2024高導(dǎo)熱膜用石墨烯材料應(yīng)用指南

Practiceguidesofgraphenematerialsusedforhighthermalconductivity pH 5G微型化程度越來越高，核心計(jì)算部件性能持續(xù)大幅提升。著名的10℃法則指出：電子器件的可靠性與7℃80150為電子設(shè)備的可靠性設(shè)計(jì)中不可忽視的重要環(huán)節(jié)，開發(fā)具有更高導(dǎo)熱通量的膜材料成為電子行業(yè)的亟FMEA分析方法，梳理了石墨烯導(dǎo)熱膜制備工藝流程，分析了導(dǎo)熱膜對(duì)石墨烯材本標(biāo)準(zhǔn)適用于企業(yè)或科研機(jī)構(gòu)在建立石墨烯材料的DFMEA和石墨烯導(dǎo)熱膜的PFMEA時(shí)提供T/CGIA001thermalconductivitygraphenefilmssurfacegraphene10注23：石墨烯材料的宏觀存在形態(tài)有薄膜、粉體、漿料和三維構(gòu)造體。注4：層數(shù)超過10層的一般稱為石墨。modifiedgraphene1:其碳氧比(C/O)22:graphiteoxide注solid注ash注K，Na，Mn，F(xiàn)eC/O注oxygen-containingfunctional2：相比碳氧比，含氧官能團(tuán)的種類和數(shù)量更能指導(dǎo)氧化石墨烯的實(shí)際應(yīng)用。failuremodeandeffects1：FMEA在材料設(shè)計(jì)之初進(jìn)行，并且在材料開發(fā)各階段中不斷地修改，有助于企業(yè)提高材料質(zhì)量、降低成本、縮短designfailuremodeandeffectsanalysisprocessfailuremodeandeffect1所示。1——制漿：將原材料（氧化石墨烯粉體、氧化石墨濾餅、氧化石墨烯分散液等）通過均質(zhì)、pH1。1可大批量生產(chǎn)，材料損耗可忽略不注——石墨化：還原后的薄膜在較高溫度（1800℃～3000℃）通過程序控溫，以去除醚基等少量2-6~1.9~600~1000~0~20~-10μm～200μm時(shí)，≥2*10103~Roshc一般情況下導(dǎo)熱性與導(dǎo)電性呈正相關(guān)，是膜內(nèi)部結(jié)晶度的體現(xiàn)。但在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中存在高導(dǎo)熱低導(dǎo)電需求，供需雙方應(yīng)謹(jǐn)慎g）23。3濾餅棕黃（褐）-85-35-pH片徑分布10-a石墨（烯）濾餅是一種未經(jīng)充分剝離的氧化石墨，是當(dāng)前的主要供給形式，具有較高的固含量、易分散再處b35%～65%65%～35%cdK，Na，Mn，F(xiàn)e3FMEAFMEADFMEAPFMEA時(shí)應(yīng)綜合考量。層數(shù)（單層率）（非ABABC，4。4GOC-O-NaBH4C=OC-O-pHpH（粉體、濾餅、漿料）OH-將與環(huán)氧基團(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)墨表面官能團(tuán)、pH4pHClS5石墨烯材料對(duì)導(dǎo)熱膜成品性能影響pHCl AA.1。AA.3。石墨烯導(dǎo)熱膜缺陷修復(fù)（干燥、還原、石墨化）AA.8。A與常規(guī)片材制造工藝相比，卷膜工藝（又稱為卷對(duì)卷工藝）AA.10。6DB13/T5025.1-GB/T11165-GB/T10247-T/CSTM00340-2020、T/GDASE0009-2020、GB/T38114-2019、GB/T19500-T/CSTM00340-GB/T35418-2017T/CGIA012-DB13/T2768.1-2018GB/T36065-7ASTMD374-ASTMD792-ASTME1461-T/GDASE0006-2020、DB13/T2768.5-2018、DB51/T2434-GB/T1040.1-ISO5626-1993、GB/T457—2008、T/ZACA040-ASTMF390-2011DB32/T