)償,修正值應(yīng)通過(guò)實(shí)
測(cè)得出。
5.8檢測(cè)實(shí)施
5.8.1掃查偏離
5.8.1.1TOFD檢測(cè)過(guò)程中,實(shí)際掃查路徑與理論掃查路徑之間的偏差不應(yīng)大于探頭中心間距的10%,TOFD
的掃查偏離可見(jiàn)圖5.8.1中的描述。
5.8.1.2PAUT檢測(cè)時(shí),實(shí)際掃查路徑的與理論掃查路徑之間的偏差不應(yīng)造成波束覆蓋的不完整,也不
應(yīng)帶來(lái)過(guò)大的定位誤差。
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圖5.8.1TOFD掃查偏離示意圖
5.8.2系統(tǒng)校驗(yàn)
5.8.2.1系統(tǒng)校驗(yàn)應(yīng)在每班次檢查開(kāi)始前及結(jié)束后進(jìn)行,若連續(xù)工作時(shí)間較長(zhǎng),還應(yīng)每4小時(shí)校驗(yàn)一次。
5.8.2.2系統(tǒng)硬件改變后應(yīng)進(jìn)行系統(tǒng)校驗(yàn)。
5.8.2.3系統(tǒng)校驗(yàn)時(shí)應(yīng)與初次靈敏度設(shè)置時(shí)使用相同的試塊,并去除耦合補(bǔ)償。如直接在工件表面設(shè)置
靈敏度,則校驗(yàn)時(shí)應(yīng)在與初次設(shè)置靈敏度相同的位置。
5.8.3掃查長(zhǎng)度
單次掃查長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)2m。
5.8.4偏差處理
當(dāng)檢測(cè)系統(tǒng)出現(xiàn)較大偏差時(shí),應(yīng)重新調(diào)整檢測(cè)系統(tǒng)并對(duì)之前的檢測(cè)位置進(jìn)行重新檢測(cè),詳見(jiàn)表
5.8.1中的規(guī)定。
允許的最大偏移及處理辦法表5.8.1
靈敏度
靈敏度偏離不大于6dB無(wú)需注意,在數(shù)據(jù)分析時(shí)使用軟增益做適
當(dāng)調(diào)整
靈敏度偏離大于6dB需要重新調(diào)整設(shè)置,且在此前最后一次有
效校驗(yàn)之后的檢測(cè)均需重新進(jìn)行
顯示位置
位置偏離不大于0.5mm或2%深度范圍(取無(wú)需注意
大者)
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位置偏離大于0.5mm或2%深度范圍(取需要重新調(diào)整設(shè)置,且在此前最后一次有
大者)效校驗(yàn)之后的檢測(cè)均需重新進(jìn)行
編碼器
500mm內(nèi)誤差不超過(guò)1%無(wú)需注意
500mm內(nèi)誤差超過(guò)1%需要重新調(diào)整編碼器,且在此前最后一次
有效校驗(yàn)之后的檢測(cè)均需重新進(jìn)行
6檢測(cè)數(shù)據(jù)分析及判讀
6.1數(shù)據(jù)有效性評(píng)價(jià)
6.1.1數(shù)據(jù)要求
合格的數(shù)據(jù)應(yīng)同時(shí)滿(mǎn)足以下要求,如數(shù)據(jù)不合格,應(yīng)重新進(jìn)行采集
(1)數(shù)據(jù)A掃描的顯示范圍符合5.6.1中的要求。
(2)數(shù)據(jù)采集的長(zhǎng)度與實(shí)際焊縫長(zhǎng)度一致。
(3)數(shù)據(jù)丟失不應(yīng)超過(guò)總數(shù)據(jù)量的5%,且不允許相鄰數(shù)據(jù)連續(xù)丟失。
(4)掃查范圍內(nèi)不允許出現(xiàn)特征波降低12dB以上,PAUT檢測(cè)時(shí)整個(gè)掃查長(zhǎng)度內(nèi)不允許出現(xiàn)明顯的背
景噪聲降低或其他耦合不良特征。
6.2相關(guān)顯示及非相關(guān)顯示
6.2.1總體要求
應(yīng)根據(jù)結(jié)構(gòu),焊縫狀態(tài)等信息區(qū)分相關(guān)顯示及非相關(guān)顯示。
6.2.2TOFD缺陷分類(lèi)
TOFD技術(shù)檢測(cè)時(shí),相關(guān)顯示可分為表面開(kāi)口型缺陷及埋藏型缺陷。
6.2.2.1表面開(kāi)口型缺陷可細(xì)分為掃查面開(kāi)口型缺陷,底面開(kāi)口型缺陷及貫穿型缺陷。在TOFD檢測(cè)中,
表面開(kāi)口型缺陷一般會(huì)帶來(lái)直通波或底面反射波的變形或斷開(kāi),且在圖像中只顯示下尖端或上尖端的信
號(hào)。其中下尖端信號(hào)相位與直通波相同,而上尖端信號(hào)相位與直通波相反。
6.2.2.2在TOFD檢測(cè)中,埋藏型缺陷按照其成像形態(tài)可分為點(diǎn)狀缺陷,線狀缺陷及條狀缺陷,其一般不
影響直通波或底面反射波。
7缺陷評(píng)定
7.1總體要求
7.1.1主要依照TOFD檢測(cè)結(jié)果對(duì)缺陷進(jìn)行評(píng)定。當(dāng)TOFD及PAUT同時(shí)檢測(cè)到同一個(gè)缺陷時(shí),PAUT可作
為輔助定位及定性的工具。
7.1.2當(dāng)TOFD及PAUT檢測(cè)到同一缺陷且PAUT信號(hào)顯示完整時(shí),使用PAUT數(shù)據(jù)進(jìn)行定位,TOFD圖像
進(jìn)行定量。
7.1.3當(dāng)PAUT檢測(cè)到TOFD檢測(cè)結(jié)果未顯示的缺陷時(shí),以PAUT數(shù)據(jù)為依據(jù)對(duì)缺陷進(jìn)行定位、定量及定
性。
7.2TOFD缺陷評(píng)定
7.2.1缺陷長(zhǎng)度測(cè)量
7.2.1.1缺陷長(zhǎng)度指缺陷在X軸投影間的距離,見(jiàn)圖7.2.1中l(wèi)。
7.2.1.2TOFD測(cè)長(zhǎng)時(shí),應(yīng)使用拋物線型擬合指針對(duì)缺陷在X軸上的起始位置及結(jié)束位置進(jìn)行測(cè)量,缺陷
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的起始位置記錄為缺陷位置,結(jié)束位置與起始位置之間的差值記錄為缺陷長(zhǎng)度。
圖7.2.1TOFD中長(zhǎng)度、深度及自身高度示意
7.2.2缺陷深度測(cè)量
7.2.2.1缺陷深度指缺陷上端點(diǎn)與掃查面間的最短距離,見(jiàn)圖7.2.1中d1。
7.2.2.2對(duì)于無(wú)法分辨自身高度的缺陷而言,缺陷深度指缺陷顯示與掃查面之間的距離。
7.2.2.3對(duì)于具有自身高度的缺陷,缺陷深度為缺陷上端點(diǎn)與掃查面之間的距離。
7.2.2.4掃查面開(kāi)口缺陷的深度為0。
7.2.3缺陷自身高度測(cè)量
7.2.3.1缺陷自身高度指沿X軸方向的某位置,缺陷在Z軸投影間的距離最大值,見(jiàn)圖7.2.1中h。
7.2.3.2對(duì)于表面開(kāi)口缺陷而言,缺陷自身高度指缺陷上端點(diǎn)(下端點(diǎn))距離底面(掃查面)的最大距離。
7.3PAUT缺陷評(píng)定
7.3.1缺陷長(zhǎng)度測(cè)量
7.3.1.1推薦使用波幅降低到評(píng)定線的絕對(duì)靈敏度法對(duì)缺陷進(jìn)行測(cè)長(zhǎng)。起始位置記錄為缺陷位置,起始位
置與結(jié)束位置之間距離的差值記錄為缺陷長(zhǎng)度。
7.3.1.2當(dāng)采用其他方法對(duì)缺陷進(jìn)行測(cè)長(zhǎng)時(shí),測(cè)長(zhǎng)方法應(yīng)在工藝規(guī)程文件中予以明確,且應(yīng)通過(guò)工藝認(rèn)可
證明該方法不會(huì)導(dǎo)致對(duì)缺陷的過(guò)小估計(jì)。
7.3.2缺陷深度及水平位置測(cè)量
缺陷最高波幅在Z軸方向上的位置及其在Y軸方向上的位置定義為缺陷深度及水平位置。見(jiàn)圖
7.3.1。
圖7.3.1PAUT中缺陷深度及水平位置
7.3.3缺陷自身高度的測(cè)量
7.3.3.1可使用尖端衍射法或-6dB法等方法對(duì)缺陷的自身高度進(jìn)行測(cè)量。
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7.3.3.2自身高度測(cè)量方法應(yīng)在工藝規(guī)程文件中予以明確,且通過(guò)工藝認(rèn)可證明其不會(huì)導(dǎo)致對(duì)缺陷的過(guò)小
估計(jì)。
8檢測(cè)記錄及報(bào)告
8.1檢測(cè)記錄及報(bào)告
8.1.1檢測(cè)報(bào)告
檢測(cè)報(bào)告中應(yīng)至少包含本節(jié)中規(guī)定的內(nèi)容。
8.1.1.1被檢工件細(xì)節(jié),包括工程名稱(chēng)、被檢工件的名稱(chēng)、規(guī)格、材料、狀態(tài)、焊縫坡口形式等。
8.1.1.2硬件名稱(chēng),包括主機(jī)名稱(chēng)及識(shí)別號(hào)、探頭名稱(chēng)及識(shí)別號(hào)、編碼器識(shí)別號(hào)、試塊名稱(chēng)及識(shí)別號(hào)等。
8.1.13參數(shù)設(shè)置內(nèi)容,包括參考標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)級(jí)別、靈敏度設(shè)置方法、探頭晶片尺寸(TOFD)、楔塊角度
(TOFD)、PCS值(TOFD)、平均次數(shù)(TOFD)、探頭頻率(TOFD及PAUT)、探頭孔徑(PAUT)、楔塊角
度(PAUT)、掃描類(lèi)型(PAUT)、角度范圍(PAUT)、掃描增量(PAUT)、探頭相對(duì)于焊縫的位置(PAUT)、
焊縫波束覆蓋示意圖(PAUT)、編碼器分辨率、試塊驗(yàn)證數(shù)據(jù)等。
8.1.1.4檢測(cè)內(nèi)容,包括設(shè)置名稱(chēng)、檢測(cè)類(lèi)型、檢測(cè)時(shí)機(jī)、表面狀況、耦合劑、檢測(cè)溫度、掃查增量、
檢測(cè)位置及編號(hào)方式、檢測(cè)方向、檢測(cè)人員姓名及簽名、級(jí)別、證書(shū)編號(hào)及檢測(cè)日期等。
8.1.1.6缺陷評(píng)定,包括使用的數(shù)據(jù)判讀軟件名稱(chēng)及版本、參考標(biāo)準(zhǔn)、驗(yàn)收級(jí)別、返修次數(shù)、所使用的數(shù)
據(jù)處理功能、缺陷位置、缺陷長(zhǎng)度、缺陷深度(TOFD及PAUT)、缺陷自身高度(TOFD)、缺陷距焊縫中
心線距離(PAUT)、合格與否、超標(biāo)缺陷的掃描圖像、數(shù)據(jù)判讀人員姓名及簽名、級(jí)別及日期。
8.2檢測(cè)數(shù)據(jù)的保存及歸檔
8.2.1檢測(cè)數(shù)據(jù)的保存
8.2.1.1檢測(cè)數(shù)據(jù)應(yīng)在專(zhuān)門(mén)的存儲(chǔ)介質(zhì)中長(zhǎng)期保存。
8.2.1.2檢測(cè)報(bào)告紙質(zhì)版應(yīng)由編寫(xiě)人員及審核人員簽字后長(zhǎng)期保存。
8.2.1.3檢測(cè)數(shù)據(jù)及檢測(cè)報(bào)告的保存期限不得小于船舶及產(chǎn)品的使用期。
17
T/CSTMXXXXX—2018
附錄A不等厚對(duì)接焊縫的檢測(cè)
A.1從平齊面進(jìn)行檢測(cè)
A1.1當(dāng)條件允許時(shí),應(yīng)盡可能從平齊一面進(jìn)行檢測(cè),如圖A1.1(a)及圖A1.1(b)所示。
A1.2TOFD檢測(cè)設(shè)置與檢測(cè)等厚對(duì)接焊縫設(shè)置方法一致,設(shè)計(jì)工藝時(shí)板厚選取薄側(cè)板厚。
A1.3PAUT檢測(cè)時(shí),厚板一側(cè)由于削斜存在,不宜進(jìn)行二次波檢測(cè),應(yīng)主要以一次波覆蓋下表面為主;
薄板一側(cè)應(yīng)使用一次波及二次波分別對(duì)底面及掃查面區(qū)域進(jìn)行覆蓋。
A1.4檢測(cè)應(yīng)按照本標(biāo)準(zhǔn)正文部分要求進(jìn)行。
圖A1.1(a)從平齊一面進(jìn)行TOFD檢測(cè)
圖A1.1(b)從平齊一面進(jìn)行PAUT檢測(cè)
A2從削斜面進(jìn)行檢測(cè)
A2.1當(dāng)僅能從削斜面進(jìn)行檢測(cè)時(shí),可從削斜斜面或平面進(jìn)行檢測(cè),如圖1.2(a)所示。
A2.2當(dāng)從削斜面進(jìn)行TOFD檢測(cè)時(shí),會(huì)導(dǎo)致TOFD檢測(cè)盲區(qū)增大,定位及定量誤差增大。
A2.3應(yīng)至少?gòu)钠矫鎮(zhèn)冗M(jìn)行一二次波的PAUT檢測(cè),如圖1.2(b)所示。
A2.4PAUT應(yīng)完整覆蓋TOFD檢測(cè)的盲區(qū),該盲區(qū)尺寸應(yīng)制作專(zhuān)門(mén)的盲區(qū)試塊予以實(shí)測(cè)。
18
T/CSTMXXXXX-2019
圖1.2(a)從削斜面進(jìn)行TOFD檢測(cè)
圖A1.2(b)從削斜面進(jìn)行PAUT檢測(cè)
A3檢測(cè)方案需通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)4.2.9.3中模擬試塊的驗(yàn)證。
_________________________________
19
T/CSTMXXXXX—2019
前??言
本文件參照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》,GB/T
20001.4《標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)規(guī)則第4部分:試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》給出的規(guī)則起草。
本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)無(wú)損檢測(cè)技術(shù)及設(shè)備領(lǐng)域委員會(huì)(CSTM/FC94)提出。
本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)無(wú)損檢測(cè)技術(shù)及設(shè)備領(lǐng)域委員會(huì)(CSTM/FC94)歸口。
本文件為首次發(fā)布。
I
T/CSTMXXXXX-2019
船用厚板焊接接頭衍射聲時(shí)技術(shù)(TOFD)及相控陣超聲(PAUT)聯(lián)
合檢測(cè)
1范圍
1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了大型集裝箱船、大型礦砂船等結(jié)構(gòu)檢測(cè)中,使用衍射聲時(shí)技術(shù)(TOFD)及相控陣超聲
(PAUT)聯(lián)合檢測(cè)方法對(duì)厚板對(duì)接接頭進(jìn)行檢測(cè)的方法及要求。其他船型的厚板檢測(cè)也可參照本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)
行。
1.2本標(biāo)準(zhǔn)中定義的厚板是指公稱(chēng)厚度不小于30mm的船用鋼板。
1.3本標(biāo)準(zhǔn)適用于同時(shí)滿(mǎn)足以下條件的焊接接頭:
(1)母材及焊縫材料為低碳鋼或低合金高強(qiáng)鋼;
(2)接頭形式為全熔透型對(duì)接接頭;
(3)材料厚度t:30mm≤t≤100mm(當(dāng)焊縫兩側(cè)母材厚度不一致時(shí),以薄側(cè)母材為準(zhǔn))。
1.4對(duì)于無(wú)法滿(mǎn)足TOFD及PAUT聯(lián)合檢測(cè)實(shí)施條件的結(jié)構(gòu)部位,應(yīng)按原檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅所注日期的版本適用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修
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