高中化學(xué)選修三知識(shí)填空

高中化學(xué)選修3部分知識(shí)填空

1、符號(hào)口表示的意義：ABC

DE

2、特殊結(jié)構(gòu)微粒匯總：

無電子微粒無中子微粒

2e-微粒8e-微粒

10e-微粒____________________________________________________________

18e-微粒______________________________________________________________

3、元素族的別稱：①第IA族：第IIA族：②第VDA族：

③第0族：_____________

4、構(gòu)造原理:電子所排的能級(jí)順序（七大能級(jí)組）：

Cu的核外電子排布式:Cu的簡化核外電子排布式：

Cu的結(jié)構(gòu)示意圖：C的電子排布圖：

P價(jià)電子排布圖：o

5、泡利原理:__________________________

&

洪特規(guī)則:_______________________________

洪特規(guī)則特例:。

6、區(qū)全是金屬元素，非金屬元素主要集中______區(qū)。主族主要含___________區(qū)，副

族主要含______區(qū)，過渡元素主要含區(qū)。S區(qū)元素價(jià)電子特征排布為,價(jià)

電子數(shù)等于族序數(shù)。d區(qū)元素價(jià)電子排布特征為；價(jià)電子總數(shù)等于副族序數(shù)；ds

區(qū)元素特征電子排布為,價(jià)電子總數(shù)等于所在的列序數(shù)；p區(qū)元素特征電子

排布為;價(jià)電子總數(shù)等于主族序數(shù)。原子核外電子總數(shù)決定所在周期數(shù)，周期

數(shù)=最大能層數(shù)（鈿除外）Pd[Kr]4di。,最大能層數(shù)是4,但是在第五周期。外圍電子總數(shù)決定排

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在哪一族，如：Cu3dio4si,10+1=11尾數(shù)是1所以，是舊。

29

7、電離能：原子的第一電離能變化規(guī)律_______________________________________________

堿金屬元素的第一電離能變化規(guī)律_______________________________________________________

為什么Be的第一電離能大于B,Mg的第一電離能大于AI

為什么N的第一電離能大于0,Zn的第一電離能大于Ga

電離能的數(shù)據(jù)的突躍變化說明_______________________________________

8、按要求填寫下表

中心原子孤價(jià)層電雜化軌

化學(xué)式雜化軌道數(shù)VSEPR構(gòu)型分子結(jié)構(gòu)

對(duì)電子對(duì)數(shù)子對(duì)數(shù)道類型

CH4

C2H4

&

CH2O

C2H2

%s

)

i\in2

]

BF3

CHCI3

SiF4

%

嗎2-

NH3]

BeCI2

3v32一

SF

6————

—

9、填空

1

分子空間構(gòu)型分子有無極性分子分子有無極性

空間構(gòu)型

。2HF

CO?%。

?

NH3

BF3

?

S03

CCI4

10、概念辯析:

⑴每一?周期元素都是從開始，以結(jié)束

⑵區(qū)都是副族元素，區(qū)和區(qū)的都是主族元素

⑶半徑：K+CI-⑷酸性HCIOHSO，堿性：NaOHMg(OH)

242

⑸第八周期排滿有種元素

11、電負(fù)性：同周期元素、同主族元素電負(fù)性變化規(guī)律__________________________________________

12、6鍵比3T鍵的強(qiáng)度較共價(jià)鍵的特征：

13、幾種常見晶體的結(jié)構(gòu)

原子晶體(金剛石和二氧化硅)

⑴金剛石：每個(gè)碳原子與一個(gè)碳原子緊鄰。由一個(gè)碳原子形成正四面體結(jié)構(gòu)單元。由共價(jià)鍵

構(gòu)成的最小環(huán)狀結(jié)構(gòu)中有個(gè)碳原子，不在同一平原上（鍵角為）o其中的碳原子采

取雜化，晶體中每個(gè)碳原子參與了個(gè)c—C鍵的形成，而在每個(gè)鍵中的貢獻(xiàn)只有一

半，碳原子個(gè)數(shù)與碳碳鍵數(shù)之比為。

⑵二氧化硅：每個(gè)硅原子與個(gè)氧原子緊鄰，每個(gè)氧原子與個(gè)硅原子緊鄰。鍵

角（0—S鍵）為,每個(gè)最小的環(huán)上有個(gè)原子（有個(gè)Si和個(gè)

0）o1molSiO2內(nèi)含有molSi-0鍵。

分子晶體（干冰）：干冰一每個(gè)CO?分子緊鄰個(gè)C02分子。晶格的一個(gè)面上有5個(gè)CO分

子，其中有1個(gè)co2分子位于面心。平均每個(gè)晶胞擁有個(gè)二氧化碳分子。

離子晶體：

⑴氯化鈉：在晶體中，每個(gè)Na+同時(shí)吸引個(gè)CI-,每個(gè)CI-同時(shí)吸引個(gè)Na+,配位

數(shù)為。每個(gè)晶胞含個(gè)Na+和個(gè)CI-,每個(gè)Na+與一個(gè)Na+等距離相鄰,

每個(gè)CI-與個(gè)CI-等距離相鄰。

⑵氯化艷：CsCI晶體中Cs+的配位數(shù)為,CL的配位數(shù)為,每個(gè)Cs+與個(gè)Cs+等距

離相鄰，每個(gè)a-與個(gè)a等距離相鄰。

混合晶體（石墨）：由共價(jià)鍵形成的6個(gè)碳原子環(huán)為平面正六邊形（鍵角為120°）0晶體中每個(gè)碳原子

為3個(gè)六邊形共有，故碳原子個(gè)數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為：。

14.金屬晶體的幾種典型堆積模型

采用這種堆積模

堆積模型空間的利用率配位數(shù)晶胞模型

型的典型代表

簡單立方堆積

鉀型

（體心立方堆積）

鎂型

（六方最密堆積）

銅型

（面心立方堆積）

15、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的比較

⑴不同類晶體：一般情況下，晶體〉晶體〉晶體，不同金屬晶體的熔沸

點(diǎn)差異較大，視具體情況而定。

⑵同種類型晶體：構(gòu)成晶體質(zhì)點(diǎn)間的作用大，則熔沸點(diǎn),反之亦然。

①離子晶體：結(jié)構(gòu)相似且化學(xué)式中各離子個(gè)數(shù)比相同的離子晶體中，離子半徑（或陰、陽

離子半徑之和越小的），鍵能越的熔、沸點(diǎn)就越高。如NaCI、NaBr、Nai；NaCI、KCI、RbCI

等的熔、沸點(diǎn)依次。離子所帶電荷大的熔點(diǎn)較高。如：MgO熔點(diǎn)于NaCI。

②分子晶體:在組成結(jié)構(gòu)均相似的分子晶體中,大的，分子間作用力就大，熔點(diǎn)也。

如F?、Cl?、B3、I2和HCI、HBr、HI等均隨式量,熔、沸點(diǎn)升高。但結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，

有氫鍵存在熔、沸點(diǎn)較高。

③原子晶體：在原子晶體中，只要成鍵原子半徑越，鍵能越,熔點(diǎn)越高。如熔點(diǎn)：

金剛石金剛砂（碳化硅）晶體硅。

④金屬晶體：在元素周期表中，主族數(shù)越大，金屬原子半徑越小，其熔、沸點(diǎn)也就越O如

IIIA的Al,IIA的Mg,IA的Na,熔、沸點(diǎn)就依次_______?而在同一主族中，