半導(dǎo)體器件知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋西安郵電大學(xué)

半導(dǎo)體器件知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋西安郵電大學(xué)第一章單元測試

不屬于化合物半導(dǎo)體的有（）。

A:鍺B:砷化鋁C:磷化鋁D:磷化鎵

答案:鍺硅單晶晶體結(jié)構(gòu)為（）。

A:體心結(jié)構(gòu)B:面心結(jié)構(gòu)C:正四面體結(jié)構(gòu)D:立方體結(jié)構(gòu)

答案:體心結(jié)構(gòu)屬于化合物半導(dǎo)體有（）。

A:氧化鎵B:硅C:砷化鎵D:氮化鎵

答案:氧化鎵；砷化鎵；氮化鎵Si是一種IV族元素半導(dǎo)體（四主族）。（）

A:對B:錯

答案:對半導(dǎo)體材料一般分為三種類型：無定型、多晶和單晶。（）

A:對B:錯

答案:對

第二章單元測試

以下關(guān)于半導(dǎo)體中電子有效質(zhì)量的描述，不對的選項是（）。

A:有效質(zhì)量反映了晶格周期性勢場對電子的作用B:有效質(zhì)量是一個常數(shù)C:有效質(zhì)量具有質(zhì)量的量綱D:通過回旋共振實驗可以測出電子有效質(zhì)量

答案:有效質(zhì)量是一個常數(shù)雜質(zhì)半導(dǎo)體中電子占據(jù)施主能級的幾率可以直接套用費米分布函數(shù)來進(jìn)行計算。（）

A:錯B:對

答案:錯在單晶硅中摻入少量（）雜質(zhì)元素會形成N型半導(dǎo)體？

A:硼B(yǎng):鎵C:磷D:鍺

答案:磷單晶硅表面態(tài)密度的實驗值要比理論值高幾個數(shù)量級。（）

A:錯B:對

答案:錯關(guān)于半導(dǎo)體表面態(tài)的描述，下列（）是錯誤的？

A:空態(tài)時呈中性而電子占據(jù)后帶負(fù)電的為施主型表面態(tài)B:空態(tài)時帶正電而電子占據(jù)后呈中性的為施主型表面態(tài)C:快態(tài)位于氧化層與空氣界面上，與體內(nèi)交換電子必須通過氧化層D:慢態(tài)位于氧化層與空氣界面上，與體內(nèi)交換電子必須通過氧化層

答案:空態(tài)時呈中性而電子占據(jù)后帶負(fù)電的為施主型表面態(tài)；快態(tài)位于氧化層與空氣界面上，與體內(nèi)交換電子必須通過氧化層

第三章單元測試

以下關(guān)于PN結(jié)的描述，正確的的選項是（）。

A:PN結(jié)加反向偏壓時，勢壘區(qū)內(nèi)載流子產(chǎn)生率大于復(fù)合率B:PN結(jié)具有單向?qū)щ娦訡:PN結(jié)加正向偏壓時，外加電場的方向與自建電場方向相同D:平衡PN結(jié)，P區(qū)一側(cè)的費米能級高于N區(qū)一側(cè)的費米能級

答案:PN結(jié)加反向偏壓時，勢壘區(qū)內(nèi)載流子產(chǎn)生率大于復(fù)合率；PN結(jié)具有單向?qū)щ娦詫τ诮饘俸蚇型半導(dǎo)體緊密接觸，當(dāng)Wm>Ws時，在界面處形成阻擋層（）

A:錯B:對

答案:對對于單邊突變結(jié)，正確的的選項是（）

A:耗盡層寬度主要在重?fù)诫s一側(cè)B:P區(qū)和N區(qū)兩邊的摻雜濃度有數(shù)量級的差別C:內(nèi)建電勢主要降落在輕摻雜一側(cè)D:耗盡層寬度主要在輕摻雜一側(cè)

答案:P區(qū)和N區(qū)兩邊的摻雜濃度有數(shù)量級的差別；內(nèi)建電勢主要降落在輕摻雜一側(cè)；耗盡層寬度主要在輕摻雜一側(cè)正偏PN結(jié)耗盡層邊界處少子濃度隨正偏電壓增加而線性增加（）

A:錯B:對

答案:錯對于單邊突變結(jié)，提高雪崩擊穿的方法有（）

A:選用禁帶寬度更大的半導(dǎo)體材料B:增加輕摻雜一側(cè)摻雜濃度C:選用禁帶寬度較窄的半導(dǎo)體材料D:降低輕摻雜一側(cè)摻雜濃度

答案:選用禁帶寬度更大的半導(dǎo)體材料；降低輕摻雜一側(cè)摻雜濃度以PN+結(jié)為例，下列哪項可以提高PN結(jié)開關(guān)速度（）

A:增大P區(qū)少子的擴散長度B:降低正向電流C:減小P區(qū)少子的壽命D:提高串聯(lián)電阻R

答案:降低正向電流；減小P區(qū)少子的壽命

第四章單元測試

雙極晶體管的基區(qū)特點（）。

A:寬且摻雜輕B:窄且摻雜輕C:窄且摻雜重D:寬且摻雜重

答案:窄且摻雜輕基區(qū)中的復(fù)合電流IVB受以下哪些因素影響（）。

A:基區(qū)寬度B:基區(qū)的少子壽命C:基區(qū)的摻雜D:基區(qū)中的電荷數(shù)

答案:基區(qū)寬度；基區(qū)的少子壽命；基區(qū)的摻雜；基區(qū)中的電荷數(shù)雙極晶體管中的結(jié)構(gòu)參數(shù)會影響哪些器件性能（）。

A:發(fā)射區(qū)的發(fā)射效率B:基區(qū)的輸運系數(shù)C:共射接法的電流放大系數(shù)D:共基接法的電流放大系數(shù)

答案:發(fā)射區(qū)的發(fā)射效率；基區(qū)的輸運系數(shù)；共射接法的電流放大系數(shù)；共基接法的電流放大系數(shù)雙極晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜要低。（）

A:對B:錯

答案:錯NPN雙極晶體管中發(fā)射區(qū)的多子是電子（）

A:對B:錯

答案:對

第五章單元測試

NMOSFET的溝道導(dǎo)電載流子為（）。

A:固定負(fù)電荷B:電子和空穴C:電子D:空穴

答案:電子MOSFET中閾值電壓（）。

A:基區(qū)寬度B:基區(qū)的少子壽命C:基區(qū)中的電荷數(shù)D:基區(qū)的摻雜

答案:基區(qū)寬度；基區(qū)的少子壽命；基區(qū)中的電荷數(shù)；基區(qū)的摻雜MOS電容的CV曲線中反型后歸一化電容C/Cox保持水平時的頻率（）。

A:高頻B:超高頻C:低頻D:中頻

答案:高頻當(dāng)MOSFET中漏壓VD較小時，器件處于（）。

A:放大區(qū)B:飽和區(qū)C:截止區(qū)D:線性區(qū)

答案:線性區(qū)MOSFET根據(jù)導(dǎo)電類型分為增強型和耗盡型器件。（）

A:對B:錯

答案:錯

第六章單元測試

JFET的J是指哪一個（）。

A:漏區(qū)B:PN結(jié)C:源區(qū)D:電極

答案:PN結(jié)半導(dǎo)體激光器利用了哪一個原理（）。

A:自建電場效應(yīng)B:光生伏特效應(yīng)C:基區(qū)擴展效應(yīng)D:電子空穴復(fù)合效應(yīng)

答案:電子空穴復(fù)合效應(yīng)IGBT器件的特點（）。

A:平面結(jié)構(gòu)B:不能工作于大電流下C:相比于VDMOSFET導(dǎo)通電阻低D:相比于VDMOSFET導(dǎo)通電阻低

答案:相比于VDMOSFET導(dǎo)通電阻低功率肖特基整流器的優(yōu)點（）。