半導(dǎo)體物理(I)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋西安電子科技大學(xué)

半導(dǎo)體物理(I)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋西安電子科技大學(xué)第一章單元測(cè)試

關(guān)于回旋共振實(shí)驗(yàn)，以下說法正確的是（）。

A:實(shí)驗(yàn)中可以固定交變磁場(chǎng)頻率，改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方向并觀測(cè)吸收峰個(gè)數(shù)B:回旋共振實(shí)驗(yàn)樣品為高純樣品，以保證其具有最好的本征特性C:改變磁感應(yīng)強(qiáng)度B時(shí)，觀測(cè)到的吸收峰個(gè)數(shù)是相同的D:半導(dǎo)體的導(dǎo)帶極小值位置可以利用回旋共振實(shí)驗(yàn)確定

答案:實(shí)驗(yàn)中可以固定交變磁場(chǎng)頻率，改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方向并觀測(cè)吸收峰個(gè)數(shù)電子在晶體中的共有化運(yùn)動(dòng)指的是（）。

A:電子在晶體中各處出現(xiàn)的概率相同B:電子在晶體各元胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的概率相同C:電子在晶胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的概率相同D:電子在晶體各元胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)有相同的相位

答案:電子在晶體各元胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的概率相同有效質(zhì)量的引入，使得在研究晶體中電子的運(yùn)動(dòng)時(shí)（）。

A:只需考慮半導(dǎo)體所受外力B:把半導(dǎo)體所受外力和電子加速度直接聯(lián)系了起來C:可以不考慮半導(dǎo)體所受外力D:把電子所受外力和電子加速度直接聯(lián)系了起來

答案:只需考慮半導(dǎo)體所受外力；把半導(dǎo)體所受外力和電子加速度直接聯(lián)系了起來單電子近似包含了晶體無雜質(zhì)和缺陷、晶體中原子固定不動(dòng)兩方面的理想化。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)自由電子慣性質(zhì)量是m0，而半導(dǎo)體中的電子由于受到半導(dǎo)體中原子核和其他大量電子的勢(shì)場(chǎng)力影響，其質(zhì)量變成了有效質(zhì)量mn*。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第二章單元測(cè)試

電離后向?qū)峁╇娮拥碾s質(zhì)稱為（）。

A:受主雜質(zhì)B:施主雜質(zhì)C:復(fù)合中心D:雙性雜質(zhì)

答案:施主雜質(zhì)室溫下，在硅材料中摻入濃度為1015cm-3的雜質(zhì)硼（），則引入的雜質(zhì)能級(jí)（）。

A:靠近導(dǎo)帶底B:在禁帶中線附近C:靠近價(jià)帶頂D:進(jìn)入價(jià)帶

答案:靠近價(jià)帶頂雜質(zhì)對(duì)于半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有很大影響，下面哪兩種雜質(zhì)分別摻雜在硅中能顯著地提高硅的導(dǎo)電性能（）。

A:鈦或銅B:金或銀C:硼或鐵D:硼或磷

答案:硼或磷只形成原子空位的點(diǎn)缺陷稱為（）。

A:刃型位錯(cuò)B:弗倫克爾缺陷C:肖特基缺陷D:陷阱

答案:肖特基缺陷Au在Ge中電離后可以引入四個(gè)能級(jí)，且都是深能級(jí)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

T>0K時(shí)，關(guān)于費(fèi)米分布函數(shù)，以下說法正確的是（）。

A:當(dāng)E=EF時(shí)，f(E)=50%，與溫度大小無關(guān)。B:當(dāng)E<EF時(shí)，f(E)>50%且f(E)隨T的增大而增大。C:當(dāng)E>EF時(shí)，f(E)>50%且f(E)隨T的增大而增大。D:隨E的增大，f(E)單調(diào)增大。

答案:當(dāng)E=EF時(shí)，f(E)=50%，與溫度大小無關(guān)。關(guān)于本征半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。

A:不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。B:隨著T增大，費(fèi)米能級(jí)Ei趨于禁帶中線。C:對(duì)于本征Si，只含有聲學(xué)波散射機(jī)構(gòu)。D:費(fèi)米能級(jí)Ei處在禁帶中線附近。

答案:對(duì)于本征Si，只含有聲學(xué)波散射機(jī)構(gòu)。關(guān)于強(qiáng)電離區(qū)n型非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。

A:費(fèi)米能級(jí)隨施主濃度增大遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底EcB:空穴濃度與施主濃度成反比C:載流子濃度幾乎不隨溫度而變化D:費(fèi)米能級(jí)隨溫度增大趨于導(dǎo)帶底Ec

答案:空穴濃度與施主濃度成反比對(duì)于n型非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。

A:n0、p0表達(dá)式不適用于本征半導(dǎo)體B:n0p0積與溫度T無關(guān)C:n0p0積與EF無關(guān)D:p0與摻雜濃度ND無關(guān)

答案:n0p0積與EF無關(guān)對(duì)于n型非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體所處的五個(gè)溫區(qū)，以下說法正確的是（）。

A:中間電離區(qū)電子和空穴濃度大小可以相比擬B:強(qiáng)電離區(qū)的本征激發(fā)不可忽略不計(jì)C:低溫弱電離區(qū)的載流子濃度幾乎不隨溫度而變化D:過渡區(qū)的電子和空穴濃度大小可以相比擬

答案:過渡區(qū)的電子和空穴濃度大小可以相比擬

第四章單元測(cè)試

載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為（）。

A:擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)B:漂移運(yùn)動(dòng)C:熱運(yùn)動(dòng)D:共有化運(yùn)動(dòng)

答案:漂移運(yùn)動(dòng)隨著溫度的升高，雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子受電離雜質(zhì)散射的幾率增大。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)光學(xué)波代表原胞中兩個(gè)原子相位相同的振動(dòng)，長(zhǎng)光學(xué)波代表原胞質(zhì)心的振動(dòng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)對(duì)多能谷半導(dǎo)體，如果用電導(dǎo)有效質(zhì)量代替有效質(zhì)量，遷移率仍具有和各向同性半導(dǎo)體遷移率相同的表達(dá)形式。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)溫度高到本征導(dǎo)電起主要作用時(shí)，一般器件就不能正常工作了。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章單元測(cè)試

器件生產(chǎn)中的摻金工藝是縮短少子壽命的有效手段，通過改變Si中金含量，可以大幅度縮短少子的壽命。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)關(guān)于表面復(fù)合，以下說法正確的是（）。

A:同樣表面情況，樣品越小，非平衡載流子壽命越長(zhǎng)B:半導(dǎo)體的表面越粗糙，非平衡載流子的壽命越短C:表面復(fù)合屬于直接復(fù)合D:表面復(fù)合不易受外界環(huán)境影響

答案:半導(dǎo)體的表面越粗糙，非平衡載流子的壽命越短關(guān)于半導(dǎo)體內(nèi)部作用，以下說法正確的是（）。

A:當(dāng)光停止照射后，半導(dǎo)體會(huì)逐漸恢復(fù)原先的熱平衡狀態(tài)B:熱平衡是絕對(duì)靜止的狀態(tài)C:當(dāng)光停止照射后，半導(dǎo)體內(nèi)部載流子濃度不會(huì)再改變D:當(dāng)光照射半導(dǎo)體時(shí)，其內(nèi)部只發(fā)生載流子產(chǎn)生的過程

答案:當(dāng)光停止照射后，半導(dǎo)體會(huì)逐漸恢復(fù)原先的熱平衡狀態(tài)有關(guān)非平衡載流子的壽命，以下說法正確的是（）。

A:在外部激勵(lì)去除后，非平衡載流子全部復(fù)合所經(jīng)歷的時(shí)間稱為非平衡載流子的壽命B:在壽命時(shí)間處，復(fù)合的非平衡載流子濃度為原先的1/eC:值越大的半導(dǎo)體，其非平衡載流子復(fù)合率越高D:不同材料或同一種材料在不同條件下，非平衡載流子的壽