高頻考點(diǎn)14-碳、硅及其化合物(原卷版)

高頻考點(diǎn)14碳、硅及其化合物題點(diǎn)（一）硅、碳及其化合物的性質(zhì)1．（2021·湖北卷）“碳中和”有利于全球氣候改善。下列有關(guān)CO2的說法錯誤的是()A．CO2是Ⅴ形的極性分子 B．CO2可催化還原為甲酸C．CO2晶體可用于人工增雨 D．CO2是侯氏制堿法的原料之一2．（2022·湖南卷）化學(xué)促進(jìn)了科技進(jìn)步和社會發(fā)展，下列敘述中沒有涉及化學(xué)變化的是()A．《神農(nóng)本草經(jīng)》中記載的“石膽能化鐵為銅”B．利用“侯氏聯(lián)合制堿法”制備純堿C．科學(xué)家成功將轉(zhuǎn)化為淀粉或葡萄糖D．北京冬奧會場館使用跨臨界直冷制冰3．（2022·浙江卷）下列說法不正確的是（）A．晶體硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間，常用于制造光導(dǎo)纖維B．高壓鈉燈發(fā)出的黃光透霧能力強(qiáng)、射程遠(yuǎn)，可用于道路照明C．氧化鋁熔點(diǎn)高，常用于制造耐高溫材料D．用石灰右-石膏法對燃煤煙氣進(jìn)行脫硫，同時可得到石膏4．（2021·福建卷）建盞是久負(fù)盛名的陶瓷茶器，承載著福建歷史悠久的茶文化。關(guān)于建盞，下列說法錯誤的是（）A．高溫?zé)Y(jié)過程包含復(fù)雜的化學(xué)變化 B．具有耐酸堿腐蝕、不易變形的優(yōu)點(diǎn)C．制作所用的黏土原料是人工合成的 D．屬硅酸鹽產(chǎn)品，含有多種金屬元素5．（2022·廣東深圳·一模）中華文化源遠(yuǎn)流長、博大精深，廣東省館藏文物是中華文化的重要代表。下列文物主要是由金屬材料制成的是（）文物鎏金高士圖銀杯南宋德化窯青白釉撇口瓶明代象牙雕壽星戰(zhàn)國青瓷罐選項(xiàng)ABCDA．A B．B C．C D．D6．（2022·黑龍江·鶴崗一中高三開學(xué)考試）下列說法不正確的是（）A．鈉著火可用干沙土滅火B(yǎng)．硅晶體的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是一種重要的半導(dǎo)體材料C．光導(dǎo)纖維的主要成分是硅D．青花瓷胎體的原料為高嶺土[Al2Si2O5(OH)4]，若以氧化物形式表示為Al2O3·2SiO2·2H2O7．我國具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的電腦芯片“龍芯一號”的問世，填補(bǔ)了我國計算機(jī)制造史上的一項(xiàng)空白。下列對晶體硅的有關(guān)敘述正確的是（）A．晶體硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似B．晶體硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)C．晶體硅是一種良好的半導(dǎo)體材料，但是它提煉工藝復(fù)雜，價格昂貴D．晶體硅具有金屬光澤，故它屬于金屬材料，可以導(dǎo)電8.（2022·廣西·高三階段練習(xí)）青釉瓷器是中國最早出現(xiàn)的一種瓷器，是中華文明的象征之一，下列說法錯誤的是（）A．瓷器化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有熔點(diǎn)高、耐腐蝕等特點(diǎn)B．瓷器是應(yīng)用較早的人造材料，主要化學(xué)成分是二氧化硅C．瓷器是以黏土為主要原料，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成D．高溫結(jié)構(gòu)陶瓷、超導(dǎo)陶瓷等新型陶瓷與傳統(tǒng)陶瓷相比，在成分上有了很大變化題點(diǎn)（二）硅的制備及硅酸鹽的性質(zhì)9．（2022·河北卷）定窯是宋代五大名窯之一，其生產(chǎn)的白瓷聞名于世。下列說法正確的是（）A．傳統(tǒng)陶瓷是典型的絕緣材料 B．陶瓷主要成分為和C．陶瓷燒制的過程為物理變化 D．白瓷的白色是因鐵含量較高10．（2022·廣東卷）陳述Ⅰ和Ⅱ均正確但不具有因果關(guān)系的是（）選項(xiàng)陳述Ⅰ陳述ⅡA用焦炭和石英砂制取粗硅可制作光導(dǎo)纖維B利用海水制取溴和鎂單質(zhì)可被氧化，可被還原C石油裂解氣能使溴的溶液褪色石油裂解可得到乙烯等不飽和烴D水解可生成膠體可用作凈水劑A．A B．B C．C D．D11．（2022·江蘇模擬預(yù)測）氮化硅(Si3N4)是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。用石英砂和原料氣(含N2和少量O2)制備的Si3N4操作流程如下(粗硅中含少量Fe、Cu的單質(zhì)及化合物)，有關(guān)敘述不正確的是（）A．“還原”反應(yīng)中氧化產(chǎn)物為CO2B．“高溫氮化”反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3Si+2N2Si3N4C．“操作X”可將原料氣通過灼熱的銅粉D．“稀酸Y”可選用稀硝酸12．制造芯片用到高純硅，用SiHCl3(沸點(diǎn)：31.85℃，SiHCl3遇水會劇烈反應(yīng)，易自燃)與過量H2在1100~1200℃反應(yīng)制備高純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說法不正確的是（）A．整個實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵是控溫、檢查裝置氣密性和排盡裝置中的空氣B．裝置II、III中依次盛裝的是濃H2SO4、溫度高于32℃的溫水C．實(shí)驗(yàn)時，先打開裝有稀硫酸儀器的活塞，收集尾氣驗(yàn)純，再預(yù)熱裝置IV石英管D．尾氣處理可直接通入NaOH溶液中13．（2022·河北唐山·高三開學(xué)考試）以某冶金工業(yè)產(chǎn)生的廢渣(含)為原料制備的流程如下圖所示。已