2025年蘇教新版選修3化學(xué)上冊月考試卷

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年蘇教新版選修3化學(xué)上冊月考試卷205考試試卷考試范圍：全部知識點；考試時間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共8題，共16分)1、下列敘述錯誤的是()A.1s22s12p1表示的是激發(fā)態(tài)的原子的電子排布B.碳原子的核外電子排布由1s22s22p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s12p3時，要從外界環(huán)境中吸收能量C.我們看到的燈光是原子核外電子發(fā)生躍遷吸收能量的結(jié)果D.電子由3d能級躍遷至4p能級時，可通過光譜儀直接提取吸收光譜2、化學(xué)科學(xué)需借助化學(xué)專用語言來描述，下列有關(guān)化學(xué)用語正確的是（）A.硫離子的核外電子排布式1s22s22p63s23p6B.氫氣燃燒的熱化學(xué)方程式：H2（g）+O2（g）=H2O△H=-285.8kJ/molC.明礬的化學(xué)式：KAlSO4?12H2OD.次氯酸的結(jié)構(gòu)式為：H—Cl—O3、下列各圖中哪一個是氧原子的電子排布圖（）A.B.C.D.4、下列有關(guān)電離能的說法正確的是A.第一電離能是元素的原子失去核外第一個電子需要的能量B.第一電離能越大的原子，失電子的能力越強(qiáng)C.同周期元素的原子第一電離能從左到右越來越大D.對于同一元素而言，可通過逐級電離能的數(shù)值，判斷元素可能的化合價5、如圖是第三周期11～17號元素某些性質(zhì)變化趨勢的柱形圖；下列有關(guān)說法中正確的是。

A.y軸表示的可能是第一電離能B.y軸表示的可能是電負(fù)性C.y軸表示的可能是原子半徑D.y軸表示的可能是形成基態(tài)離子轉(zhuǎn)移的電子數(shù)6、以下微粒含配位鍵的是。

①N2H5+②CH4③OH－④NH4+⑤Fe(CO)3⑥Fe(SCN)3⑦H3O＋⑧[Ag(NH3)2]OHA.①④⑤⑥⑦⑧B.①②④⑦⑧C.①③④⑤⑥⑦D.全部7、下列敘述正確的個數(shù)是（）

①配位鍵在形成時；是由成鍵雙方各提供一個電子形成共用電子對。

②s?sб鍵與s?pб鍵的電子云形狀相同。

③Ge的核外電子排布式為：[Ar]4s24p2；屬于P區(qū)元素。

④下列分子鍵角大小由大到小為：COS>BCl3>CCl4>H2O>P4

⑤冰中存在極性共價鍵和氫鍵兩種化學(xué)鍵的作用。

⑥Cu（OH）2是一種藍(lán)色沉淀；既溶于鹽酸；也能溶于氨水中。

⑦中心原子采取sp3雜化的分子；其立體構(gòu)型不一定是正四面體形。

⑧鍵長：C?H<N?H<O?H

⑨第一電離能：Si<C<N<O<FA.②③⑧B.④⑤⑨C.④⑥⑦D.③⑤⑦8、某化學(xué)興趣小組,在學(xué)完分子晶體后,查閱了幾種氯化物的熔；沸點,記錄如下:

。

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

CaCl2

熔點/℃

801

712

190

-68

782

沸點/℃

1465

1418

230

57

1600

根據(jù)這些數(shù)據(jù)分析,他們認(rèn)為屬于分子晶體的是()A.NaCl、MgCl2、CaCl2B.AlCl3、SiCl4C.NaCl、CaCl2D.NaCl、MgCl2、AlCl3、SiCl4、CaCl2評卷人得分二、填空題(共9題，共18分)9、寫出下列元素基態(tài)原子的電子排布式：

(1)Ca________

(2)Kr________

(3)Co________

(4)Ge________10、按要求完成下表：。元素符號核電荷數(shù)原子簡化的電子排布式P15______K19______Ge32______Zn30______Cr24______11、下面是s能級；p能級的原子軌道圖；試回答問題：

(1)s能級的原子軌道呈____________形，每個s能級有_______個原子軌道；p能級的原子軌道呈____________形，每個p能級有_____個原子軌道。

(2)s能級原子軌道的半徑與什么因素有關(guān)？是什么關(guān)系_____。12、（1）17Cl的電子排布式___________；價層電子排布圖_________；Cl-的電子排布式_______________。

（2）26Fe的電子排布式__________；26Fe2+電子排布式_________；26Fe3+電子排布式_____________。

（3）第三周期中；第一電離能最小的元素是_________，第一電離能最大的元素是_________。

（4）在元素周期表中，電負(fù)性最大的元素是_________，第二、三周期P軌道半充滿的元素是_________。13、如圖為元素周期表中部分元素某種性質(zhì)值隨原子序數(shù)變化的關(guān)系。

（1）短周期中原子核外p能級上電子總數(shù)與s能級上電子總數(shù)相等的元素是______填元素符號

（2）同周期，隨著原子序數(shù)的增大，X值變化趨勢為______再結(jié)合同主族不同元素的X值變化的特點，體現(xiàn)了元素性質(zhì)的______變化規(guī)律。

（3）X值較小的元素集中在元素周期表的______填序號

A.左下角右上角分界線附近。

（4）下列關(guān)于元素此性質(zhì)的說法中正確的是______填序號

A.X值可反映元素最高正化合價的變化規(guī)律。

B.X值可反映原子在分子中吸引電子的能力。

C.X值的大小可用來衡量元素金屬性和非金屬性的強(qiáng)弱。

（5）SiHCl3與水發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)可認(rèn)為是廣義的水解反應(yīng)，根據(jù)圖中數(shù)據(jù)，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為______14、砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料；可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：

（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_____________。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_____________As（填“>”或“<”，下同），第一電離能Ga_____________As。

（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_____________。

（4）鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，比較下表中鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因_____________。GeCl4GeBr4GeI4熔點/℃?49.526146沸點/℃83.1186約40015、鎂；鋁、硅、銀、鐵的單質(zhì)及其化合物在建筑業(yè)、飛機(jī)制造業(yè)、電子工業(yè)和石油化工等方面應(yīng)用廣泛。回答下列問題：

(1)Fe3+價層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)為__。

(2)晶體硅屬于______晶體。硅能形成多種化合物(如SiH4、Si2H4等)，SiH4的分子的立體構(gòu)型為____；Si2H4分子中含有的σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為____。

有機(jī)物種類繁多的原因其中之一就是因為碳原子之間既可以形成單鍵又可以形成雙鍵和三鍵，Si和Ge與C是同主族價電子數(shù)相同，但是Si和Ge就難形成雙鍵或三鍵，原因是________

(3)Mg、Al、Si的第一電離能由大到小順序：______________

(4)Ca和Fe屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬Ca的熔點、沸點等都比金屬Fe低，原因是______。

(5)Ag晶體的堆積方式為面心立方最密堆積(如圖所示)，晶胞中Ag原子的配位數(shù)為______；設(shè)Ag原子半徑為rcm，阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示，則Ag晶體的密度為______g·cm-3(寫出表達(dá)式)。

16、（1）回答下列問題：

①處于基態(tài)的Ca和Fe原子，下列參數(shù)前者小于后者的是_________；

a.最外層電子數(shù)b.未成對電子數(shù)c.第一電離能d.原子半徑。

②有文獻(xiàn)表明，迄今為止（至2016年）除氦外，所有其他稀有氣體元素都能形成化合物。試簡要說明未能制得氦的化合物的理由_______________________。

（2）H和N可以形成多種化合物。

①已知聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近，其原因是_____________________；

②計算表明：N4H62+的一種結(jié)構(gòu)如圖所示，氫原子只有一種化學(xué)環(huán)境，氮原子有兩種環(huán)境，其中的大π鍵可表示為_________________。

（3）晶體X只含鈉；鎂、鉛三種元素。在不同的溫度和壓力下；晶體X呈現(xiàn)不同的晶相。

①γ-X是立方晶系的晶體。鉛為立方最密堆積，其余兩種原子有選擇的填充鉛原子構(gòu)成的四面體空隙和八面體空隙。在不同的條件下，γ-X也呈現(xiàn)不同的結(jié)構(gòu)，其晶胞如圖所示。X的化學(xué)式為_____________；在(b)型晶胞中，邊長為apm，距離Pb最短的Na有_______個，長度為_______pm（用a表示）；Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成四面體空隙的百分比為________和八面體空隙的百分比為________。已知(a)型晶胞的邊長為770pm，則該型晶體的密度為_________g·cm-3。（只列出計算式）

②α-X是一種六方晶系的晶體，而在α-X中，鎂和鉛按1：1的比例形成類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，鈉填在層間。試畫出一層α-X的結(jié)構(gòu)__________。17、按要求回答下列問題。

(1)下列基態(tài)原子或離子的電子排布式或軌道表示式正確的是_______(填序號，下同)，違反能量最低原理的是_____，違反泡利不相容原理的是_____，違反洪特規(guī)則的是_______。

①Si：

②Al：

③Co3+最外層：

④Mg2＋：1s22s22p6

⑤Sc：1s22s22p63s23p63d3

⑥Cr：1s22s22p63s23p63d54s1

(2)物質(zhì)：①甲烷②硫化氫③氫氧化鎂④氨氣⑤乙烯。條件符合條件物質(zhì)的序號既含極性鍵又含非極性鍵______含有極性鍵的極性分子______上述分子中鍵角由大到小的順序______

(3)甲圖FeO晶胞中與Fe2+最近的Fe2+的個數(shù)為__________；乙圖晶胞中A、B兩種微粒個數(shù)比為______；丙圖晶胞中A、B兩種微粒個數(shù)比為_________。

甲.乙.丙.評卷人得分三、工業(yè)流程題(共1題，共2分)18、飲用水中含有砷會導(dǎo)致砷中毒，金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在；可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水，其工藝流程如下：

已知：①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)；

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_______；AsH3的電子式為______；

(2)下列說法正確的是_________；

a.酸性：H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑：S>P>As

c.第一電離能：S

(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式)；

(4)“一級沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________；

(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè)，其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3，同時生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。評卷人得分四、原理綜合題(共1題，共4分)19、(1)寫出基態(tài)Fe2+的核外電子排布式______________________；基態(tài)C1原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為___________形。

(2)SO42－中心原子的軌道雜化類型為___________；NO3－的空間構(gòu)型為___________。

(3)螢石晶胞結(jié)構(gòu)如圖I所示，則Ca2+的配位數(shù)是___________，螢石的化學(xué)式為___________。

(4)NiO氧化鎳)晶胞結(jié)構(gòu)如圖Ⅱ所示，則每個Ni2+周圍與其等距離的Ni2+有___________個；若Ni2+與最鄰近O2－的核間距為a×10－8cm，則NiO晶體的密度為___________g·cm－3(列出計算式)(已知NiO的摩爾質(zhì)量為74.7g·mol－1，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)評卷人得分五、有機(jī)推斷題(共3題，共6分)20、Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：①Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；Y原子的價電子(外圍電子)排布為msnmpn；②R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；③Q；X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4.請回答下列問題：

(1)Z2＋的核外電子排布式是________。

(2)在[Z(NH3)4]2＋離子中，Z2＋的空軌道接受NH3分子提供的________形成配位鍵。

(3)Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲；乙；下列判斷正確的是________。

a．穩(wěn)定性：甲>乙，沸點：甲>乙。

b．穩(wěn)定性：甲>乙，沸點：甲<乙。

c．穩(wěn)定性：甲<乙，沸點：甲<乙。

d．穩(wěn)定性：甲<乙，沸點：甲>乙。

(4)Q；R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序為________(用元素符號作答)。

(5)Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為26；其中分子中的σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為________，其中心原子的雜化類型是________。

(6)若電子由3d能級躍遷至4p能級時，可通過光譜儀直接攝取________。A．電子的運動軌跡圖像B．原子的吸收光譜C．電子體積大小的圖像D．原子的發(fā)射光譜(7)某元素原子的價電子構(gòu)型為3d54s1，該元素屬于________區(qū)元素，元素符號是________。21、已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子，Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子。X跟Y可形成化合物X2Y3；Z元素可以形成負(fù)一價離子。請回答下列問題：

(1)X元素原子基態(tài)時的電子排布式為__________，該元素的符號是__________。X與同周期鹵族元素的第一電離能比較，較大的是____________________(填元素符號)。

(2)Y元素原子的價層電子的電子排布圖為________，該元素的名稱是__________。

(3)X與Z可形成化合物XZ3，XZ3分子的VSEPR模型為____________________。

(4)已知化合物X2Y3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為XZ3，產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是___________________。

(5)XY43-的空間構(gòu)型為__________，與其互為等電子體的一種分子__________。

(6)X的某氧化物的分子結(jié)構(gòu)如圖所示。

該化合物的化學(xué)式為___________，X原子采取___________雜化。22、有A、B、D、E、F、G六種前四周期的元素，A是宇宙中最豐富的元素，B和D的原子都有1個未成對電子，B＋比D少一個電子層，D原子得一個電子填入3p軌道后，3p軌道全充滿；E原子的2p軌道中有3個未成對電子，F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4。R是由B、F兩元素形成的離子化合物，其中B＋與F2－離子數(shù)之比為2∶1。G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的。請回答下列問題：

(1)D元素的電負(fù)性_______F元素的電負(fù)性（填“＞”；“＜”或“＝”）。

(2)G的價電子排布圖_________________________________。

(3)B形成的晶體堆積方式為________，區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法是對固體進(jìn)行_______實驗。

(4)D－的最外層共有______種不同運動狀態(tài)的電子,有___種能量不同的電子。F2D2廣泛用于橡膠工業(yè),各原子均滿足八電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),F2D2中F原子的雜化類型是___________,F2D2是______分子（填“極性”或“非極性”）。

(5)A與E形成的最簡單化合物分子空間構(gòu)型為_____，在水中溶解度很大。該分子是極性分子的原因是_____。

(6)R的晶胞如圖所示，設(shè)F2－半徑為r1cm，B＋半徑為r2cm。試計算R晶體的密度為______。（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示；寫表達(dá)式，不化簡）

評卷人得分六、實驗題(共1題，共2分)23、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2，一種為橙黃色，另一種為紫紅色。請設(shè)計實驗方案將這兩種配合物區(qū)別開來_____________________________。參考答案一、選擇題(共8題，共16分)1、C【分析】【詳解】

A.1s22s12p1表示有4個電子，若為基態(tài)原子，電子排布式為1s22s2，那么，1s22s12p1就表示1個2s電子躍遷到了2p能級；是鈹原子的激發(fā)態(tài)，A正確；

B.碳原子的核外電子排布由1s22s22p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s12p3時；碳原子由基態(tài)變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)，碳原子是從外界環(huán)境中吸收能量，B正確；

C.燈光是核外電子發(fā)生躍遷時釋放能量的結(jié)果；C錯誤；

D.因E(3d)＜E(4p)；故電子由3d能級躍遷至4p能級時，要吸收能量，形成吸收光譜，D正確。

答案選C。2、A【分析】【詳解】

A．硫離子核外電子數(shù)為18，核外電子排布式為1s22s22p63s23p6；故A正確；

B.在101kPa時，1mol氫氣完全燃燒生成液態(tài)水，放出285.8kJ熱量，則氫氣燃燒的熱化學(xué)方程式為：H2（g）+O2（g）=H2O（l）△H=-285.8kJ/mol；故B錯誤；

C.明礬為十二水硫酸鋁鉀，化學(xué)式為KAl(SO4)2?12H2O；故C錯誤；

D.次氯酸的分子式為HClO；結(jié)構(gòu)式為H—O—Cl，故D錯誤；

故選A。3、B【分析】【分析】

【詳解】

A.該選項違反了洪特規(guī)則；電子分布到能量簡并的原子軌道時，優(yōu)先以自旋相同的方式分別占據(jù)不同的軌道,A項錯誤；

B.氧原子的核外電子排布式為1s22s22p4，電子排布圖為：B項正確；

C.該選項違反了能量最低原理；應(yīng)先排滿2s軌道，C項錯誤；

D.2p能級上的兩個單電子；應(yīng)自旋方向相同，違反了洪特規(guī)則，D項錯誤；

答案選B。4、D【分析】【詳解】

A．元素的第一電離能是指氣態(tài)原子失去1個電子形成氣態(tài)陽離子克服原子核的引力而消耗的能量；故A錯誤；

B．第一電離能越大的原子；表明在氣態(tài)時該原子越難失去電子，故B錯誤；

C．同周期從左到右元素的第一電離能逐漸增大；但同一周期中第ⅡA族元素比第ⅢA族元素的第一電離能大，第ⅤA族比第ⅥA族第一電離能大，故C錯誤；

D．一般來說；元素的電離能按照第一；第二的順序逐漸增加，如果突然增加的比較多，電離的難度增大，這里就是元素的通常的化合價，對于同一元素而言，可通過逐級電離能的數(shù)值，判斷元素可能的化合價，故D正確；

故選D。5、B【分析】【分析】

【詳解】

A．Mg的3s電子全滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；P的3p電子半滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則電離能大于相鄰的元素，即電離能不是隨著原子序數(shù)的遞增而增大，故A錯誤；

B．隨原子序數(shù)的增大；元素的非金屬性增強(qiáng)，則元素的電負(fù)性增強(qiáng)，故B正確；

C．隨原子序數(shù)的增大；原子半徑減小，與圖像不符，故C錯誤；

D．金屬失去電子；而非金屬得到電子，如硫；氯原子形成基態(tài)離子時得到的電子數(shù)分別為2、1，與圖像不符，故D錯誤；

答案選B。6、A【分析】【詳解】

①N2H5+中有一個H+與一個N原子間形成配位鍵；

②CH4中4個H原子與C原子間形成共價單鍵；不存在配位鍵；

③OH－中O與H間形成共價鍵；不存在配位鍵；

④NH4+中有1個H+與N原子間形成配位鍵；

⑤Fe(CO)3中配位體CO與中心原子Fe之間形成配位鍵；

⑥Fe(SCN)3中配位體SCN-與Fe3+間形成配位鍵；

⑦H3O＋中有1個H+與O原子間形成配位鍵；

⑧[Ag(NH3)2]OH中配位體NH3與Ag+間形成配位鍵。

綜合以上分析，①④⑤⑥⑦⑧中都存在配位鍵。故選A。7、C【分析】【詳解】

①配位鍵在形成時；一方提供孤對電子，另一方提供空規(guī)定，①錯誤；

②s?sσ鍵為球形對稱；s?pσ鍵為軸對稱，電子云形狀不同，②錯誤；

③Ge位于ⅣA族，Si元素的下方，最后填充p電子，則核外電子排布式為：[Ar]3d104s24p2；屬于P區(qū)元素，③錯誤；

④COS中C原子是sp雜化，為直線型，鍵角是180°；BCl3中B原子是sp2雜化，為平面三角型，鍵角都是120°；CCl4中C原子是sp3雜化，為正四面體型，鍵角都是109°28′，H2O中O原子是sp3雜化，為V型，鍵角都是104.5°；P4中P原子的雜化形式為sp3雜化；為正四面體，鍵角都是60°，④正確；

⑤氫鍵不是化學(xué)鍵；冰中存在極性共價鍵，⑤錯誤；

⑥Cu(OH)2與酸發(fā)生中和反應(yīng)，與氨水形成配位化合物，則Cu(OH)2是一種藍(lán)色的沉淀；既溶于硝酸；濃硫酸，也能溶于氨水中，⑥正確；

⑦sp3雜化的分子；若不含孤對電子，為正四面體，所以不一定是正四面體形，⑦正確；

⑧原子半徑越大，鍵長越長，鍵長：C?H>N?H>O?H；⑧錯誤；

⑨非金屬性越強(qiáng)，第一電離能越大，且p電子半滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，第一電離能：Si

④⑥⑦正確，故答案為：C。8、B【分析】分子晶體的熔、沸點低。二、填空題(共9題，共18分)9、略

【分析】【分析】

書寫基態(tài)電子排布須遵循能量最低原理；泡利原理和洪特規(guī)則。

【詳解】

(1)．Ca為20號元素，核外電子排布式為：1s22s22p63s23p64s2；

答案為：1s22s22p63s23p64s2；

Kr為36號元素，核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p6；

答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p6；

Co為27號元素，以核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d74s2；

答案為：1s22s22p63s23p63d74s2；

Ge為32號元素，核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p2；

答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p2。【解析】①.1s22s22p63s23p64s2②.1s22s22p63s23p63d104s24p6③.1s22s22p63s23p63d74s2④.1s22s22p63s23p63d104s24p210、略

【分析】【詳解】

P是15號元素，根據(jù)構(gòu)造原理，電子排布式為：1s22s22p63s23p3，簡化的電子排布式為：[Ne]3s23p3；

K是19號元素，根據(jù)構(gòu)造原理，電子排布式為：1s22s22p63s23p64s1，簡化的電子排布式為：[Ar]4s1；

Ge是32號元素，根據(jù)構(gòu)造原理，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p2，簡化的電子排布式為：[Ar]3d104s24p2；

Zn是30號元素，根據(jù)構(gòu)造原理，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s2，簡化的電子排布式為：[Ar]3d104s2；

Cr是24號元素，根據(jù)構(gòu)造原理，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d54s1，簡化的電子排布式為：[Ar]3d54s1。

【點睛】

Cr價電子為3d54s1，處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定?！窘馕觥竣?[Ne]3s23p3②.[Ar]4s1③.[Ar]3d104s24p2④.[Ar]3d104s2⑤.[Ar]3d54s111、略

【分析】【詳解】

(1)s能級的原子軌道呈球形；每個s能級有1個原子軌道；p能級的原子軌道呈啞鈴形，每個p能級有3個原子軌道。

(2)s能級原子軌道的半徑與與主量子數(shù)n有關(guān)，s能級原子軌道的半徑隨主量子數(shù)n的增大而增大。【解析】①.球②.1③.啞鈴④.3⑤.與主量子數(shù)n(或電子層序數(shù))有關(guān)；隨主量子數(shù)n(或電子層序數(shù))的增大而增大12、略

【分析】（1）氯元素是17號元素，17Cl的電子排布式為1s22s22p63s23p5；價層電子排布式為3s23p5；Cl-的電子排布式為1s22s22p63s23p6，故答案為：1s22s22p63s23p5；3s23p5；1s22s22p63s23p6；1s22s22p63s23p63d5

（2）26Fe的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2；26Fe2+電子排布式為1s22s22p63s23p63d6；26Fe3+電子排布式為1s22s22p63s23p63d5，故答案為：1s22s22p63s23p63d64s2；1s22s22p63s23p63d6；1s22s22p63s23p63d5；

（3）第三周期中，鈉的金屬性最強(qiáng)，第一電離能最小，氬的性質(zhì)最不活潑，第一電離能最大，故答案為：Na；Ar；

（4）在元素周期表中；氟的非金屬性最強(qiáng)，電負(fù)性最大，第二；三周期P軌道半充滿的元素有N和P，故答案為：F；N、P。

點睛：本題考查原子核外電子的排布規(guī)律。根據(jù)構(gòu)造原理確定核外電子排布式是解題的基礎(chǔ)。①能量最低原理：原子核外電子先占有能量較低的軌道，然后依次進(jìn)入能量較高的軌道；②泡利不相容原理：每個原子軌道上最多只能容納2個自旋狀態(tài)相反的電子；③洪特規(guī)則：在等價軌道（相同電子層、電子亞層上的各個軌道）上排布的電子將盡可能分占不同的軌道，且自旋方向相同?！窘馕觥?s22s22p63s23p53s23p51s22s22p63s23p51s22s22p63s23p63d64s21s22s22p63s23p63d61s22s22p63s23p63d5NaArFN、P13、略

【分析】【分析】

（1）p能級最多容納6個電子；s能級最多容納2個電子，結(jié)合原子核外電子排布規(guī)律分析；

（2）根據(jù)圖示曲線變化分析同主族；同周期X的變化規(guī)律；

（3）根據(jù)圖示可知；周期表中X較小的元素集中在左下角；

（4）此變化規(guī)律可以判斷兩元素的金屬性或非金屬性強(qiáng)弱；

（5）結(jié)合圖示中X值判斷各元素化合價；然后分析反應(yīng)產(chǎn)物并寫出化學(xué)方程式。

【詳解】

（1）p能級最多容納6個電子，s能級最多容納2個電子，則短周期中原子核外p能級上電子總數(shù)與s能級上電子總數(shù)相等的元素的核外電子排布式為分別為O；Mg元素；

故答案為：O；Mg；

（2）根據(jù)圖示可知；同周期隨著原子序數(shù)的增大，X值逐漸增大，同主族從上至下，對應(yīng)的X值減小，體現(xiàn)了元素性質(zhì)的周期性變化規(guī)律；

故答案為：逐漸增大；周期性；

（3）同周期；X值左邊小，同一主族，X值下邊小，所以周期表中X較小的元素集中在左下角，故A正確；

故答案為：A；

（4）A；X值可代表電負(fù)性；無法根據(jù)X值判斷元素最高正化合價，故A錯誤；

B；X值可代表電負(fù)性；X值越大非金屬性越強(qiáng)，能夠反映原子在分子中吸引電子的能力，故B正確；

C；X值越大金屬性越弱、非金屬性越強(qiáng)；X值的大小可用來衡量元素金屬性和非金屬性的強(qiáng)弱，故C正確；

故答案為：BC；

（5）X值可代表電負(fù)性，X值越大非金屬性越強(qiáng)，根據(jù)圖示可知，非金屬性：則中Si為價，H、Cl元素為價，與水反應(yīng)時，Si元素生成或價H元素與水分子中價H生成氫氣，該反應(yīng)方程式為：或

故答案為：(或)。

【點睛】

本題考查位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用，題目難度中等，明確圖像曲線變化為解答關(guān)鍵，注意掌握原子結(jié)構(gòu)與元素周期律、元素周期表的應(yīng)用，試題側(cè)重考查學(xué)生的分析能力及綜合應(yīng)用能力?！窘馕觥縊、Mg逐漸增大周期性ABC14、略

【分析】【詳解】

（1）As位于元素周期表中第四周期第VA族，則基態(tài)As原子的核外電子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3。故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3；

（2）同一周期元素，原子半徑隨著原子序數(shù)增大而減小，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；Ga位于第四周期第IIIA族、As位于第四周期第VA族，二者位于同一周期，根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga>As，第一電離能Ga；<；

（3）AsCl3分子的中心原子As的價層電子對數(shù)=3+=4，As采用sp3雜化；立體構(gòu)型為三角錐形。故答案為：三角錐形；

（4）鍺的鹵化物都是分子晶體，分子間通過分子間作用力結(jié)合，對于組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點越高，由于相對分子質(zhì)量：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，故分子間作用力：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，熔、沸點：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，故答案為：GeCl4、GeBr4、GeI4的熔沸點依次升高；GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體，組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點越高?！窘馕觥竣?1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3②.>③.<④.三角錐形⑤.GeCl4、GeBr4、GeI4的熔沸點依次升高；GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體，組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點越高15、略

【分析】【分析】

根據(jù)Fe核電荷數(shù)為26，核外26個電子，F(xiàn)e3+則失去最外層4s上2個電子和3d軌道上一個電子，寫出價電子的軌道表達(dá)式；根據(jù)Si晶體的結(jié)構(gòu)推出晶體類型，由VSEPR理論確定SiH4的空間構(gòu)型，由C2H4結(jié)構(gòu)類推Si2H4中σ鍵；π鍵；由Si、Ge原子半徑大，原子間形成σ鍵長，P-P軌道不能重疊，說明難形成雙鍵或叁鍵；根據(jù)第一電離能遞變規(guī)律，判斷電離能的大??；根據(jù)Ca的原子半徑比Fe大，形成金屬鍵弱來解釋；根據(jù)晶體的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行晶胞的相關(guān)計算。

【詳解】

（1）Fe元素為26號元素，原子核外有26個電子，所以核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2，F(xiàn)e3+的價層電子為其3d能級上5個電子，F(xiàn)e3+的價層電子的電子排布圖為：答案為：

（2）晶體硅是Si原子間通過共價鍵形成的網(wǎng)狀立體結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，SiH4的中心原子的價層電子對數(shù)=4+(4?1×4)=4，沒有孤電子對，故中心原子的雜化軌道類型為sp3雜化，其分子的立體構(gòu)型為正四面體，鍵角109°28'，Si2H4分子與乙烯一致，Si原子成2個Si-H鍵、1個Si=Si鍵，單鍵是σ鍵，雙鍵中含有1個σ鍵、1個π鍵，故分子中含有5個σ鍵、1個π鍵，1molSi2H4分子中含有σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為5：1；因為Si；Ge原子半徑大，原子間形成σ鍵長，P-P軌道幾乎不能重疊，難以形成穩(wěn)定的π鍵，所以不易形成雙鍵或三鍵，答案為原子，正四面體，5：1，因為Si、Ge原子半徑大，原子間形成σ鍵長，P-P軌道幾乎不能重疊，難以形成穩(wěn)定的π鍵，所以不易形成雙鍵或三鍵。

（3）同一周期元素；元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族；第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，Mg、Al、Si為同一周期元素，鎂為IIA族元素，所以元素第一電離能：Si＞Mg＞Al；答案為Si＞Mg＞Al。

（4）與Fe相比Ca的原子半徑較大；且價電子較少，金屬鍵較弱，則金屬Ca的熔點；沸點等都比金屬Fe低；答案為金屬Ca的原子半徑較大，且價電子較少，金屬鍵較弱。

（5）由晶胞圖可知，Ag為面心立方最密堆積，以頂點Ag原子研究，其配原子位于晶胞面心，每個頂點為8個晶胞共用，每個面心為2個晶胞共用，故其配原子數(shù)目為=12，處于面對角線上的原子相鄰，Ag原子半徑為rcm，則晶胞棱長為2rcm，晶胞中Ag原子數(shù)目=8×+6×=4，晶胞質(zhì)量=4×g，晶體密度=(4×g）÷(2rcm)3=g?cm-3；答案為：12，【解析】①.②.原子③.正四面體形④.5:1⑤.Si、Ge原子半徑大，原子間形成σ鍵長，P-P軌道幾乎不能重疊，難以形成穩(wěn)定的π鍵，所以不易形成雙鍵或三鍵⑥.Si＞Mg＞Al⑦.Ca的原子半徑較大，且價電子較少，金屬鍵較弱⑧.12⑨.16、略

【分析】【分析】

(1)①根據(jù)基態(tài)的Ca和Fe原子核外電子排布式分析判斷；

②根據(jù)基態(tài)氦原子核外電子排布結(jié)構(gòu)分析判斷；

(2)①聯(lián)氨(N2H4)的分子中的氮原子可與氫原子形成氫鍵；

②根據(jù)N4H62+的結(jié)構(gòu)示意圖；四個氮原子形成六電子的大π鍵；

(3)①結(jié)合原子在晶胞中的位置關(guān)系，利用均攤法計算書寫分子式；在(b)型晶胞中，體對角線處的Na距離Pb最短據(jù)此計算距離；在(b)型晶胞中，Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成的四面體有8個，其中只有4個四面體中填充了Na，鉛原子構(gòu)成八面體只有一個，且Na原子在八面體的體心；根據(jù)晶胞密度計算公式ρ=進(jìn)行解答；

②α-X是一種六方晶系的晶體；而在α-X中，鎂和鉛按1：1的比例形成類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，鈉填在層間，則層內(nèi)只有鎂和鉛。

【詳解】

(1)①基態(tài)的Ca原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2，基態(tài)Fe原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d64s2；

a．二者最外層電子數(shù)相等，故a不符合題意；

b．Ca原子沒有未成對電子，F(xiàn)e原子有4個未成對的電子，故b符合題意；

c．Ca與Fe同周期，同周期元素第一電離能從左至右呈增大的趨勢，Ca原子核外電子排布處于全充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能比相鄰元素大，但鐵原子與鈣不相鄰，則第一電離能Ca＜Fe，故c符合題意；

d．Ca與Fe同周期；電子層數(shù)相同，核電荷數(shù)越大，原子半徑越小，則原子半徑：Ca＞Fe，故d不符合題意；

答案選bc；

②基態(tài)氦原子核外電子排布式為1s2；基態(tài)氦原子具有唯一全充滿的1s電子層，半徑較小，具有較高的第一電離能，所以難以形成化合物；

(2)①聯(lián)氨(N2H4)的分子中的氮原子可與氫原子形成氫鍵，并且分子間氫鍵數(shù)目較多，水分子間氧原子與氫原子也能形成氫鍵，則聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近；

②根據(jù)N4H62+的結(jié)構(gòu)示意圖，四個氮原子形成六電子的大π鍵，可表示為

(3)①結(jié)合原子在晶胞中的位置關(guān)系，利用均攤法，在(a)型晶胞中，Pb位于晶胞的頂點和面心，數(shù)目為8×+6×=4，Na位于晶胞的體內(nèi)，數(shù)目為8，Mg原子位于晶胞的棱上和體心，數(shù)目為12×+1=4，X的化學(xué)式為Na2MgPb；在(b)型晶胞中，體對角線處的Na距離Pb最短，共有4個，棱長為apm，面對角線長為apm，則體對角線的長度為apm，距離Pb最短的Na的長度為體對角線長度的則長度為apm；在(b)型晶胞中，Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成的四面體有8個，其中只有4個四面體中填充了Na，Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成四面體空隙的百分比為50%；鉛原子構(gòu)成八面體只有一個，且Na原子在八面體的體心，Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成四面體空隙的百分比為100%；(a)型晶胞的邊長為770pm，則晶胞的體積V=(770pm)3=(7.70×10-8)3cm3，在(a)型晶胞中，Pb位于晶胞的頂點和面心，數(shù)目為8×+6×=4，Na位于晶胞的體內(nèi)，數(shù)目為8，Mg原子位于晶胞的棱上和體心，數(shù)目為12×+1=4，則一個晶胞中含有4個Na2MgPb；根據(jù)晶胞密度計算公式ρ==

②α-X是一種六方晶系的晶體，而在α-X中，鎂和鉛按1：1的比例形成類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，鈉填在層間，則層內(nèi)只有鎂和鉛，層內(nèi)α-X的結(jié)構(gòu)為【解析】bc基態(tài)氦原子具有唯一全充滿的1s電子層，半徑較小，具有較高的第一電離能，所以難以形成化合物聯(lián)氨分子間能形成較多氫鍵Na2MgPb4a50%100%17、略

【分析】【分析】

核外電子排布需滿足3個原理或規(guī)則；即：

能量最低原理：原子核外電子先占有能量較低的軌道；然后依次進(jìn)入能量較高的軌道；

泡利不相容原理：每個原子軌道上最多只能容納2個自旋狀態(tài)相反的電子；

洪特規(guī)則：在等價軌道(相同電子層；電子亞層上的各個軌道)上排布的電子將盡可能分占不同的軌道；且自旋方向相同，據(jù)此回答。

【詳解】

(1)①Si的3p軌道的兩個電子應(yīng)為圖上違反了洪特規(guī)則，①錯誤；

②Al的2p軌道成對的電子應(yīng)當(dāng)自旋相反；圖上違反了泡利不相容原理，②錯誤；

③Co為27號元素，Co3+有24個電子，價電子排布圖應(yīng)為圖上違反了洪特規(guī)則，③錯誤；

④Mg2＋有12-2=10個電子，其核外電子排布式為：1s22s22p6；④正確；

⑤Sc為21號元素，基態(tài)Sc原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d14s2；題上違反了能量最低原理，⑤錯誤；

⑥Cr為24號元素，基態(tài)Cr原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d54s1；⑥正確；

綜上所述；④⑥正確。

故答案為：④⑥；⑤；②；①③；

(2)活潑金屬與非金屬原子之間易形成離子鍵；非金屬原子之間易形成共價鍵，同種原子之間形成的共價鍵稱為非極性鍵，不同種原子之間形成共價鍵稱為極性鍵。

①甲烷：C和H之間以極性鍵結(jié)合成正四面體；鍵角109°28’，正負(fù)電荷重心重合，為非極性分子；

②硫化氫中S和H之間以極性鍵結(jié)合；硫化氫是V形分子，鍵角92°，正負(fù)電荷重心不重合，為極性分子；

③氫氧化鎂中Mg2+和OH-之間以離子鍵結(jié)合；是離子化合物，H和O之間以極性鍵結(jié)合；

④氨氣中N和H之間以極性鍵結(jié)合；為三角錐形分子，鍵角107°18’，正負(fù)電荷重心不重合，為極性分子；

⑤乙烯(CH2=CH2)中；C和C以非極性鍵結(jié)合成碳碳雙鍵，C和H之間以極性鍵結(jié)合，乙烯是平面型分子，鍵角120°，正負(fù)電荷重心重合，為非極性分子；

故答案為：⑤；②④；⑤①④②；

(3)甲：以上面面心的Fe2+為例，該Fe2+到水平面的四個Fe2+，下方的4個側(cè)面面心的Fe2+，還有上方的4個側(cè)面面心的Fe2+的距離都相當(dāng)；為最小距離；

乙圖：根據(jù)均攤法，A粒子個數(shù)=6=0.5，B粒子個數(shù)==2；A；B粒子個數(shù)比=0.5:2=1:4；

丙圖：A粒子個數(shù)==1，B粒子個數(shù)=12=3；A；B粒子個數(shù)比=1:3。

故答案為：12；1:4；1:3。

【點睛】

采用均攤法計算粒子個數(shù)時，正三棱柱頂點的粒子有12個晶胞共用，上、下棱上的粒子有4個晶胞共用，側(cè)棱上的粒子有6個晶胞共用?！窘馕觥竣堍蔻茛冖佗邰茛冖堍茛佗堍?21:41:3三、工業(yè)流程題(共1題，共2分)18、略

【分析】【分析】

廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在，加入硫化鈉生成As2S3沉淀，為防止As2S3與硫離子反應(yīng)再次溶解，所以再加入硫酸亞鐵除去過量的硫離子，過濾得到As2S3和FeS，濾液中加入過氧化氫將亞砷酸氧化成砷酸，亞鐵離子氧化成鐵離子，再加入CaO沉淀砷酸根、鐵離子、硫酸根，得到Ca2(AsO4)2、FeAsO4、Fe(OH)3、CaSO4沉淀和低濃度含砷廢水。

【詳解】

(1)As元素為33號元素，與N元素同主族，位于第四周期第VA族；AsH3和氨氣分子結(jié)構(gòu)相同為共價化合物，砷原子和三個氫原子形成三個As-H鍵，電子式為：

(2)a．同周期主族元素自左而右非金屬性增強(qiáng)，最高價氧化物對應(yīng)水化物酸性增強(qiáng)，同主族自上而下非金屬性減弱，最高價氧化物對應(yīng)水化物酸性減弱，酸性：H2SO4＞H3PO4＞H3AsO4；故a正確；

b．同周期主族元素自左而右原子半徑減小，同主族自上而下原子半徑依次增大，原子半徑：As＞P＞S，故b錯誤；

c．同主族元素自上而下第一電離能減小，P和S同周期，但是P原子3p能級為半滿狀態(tài)，更穩(wěn)定，第一電離能更大，所以第一電離能P>S>As；故c錯誤；

綜上所述選a；

(3)根據(jù)分析可知沉淀為微溶物CaSO4；

(4)As2S3與過量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)，所以需要加入FeSO4除去過量的硫離子；使平衡逆向移動，一級沉砷更完全；

(5)含砷物質(zhì)物質(zhì)為H3AsO3，加入過氧化氫可以將其氧化成H3AsO4，根據(jù)電子守恒和元素守恒可得化學(xué)方程式為H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O；

(6)根據(jù)題意可知FeS2被O2氧化生成Fe(OH)3、根據(jù)元素守恒可知反應(yīng)物應(yīng)該還有H2O，F(xiàn)eS2整體化合價升高15價，一個O2降低4價，所以二者的系數(shù)比為4:15，再根據(jù)元素守恒可得離子方程式為4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+。

【點睛】

同一周期元素的第一電離能在總體增大的趨勢中有些曲折，當(dāng)外圍電子在能量相等的軌道上形成全空、半滿或全滿結(jié)構(gòu)時，原子的能量較低，元素的第一電離能大于相鄰元素?！窘馕觥康谒闹芷诘赩A族aCaSO4沉淀過量的S2-，使As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)平衡逆向移動，使一級沉砷更完全H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+四、原理綜合題(共1題，共4分)19、略

【分析】【分析】

(1)基態(tài)Fe2+核外有24個電子；根據(jù)能量最低原理書寫核外電子排布式；基態(tài)C1原子電子占據(jù)最高能級是3p；

(2)中心原子的雜化軌道數(shù)==4；中心原子的雜化軌道數(shù)==3；配位原子數(shù)為3，無孤電子對；

(3)有晶胞圖可知，每個Ca2+被8個F-包圍；利用“均攤法”計算晶胞的化學(xué)式；

(4)根據(jù)NiO的晶胞結(jié)構(gòu)圖分析每個Ni2+周圍與其等距離的Ni2+的個數(shù)；根據(jù)ρ=計算。

【詳解】

(1)基態(tài)Fe2+核外有24個電子，核外電子排布式是基態(tài)C1原子電子占據(jù)最高能級是3p；p能級原子軌道為啞鈴形；

(2)中心原子的雜化軌道數(shù)==4，所以中心原子的軌道雜化類型為中心原子的雜化軌道數(shù)==3，配位原子數(shù)為3，無孤電子對，所以的空間構(gòu)型為平面三角形；

(3)每個Ca2+被8個F-包圍，所以的配位數(shù)是8；根據(jù)均攤原則，每個晶胞含有Ca2+數(shù)=4，每個晶胞含有F-數(shù)是8，所以螢石的化學(xué)式為

(4)根據(jù)NiO的晶胞結(jié)構(gòu)圖，每個Ni2+周圍與其等距離的Ni2+同層的有4個、上層、下次各有4個，共12個；Ni2+與最鄰近O2－的核間距為a×10－8cm，則晶胞邊長為2a×10－8cm，體積為(2a×10-8)3cm3，每個晶胞含有Ni2+數(shù)每個晶胞含有O2－數(shù)是=4，所以NiO晶體的密度為g·cm－3=g·cm－3?！窘馕觥繂♀徠矫嫒切?12五、有機(jī)推斷題(共3題，共6分)20、略

【分析】Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：①Z的原子序數(shù)為29，Z為銅元素，其余的均為短周期主族元素；Y原子的價電子(外圍電子)排布為msnmpn，n＝2，Y是C或Si；②R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；③Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，因此Q為碳元素，則R為氮元素，X為氧元素，Y為硅元素。（1）Z為銅，其核外電子排布式為[Ar]3d104s1，失去2個電子，即為銅離子，其核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d9。（2）配位鍵形成時，銅離子提供空軌道，氨分子中的氮原子提供孤電子對。（3）甲為甲烷，乙為硅烷，同主族元素對應(yīng)氫化物越向上越穩(wěn)定，沸點越向下越高(不含分子間氫鍵時)，所以b選項正確。（4）第一電離能氮比碳高，因為氮元素原子核外電子p軌道為半充滿結(jié)構(gòu)，硅的第一電離能最小，即第一電離能大小順序是Si54s1，該元素是24號元素，為Cr，屬于d區(qū)元素?！窘馕觥?s22s22p63s23p63d9孤電子對bSi21、略

【分析】【分析】

X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子，X元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3，處于第四周期第ⅤA族，故X為As元素；Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子，Y的2p軌道上有2個電子或4個電子，所以Y為碳元素或氧元素，X跟Y可形成化合物X2Y3；故Y為氧元素；X；Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42，則Z的質(zhì)子數(shù)為42-8-33=1，則Z為氫元素，氫原子可以形成負(fù)一價離子，符合題意，據(jù)此分析解答。

【詳解】

根據(jù)上述分析；X為As元素，Y為O元素，Z為H元素。

(1)根據(jù)上述分析可知，X為As；X元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3；與X同周期鹵族元素為Br，第一電離能較大的是Br，故答案為1s22s22p63s23p63d104s24p3；As；Br；

(2)Y為O元素，O原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子，價層電子的電子排布圖為故答案為氧；

(3)X為As元素，Z為H元素，X與Z可形成化合物AsH3；As的價層電子對數(shù)=3+1=4，VSEPR模型為四面體，故答案為四面體；

(4)X為As元素，Y為O元素，Z為H元素，化合物X2Y3為As2O3，XZ3為AsH3，As2O3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為AsH3，產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O，反應(yīng)中Zn元素化合價由0價升