材料分析方法知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋天津大學(xué)

材料分析方法知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋天津大學(xué)緒論單元測試

材料研究方法分為（）

A:分子結(jié)構(gòu)分析B:組織形貌分析C:物相分析D:成分價鍵分析

答案:分子結(jié)構(gòu)分析；組織形貌分析；物相分析；成分價鍵分析材料科學(xué)的主要研究內(nèi)容包括（）

A:材料的制備與加工B:材料應(yīng)用C:材料的成分結(jié)構(gòu)D:材料的性能

答案:材料的制備與加工；材料的成分結(jié)構(gòu)；材料的性能下列哪些內(nèi)容不屬于材料表面與界面分析（）

A:晶界組成、厚度B:晶粒大小、形態(tài)C:氣體的吸附D:表面結(jié)構(gòu)

答案:晶粒大小、形態(tài)下列哪些內(nèi)容屬于材料微區(qū)分析（）

A:位錯B:晶格畸變C:晶粒取向D:裂紋大小

答案:位錯；晶格畸變；晶粒取向；裂紋大小下列哪些內(nèi)容不屬于材料成分結(jié)構(gòu)分析（）

A:晶界組成、厚度B:雜質(zhì)含量C:物相組成D:晶粒大小、形態(tài)

答案:晶界組成、厚度；晶粒大小、形態(tài)

第一章單元測試

掃描電子顯微鏡的分辨率已經(jīng)達(dá)到了（）

A:1.0nmB:100nmC:0.1nmD:10nm

答案:1.0nm利用量子隧穿效應(yīng)進(jìn)行分析的儀器是

A:掃描探針顯微鏡B:掃描隧道顯微鏡C:掃描電子顯微鏡D:原子力顯微鏡

答案:掃描隧道顯微鏡

能夠?qū)悠沸蚊埠臀锵嘟Y(jié)構(gòu)進(jìn)行分析的是透射電子顯微鏡。

A:錯B:對

答案:對掃描隧道顯微鏡的分辨率可以到達(dá)原子尺度級別。

A:錯B:對

答案:對圖像的襯度是（）

A:任意兩點探測到的電子信號強度差異B:任意兩點探測到的信號強度差異C:任意兩點存在的明暗程度差異D:任意兩點探測到的光強差異

答案:任意兩點探測到的信號強度差異；任意兩點存在的明暗程度差異對材料進(jìn)行組織形貌分析包含哪些內(nèi)容（）

A:晶粒的大小B:位錯、點缺陷C:材料的外觀形貌D:材料的表面、界面結(jié)構(gòu)信息

答案:晶粒的大小；位錯、點缺陷；材料的外觀形貌；材料的表面、界面結(jié)構(gòu)信息光學(xué)顯微鏡的最高分辨率為（）

A:0.2μmB:0.1μmC:1μmD:0.5μm

答案:0.2μm下列說法錯誤的是（）

A:X射線波長為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源B:X射線不能直接被聚焦，不可以作為顯微鏡的照明源C:可見光波長為450~750nm，比可見光波長短的光源有紫外線、X射線和γ射線D:可供照明的紫外線波長為200~250nm，可以作為顯微鏡的照明源

答案:X射線波長為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源1924年，（）提出運動的電子、質(zhì)子、中子等實物粒子都具有波動性質(zhì)

A:德布羅意B:狄拉克C:薛定諤D:布施

答案:德布羅意電子束入射到樣品表面后，會產(chǎn)生下列哪些信號（）

A:二次電子B:俄歇電子C:背散射電子D:特征X射線

答案:二次電子；俄歇電子；背散射電子；特征X射線

第二章單元測試

第一臺光學(xué)顯微鏡是由哪位科學(xué)家發(fā)明的（）

A:詹森父子B:伽利略C:胡克D:惠更斯

答案:詹森父子德國科學(xué)家恩斯特·阿貝有哪些貢獻(xiàn)（）

A:發(fā)明了油浸物鏡B:解釋了數(shù)值孔徑等問題C:闡明了光學(xué)顯微鏡的成像原理D:闡明了放大理論

答案:發(fā)明了油浸物鏡；解釋了數(shù)值孔徑等問題；闡明了光學(xué)顯微鏡的成像原理；闡明了放大理論光學(xué)顯微鏡包括（）

A:目鏡B:聚光鏡C:反光鏡D:物鏡

答案:目鏡；聚光鏡；反光鏡；物鏡下列關(guān)于光波的衍射，錯誤的描述是（）

A:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時，光線將沿直線傳播B:障礙物線度越小，衍射現(xiàn)象越明顯C:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時，光線將偏離直線傳播D:光是電磁波，具有波動性質(zhì)

答案:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時，光線將沿直線傳播下列說法正確的是（）

A:兩個埃利斑靠得越近，越容易被分辨B:由于衍射效應(yīng)，樣品上每個物點通過透鏡成像后會形成一個埃利斑C:衍射現(xiàn)象可以用子波相干疊加的原理解釋D:埃利斑半徑與光源波長成反比，與透鏡數(shù)值孔徑成正比

答案:由于衍射效應(yīng)，樣品上每個物點通過透鏡成像后會形成一個埃利斑；衍射現(xiàn)象可以用子波相干疊加的原理解釋在狹縫衍射實驗中，下列說法錯誤的是（）

A:整個狹縫內(nèi)發(fā)出的光波在中間點的波程差半波長，形成中央亮斑B:子波之間相互干涉，在屏幕上形成衍射花樣C:狹縫中間每一點可以看成一個點光源，發(fā)射子波D:在第一級衍射極大值處，狹縫上下邊緣發(fā)出的光波波程差為1?波長

答案:整個狹縫內(nèi)發(fā)出的光波在中間點的波程差半波長，形成中央亮斑下列關(guān)于阿貝成像原理的描述，正確的是（）

A:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成B:參與成像的衍射斑點越多，物像與物體的相似性越好。C:不同物點的同級衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜D:同一物點的各級衍射波在像面的干涉，形成物像

答案:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成；參與成像的衍射斑點越多，物像與物體的相似性越好。；不同物點的同級衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜；同一物點的各級衍射波在像面的干涉，形成物像下列說法錯誤的是（）

A:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比B:物鏡的數(shù)值孔徑和分辨率成正比C:物鏡光軸上的物點與物鏡前透鏡的有效直徑所形成的角度是孔徑半角D:物鏡口徑越大，分辨率就越高

答案:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比像差包括（）

A:球面像差B:色散C:像域彎曲D:色像差

答案:球面像差；像域彎曲；色像差金相顯微鏡的制樣過程包括（）

A:磨光B:鑲樣C:腐蝕D:拋光

答案:磨光；鑲樣；腐蝕；拋光

第三章單元測試

下列關(guān)于掃描電子顯微鏡的描述錯誤的是（）

A:利用二次電子和背散射電子成像B:可觀察塊狀樣品C:景深長，立體感強D:可觀察組織細(xì)胞內(nèi)部結(jié)構(gòu)

答案:可觀察組織細(xì)胞內(nèi)部結(jié)構(gòu)掃描電鏡的分辨率是指（）

A:二次電子像的分辨率B:俄歇電子的分辨率C:吸收電子像的分辨率D:背散射電子像的分辨率

答案:二次電子像的分辨率電子束與固體樣品相互作用，可以產(chǎn)生以下哪些信號（）

A:特征X射線B:背散射電子C:俄歇電子D:二次電子

答案:特征X射線；背散射電子；俄歇電子；二次電子下列說法正確的是（）

A:利用彈性背散射電子信號可以進(jìn)行定量成分分析B:利用特征X射線信號可以進(jìn)行定量成分分析C:利用彈性背散射電子信號可以進(jìn)行定性成分分析D:利用特征X射線信號可以進(jìn)行定性成分分析

答案:利用特征X射線信號可以進(jìn)行定量成分分析；利用彈性背散射電子信號可以進(jìn)行定性成分分析關(guān)于二次電子的描述，正確的是（）

A:二次電子信號反映樣品的表面形貌特征B:二次電子信號反映樣品的成分信息C:二次電子信號的分辨率高D:二次電子是入射電子與原子核外的價電子發(fā)生非彈性散射時被激發(fā)的核外電子

答案:二次電子信號反映樣品的表面形貌特征；二次電子信號的分辨率高；二次電子是入射電子與原子核外的價電子發(fā)生非彈性散射時被激發(fā)的核外電子背散射電子的性質(zhì)是（）

A:可用于樣品的表面形貌分析B:產(chǎn)額隨原子序數(shù)增加而增加C:產(chǎn)生范圍在表層100~1000nm內(nèi)D:可用于樣品的表面成分分析

答案:可用于樣品的表面形貌分析；產(chǎn)額隨原子序數(shù)增加而增加；產(chǎn)生范圍在表層100~1000nm內(nèi)；可用于樣品的表面成分分析掃描電子顯微鏡有以下哪種信號的探測器（）

A:二次電子B:特征X射線C:法拉第網(wǎng)杯D:背散射電子

答案:二次電子；特征X射線；背散射電子關(guān)于掃描電子顯微鏡景深的描述，錯誤的是（）

A:掃描電子顯微鏡景深比光學(xué)顯微鏡的景深大B:電子束的入射半角越大，景深越大C:景深是對樣品高低不平的各部位同時聚焦成像的能力范圍D:掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小

答案:電子束的入射半角越大，景深越大；掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小關(guān)于掃描電子顯微鏡的樣品制備，哪個說法是錯誤的（）

A:對于非導(dǎo)電樣品，要進(jìn)行鍍膜處理，增加導(dǎo)電性B:鍍膜方法為離子濺射或真空蒸發(fā)C:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nmD:對于導(dǎo)電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺上，即可進(jìn)行觀察

答案:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nm；對于導(dǎo)電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺上，即可進(jìn)行觀察電子槍由（）組成

A:陰極、陽極B:陰極、陽極、柵極C:正極、負(fù)極、柵極D:陰極、柵

答案:陰極、陽極、柵極

第四章單元測試

掃描探針顯微鏡的優(yōu)點有（）

A:可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作B:可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作C:橫向分辨率為0.01nm，縱向分辨率為0.01nmD:可以對金屬樣品進(jìn)行掃描

答案:可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作；可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作下列哪些顯微鏡屬于掃描探針顯微鏡（

）。

A:靜電力顯微鏡B:原子力顯微鏡C:掃描離子電導(dǎo)顯微鏡D:掃描隧道顯微鏡

答案:靜電力顯微鏡；原子力顯微鏡；掃描離子電導(dǎo)顯微鏡；掃描隧道顯微鏡下列關(guān)于掃描探針顯微鏡的描述，錯誤的是（）

A:可以獲得樣品表面的摩擦力、粘附力等信息性B:可以對原子分子進(jìn)行操縱C:一種具有非常高的空間分辨率的三維輪廓儀D:分辨率從原子尺度級到毫米量級

答案:分辨率從原子尺度級到毫米量級掃描探針顯微鏡的組成部分有（）

A:計算機系統(tǒng)B:粗調(diào)定位系統(tǒng)C:壓電掃描器D:反饋系統(tǒng)

答案:計算機系統(tǒng)；粗調(diào)定位系統(tǒng)；壓電掃描器；反饋系統(tǒng)掃描隧道顯微鏡是基于哪個原理進(jìn)行工作的（）

A:原子間相互作用力B:表面效應(yīng)C:量子尺寸效應(yīng)D:量子隧穿效應(yīng)

答案:量子隧穿效應(yīng)下列關(guān)于掃描隧道顯微鏡的描述，正確的是（）

A:探針與樣品間距發(fā)生變化時，隧穿電流發(fā)生指數(shù)級改變B:當(dāng)探針與樣品表面相距1nm左右時，會發(fā)生隧穿效應(yīng)C:分辨率可以達(dá)到原子尺度級別D:使用鉑絲或者鎢絲探針進(jìn)行掃描

答案:探針與樣品間距發(fā)生變化時，隧穿電流發(fā)生指數(shù)級改變；當(dāng)探針與樣品表面相距1nm左右時，會發(fā)生隧穿效應(yīng)；分辨率可以達(dá)到原子尺度級別；使用鉑絲或者鎢絲探針進(jìn)行掃描掃描隧道顯微鏡的兩種工作模式是（）

A:恒定電流模式B:恒定電壓模式C:恒定掃速模式D:恒定高度模式

答案:恒定電流模式；恒定高度模式原子力顯微鏡（）

A:利用硅懸臂上的硅針尖進(jìn)行掃描B:是利用原子間的吸引力來呈現(xiàn)樣品的表面特性C:可以對導(dǎo)電樣品或非導(dǎo)電樣品進(jìn)行觀測D:探測針尖和樣品之間作用力變化所導(dǎo)致的懸臂彎曲或偏轉(zhuǎn)

答案:利用硅懸臂上的硅針尖進(jìn)行掃描；可以對導(dǎo)電樣品或非導(dǎo)電樣品進(jìn)行觀測；探測針尖和樣品之間作用力變化所導(dǎo)致的懸臂彎曲或偏轉(zhuǎn)在接觸式原子力顯微鏡中，哪個描述是錯誤的（）

A:利用原子之間吸引力的變化來記錄樣品表面輪廓的起伏B:探針與樣品的距離小于1nmC:針尖與樣品有輕微的物理接觸D:針尖與懸臂受范德瓦爾斯力和毛細(xì)力兩種力的作用

答案:利用原子之間吸引力的變化來記錄樣品表面輪廓的起伏

第五章單元測試

相的內(nèi)涵是具有特定的結(jié)構(gòu)和性能的物質(zhì)狀態(tài)，包括（）

A:等離子相B:液相C:氣相D:固相

答案:等離子相；液相；氣相；固相利用衍射分析的方法可以研究材料的（）

A:物相結(jié)構(gòu)B:元素組成C:晶胞常數(shù)D:晶格類型

答案:物相結(jié)構(gòu)；晶胞常數(shù)；晶格類型物相分析的手段包括（）

A:光子衍射B:中子衍射C:電子衍射D:X射線衍射

答案:中子衍射；電子衍射；X射線衍射電子與物質(zhì)的相互作用時（）

A:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強，可用于薄膜分析B:入射電子束可以被聚焦C:入射電子與樣品原子發(fā)生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波D:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個原子層的結(jié)構(gòu)信息

答案:入射電子束可以被聚焦入射電子與樣品原子發(fā)生（），散射波會相互干涉形成衍射波。

A:疊加干涉B:非彈性散射C:衍射D:彈性散射

答案:彈性散射利用電磁波或電子束、中子束等與材料內(nèi)部規(guī)則排列的原子作用，產(chǎn)生非相干散射，從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息

A:錯B:對

答案:錯X射線衍射方法可以進(jìn)行多相體系的綜合分析，也可以實現(xiàn)對亞微米量級單顆晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)分析

A:對B:錯

答案:錯純鐵在低于1000度時，呈現(xiàn)α相。

A:錯B:對

答案:錯材料內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)和相組成可以通過衍射線的方向和強度而決定。

A:對B:錯

答案:對低能電子衍射可以觀測樣品表面的原子結(jié)構(gòu)信息。

A:錯B:對

答案:對

第六章單元測試

七大晶系包括（）

A:正交晶系B:六方晶系C:立方晶系D:四方晶系

答案:正交晶系；六方晶系；立方晶系；四方晶系立方晶系中，指數(shù)相同的晶面和晶向（）

A:無必然聯(lián)系B:相互垂直C:成一定角度范圍D:相互平行

答案:相互垂直在正方晶系中，晶面指數(shù){100}包括幾個晶面（）

A:4B:1C:2D:6

答案:4關(guān)于電子與物質(zhì)的相互作用，下列描述錯誤的是（）

A:入射電子束可以被聚焦B:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個原子層的結(jié)構(gòu)信息C:入射電子與樣品原子發(fā)生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波D:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強，可用于薄膜分析

答案:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強，可用于薄膜分析利用電磁波或電子束、中子束等與材料內(nèi)部規(guī)則排列的原子作用，產(chǎn)生非相干散射，從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息

A:對B:錯

答案:錯X射線衍射方法可以進(jìn)行多相體系的綜合分析，也可以實現(xiàn)對亞微米量級單顆晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)分析

A:錯B:對

答案:錯凡屬于[uvw]晶帶的晶面，其晶面指數(shù)(hkl)必滿足關(guān)系hu+kv+lw=0

A:錯B:對

答案:對構(gòu)成晶體的質(zhì)點包括（）

A:分子B:離子C:電子D:原子

答案:分子；離子；原子電子入射到晶體以后，哪三者存在嚴(yán)格的對應(yīng)關(guān)系（）

A:衍射波的波矢量B:衍射圖譜C:衍射角度D:產(chǎn)生衍射的晶面

答案:衍射波的波矢量；衍射圖譜；衍射角度；產(chǎn)生衍射的晶面簡單立方結(jié)構(gòu)單晶的電子衍射花樣可能呈現(xiàn)（）

A:六邊形結(jié)構(gòu)B:同心圓環(huán)C:方格子結(jié)構(gòu)D:平行四邊形結(jié)構(gòu)

答案:方格子結(jié)構(gòu)

第七章單元測試

關(guān)于衍射現(xiàn)象的描述，錯誤的是（）

A:不受晶體內(nèi)周期性的原子排布影響B(tài):入射的電磁波和物質(zhì)波與晶體發(fā)生作用的結(jié)果C:在空間某些方向上發(fā)生波的相干抵消D:在空間某些方向上發(fā)生波的相干增強

答案:不受晶體內(nèi)周期性的原子排布影響X射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用時（）

A:若與內(nèi)層強束縛電子作用，會發(fā)生相干增強的衍射B:康普頓散射是相干散射C:若與外層弱束縛電子作用，會發(fā)生非相干散射D:原子核外電子包括外層弱束縛電子和內(nèi)層強束縛電子

答案:若與內(nèi)層強束縛電子作用，會發(fā)生相干增強的衍射；康普頓散射是相干散射；若與外層弱束縛電子作用，會發(fā)生非相干散射；原子核外電子包括外層弱束縛電子和內(nèi)層強束縛電子電子與物質(zhì)發(fā)生相互作用時（）

A:入射電子受原子核的散射作用時，原子核基本不動，電子不損失能量，發(fā)生彈性散射B:電子在物質(zhì)中的彈性散射大于非彈性散射C:入射電子受核外電子的散射作用時，入射電子能量會轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射D:入射電子受核外電子的散射作用時，入射電子能量會轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長不發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射

答案:入射電子受原子核的散射作用時，原子核基本不動，電子不損失能量，發(fā)生彈性散射；電子在物質(zhì)中的彈性散射大于非彈性散射；入射電子受核外電子的散射作用時，入射電子能量會轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射下列關(guān)于晶體對電子的衍射作用的描述，錯誤的是（）

A:電子衍射強度比X射線高1000倍B:電子衍射可以提供試樣晶體結(jié)構(gòu)、原子排列、原子種類等信息C:透射電子顯微鏡可以看到原子尺度上的結(jié)構(gòu)信息D:在彈性散射情況下，晶體內(nèi)部某些方向的散射波發(fā)生相干增強，形成衍射波

答案:電子衍射強度比X射線高1000倍；電子衍射可以提供試樣晶體結(jié)構(gòu)、原子排列、原子種類等信息對于簡單點陣結(jié)構(gòu)的晶體，系統(tǒng)消光的條件是()

A:不存在系統(tǒng)消光B:h、k、l為異性數(shù)C:h+k+l為奇數(shù)D:h+k為奇數(shù)

答案:不存在系統(tǒng)消光面心立方晶體產(chǎn)生系統(tǒng)消光的晶面有（）

A:112B:200C:220D:111

答案:112將等同晶面?zhèn)€數(shù)對衍射強度的影響因子稱為()

A:結(jié)構(gòu)因子B:多重性因子C:角因子D:吸收因子

答案:多重性因子布拉格方程從數(shù)學(xué)的角度進(jìn)行解答衍射方向問題

A:對B:錯

答案:對厄瓦爾德圖解以作圖的方式分析衍射發(fā)現(xiàn)問題

A:錯B:對

答案:對入射波為電磁波或者物質(zhì)波，它們的衍射波遵循不同的衍射幾何和強度分布規(guī)律

A:對B:錯

答案:對

第八章單元測試

下列關(guān)于X射線的描述，正確的是（）

A:X射線是一種電磁波B:X射線具有波動性C:勞厄發(fā)現(xiàn)X射線衍射現(xiàn)象D:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線

答案:X射線是一種電磁波；X射線具有波動性；勞厄發(fā)現(xiàn)X射線衍射現(xiàn)象；倫琴發(fā)現(xiàn)X射線與X射線及晶體衍射有關(guān)的諾貝爾獎是（）

A:赫茲發(fā)現(xiàn)陰極射線B:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線C:布拉格父子開創(chuàng)了晶體結(jié)構(gòu)的X射線分析D:勞厄發(fā)現(xiàn)晶體的X射線衍射

答案:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線；布拉格父子開創(chuàng)了晶體結(jié)構(gòu)的X射線分析；勞厄發(fā)現(xiàn)晶體的X射線衍射進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析的X射線學(xué)分支是（）

A:X射線衍射學(xué)B:X射線光譜學(xué)C:X射線能譜學(xué)D:X射線透射學(xué)

答案:X射線衍射學(xué)常用的X射線衍射方法是（）

A:粉末法B:轉(zhuǎn)動晶體法C:勞厄法D:德拜法

答案:粉末法；轉(zhuǎn)動晶體法；勞厄法當(dāng)樣品為單晶體時，可以采用下列哪種X射線衍射方法（）

A:粉末法B:德拜法C:勞厄法D:轉(zhuǎn)動晶體法

答案:勞厄法；轉(zhuǎn)動晶體法測角儀中，探測器的轉(zhuǎn)速與樣品的轉(zhuǎn)速滿足哪種關(guān)系（）

A:1:0B:1:2C:2:1D:1:1

答案:2:1M層電子遷遷移到K層后，多余的能量釋放的特征X射線是（）

A:KαB:LαC:KγD:Kβ

答案:KβX射線照射到晶體上時，產(chǎn)生衍射的條件是（）

A:晶體形狀B:滿足布拉格條件C:衍射強度不為0D:滿足布拉格條件，同時衍射強度不為0

答案:滿足布拉格條件，同時衍射強度不為0用X射線對固溶體進(jìn)行分析時，得到的結(jié)果是（）

A:成分B:元素種類C:相結(jié)構(gòu)D:組織結(jié)構(gòu)

答案:相結(jié)構(gòu)利用X射線衍射儀進(jìn)行定性分析時，若已知樣品的一種或幾種化學(xué)成分，可以使用（）

A:數(shù)字索引B:Hanawalt索引C:Fink索引D:字母索引

答案:字母索引

第九章單元測試

設(shè)計并制造了世界第一臺透射電子顯微鏡的科學(xué)家是（）

A:CharlesB:RohrerC:BinnigD:Ruska

答案:Ruska經(jīng)典電子衍射實驗是由哪幾位科學(xué)家做出的（）

A:C.J.DavissonB:G.P.ThompsonC:L.H.GermerD:A.Reid

答案:C.J.Davisson；G.P.Thompson；L.H.Germer；A.Reid下列關(guān)于透射電子顯微鏡的描述錯誤的是（）

A:利用透射電子成像B:分辨率高，性能最完善C:觀察細(xì)胞內(nèi)部超微結(jié)構(gòu)D:景深長、立體感強

答案:景深長、立體感強讓衍射束通過物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點，擋住中心透射斑點和其它衍射斑點，選擇衍射束成像，是（）

A:暗場成像B:中心暗場成像C:中心明場成像D:明場成像

答案:暗場成像將入射電子束轉(zhuǎn)動一定角度，使得衍射束沿著光軸傳播，讓衍射束通過物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點，擋住透射束和其它衍射斑點擋住，選擇衍射束成像，是（）

A:中心暗場成像B:暗場成像C:中心明場成像D:明場成像

答案:中心暗場成像透射電子顯微鏡的兩種主要功能是（）

A:內(nèi)部組織和成分價鍵B:表面形貌和成分價鍵C:表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)D:內(nèi)部組織和晶體結(jié)構(gòu)

答案:內(nèi)部組織和晶體結(jié)構(gòu)多晶體的電子衍射花樣是（）

A:規(guī)則的平行四邊形斑點B:不規(guī)則斑點C:同心圓環(huán)D:暈環(huán)

答案:同心圓環(huán)由于入射電子波長的非單一性造成的像差是（）

A:像散B:球面像差C:色像差D:像域彎曲

答案:色像差透射電子顯微鏡的衍射模式是將（）

A:關(guān)閉中間鏡B:關(guān)閉物鏡C:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合D:中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合

答案:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合薄片狀晶體的倒易點形狀是（）

A:尺寸很大的球B:尺寸很小的倒易點C:有一定長度的倒易桿D:倒易圓盤

答案:有一定長度的倒易桿

第十章單元測試

在原子系統(tǒng)中，自旋磁量子數(shù)是（）

A:mB:lC:nD:ms

答案:ms關(guān)于原子核外的電子分布描述，錯誤的是（）

A:遵從泡利不相容原理B:遵循洪特規(guī)則C:按照M、L、M等層由低到高依次填充D:滿足能量最低原理

答案:按照M、L、M等層由低到高依次填充關(guān)于原子核外的電子躍遷描述，錯誤的是（）

A:入射波激發(fā)核外電子，使之發(fā)生層間躍遷B:始態(tài)和終態(tài)的能量差E是表征原子差別的特征能量C:能量差E與元素種類無關(guān)D:依據(jù)電子躍遷信息，可以進(jìn)行成分和價鍵分析

答案:能量差E與元素種類無關(guān)關(guān)于俄歇電子產(chǎn)生的過程描述，正確的是（）

A:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去B:內(nèi)層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去C:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的內(nèi)層電子D:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的外層電子

答案:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去；激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的外層電子利用俄歇電子能譜可以進(jìn)行（）

A:定量分析B:半定量分析C:半定性分析D:定性分析

答案:半定量分析；定性分析關(guān)于X光譜的描述，正確的是（）

A:反映樣品表面和內(nèi)部的成分信息B:無法探測元素的化學(xué)環(huán)境C:穿透深度為100nm~1mD:空間分辨率低，能量分辨率高，

答案:反映樣品表面和內(nèi)部的成分信息；無法探測元素的化學(xué)環(huán)境下列說法正確的是（）

A:XPS適用于輕元素、重元素分析B:AES采樣深度為0.1~1nmC:AES的能量分辨率比XPS高D:XPS的采樣深度0.5~2.5nm,

答案:AES的能量分辨率比XPS高；XPS的采樣深度0.5~2.5nm,特征X射線的頻率或波長只取決于物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)，是物質(zhì)固有特性，與其它外界因素?zé)o關(guān)。

A:錯B:對

答案:對X射線熒光光譜分析的入射束是熒光X射線

A:對B:錯

答案:錯電子探針X射線顯微分析儀的入射束是電子束

A:錯B:對

答案:對

第十一章單元測試

特征X射線產(chǎn)生的機理是(

)

A:原子內(nèi)層電子躍遷B:外層電子被打掉C:高速電子受阻

答案:原子內(nèi)層電子躍遷能譜儀的分辨率比波譜儀（）

A:不能比較B:高C:低D:相同

答案:低對鋼中Mn、S、P等元素的定量分析可以采用以下分析手段

A:WDSB:EDSC:XRDD:XRF

答案:WDS；EDS；XRF如要分析斷口上某種顆粒相的化學(xué)成分，應(yīng)采用哪種分析方法？

A:WDSB:EDSC:XRDD:XRF

答案:WDS；EDS對鋼斷口中Mn、S、P等元素的分布狀態(tài)進(jìn)行分析可以采用哪種分析模式

A:高度掃描B:線掃描C:面掃描D:點掃描

答案:線掃描；面掃描電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號有（）

A:背散射電子B:二次電子C:特征X射線D:俄歇電子

答案:背散射電子；二次電子；特征X射線；俄歇電子X射線光譜分析的信號是（）

A:光電子B:特征X射線C:連續(xù)X射線D:二次電子

答案:特征X射線產(chǎn)生X射線的激發(fā)源可以是（）

A:紫外光B:X射線C:電子束D:離子束

答案:X射線；電子束X射線光譜能給出材料的哪些信息（）

A:元素的分布B:元素組成C:元素價態(tài)D:元素的含量

答案:元素的分布；元素組成；元素的含量X射線光譜能對元素周期表中所有元素進(jìn)行定性分析。

A:對B:錯

答案:錯

第十二章單元測試

光電子產(chǎn)生的機理是（）

A:外層電子被電子激發(fā)B:內(nèi)層電子被電子激發(fā)C:內(nèi)層電子被X射線激發(fā)D:外層電子被X射線激發(fā)

答案:內(nèi)層電子被X射線激發(fā)光電子的動能受哪些因素影響（）

A:逸出功B:激發(fā)源的波長C:電子的平均自由程D:電子的結(jié)合能

答案:逸出功；激發(fā)源的波長；電子的結(jié)合能表面與界面成分分析的手段有

A:EDSB:AESC:XPSD:XRF

答案:EDS；AES；XPS在光電子能譜中，影響化學(xué)位移的因素有（）

A:原子氧化態(tài)B:相鄰原子的電負(fù)性C:原子序數(shù)D:激發(fā)源的能量

答案:原子氧化態(tài)；相鄰原子的電負(fù)性X射線光電子能譜譜圖中可能存在的譜峰有

A:X射線衛(wèi)星峰B:俄歇電子譜峰C:光電子譜峰D:特征能量損失峰

答案:X射線衛(wèi)星峰；俄歇電子譜峰；光電子譜峰；特征能量損失峰X射線光電子能譜可以得到的信息有

A:成分和價鍵B:內(nèi)部結(jié)構(gòu)C:表面形貌D:晶體結(jié)構(gòu)

答案:成分和價鍵對聚苯乙烯表面的氧化狀態(tài)進(jìn)行分析，可以采取下面哪些分析手段？

A:EDSB:XFSC:XPSD:WDS

答案:XPS光電子譜峰由哪幾個參數(shù)來標(biāo)記（）

A:主量子數(shù)B:元素符號C:自旋-軌道耦合量子數(shù)D:角量子數(shù)

答案:主量子數(shù)；元素符號；自旋-軌道耦合量子數(shù)；角量子數(shù)碳元素的主光電子峰是()

A:C3sB:C2sC:C2pD:C1s

答案:C1s在光電子能譜圖中，出現(xiàn)在主光電子峰高動能端的伴峰可能是（）

A:震離峰B:震激峰C:特征能量損失峰D:X射線衛(wèi)星峰

答案:X射線衛(wèi)星峰

第十三章單元測試

產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下

A:100nm左右B:20nm左右C:2nm左右D:1000nm左右

答案:2nm左右俄歇電子能譜分析有哪些應(yīng)用（

）

A:表面元素價態(tài)分析B:表面形貌分析C:元素深度分布分析D:元素定性分析

答案:表面元素價態(tài)分析；元素深度分布分析；元素定性分析對于化學(xué)價態(tài)相同的原子，俄歇化學(xué)位移的差別主要和原子間的電負(fù)性差有關(guān)。

A:錯B:對

答案:對俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關(guān)

A:填充電子能級B:激發(fā)源能量C:初始空位能級D:躍遷電子能級

答案:填充電子能級；初始空位能級；躍遷電子能級影響俄歇電子強度的因素有（）

A:電離截面B:激發(fā)源能量C:電子的平均自由程D:原子序數(shù)

答案:電離截面；激發(fā)源能量；電子的平均自由程；原子序數(shù)光電子能譜的空間分辨率高于俄歇電子的空間分辨率

A:對B:錯

答案:錯相鄰元素或基團(tuán)的電負(fù)性越強，俄歇電子的化學(xué)位移越大

A:對B:錯

答案:對俄歇電子的化學(xué)位移較光電子更敏感

A:對B:錯

答案:對改變激發(fā)源的能量，俄歇電子譜峰的位置不動。

A:對B:錯

答案:錯俄歇過程和熒光過程是兩個競爭的過程。

A:對B:錯

答案:對

第十四章單元測試

二氧化碳分子的平動、轉(zhuǎn)動和振動自由度的數(shù)目分別是

A:2，3，4B:3，3，3C:3，2，4D:3，4，2

答案:3，2，4紅外吸收光譜的產(chǎn)生是由于

A:分子外層電子的能級躍遷B:分子振動-轉(zhuǎn)動能級的躍遷C:分子外層電子、振動、轉(zhuǎn)動能級的躍遷D:原子外層電子、振動、轉(zhuǎn)動能級的躍遷

答案:分子振動-轉(zhuǎn)動能級的躍遷下列哪種因素不是影響紅外光譜譜峰位置的影響因素

A:分子含量B:氫鍵效應(yīng)C:誘導(dǎo)效應(yīng)D:共軛效應(yīng)

答案:分子含量在紅外光譜分析中，用KBr制作為試樣池，這是因為

A:KBr晶體在4000～400cm-1范圍內(nèi)不會散射紅外光B:在4000～400cm-1范圍內(nèi)，KBr對紅外無反射C:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)有良好的紅外光吸收特性D:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)無紅外光吸收

答案:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)無紅外光吸收紅外光譜中官能團(tuán)區(qū)為

A:3600~3000B:1330~400C:2000~1600D:3600~1330

答案:3600~1330紅外光譜法試樣可以是

A:含