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文檔簡介

模擬電子技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋黑龍江八一農(nóng)墾大學(xué)第一章單元測試

在信號分析中,為了簡化信號特征參數(shù)的提取,通常將信號從時(shí)域變換到頻域。()

A:錯B:對

答案:對信號從來都不是孤立存在的,它總是由某個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)生又被另外的系統(tǒng)所處理。()

A:對B:錯

答案:對信號的放大是最基本的模擬信號處理功能,是通過放大電路來實(shí)現(xiàn)的。()

A:錯B:對

答案:對對放大電路的動態(tài)研究主要是針對電壓增益而言的。()

A:錯B:對

答案:錯信號通過放大電路后產(chǎn)生失真的類型主要是線性失真。()

A:對B:錯

答案:錯

第二章單元測試

理想的集成運(yùn)算放大器主要特征有()。

A:開環(huán)增益無窮大

B:開環(huán)帶寬BW趨近于無窮大

C:輸出電壓的飽和極限值等于運(yùn)放的電源電壓

D:輸入電阻無窮大,輸出電阻為零

答案:開環(huán)增益無窮大

;開環(huán)帶寬BW趨近于無窮大

;輸出電壓的飽和極限值等于運(yùn)放的電源電壓

;輸入電阻無窮大,輸出電阻為零

在帶有負(fù)反饋的運(yùn)算放大器應(yīng)用電路中,我們多數(shù)認(rèn)為其輸入端的電位相同,這是利用了()。

A:虛斷

B:虛短

C:虛地

D:虛擬

答案:虛短

在帶有負(fù)反饋的運(yùn)算放大器應(yīng)用電路中,我們認(rèn)為放大器的輸入端不取電流,這是利用了()。

A:虛擬

B:虛地

C:虛短

D:虛斷

答案:虛斷

集成運(yùn)算放大器是模擬集成電路中應(yīng)用極為廣泛的一種器件,它不僅用于信號的放大、運(yùn)算、處理、變換、測量、信號的產(chǎn)生和電源電路,而且還可以用于開關(guān)電路中。()

A:對B:錯

答案:對在圖所示電路中,A為理想運(yùn)放,則電路的輸出電壓約為(

)。

A:

-6.5V

B:

-5V

C:-2.5VD:-7.5V

答案:-2.5V

第三章單元測試

半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是()。

A:單向?qū)щ娦?/p>

B:濾波特性

C:溫度穩(wěn)定性

D:放大作用

答案:單向?qū)щ娦?/p>

當(dāng)溫度升高時(shí),二極管反向飽和電流將()。

A:增大

B:不變

C:減小

D:等于零

答案:增大

PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將()。

A:變窄

B:變寬

C:不變

D:基本不變

答案:變窄

本征半導(dǎo)體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。()

A:對B:錯

答案:對設(shè)圖2-9所示電路中二極管D1、D2為理想二極管,判斷它們是導(dǎo)通還是截止?()

A:D1截止,D2導(dǎo)通B:D1截止,D2截止C:D1導(dǎo)通,D2導(dǎo)通D:D1導(dǎo)通,D2截止

答案:D1截止,D2導(dǎo)通

第四章單元測試

場效應(yīng)管可分為絕緣柵型場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管兩種類型。()

A:錯B:對

答案:對場效應(yīng)管的輸出伏安特性曲線主要包括哪幾個(gè)區(qū)域()。

A:擊穿區(qū)

B:可變電阻區(qū)

C:飽和區(qū)

D:截止區(qū)

答案:擊穿區(qū)

;可變電阻區(qū)

;飽和區(qū)

;截止區(qū)

增強(qiáng)型場效應(yīng)管在沒有柵源電壓的情況下就存在導(dǎo)電溝道。()

A:錯B:對

答案:錯場效應(yīng)管可以看成是()。

A:電壓控制的電壓源

B:電壓控制的電流源

C:電流控制的電流源

D:電流控制的電壓源

答案:電壓控制的電流源

基本的場效應(yīng)管放大電路包括()。

A:共柵極放大電路

B:共漏極放大電路

C:共射極放大電路

D:共源極放大電路

答案:共柵極放大電路

;共漏極放大電路

;共源極放大電路

第五章單元測試

圖中所示為某基本共射放大電路的輸出特性曲線,靜態(tài)工作點(diǎn)由Q2點(diǎn)移動到Q3點(diǎn)可能的原因是()

A:集電極負(fù)載電阻RC變高

B:基極電源+VBB電壓變高

C:基極回路電阻Rb變高

D:集電極電源+VCC電壓變高

答案:基極電源+VBB電壓變高

當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的電流放大系數(shù)將減小。()

A:對B:錯

答案:錯晶體三極管的輸出特性可分三個(gè)區(qū)域,當(dāng)三極管工作在飽和區(qū)時(shí)。()

A:對B:錯

答案:對

A:截止區(qū)B:放大區(qū)C:飽和區(qū)D:區(qū)域不定

答案:飽和區(qū)某三極管各電極對地電位如圖所示,由此可判斷該三極管()。

A:已損壞B:處于飽和狀態(tài)C:處于放大狀態(tài)D:處于截止?fàn)顟B(tài)

答案:已損壞

第六章單元測試

正弦波振蕩電路的起振條件為。()

A:對B:錯

答案:對當(dāng)有用信號頻率低于500Hz時(shí),宜選用低通濾波器;當(dāng)希望抑制50Hz交流電源的干擾時(shí),宜選用帶阻濾波器;當(dāng)希望抑制1kHz以下的信號時(shí),宜選用高通濾波器。()

A:錯B:對

答案:對決定放大電路的下限頻率的主要因素是放大器件中的PN結(jié)電容。()

A:錯B:對

答案:錯為了便于理解和分析實(shí)際放大電路的頻率響應(yīng),可以將放大電路中的一部分等效為簡單的RC電路進(jìn)行處理。()

A:對B:錯

答案:對特征頻率越高,表明BJT的高頻特性越好,由它構(gòu)成的放大電路上限頻率就越高。()

A:錯B:對

答案:對

第七章單元測試

共模信號都是直流信號,差模信號都是交流信號。()

A:錯B:對

答案:錯集成運(yùn)放是直接耦合的多級放大電路。()

A:對B:錯

答案:對在雙端輸入、單端輸出的差分放大電路中,發(fā)射極電阻對哪類信號無影響()

A:差模信號

B:共模信號

C:直流信號

D:交流信號

答案:差模信號

電流源的特點(diǎn)是直流等效電阻()。

A:小

B:大

C:不定

D:恒定

答案:大

下圖所示電路是(

)。

A:差分放大電路B:組合電流源C:微電流源電路D:鏡像電流源電路

答案:鏡像電流源電路

第八章單元測試

某儀表放大電路,要求輸入電阻大,輸出電流穩(wěn)定,應(yīng)選()負(fù)反饋。

A:電流串聯(lián)

B:電壓串聯(lián)

C:電流并聯(lián)

D:電壓并聯(lián)

答案:電流串聯(lián)

電壓負(fù)反饋可以穩(wěn)定輸出電壓。()

A:錯B:對

答案:對一反饋放大電路的開環(huán)增益為1000,反饋系數(shù)為0.099,則其閉環(huán)增益為()

A:100

B:10000

C:1000

D:10

答案:10

串聯(lián)負(fù)反饋放大電路環(huán)內(nèi)的輸入電阻是無反饋時(shí)輸入電阻的()。

A:1+AF倍

B:1/F倍

C:1/AF倍。

D:倍

E:1/(1+A

答案:1+AF倍

判斷下圖電路中的反饋組態(tài)為(

)。

A:電流并聯(lián)負(fù)反饋B:電壓并聯(lián)負(fù)反饋C:

電壓串聯(lián)負(fù)反饋D:電流串聯(lián)負(fù)反饋

答案:

電壓串聯(lián)負(fù)反饋

第九章單元測試

乙類放大器中每個(gè)晶體管的導(dǎo)通角是()

A:180°

B:270°

C:90°

D:360°

答案:180°

功率的放大電路有功率放大作用,電壓放大電路只有電壓放大作用而沒有功率放大作用。()

A:錯B:對

答案:錯互補(bǔ)輸出級采用射極輸出方式是為了使()。

A:輸出電流小

B:電壓放大倍數(shù)高

C:帶負(fù)載能力強(qiáng)

D:輸出電阻增大

答案:帶負(fù)載能力強(qiáng)

集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋ǎ?/p>

A:可獲得較高增益

B:可使溫漂變小

C:在集成工藝中難于制造大電容

D:可以增大輸入電阻

答案:在集成工藝中難于制造大電容

為避免產(chǎn)生交越失真,互補(bǔ)推挽功率放大電路一般工作在()。

A:甲類狀態(tài)

B:乙類狀態(tài)

C:甲乙類狀態(tài)

D:丙類狀態(tài)

答案:甲乙類狀態(tài)

第十章單元測試

為了得到頻率穩(wěn)定度高的正弦波信號,應(yīng)采用()振蕩電路。

A:變壓器反饋式LC振蕩電路

B:RC振蕩電路

C:石英晶體振蕩電路

D:LC振蕩電路

答案:石英晶體振蕩電路

電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是:幅度條件為,相位條件為(n=0,1,2,…)。()

A:對B:錯

答案:對振蕩器具有較穩(wěn)定振蕩的原因,是振蕩系統(tǒng)中具有選頻網(wǎng)絡(luò)。()

A:對B:錯

答案:對只要引入正反饋,電路就會產(chǎn)生正弦波振蕩。()

A:對B:錯

答案:錯利用石英晶體的電抗頻率特性構(gòu)成的振蕩器是()。

A:f=fs時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

B:f=fs時(shí),石英晶體呈感性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

C:fs<f<fp時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

D:fs<f<fp時(shí),石英晶體呈感性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

答案:f=fs時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

第十一章單元測試

直流穩(wěn)壓電源一般包括以下哪些部分()

A:整流電路

B:變壓電路

C:濾波電路

D:穩(wěn)壓電路

答案:整流電路

;變壓電路

;濾波電路

;穩(wěn)壓電路

已知降壓變壓器次級繞組電壓為12V,負(fù)載兩端的輸出電壓為10.8V,則這是一個(gè)單相()電路。

A:半波整流

B:橋式整流電容濾波

C:橋式整流

D:半波整流電容濾波

答案:橋式整流

橋式整流電路若變壓器二次電壓為,則每個(gè)整流管所承受的最大反向電壓為()。

A:

B:

C:20V

D:

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