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模擬電子技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋黑龍江八一農(nóng)墾大學(xué)第一章單元測試
在信號分析中,為了簡化信號特征參數(shù)的提取,通常將信號從時(shí)域變換到頻域。()
A:錯B:對
答案:對信號從來都不是孤立存在的,它總是由某個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)生又被另外的系統(tǒng)所處理。()
A:對B:錯
答案:對信號的放大是最基本的模擬信號處理功能,是通過放大電路來實(shí)現(xiàn)的。()
A:錯B:對
答案:對對放大電路的動態(tài)研究主要是針對電壓增益而言的。()
A:錯B:對
答案:錯信號通過放大電路后產(chǎn)生失真的類型主要是線性失真。()
A:對B:錯
答案:錯
第二章單元測試
理想的集成運(yùn)算放大器主要特征有()。
A:開環(huán)增益無窮大
B:開環(huán)帶寬BW趨近于無窮大
C:輸出電壓的飽和極限值等于運(yùn)放的電源電壓
D:輸入電阻無窮大,輸出電阻為零
答案:開環(huán)增益無窮大
;開環(huán)帶寬BW趨近于無窮大
;輸出電壓的飽和極限值等于運(yùn)放的電源電壓
;輸入電阻無窮大,輸出電阻為零
在帶有負(fù)反饋的運(yùn)算放大器應(yīng)用電路中,我們多數(shù)認(rèn)為其輸入端的電位相同,這是利用了()。
A:虛斷
B:虛短
C:虛地
D:虛擬
答案:虛短
在帶有負(fù)反饋的運(yùn)算放大器應(yīng)用電路中,我們認(rèn)為放大器的輸入端不取電流,這是利用了()。
A:虛擬
B:虛地
C:虛短
D:虛斷
答案:虛斷
集成運(yùn)算放大器是模擬集成電路中應(yīng)用極為廣泛的一種器件,它不僅用于信號的放大、運(yùn)算、處理、變換、測量、信號的產(chǎn)生和電源電路,而且還可以用于開關(guān)電路中。()
A:對B:錯
答案:對在圖所示電路中,A為理想運(yùn)放,則電路的輸出電壓約為(
)。
A:
-6.5V
B:
-5V
C:-2.5VD:-7.5V
答案:-2.5V
第三章單元測試
半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是()。
A:單向?qū)щ娦?/p>
B:濾波特性
C:溫度穩(wěn)定性
D:放大作用
答案:單向?qū)щ娦?/p>
當(dāng)溫度升高時(shí),二極管反向飽和電流將()。
A:增大
B:不變
C:減小
D:等于零
答案:增大
PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將()。
A:變窄
B:變寬
C:不變
D:基本不變
答案:變窄
本征半導(dǎo)體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。()
A:對B:錯
答案:對設(shè)圖2-9所示電路中二極管D1、D2為理想二極管,判斷它們是導(dǎo)通還是截止?()
A:D1截止,D2導(dǎo)通B:D1截止,D2截止C:D1導(dǎo)通,D2導(dǎo)通D:D1導(dǎo)通,D2截止
答案:D1截止,D2導(dǎo)通
第四章單元測試
場效應(yīng)管可分為絕緣柵型場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管兩種類型。()
A:錯B:對
答案:對場效應(yīng)管的輸出伏安特性曲線主要包括哪幾個(gè)區(qū)域()。
A:擊穿區(qū)
B:可變電阻區(qū)
C:飽和區(qū)
D:截止區(qū)
答案:擊穿區(qū)
;可變電阻區(qū)
;飽和區(qū)
;截止區(qū)
增強(qiáng)型場效應(yīng)管在沒有柵源電壓的情況下就存在導(dǎo)電溝道。()
A:錯B:對
答案:錯場效應(yīng)管可以看成是()。
A:電壓控制的電壓源
B:電壓控制的電流源
C:電流控制的電流源
D:電流控制的電壓源
答案:電壓控制的電流源
基本的場效應(yīng)管放大電路包括()。
A:共柵極放大電路
B:共漏極放大電路
C:共射極放大電路
D:共源極放大電路
答案:共柵極放大電路
;共漏極放大電路
;共源極放大電路
第五章單元測試
圖中所示為某基本共射放大電路的輸出特性曲線,靜態(tài)工作點(diǎn)由Q2點(diǎn)移動到Q3點(diǎn)可能的原因是()
A:集電極負(fù)載電阻RC變高
B:基極電源+VBB電壓變高
C:基極回路電阻Rb變高
D:集電極電源+VCC電壓變高
答案:基極電源+VBB電壓變高
當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的電流放大系數(shù)將減小。()
A:對B:錯
答案:錯晶體三極管的輸出特性可分三個(gè)區(qū)域,當(dāng)三極管工作在飽和區(qū)時(shí)。()
A:對B:錯
答案:對
A:截止區(qū)B:放大區(qū)C:飽和區(qū)D:區(qū)域不定
答案:飽和區(qū)某三極管各電極對地電位如圖所示,由此可判斷該三極管()。
A:已損壞B:處于飽和狀態(tài)C:處于放大狀態(tài)D:處于截止?fàn)顟B(tài)
答案:已損壞
第六章單元測試
正弦波振蕩電路的起振條件為。()
A:對B:錯
答案:對當(dāng)有用信號頻率低于500Hz時(shí),宜選用低通濾波器;當(dāng)希望抑制50Hz交流電源的干擾時(shí),宜選用帶阻濾波器;當(dāng)希望抑制1kHz以下的信號時(shí),宜選用高通濾波器。()
A:錯B:對
答案:對決定放大電路的下限頻率的主要因素是放大器件中的PN結(jié)電容。()
A:錯B:對
答案:錯為了便于理解和分析實(shí)際放大電路的頻率響應(yīng),可以將放大電路中的一部分等效為簡單的RC電路進(jìn)行處理。()
A:對B:錯
答案:對特征頻率越高,表明BJT的高頻特性越好,由它構(gòu)成的放大電路上限頻率就越高。()
A:錯B:對
答案:對
第七章單元測試
共模信號都是直流信號,差模信號都是交流信號。()
A:錯B:對
答案:錯集成運(yùn)放是直接耦合的多級放大電路。()
A:對B:錯
答案:對在雙端輸入、單端輸出的差分放大電路中,發(fā)射極電阻對哪類信號無影響()
A:差模信號
B:共模信號
C:直流信號
D:交流信號
答案:差模信號
電流源的特點(diǎn)是直流等效電阻()。
A:小
B:大
C:不定
D:恒定
答案:大
下圖所示電路是(
)。
A:差分放大電路B:組合電流源C:微電流源電路D:鏡像電流源電路
答案:鏡像電流源電路
第八章單元測試
某儀表放大電路,要求輸入電阻大,輸出電流穩(wěn)定,應(yīng)選()負(fù)反饋。
A:電流串聯(lián)
B:電壓串聯(lián)
C:電流并聯(lián)
D:電壓并聯(lián)
答案:電流串聯(lián)
電壓負(fù)反饋可以穩(wěn)定輸出電壓。()
A:錯B:對
答案:對一反饋放大電路的開環(huán)增益為1000,反饋系數(shù)為0.099,則其閉環(huán)增益為()
A:100
B:10000
C:1000
D:10
答案:10
串聯(lián)負(fù)反饋放大電路環(huán)內(nèi)的輸入電阻是無反饋時(shí)輸入電阻的()。
A:1+AF倍
B:1/F倍
C:1/AF倍。
D:倍
E:1/(1+A
答案:1+AF倍
判斷下圖電路中的反饋組態(tài)為(
)。
A:電流并聯(lián)負(fù)反饋B:電壓并聯(lián)負(fù)反饋C:
電壓串聯(lián)負(fù)反饋D:電流串聯(lián)負(fù)反饋
答案:
電壓串聯(lián)負(fù)反饋
第九章單元測試
乙類放大器中每個(gè)晶體管的導(dǎo)通角是()
A:180°
B:270°
C:90°
D:360°
答案:180°
功率的放大電路有功率放大作用,電壓放大電路只有電壓放大作用而沒有功率放大作用。()
A:錯B:對
答案:錯互補(bǔ)輸出級采用射極輸出方式是為了使()。
A:輸出電流小
B:電壓放大倍數(shù)高
C:帶負(fù)載能力強(qiáng)
D:輸出電阻增大
答案:帶負(fù)載能力強(qiáng)
集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋ǎ?/p>
A:可獲得較高增益
B:可使溫漂變小
C:在集成工藝中難于制造大電容
D:可以增大輸入電阻
答案:在集成工藝中難于制造大電容
為避免產(chǎn)生交越失真,互補(bǔ)推挽功率放大電路一般工作在()。
A:甲類狀態(tài)
B:乙類狀態(tài)
C:甲乙類狀態(tài)
D:丙類狀態(tài)
答案:甲乙類狀態(tài)
第十章單元測試
為了得到頻率穩(wěn)定度高的正弦波信號,應(yīng)采用()振蕩電路。
A:變壓器反饋式LC振蕩電路
B:RC振蕩電路
C:石英晶體振蕩電路
D:LC振蕩電路
答案:石英晶體振蕩電路
電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是:幅度條件為,相位條件為(n=0,1,2,…)。()
A:對B:錯
答案:對振蕩器具有較穩(wěn)定振蕩的原因,是振蕩系統(tǒng)中具有選頻網(wǎng)絡(luò)。()
A:對B:錯
答案:對只要引入正反饋,電路就會產(chǎn)生正弦波振蕩。()
A:對B:錯
答案:錯利用石英晶體的電抗頻率特性構(gòu)成的振蕩器是()。
A:f=fs時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
B:f=fs時(shí),石英晶體呈感性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
C:fs<f<fp時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
D:fs<f<fp時(shí),石英晶體呈感性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
答案:f=fs時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
第十一章單元測試
直流穩(wěn)壓電源一般包括以下哪些部分()
A:整流電路
B:變壓電路
C:濾波電路
D:穩(wěn)壓電路
答案:整流電路
;變壓電路
;濾波電路
;穩(wěn)壓電路
已知降壓變壓器次級繞組電壓為12V,負(fù)載兩端的輸出電壓為10.8V,則這是一個(gè)單相()電路。
A:半波整流
B:橋式整流電容濾波
C:橋式整流
D:半波整流電容濾波
答案:橋式整流
橋式整流電路若變壓器二次電壓為,則每個(gè)整流管所承受的最大反向電壓為()。
A:
B:
C:20V
D:
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