納米制造 材料規(guī)范 電化學(xué)電容器 第2部分：電化學(xué)電容器用納米使能電極片 空白詳細(xì)規(guī)范 征求意見(jiàn)稿

GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:1納米制造材料規(guī)范電化學(xué)電容器第2部分：電化學(xué)電容器用納米使能電極片空白詳細(xì)規(guī)范試（Nanomanufacturing–Keycontrolcharacteristics–Part4-2:Nano-enabledelectricalPhysicalcharacterizationofcathodenanomaterials,densitymeasurement）IEC/TS62607-4-3納米制造關(guān)鍵控制特性第4-3部分：納米儲(chǔ)能納米材料接觸和圖層電阻率（Nanomanufacturing–Keycontrolchandcoatingresistivitymeasurementsfornanoma法（Nanomanufacturing–Keycontrolcharacteristics–Part4-8:Nano-enabledelectricalDeterminationofwatercontentinelectrodenanomaterials,KarlFischermethod）IEC/TS62607-6-20納米制造關(guān)鍵控制特性第6-20部分：石墨烯基材料金屬雜質(zhì)含量：ICP-MS（Nanomanufacturing–Keycontrolcharacteristics–Part6-20:Graphene-basedmaterial–MetallicimpurityISO9277氣體吸附測(cè)試固體比表面積BET法（Determinationofthespecificsurfaceareaofsolidsbygasadsorption–BETISO15901-2壓汞法和氣體吸附法測(cè)定固體材料孔徑分布和孔隙度第2部分：氣體吸附測(cè)試納米孔（PoresizedistributionandporosityofsolidmaterialsbymercuryporoAnalysisofnanoporesbygasadsorption）–Surfacetexture:Areal]GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:2——IEC電工百科：https://www.electropedia.or——ISO在線瀏覽平臺(tái)：任一外部維度、內(nèi)部或表面結(jié)構(gòu)處于納米尺納米結(jié)構(gòu)材料nanostructured注：本定義不排除納米物體具有內(nèi)部或表面納米結(jié)構(gòu)的可能性。如果外部維納米使能器件nano-enabled關(guān)鍵控制特性keycontrolchar空白詳細(xì)規(guī)范blankdetailspecifi3注1：有兩種電化學(xué)電容器類型：雙電層電通過(guò)在電雙層中分離電荷來(lái)實(shí)現(xiàn)電能靜電存雁電容電容器pseudocapacitor,Faradayca通過(guò)在電極表面附近的快速氧化還原反應(yīng)實(shí)現(xiàn)電能儲(chǔ)存的4由一個(gè)碳原子與周?chē)齻€(gè)碳原子結(jié)合形成蜂窩狀結(jié)構(gòu)的碳原子單層。燃料電池中的導(dǎo)電材料，從陽(yáng)極側(cè)收集電子或?qū)㈦娮觽鲗?dǎo)到GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:5[來(lái)源:IEC60050-485:2涂炭鋁箔carbonaceouscoatingalum金屬元素，如Fe、Co、Ni，存在于材料中，但并非有意添加，且其最低含量不GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:6電解質(zhì)吸附能力electrolyteA=dm/dA。GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:7電極片比電容specificcapacitanceofelec電壓保持率voltagemaintenancerate，ra溫度耐受性temperatureend注釋1：?jiǎn)挝唬簹W姆(Ω)。GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:8電感耦合等離子體發(fā)射光譜inductivelycoupled微量元素分析技術(shù)，使用樣品的發(fā)射光譜來(lái)識(shí)別和量化存在的用于定性測(cè)定和定量評(píng)估元素濃度的光譜分析方法，其中該技術(shù)通過(guò)測(cè)量自由原子的原子吸收來(lái)測(cè)量樣品質(zhì)量隨溫度變化的方法，同時(shí)對(duì)樣品進(jìn)行控制4關(guān)于測(cè)量方法的一般介紹考慮到納米電工產(chǎn)品制造中工業(yè)應(yīng)用的實(shí)用性原因，本文件建議對(duì)每個(gè)材料參數(shù)采用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:95電化學(xué)電容器納米使能電極片規(guī)格格式5.1一般采購(gòu)信息制造商或產(chǎn)品供應(yīng)商應(yīng)根據(jù)表1提供有關(guān)電化學(xué)電標(biāo)號(hào)項(xiàng)目信息供應(yīng)商產(chǎn)品貿(mào)易名電極片類型活性材料可獲得的制造過(guò)程描述文件參考典型批量o質(zhì)量[kg]可追溯性要求o系列號(hào)o其他,具體………….制造七日1.10規(guī)格序號(hào)修訂等級(jí)發(fā)布日期1.11包裝要求GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:1.12材料安全數(shù)據(jù)表（MSDS）可用參考注釋：基于納米技術(shù)的制造工藝有時(shí)不夠成熟，因此可以排除存在對(duì)產(chǎn)品性能有重大影5.2化學(xué)關(guān)鍵控制特性序號(hào)KCC規(guī)格測(cè)試方法測(cè)量程序2.1水含量卡爾費(fèi)休法IECTS62607-4-82.2灰分含量灼燒發(fā)尚不可用熱重分析(TGA)尚不可用2.3磁性雜質(zhì)含量ICP-MSIECTS62607-6-20ICP-OES尚不可用AAS尚不可用5.3物理關(guān)鍵控制特性序號(hào)KCC規(guī)格測(cè)試方法測(cè)量程序3.1標(biāo)稱[]±公差[]mm薄膜彎曲測(cè)試法尚不可用3.2標(biāo)稱[]±公差[]N/m剝離法尚不可用3.3標(biāo)稱[]±公差[]mm厚度變化法尚不可用3.5標(biāo)稱[]±公差[]S/mL時(shí)間測(cè)試法尚不可用3.6標(biāo)稱[]±公差[]°圖像法尚不可用3.7電阻率標(biāo)稱[]±公差[]Ω?cm四探針測(cè)試法IECTS62607-4-35.4結(jié)構(gòu)關(guān)鍵控制特性序號(hào)KCC規(guī)格測(cè)試方法測(cè)量程序4.1壓實(shí)密度標(biāo)稱[]±公差[]g/cm3稱重法IECTS62607-4-24.2厚度標(biāo)稱[]±公差[]mm千分尺IECTS62607-4-24.3面密度標(biāo)稱[]±公差[]g/cm2稱重法IECTS62607-4-24.4比表面積標(biāo)稱[]±公差[]m2/gN2吸附法ISO92774.5孔體積標(biāo)稱[]±公差[]cm3/g壓汞法ISO15901-24.6表面粗糙度標(biāo)稱[]±公差[]nm光學(xué)顯微鏡ISO25178序號(hào)KCC規(guī)格測(cè)試方法測(cè)量程序5.1比電容恒流充電(CCC)和恒流放電(CCD)尚不可用(錯(cuò)誤!未找到引用源。)5.2電壓保持率恒流充電(CCC)和恒壓放電(CCV)尚不可用(錯(cuò)誤!未找到引用源。)5.3漏電流恒流充電(CCC)和恒壓放電(CCV)尚不可用(錯(cuò)誤!未找到引用源。)5.4循環(huán)耐受性n圈后大于[]%恒流充電(CCC)和恒流放電(CCD)尚不可用(錯(cuò)誤!未找到引用源。)5.5溫度耐受性[]小時(shí)在[]°C后大于恒壓放電(CCV)尚不可用(錯(cuò)誤!未找到引用源。)5.6恒流充電(CCC)和恒流放電(CCD)尚不可用(錯(cuò)誤!未找到引用源。)對(duì)于KCC表中“測(cè)量程序”項(xiàng)下的條目，關(guān)于記錄的測(cè)量方法的GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:指南（GPG）不可用。這是業(yè)界內(nèi)最低水平的共識(shí)，由參與交付過(guò)程的各方確定處理這–案例3）標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)量方法是可用的，其旨在用于另一個(gè)用例，但可適用于出方法，并說(shuō)明如何采用標(biāo)準(zhǔn)。KCC表中應(yīng)提供附件AGB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2關(guān)鍵控制特性(KCC)測(cè)試IECTS62607-4-8IECTS62607-6-20IEC62607-4-3IECTS62607-4-2IECTS62607-4-2IECTS62607-4-2ISO9277ISO15901-2ISO25178卡爾費(fèi)休法TGAICP-MSICP-OESAAS四探針電阻率厚度變化法光緒顯微鏡法CCC/CCDCVCCCC/CVCCCC/CCDCVCCCC/CCD化學(xué)KCC水含量4灰分含量11磁性雜質(zhì)含量311物理KCC電阻率3彎曲強(qiáng)度1剝離強(qiáng)度1反彈率1電解質(zhì)吸附能力1接觸角4關(guān)鍵控制特性(KCC)測(cè)試IECTS62607-4-8IECTS62607-6-20IEC62607-4-3IECTS62607-4-2IECTS62607-4-2IECTS62607-4-2ISO9277ISO15901-2ISO25178卡爾費(fèi)休法TGAICP-MSICP-OESAAS四探針電阻率厚度變化法光緒顯微鏡法CCC/CCDCVCCCC/CVCCCC/CCDCVCCCC/CCD結(jié)構(gòu)KCC壓實(shí)密度3厚度4面密度3比表面積4孔體積4表面粗糙度4電化學(xué)KCC比電容1電壓保持率1漏電流1循環(huán)耐受性1溫度耐受性11GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:A.1含水量：卡爾費(fèi)休法A.1.1概述水含量對(duì)電化學(xué)電容器具有至關(guān)重要的影響。殘留的水將會(huì)對(duì)電極片的電阻以及器件的穩(wěn)定性和通過(guò)測(cè)量電解所需的電量（即用于生產(chǎn)碘基于產(chǎn)生的碘與水的定量反應(yīng)，確定A.1.2文件化的測(cè)量程序IECTS62607-4-8直接適用于測(cè)量含水A.2灰分：灼燒A.2.1概述A.2.2文件化的測(cè)量程序A.3灰分含量：熱重分析（TGA）A.3.1概述A.3.2形成文件的測(cè)量程序A.4磁性雜質(zhì)：ICP-MSA.4.1概述A.4.2文件化的測(cè)量程序IECTS62607-6-20適用于測(cè)量金屬雜質(zhì)灰分含量。即使IECTSA.4.3所需的調(diào)整GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:A.5.1概述重要。磁性雜質(zhì)的測(cè)定應(yīng)通過(guò)ICP-OES進(jìn)行，微波消解進(jìn)行預(yù)處理。樣品制備與A.4.3a）A.5.2文件化的測(cè)量程序），A.6磁性雜質(zhì)：AASA.6.1概述A.6.2文件化的測(cè)量程序），A.7彎曲強(qiáng)度：漆筒彎曲試驗(yàn)機(jī)A.7.1概述直到電極片出現(xiàn)裂紋。記錄電極片裂紋出現(xiàn)時(shí)的直徑，并將其計(jì)算為電極片的彎曲強(qiáng)度。A.7.2文件化的測(cè)量程序A.8剝離強(qiáng)度A.8.1概述負(fù)載進(jìn)行180度剝離試驗(yàn)。當(dāng)集流體完全剝離時(shí)，檢測(cè)到的力就A.8.2文件化的測(cè)量程序A.9反彈率A.9.1概述反彈率是通過(guò)記錄輥壓后不同時(shí)間的電極厚度來(lái)測(cè)量的。反A.9.2文件化的測(cè)量程序），GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:A.10.1概述將一定體積的電解液滴在電極的一定區(qū)域上。從電解液接觸電極到被完全吸收的時(shí)間除以電解液A.10.2文件化的測(cè)量程序），A.11接觸角A.11.1概述A.11.2文件化的測(cè)量程序），A.12.1概述A.12.2文件化的測(cè)量程序A.12.3所需的調(diào)整A.13厚度側(cè)到右側(cè)測(cè)量電極的幾個(gè)厚度值。取這些值的算術(shù)平均值作為最終厚度。A.14面密度和壓實(shí)密度A.14.1概述一稱重并記錄小圓片的質(zhì)量。面密度是電極的平均質(zhì)量（g/cm2）減去集流體的平均質(zhì)量。面密度除以A.14.2文件化的測(cè)量程序A.14.3所需的調(diào)整GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:按照IEC/TS62607-4-2中的規(guī)定計(jì)算輥壓密度。面密度可通過(guò)將A.15比表面積和孔體積A.15.1概述A.15.2文件化的測(cè)量程序A.16表面粗糙度A.17比電容：CCC和CCDA.17.1概述為了獲得用于納米使能電容器的材料的性能潛力，通常將該材料組裝成完整的器件并對(duì)器件進(jìn)行件的電容。通過(guò)將電容與器件中電極片的質(zhì)量歸一化，可以獲得比電A.17.2文件化的測(cè)量程序），A.18.1概述為了獲得用于納米使能電容器的材料的性能潛力，通常將該材料組裝成完整的器件并對(duì)器件進(jìn)行表征。因此，裝置的可再現(xiàn)性組裝對(duì)于本BDS中電容器相關(guān)KCC的測(cè)量至A.18.2文件化的測(cè)量程序），A.19.1概述為了獲得用于納米使能電容器的材料的性能潛力，通常將該材料組裝成完整的器件并對(duì)器件進(jìn)行表征。因此，裝置的可再現(xiàn)性組裝對(duì)于本BDS中電容器相關(guān)KCC的測(cè)量GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:電極片的漏電流可通過(guò)在CCC下將組裝的電容器充電至特定電壓，然后在CVC下充電特定持續(xù)時(shí)A.19.2文件化的測(cè)量程序），A.20循環(huán)耐受性A.20.1概述電極片的循環(huán)耐久性可通過(guò)在規(guī)定的測(cè)試條件下將組裝的電容器進(jìn)行充電/放電循環(huán)，記錄電容或A.20.2文件化的測(cè)量程序），A.21溫度耐受性A.21.1概述A.21.2文件化的測(cè)量程序），A.22.1概述A.22.2文件化的測(cè)量程序），GB/ZXXXXX—20XX/IECTS62565-5-2:[1]B.E.Conway,"SupercapacitorsScientificFundamentalsandTechnologicalApplications"[M],Springer,1999[2]P.SimonandY.Gogotsi,"Materialsforelectrochemicalcapacitors",NatureMaterials7,845-854(2008)[3]L.L.ZhangandX.S.Zhao,"Carbon-basedmaterialsassupercapacitorelectrodes",ChemicalSocietyReviews38,2520-2531(2009)[4]A.S.Aricoetal.,"Nanostructuredmaterialsforadvancedenergyconversionandstoragedevices",Naturematerials4,366-377(2005)[5]F.Y.Su,C.M.Chen,"Micro-structureevolutionandcontroloflithium-ionbatteryelectrodelaminate"