蘇教版高中化學必修1課時練習硅礦物與信息材料

課時分層作業(yè)（十九）

（建議用時：25分鐘）

［合格基礎練］

1.下列敘述正確的是（）

A.NazSiOs是硅酸鹽，但不能溶于水

B.電影銀幕用水玻璃浸泡，主要是了為防腐

C.建筑工業(yè)常用水玻璃作黏合劑

D.用水玻璃浸泡鐵道的木制枕木，主要是為了防火

C［NafiOs既是硅酸鹽，又是鈉鹽，硅酸鹽大多難溶于水，而鈉鹽均易溶于水；浸泡銀

幕主要是為了防火，而浸泡枕木主要是為了防腐；水玻璃有黏合作用，常作黏合劑。］

2.下列關于水玻璃的性質和用途的敘述中不正確的是（）

A.這是一種礦物膠，既不燃燒也不受腐蝕

B.在建筑工業(yè)上可以作黏合劑、耐酸水泥摻料

C.木材、織物浸過水玻璃后具有防腐性能且不易燃燒

D.水玻璃的試劑瓶可用磨口玻璃塞

D［水玻璃能夠粘結玻璃，試劑瓶塞應用橡皮塞。］

3.下列說法正確的是（）

A.硅的化學性質不活潑，常溫下不與任何物質起反應

B.SiOz是制造玻璃的主要原料之一，它在常溫下不與NaOH溶液反應

C.電腦芯片的主要成分是SiOz

D.CO2通入水玻璃中可以得硅酸

D［A中硅常溫下能與F2、HF反應；B中SiOz常溫下可與NaOH溶液反應；C中電腦芯片

的主要成分是Si；D中反應為NazSiOs+COz+HzOuHfiOs3+Na￡03。］

4.昆侖玉的成分可簡單看成是Ca2MgsSiGzSH）,,則其用二氧化硅和金屬氧化物的形式可

表示為（）

A.CaO?MgO?SiO2?H20

B.2CaO?5MgO?8SiO2?H20

C.2CaO?MgO?SiO2?2H20

D.5CaO?2MgO?8SiO2?H20

B［根據(jù)昆侖玉的化學式，將Ca、Mg、Si、H分別寫成氧化物的形式，按較活潑金屬氧

化物一較不活潑金屬氧化物一SiOz-HzO的順序排列，再調整各氧化物前的計量數(shù)并使其與昆

侖玉化學式中一致，可得昆侖玉氧化物表示形式為2CaO-5MgO?8SiO2?上0。］

5.下列敘述正確的是()

A.CO?和SiO?都是酸性氧化物，所以兩者物理性質相似

高溫

B.因為CaC03+Si02=CaSi0s+C02t,所以硅酸的酸性比碳酸強

C.CO?和SiO?都能與碳反應，且都作氧化劑

D.SiOz既能和NaOH反應，又能和HF反應，所以二氧化硅屬于兩性氧化物

C［CO?和SiO?都是酸性氧化物，和其物理性質無因果關系，CO?熔、沸點低，硬度小，微

溶于水，Si02的熔、沸點高，硬度大，不溶于水。CO?和SiO?的物理性質相差較大，A項不正

高溫

確；CaCO3+SiO2^=CaSiO3+CO2t,反應進行的原因是因為SiO?沸點高，CO?沸點低，而“較

強酸制較弱的酸”是溶液中復分解反應規(guī)律，B項不正確；CO?和SiO?都與碳反應，碳作還原

劑，CO?和SiOz作氧化劑，C項正確；SiO?與HF反應是HF的特性，SiO,不與其他酸反應，故

SiOz不屬于兩性氧化物，D項不正確。］

6.為確認HC1、H￡03、HzSiOs的酸性強弱，某學生設計了如下圖所示的實驗裝置，一次實

驗即可達到目的(不必選其他酸性物質)。請據(jù)此回答：

(1)錐形瓶中裝某可溶性正鹽溶液，分液漏斗所盛試劑應為

(2)裝置B所盛的試劑是,其作用是

(3)裝置C所盛試劑是,C中反應的離子方程式是

(4)由此得到的結論是：酸性>>o

［解析］根據(jù)強酸+弱酸鹽一弱酸+強酸鹽分析可知，分液漏斗中盛裝鹽酸，A中盛放

Na2C03,根據(jù)Na2C03+2HCl=2NaCH-H20+C02t可以知道酸性HC1強于H2CO3,然后將生成的

CO2通入NazSiOs溶液中，反應為NaaSiOs+C02+H2O=H2SiO3I+Na2C03,由此判斷酸性

H2CO3>H2SiO3,但需注意的是A中反應會有HC1氣體逸出，故通入NazSiOs溶液前需將HC1吸收,

但不能吸收CO2,故選用飽和NaHCOs溶液。

［答案］(1)鹽酸(2)飽和NaHCOs溶液吸收HC1氣體(3)NazSi()3溶液SiO『+CO?+

H2O=H2SiO3I+COt(^SiOr+2CO2+2H2O=2HCOr+H2SiO3I)(4)HC1H2C03H2SiO3

［等級過關練］

7.將過量的CO?分別通入:①CaCL溶液②濃NazSiOs溶液③Ca(OH)?溶液④飽和NazCO：

溶液。最終溶液中有白色沉淀析出的是()

A.①②③④B.②④

C.①②③D.②③

B［CO?溶于水：C02+H20=H2C03,H2cO3的酸性比鹽酸弱，而比硅酸強。根據(jù)酸與鹽反應

的規(guī)律，COz通入CaClz溶液無明顯現(xiàn)象；過量的COz通入濃NazSiOs溶液中有白色沉淀H2SiO3

生成;CO2通入Ca(OH)2溶液至過量,Ca(0H)2+C02=CaC03J+H2,CaCO3+H20+C02=Ca(HCO3)2,

最終生成Ca(HCO3)2而無沉淀；過量CO2通入飽和Na2cCh溶液中：Na2C03+H=0+C02=2NaHC03I,

生成的NaHCOs溶解度比NazCOs溶解度小而結晶析出。］

8.硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題：

制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCL)還原法是當前制備高純硅的主

要方法，生產過程示意圖如圖所示：

跖英砂嗦耐573—，?上?際儂粗)產"

|高純硅I131K4SiHCb(純———

(1)寫出由純SiHCL制備高純硅反應化學的方程式：

(2)整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCL,遇水劇烈反應生成HzSiOs、HC1和另一種

物質，寫出配平的化學方程式：

也還原SiHCL過程中若混入可能引起的后果是

［解析］(D根據(jù)質量守恒定律可知，SiHCL與壓在高溫下反應，生成Si和HC1,反應的

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化學方程式為SiHCA+Hz=Si+3HClo(2)根據(jù)質量守恒定律，SiHCL遇水劇烈反應生成

H2SiO3>HC1和Hz,反應的化學方程式為SiHCl3+3H20=