2025年粵教版選修3化學(xué)下冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年粵教版選修3化學(xué)下冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共7題，共14分)1、下列關(guān)于價(jià)電子構(gòu)型3s23p4的描述正確的是()A.它的元素符號(hào)為OB.可以與H2化合生成液態(tài)化合物C.其電子排布圖D.它的核外電子排布式為1s22s22p63s23p42、類推法在化學(xué)學(xué)習(xí)過程中廣泛使用，如下四項(xiàng)推測(cè)，其中正確的是A.CO2是熔點(diǎn)、沸點(diǎn)低的分子晶體，SiO2也是熔點(diǎn)、沸點(diǎn)低的分子晶體B.鹵素單質(zhì)的沸點(diǎn)：F22

22，氫化物的沸點(diǎn)：HFC.CO2中的C采用sp雜化軌道成鍵，CS2中的C也是采用sp雜化軌道成鍵D.CH4的空間結(jié)構(gòu)為正四面體，鍵角為109°28′，P4的空間結(jié)構(gòu)也為正四面體，鍵角為109°28′3、下列中心原子采取sp2雜化且為非極性分子的是A.CS2B.H2SC.SO2D.SO34、報(bào)道稱某種合金材料有較大的儲(chǔ)氫容量；其晶體結(jié)構(gòu)的最小單元如圖。則這種合金的化學(xué)式為。

A.LaNi3B.LaNi4C.LaNi5D.LaNi65、下列有關(guān)晶體的認(rèn)識(shí)沒有科學(xué)性錯(cuò)誤的是A.X—射線衍射實(shí)驗(yàn)可以區(qū)分晶體和非晶體B.具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體C.非晶體具有自范性和各向異性的特點(diǎn)D.熔融態(tài)物質(zhì)凝固后一定得到晶體6、小米公司在2020年2月13日發(fā)布了65W氮化鎵充電器。氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料。下列說法中正確的是A.鎵的第一電離能比同周期前后兩種元素的都小B.氮化鎵屬于分子晶體C.鎵元素的簡(jiǎn)單離子半徑大于原子半徑D.基態(tài)鎵原子的核外電子排布式為[Ar]4S24P17、下面的排序不正確的是A.晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4＜CCl4＜CBr4＜CI4B.硬度由大到?。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C.熔點(diǎn)由高到低：Na＞Mg＞AlD.離子鍵由強(qiáng)到弱：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI評(píng)卷人得分二、多選題(共6題，共12分)8、硅原子的電子排布式由1s22s22p63s23p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s22p63s13p3，下列有關(guān)該過程的說法正確的是（）A.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過程吸收能量B.硅原子由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化為基態(tài)，這一過程釋放能量C.硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)的能量低于基態(tài)時(shí)的能量D.轉(zhuǎn)化后硅原子與基態(tài)磷原子的電子層結(jié)構(gòu)相同，化學(xué)性質(zhì)相同9、通過反應(yīng)“P4(s)＋3NaOH(aq)＋3H2O(l)=3NaH2PO2(aq)＋PH3(g)ΔH＞0”，能制得用于化學(xué)鍍鎳的NaH2PO2。P4的結(jié)構(gòu)如圖所示；則下列說法正確的是。

A.白磷中各P原子通過共價(jià)鍵相連接形成共價(jià)晶體B.H2O分子的立體構(gòu)型為V形C.該反應(yīng)能自發(fā)進(jìn)行，則ΔS＜0D.反應(yīng)產(chǎn)物PH3中磷原子的雜化方式為sp3雜化10、短周期主族元素的原子序數(shù)依次增大，的最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)代數(shù)和為0，形成的化合物甲的結(jié)構(gòu)如圖所示，在同周期中原子半徑最小。下列說法正確的是（）

A.原子半徑大?。築.電負(fù)性大?。篊.形成的化合物為離子化合物D.化合物甲中陰離子的空間構(gòu)型為三角錐形11、硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子Xm-（含B、O、H三種元素）的球棍模型如圖所示。下列說法正確的是（）

A.m=2B.在Xm-中，硼原子軌道的雜化類型相同C.1、2原子間和4、5原子間的化學(xué)鍵可能是配位鍵D.若382g硼砂晶體中含2molNa+，則硼砂的化學(xué)式為Na2B4O7?10H2O12、下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的比較不正確的是()A.Si、Si金剛石的熔點(diǎn)依次降低B.SiCl4、MgBr2、氮化硼的熔點(diǎn)依次升高C.F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)依次升高D.AsH3、PH3、NH3的沸點(diǎn)依次升高13、鋅與硫所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。下列判斷正確的是（）

A.該晶體屬于分子晶體B.該晶胞中Zn2+和S2-數(shù)目相等C.陽離子的配位數(shù)為6D.氧化鋅的熔點(diǎn)高于硫化鋅評(píng)卷人得分三、填空題(共9題，共18分)14、根據(jù)元素周期表和周期律相關(guān)知識(shí)；回答下列問題：

（1）C、N、O三種元素中電負(fù)性最大的是_______，第一電離能最大的是_______；

（2）①O2-，②Al3+，③Cl-，④Ca2+的半徑由大到小排列為：________________（用序號(hào)表示）；

（3）元素非金屬性Cl______S(填“>”或“<”)，請(qǐng)舉例證明：____________________(可用方程式或客觀事實(shí)回答)；

（4）由于Be與Al處于對(duì)角線位置，性質(zhì)具有相似性，根據(jù)“對(duì)角線規(guī)則”，寫出Be(OH)2與NaOH反應(yīng)的化學(xué)方程式：________________________________。15、Co基態(tài)原子核外電子排布式為__。元素Mn與O中，第一電離能較大的是__，基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是__。16、下表為元素周期表的一部分；表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。

回答下列問題：

（1）寫出元素f的基態(tài)原子核外電子排布式：__。

（2）寫出元素h的基態(tài)原子核外電子軌道表示式：__。

（3）ci2分子的電子式為__。

（4）第一電離能：h__(填“＞”“＜”或“=”，下同)i；電負(fù)性：g__b。

（5）下列關(guān)于元素在元素周期表中的位置以及元素原子的外圍電子排布特點(diǎn)的敘述正確的是__(填字母)。

A.j位于元素周期表中第4周期ⅠB族；屬于ds區(qū)元素。

B.d的基態(tài)原子中；2p軌道為半充滿，屬于p區(qū)元素。

C.最外層電子排布式為4s1；該元素一定屬于第ⅠA族。

D.最外層電子排布式為ns2np1，該元素可能是第ⅢA族或ⅢB族17、根據(jù)有關(guān)知識(shí)；回答下列問題。

（1）化學(xué)元素（0族和放射性元素除外）中，第一電離能最小的元素是___（填元素符號(hào)，下同），第一電離能最大的元素是___，電負(fù)性最大的元素是___。

（2）銅的原子序數(shù)是29，其價(jià)電子排布式為___。

（3）元素的電負(fù)性越大，則在形成化合物時(shí)此元素___越強(qiáng)。

（4）Be的第一電離能大于B的第一電離能，這是因?yàn)開__。18、依據(jù)原子結(jié)構(gòu)知識(shí)回答：

(1)基態(tài)原子的電子排布式是_______________________________；S的價(jià)層電子排布式是_________________。

(2)基態(tài)的原子有______個(gè)未成對(duì)電子，的外圍電子排布圖為______________。

(3)四種元素K、O、中第一電離能最小的是_____，電負(fù)性最大的是______。

(4)下列有關(guān)微粒性質(zhì)的排列順序中，錯(cuò)誤的是______。

A.元素的電負(fù)性：元素的第一電離能：

C.離子半徑：原子的未成對(duì)電子數(shù)：19、西瓜膨大劑別名氯吡苯脲，是經(jīng)過國(guó)家批準(zhǔn)的植物生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑，實(shí)踐證明長(zhǎng)期使用對(duì)人體無害。已知其相關(guān)性質(zhì)如下表所示：。分子式C12H10ClN3O結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式外觀白色結(jié)晶粉末熔點(diǎn)170～172℃溶解性易溶于水

（1）氯吡苯脲晶體中，氮原子的雜化方式為___。

（2）兩種組成均為CoCl3·4NH3的配合物分別呈綠色和紫色。已知綠色的配合物內(nèi)界結(jié)構(gòu)對(duì)稱，請(qǐng)?jiān)趫Da和圖b中用元素符號(hào)標(biāo)出氯原子的位置___、___。

20、離子液體是一種只由離子組成的液體；在低溫下也能以液態(tài)穩(wěn)定存在，是一種很有研究?jī)r(jià)值的溶劑。對(duì)離子液體的研究顯示最常見的離子液體主要由以下的正離子和負(fù)離子組成：

回答下列問題：

（1）在周期表中的位置是______，其價(jià)電子排布式為______圖1中負(fù)離子的空間構(gòu)型為______。

（2）氯化鋁的熔點(diǎn)為氮化鋁的熔點(diǎn)高達(dá)它們都是活潑金屬和非金屬的化合物，熔點(diǎn)相差這么大的原因是______。

（3）圖中正離子有令人驚奇的穩(wěn)定性，它的電子在其環(huán)狀結(jié)構(gòu)中高度離域。該正離子中N原子的雜化方式為______，C原子的雜化方式為______。

（4）為了使正離子以單體形式存在以獲得良好的溶解性能，與N原子相連的不能被H原子替換，請(qǐng)解釋原因：______。

（5）Mg、Al三種元素的第一電離能由大到小的順序是______。

（6）已知氮化鋁的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。晶體中氮原子堆積方式如圖3所示，這種堆積方式稱為______。六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，高為ccm，阿伏加德羅常數(shù)的值為N，氮化鋁晶體的密度為______列出計(jì)算式

21、按要求回答下列問題：

(1)C；Be、Cl、Fe等元素及其化合物有重要的應(yīng)用。

①查表得知，Be的電負(fù)性是1.5，Cl的電負(fù)性是3.0，則BeCl2應(yīng)為_______(填離子或共價(jià))化合物。

(2)鎳元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為_______；3d能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)為______。

(3)科學(xué)發(fā)現(xiàn)，C和Ni、Mg元素的原子形成的晶體也具有超導(dǎo)性，其晶胞的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)如圖，則該化合物的化學(xué)式為______，C、Ni、Mg三種元素中，電負(fù)性最大的是______。

22、干冰、石墨、C60；氟化鈣和金剛石的結(jié)構(gòu)模型如下（石墨僅表示其中的一層結(jié)構(gòu)）：

回答下列問題：

(1)干冰晶胞中，每個(gè)CO2分子周圍有________個(gè)與之緊鄰且等距的CO2分子。

(2)由金剛石晶胞可知，每個(gè)金剛石晶胞占有________個(gè)碳原子。

(3)石墨層狀結(jié)構(gòu)中，平均每個(gè)正六邊形占有的碳原子數(shù)是________。

(4)在CaF2晶體中，Ca2＋的配位數(shù)是________，F(xiàn)-的配位數(shù)是________。

(5)固態(tài)時(shí)，C60屬于________（填“共價(jià)”或“分子”）晶體。評(píng)卷人得分四、原理綜合題(共3題，共18分)23、元素周期表中第四周期的某些元素在生產(chǎn)；生活中有著廣泛的應(yīng)用。

(1)硒常用作光敏材料，基態(tài)硒原子的價(jià)電子排布圖為__________；與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有__________種；SeO3的空間構(gòu)型是_______________。

(2)科學(xué)家在研究金屬礦物質(zhì)組分的過程中，發(fā)現(xiàn)了Cu—Ni—Fe等多種金屬互化物。確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體的方法是_____________________________________。

(3)鎳能與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Ni(SCN)2。(SCN)2分子中硫原子的雜化方式是__________________，σ鍵和π鍵數(shù)目之比為_____________。

(4)Co(NH3)5Cl3是鈷的一種配合物，向100mL0.2mol·L-1該配合物的溶液中加入足量AgNO3溶液，生成5.74g白色沉淀，則該配合物的化學(xué)式為_____________，中心離子的配位數(shù)為________________。

(5)已知：r(Fe2+)為61pm，r(Co2+)為65pm。在隔絕空氣條件下分別加熱FeCO3和CoCO3，實(shí)驗(yàn)測(cè)得FeCO3的分解溫度低于CoCO3，原因是__________________________________。

(6)某離子型鐵的氧化物晶胞如下圖所示，它由X、Y組成，則該氧化物的化學(xué)式為________________________。已知該晶體的密度為dg·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該品體的晶胞參數(shù)a=_______pm(用含d和NA的代數(shù)式表示)。

24、過渡元素有特殊性能常用于合金冶煉；p區(qū)元素用于農(nóng)藥醫(yī)藥；顏料和光電池等工業(yè)。

（l）量子力學(xué)把電子在原子核外的一種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)稱為一個(gè)原子軌道，電子除空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)外，還有一種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)叫作_______

（2）基態(tài)亞銅離子中電子占據(jù)的原子軌道數(shù)目為____。

（3）Cr3+可以與CN-形成配離子，其中Cr3+以d2sp3方式雜化，雜化軌道全部用來與CN-形成配位鍵，則Cr3+的配位數(shù)為______，1mol該配離子中含有_______molσ鍵。

（4）單晶硅可由二氧化硅制得，二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，在二氧化硅晶體中，Si、O原子所連接的最小環(huán)為____元環(huán)，則每個(gè)O原子連接________個(gè)最小環(huán)。

（5）與砷同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于砷的元素有________（填元素符號(hào)）；請(qǐng)根據(jù)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的知識(shí)比較酸性強(qiáng)弱亞砷酸（H3AsO3，三元酸）____HNO3（填>，=，<）。

（6）Zn與S形成晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶體密度為pg/cm3，則晶胞中距離最近的Zn、S之間的核間距離是____pm。（NA表示阿伏加德羅常數(shù)，用含p、NA等的代數(shù)式表示）

25、氫；氮、氧、硫、鎂、鐵、銅、鋅等元素及其化合物在人們的日常生活中有著廣泛的用途?；卮鹣铝袉栴}：

(1)某同學(xué)根據(jù)已學(xué)知識(shí)，推斷Mg基態(tài)原子的核外電子排布為，該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了____

(2)Cu位于____族____區(qū)，Cu＋價(jià)電子排布式為____。

(3)MgCO3的分解溫度____BaCO3(填“>”或、“<”)

(4)Ge、As、Se元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開___

(5)已知H3BO3是一元酸，1molH3BO3在水中完全電離得到的陰離子中含有σ鍵的數(shù)目為____

(6)下列有關(guān)說法不正確的是____。

A.熱穩(wěn)定性：NH3>PH3，原因是NH3分子間存在氫鍵，而PH3分子間存在范德華力。

B.SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)有些類似；但空間結(jié)構(gòu)與雜化方式不同。

C.熔、沸點(diǎn)：SiF4<SiCl4<SiBr44；原因是分子中共價(jià)鍵鍵能逐漸增大。

D.熔點(diǎn)：CaO>KCl>KBr；原因是晶格能逐漸減小。

(7)晶體Cu的堆積方式如圖所示，其中Cu原子在二維平面里放置時(shí)的配位數(shù)為_________，設(shè)Cu原子半徑為a，晶體的空間利用率為______。(用含π；a；的式子表示，不必化簡(jiǎn))

評(píng)卷人得分五、工業(yè)流程題(共1題，共8分)26、飲用水中含有砷會(huì)導(dǎo)致砷中毒，金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測(cè)。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在；可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水，其工藝流程如下：

已知：①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)；

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_______；AsH3的電子式為______；

(2)下列說法正確的是_________；

a.酸性：H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑：S>P>As

c.第一電離能：S

(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式)；

(4)“一級(jí)沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級(jí)沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________；

(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè)，其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3，同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。評(píng)卷人得分六、計(jì)算題(共3題，共12分)27、(1)石墨晶體的層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)為平面正六邊形結(jié)構(gòu)(如圖a)，試回答下列問題：圖中平均每個(gè)正六邊形占有C原子數(shù)為____個(gè)、占有的碳碳鍵數(shù)為____個(gè)，碳原子數(shù)目與碳碳化學(xué)鍵數(shù)目之比為_______。

(2)2001年報(bào)道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。如圖b所示的是該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個(gè)鎂原子，6個(gè)硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學(xué)式可表示為_______。28、金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示，這種堆積方式稱為____________。六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，高為ccm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，Zn的密度為________g·cm－3(列出計(jì)算式)。

29、NaCl是重要的化工原料?；卮鹣铝袉栴}。

（1）元素Na的焰色反應(yīng)呈_______色。價(jià)電子被激發(fā)到相鄰高能級(jí)后形成的激發(fā)態(tài)Na原子，其價(jià)電子軌道表示式為_______。

（2）KBr具有NaCl型的晶體結(jié)構(gòu)，但其熔點(diǎn)比NaCl低，原因是________________。

（3）NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)；可以形成一種晶體，其立方晶胞如圖所示（大球?yàn)镃l，小球?yàn)镹a）。

①若A的原子坐標(biāo)為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)為（0，），則C的原子坐標(biāo)為_______。

②晶體中，Cl構(gòu)成的多面體包含______個(gè)三角形的面，與Cl緊鄰的Na個(gè)數(shù)為_______。

③已知晶胞參數(shù)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶體的密度為_________g·cm－3（列出計(jì)算式）。參考答案一、選擇題(共7題，共14分)1、D【分析】【詳解】

價(jià)電子構(gòu)型3s23p4的元素是硫。

A.氧元素符號(hào)為O；它的原子核外只有2個(gè)電子層，A不合題意；

B.硫與H2化合生成硫化氫；是氣態(tài)化合物，B不合題意；

C.電子排布圖違反洪特規(guī)則；C不正確；

D.硫?yàn)?6號(hào)元素，它的核外電子排布式為1s22s22p63s23p4；D正確。

故選D。2、C【分析】【詳解】

A.SiO2為原子晶體；熔沸點(diǎn)高，故A錯(cuò)誤；

B.HF分子之間除了范德華力還有氫鍵，故熔沸點(diǎn)最高，HI、HCl、HBr不含氫鍵，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，故氫化物沸點(diǎn)：HF＞HI＞HBr＞HCl；故B錯(cuò)誤；

C.CO2中的C采用sp雜化軌道成鍵，CS2中的C也是采用sp雜化軌道成鍵；正確；

D.、P4為正四面體結(jié)構(gòu)；兩個(gè)P-P間的鍵角是60°，與甲烷中碳?xì)滏I的鍵角不同，故D錯(cuò)誤；

【點(diǎn)睛】

涉及鍵角、雜化理論的應(yīng)用以及熔沸點(diǎn)比較等問題，側(cè)重于學(xué)生的分析能力和對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的應(yīng)用能力的考查，注意把握雜化理論的應(yīng)用以及晶體熔點(diǎn)的比較方法．3、D【分析】【分析】

原子間以共價(jià)鍵結(jié)合；分子里電荷分布均勻，正負(fù)電荷中心重合的分子是非極性分子。分子中正負(fù)電荷中心不重合，從整個(gè)分子來看，電荷的分布是不均勻的，不對(duì)稱的，這樣的分子為極性分子，據(jù)此可以判斷。

【詳解】

A、根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知，CS2分子中碳原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝＝0；因此二硫化碳是直線型結(jié)構(gòu)，屬于非極性分子，碳原子是sp雜化，A不正確；

B、H2S分子中S原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝＝2，因此H2S是V型結(jié)構(gòu)，屬于極性分子，S原子是sp3雜化；B不正確；

C、SO2分子中S原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝＝1，因此SO2是V型結(jié)構(gòu)，屬于極性分子，S原子是sp2雜化；C不正確；

D、三氧化硫分子中S原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝＝0，因此SO3是平面三角形結(jié)構(gòu)，屬于非極性分子，S原子是sp2雜化；D正確；

答案選D。4、C【分析】【詳解】

根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖并依據(jù)均攤法可知可知，晶胞中鑭（La）原子數(shù)目為12×+2×=3，鎳（Ni）的原子數(shù)目為12×+6×+6=15，所以該晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)aNi5或Ni5La；答案選C。

【點(diǎn)睛】

在六棱柱中，位于頂點(diǎn)上的原子被6個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占該原子的位于面上的原子被兩個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占該原子的側(cè)棱上的原子被三個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占該原子的上下面的棱上的原子被4個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占該原子的晶胞內(nèi)部的屬于該晶胞，不與其他晶胞共用。5、A【分析】【詳解】

A．晶體會(huì)對(duì)X-射線發(fā)生衍射；而非晶體不會(huì)對(duì)X-射線發(fā)生衍射，則X-射線衍射實(shí)驗(yàn)是區(qū)別晶體與非晶體的最科學(xué)的方法，故A正確；

B．晶體具有以下特點(diǎn)：有整齊規(guī)則的幾何外形；有固定的熔點(diǎn)，有各向異性的特點(diǎn)，只有同時(shí)具備這三個(gè)條件的才是晶體，非晶體也可以有規(guī)則幾何外形，故B錯(cuò)誤；

C．晶體能自發(fā)的呈現(xiàn)多面體外形；所以晶體有自范性，單晶體具有各向異性，而多晶體和非晶體往往不具有各向異性，故C錯(cuò)誤；

D．熔融態(tài)物質(zhì)凝固后一定得到晶體；如熔融態(tài)的玻璃凝固得到的是玻璃態(tài)物質(zhì)，不屬于晶體，故D錯(cuò)誤；

故選A。6、A【分析】【詳解】

A．鎵是31號(hào)元素；位于第四周期第ⅢA族，同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，所以稼的第一電離能小于它后面的Ge；稼前面的元素是第30號(hào)元素鋅，鋅的4s軌道上的電子全充滿，第一電離能比稼大，所以鎵的第一電離能比同周期前后兩種元素的都小，故A正確；

B．氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料；說明晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似屬于原子晶體，故B錯(cuò)誤；

C．同種元素；陽離子的半徑小于原子半徑，則鎵元素的簡(jiǎn)單離子半徑小于原子半徑，故C錯(cuò)誤；

D．鎵是31號(hào)元素，位于第四周期第ⅢA族，基態(tài)鎵原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p1；故D錯(cuò)誤；

故選A。7、C【分析】【詳解】

A．四種分子晶體的組成和結(jié)構(gòu)相似；分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，則晶體的熔沸點(diǎn)越高，故A正確；

B．原子晶體中化學(xué)鍵越強(qiáng)；硬度越大，原子半徑越小，鍵長(zhǎng)越大，化學(xué)鍵越強(qiáng)，鍵長(zhǎng)大小順序是C?C＜C?Si＜Si?Si，所以硬度由大到?。航饎偸咎蓟瑁揪w硅，故B正確；

C．Na；Mg、Al原子半徑依次減小；金屬離子電荷逐漸增多，金屬鍵逐漸增強(qiáng)，則熔點(diǎn)由高到低：Al＞Mg＞Na，故C錯(cuò)誤；

D．離子晶體中，元素之間電負(fù)性差越大其離子鍵越強(qiáng)，電負(fù)性之差大小順序是NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，所以離子鍵由強(qiáng)到弱：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI；故D正確；

答案選C。二、多選題(共6題，共12分)8、AB【分析】【詳解】

A．由能量最低原理可知硅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2，當(dāng)變?yōu)?s22s22p63s13p3時(shí)；有1個(gè)3s電子躍遷到3p軌道上，3s軌道的能量低于3p軌道的能量，要發(fā)生躍遷，必須吸收能量，使電子能量增大，故A正確；

B．硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)能量要高；處于基態(tài)能量變低，因而由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化成基態(tài)，電子能量減小，需要釋放能量，故B正確；

C．基態(tài)原子吸收能量變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)原子；所以激發(fā)態(tài)原子能量大于基態(tài)原子能量，故C錯(cuò)誤；

D．元素的性質(zhì)取決于價(jià)層電子，包括s、p軌道電子，硅原子的激化態(tài)為1s22s22p63s13p3，基態(tài)磷原子為1s22s22p63s23p3；則它們的價(jià)層電子數(shù)不同，性質(zhì)不同，故D錯(cuò)誤；

答案為AB。9、BD【分析】【詳解】

A.白磷中4個(gè)P原子通過共價(jià)鍵相連接形成P4分子；屬于分子晶體，故A錯(cuò)誤；

B.H2O分子的立體構(gòu)型為V形；故B正確；

C.該反應(yīng)能自發(fā)進(jìn)行則ΔH-TΔS＜0；ΔH＞0，則ΔS＞0,故C錯(cuò)誤；

D.PH3中磷原子的雜化方式為sp3雜化；故D正確；

答案選BD。

【點(diǎn)睛】

該反應(yīng)能自發(fā)進(jìn)行則ΔH-TΔS＜0；PH3中磷原子于氫原子共用三個(gè)電子對(duì)，含有一對(duì)孤電子對(duì)，故雜化方式為sp3雜化。10、AC【分析】【分析】

短周期主族元素W；X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大；W的最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)代數(shù)和為0，則W為C或Si，根據(jù)W、X、Y形成的化合物甲的結(jié)構(gòu)示意圖，X為O，則W為C，Y為+1價(jià)的陽離子，為Na元素；Z在同周期中原子半徑最小，Z為Cl元素，據(jù)此分析解答。

【詳解】

根據(jù)上述分析；W為C元素，X為O元素，Y為Na元素，Z為Cl元素。

A．同一周期，從左到右，原子半徑逐漸減小，同一主族，從上到下，原子半徑逐漸增大，原子半徑大?。汗蔄正確；

B．元素的非金屬性越強(qiáng)；電負(fù)性越大，電負(fù)性大?。篨＞Z，故B錯(cuò)誤；

C．X為O元素；Y為Na元素，為活潑的非金屬和金屬元素，形成的化合物為離子化合物，故C正確；

D．化合物甲中陰離子為CO32-；C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3，沒有孤對(duì)電子，空間構(gòu)型為平面三角形，故D錯(cuò)誤；

故選AC。11、AD【分析】【分析】

由圖示可以看出該結(jié)構(gòu)可以表示為[H4B4O9]m-，其中B為+3價(jià)，O為-2價(jià)，H為+1價(jià)，根據(jù)化合價(jià)判斷m值求解Xm-的化學(xué)式；根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定分子空間構(gòu)型及中心原子雜化方式，價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)，σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù)，孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=（a-xb），a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù)，x指配原子個(gè)數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù)，1，3，5，6代表氧原子，2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為sp2雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為sp3雜化；陰離子中含配位鍵，不含離子鍵，以此來解答。

【詳解】

A．觀察模型，可知Xm-是(H4B4O9)m-；依據(jù)化合價(jià)H為+1，B為+3，O為-2，可得m=2，故A正確；

B．2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為SP2雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為SP3雜化，所以在Xm-中；硼原子軌道的雜化類型有不同，故B錯(cuò)誤；

C．2號(hào)B一般是形成3個(gè)鍵；4號(hào)B形成4個(gè)鍵，其中1個(gè)鍵很可能就是配位鍵，所以配位鍵存在4號(hào)與5號(hào)之間，故C錯(cuò)誤；

D．若硼砂的化學(xué)式為Na2B4O7?10H2O，則382g硼砂晶體中含×2=2molNa+；故D正確；

答案選AD。12、AD【分析】【詳解】

A．Si；SiC、金剛石都是原子晶體；共價(jià)鍵越強(qiáng)熔點(diǎn)越大，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)C-C＜Si-C＜Si-Si，所以熔點(diǎn)高低的順序?yàn)椋航饎偸維iC＞Si，故A錯(cuò)誤；

B．一般來說，熔點(diǎn)為原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，則熔點(diǎn)為BN＞MgBr2＞SiCl4；故B正確；

C．結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，所以F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)依次升高；故C正確；

D．AsH3、PH3、符合組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，所以AsH3>PH3，氨氣分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)大于AsH3、PH3，因而沸點(diǎn)順序?yàn)镹H3>AsH3>PH3；故D錯(cuò)誤；

答案選AD。13、BD【分析】【詳解】

A.ZnS是Zn2+和S2-構(gòu)成的離子化合物；屬于離子晶體，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；

B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Zn分別位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，Zn2+數(shù)目為：S2-數(shù)目也為4；B選項(xiàng)正確；

C．ZnS晶體中，陽離子Zn2+的配位數(shù)是4；C選項(xiàng)錯(cuò)誤；

D．ZnO和ZnS所帶電荷相等；氧離子半徑小于硫離子，故ZnO的晶格能大于ZnS，D選項(xiàng)正確；

答案選BD。三、填空題(共9題，共18分)14、略

【分析】【詳解】

（1）同一周期從左向右電負(fù)性增強(qiáng)，即O的電負(fù)性是三種元素中最強(qiáng)的，同周期從從左向右第一電離能呈增大趨勢(shì)，但I(xiàn)IA>IIA，VA>VIA，因此第一電離能最大的是N；（2）Cl－、Ca2＋核外有三個(gè)電子層，O2－、Al3＋核外有2個(gè)電子層，電子層數(shù)相同，半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，半徑大小順序是Cl－>Ca2＋>O2－>Al3＋，即③④①②；（3）同周期從左向右非金屬性增強(qiáng)，即Cl的非金屬性強(qiáng)于S，可以用置換反應(yīng)進(jìn)行判斷，即Cl2＋H2S=2HCl＋S，也可以用最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性進(jìn)行比較，HClO4酸性強(qiáng)于H2SO4；（4）氫氧化鋁表現(xiàn)兩性，即Be(OH)2與NaOH反應(yīng)的化學(xué)方程式為Be(OH)2＋2NaOH=Na2BeO2＋2H2O?！窘馕觥縊N③④①②>Cl2+H2S=S+2HCl或HClO4酸性比H2SO4強(qiáng)Be(OH)2+2NaOH=Na2BeO2+2H2O15、略

【分析】【分析】

Co是27號(hào)元素；可按照能量最低原理書寫電子排布式；O為非金屬性，難以失去電子，第一電離能較大。

【詳解】

Co是27號(hào)元素，位于元素周期表第4周期第VIII族，其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2；元素Mn與O中，由于O元素是非金屬性而Mn是過渡元素，所以第一電離能較大的是O，O基態(tài)原子價(jià)電子為2s22p4，所以其核外未成對(duì)電子數(shù)是2，而Mn基態(tài)原子價(jià)電子排布為3d54s2，所以其核外未成對(duì)電子數(shù)是5，因此核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是Mn，故答案為：1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2；O；Mn?！窘馕觥竣?1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2②.O③.Mn16、略

【分析】【分析】

根據(jù)元素在周期表中的位置可知，a為H元素、b為Be元素；c為C元素、d為N元素、e為O元素、f為F元素、g為Na元素、h為P元素、i為S元素、j為Cu元素；結(jié)合原子結(jié)構(gòu)和元素周期律分析解答。

【詳解】

根據(jù)元素在周期表中的位置可知，a為H元素、b為Be元素；c為C元素、d為N元素、e為O元素、f為F元素、g為Na元素、h為P元素、i為S元素、j為Cu元素。

(1)f為F元素，原子核外電子數(shù)目為9，核外電子排布式為1s22s22p5，故答案為：1s22s22p5；

(2)元素h為P，為15號(hào)元素，基態(tài)原子核外電子軌道表示式為故答案為：

(3)ci2分子CS2，與二氧化碳的結(jié)構(gòu)類似，電子式為故答案為：

(4)P元素的3p能級(jí)為半滿穩(wěn)定狀態(tài)；較穩(wěn)定，故第一電離能P＞S；金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越小，故電負(fù)性Na＜Be，故答案為：＞，＜；

(5)A．j是Cu元素位于元素周期表中第四周期、ⅠB族，價(jià)電子排布式為3d104s1，屬于ds區(qū)元素，故A正確；B．N原子的基態(tài)原子中2p能級(jí)為半充滿，屬于p區(qū)元素，故B正確；C．最外層電子排布式為4s1，可能處于ⅠA族、ⅠB族、ⅥB族，故C錯(cuò)誤；D．最外層電子排布式為ns2np1；該元素處于第ⅢA族，故D錯(cuò)誤；故答案為：AB。

【點(diǎn)睛】

本題的易錯(cuò)點(diǎn)為(5)，要注意最外層電子排布式為4s1，可能的電子排布式有3d104s1，3d54s1，3p64s1，可能處于ⅠA族、ⅠB族、ⅥB族?！窘馕觥竣?1s22s22p5②.③.④.>⑤.<⑥.AB17、略

【分析】【分析】

(1)元素的金屬性越強(qiáng)其第一電離能越小；元素非金屬性越強(qiáng)第一電離能越大；元素的非金屬性越強(qiáng)；其電負(fù)性越大；

(2)銅是29號(hào)元素；根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫；

(3)元素電負(fù)性越大；非金屬性就越強(qiáng)，因此吸引電子的能力也越強(qiáng)；

(4)Be有2s2全滿結(jié)構(gòu)，而B失去一個(gè)電子后有2s22p0的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。

【詳解】

(1)元素的金屬性越強(qiáng)其第一電離能越小；Cs的金屬性最強(qiáng)，所以第一電離能最小的元素是Cs；元素非金屬性越強(qiáng)第一電離能越大，氟元素的非金屬性最強(qiáng)，所以第一電離能最大的元素是F；元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大，所以氟元素電負(fù)性最大；

(2)銅是29號(hào)元素，質(zhì)子數(shù)為29，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，所以銅的價(jià)電子排布式為3d104s1；

(3)元素電負(fù)性越大；非金屬性就越強(qiáng)，因此吸引電子的能力也越強(qiáng)，所以元素的電負(fù)性越大，則在分子中此元素吸引成鍵電子的能力越強(qiáng)；

(4)Be有2s2全滿結(jié)構(gòu)，而B失去一個(gè)電子后有2s22p0的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；所以B的第一電離能比Be的小。

【點(diǎn)睛】

銅的價(jià)電子排布式是易錯(cuò)點(diǎn)，3d軌道為全充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定?！窘馕觥竣?Cs②.F③.F④.3d104s1⑤.吸引成鍵電子的能力⑥.Be的2s能級(jí)為全滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，而B失去一個(gè)電子后變?yōu)?s能級(jí)全滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以B的第一電離能比Be的小18、略

【分析】【分析】

(1)根據(jù)構(gòu)造原理；寫出核外電子排布式；

(2)根據(jù)核外電子排布式回答；

(3)根據(jù)元素周期律中第一電離能和電負(fù)性的遞變規(guī)律回答；

(4)根據(jù)元素周期律判斷。

【詳解】

(1)元素為14號(hào)元素，原子核外有14個(gè)電子，則核外電子排布式為：S元素為16號(hào)元素，原子核外有16個(gè)電子，所以核外電子排布式為：則S的價(jià)層電子排布式為：

(2)為26號(hào)元素，原子核外有26個(gè)電子，F(xiàn)e基態(tài)原子電子排布式為則原子有4個(gè)未成對(duì)電子；Fe元素的價(jià)電子為3d和4s上電子，亞鐵離子核外有24個(gè)電子，的外圍電子排布式為其外圍電子排布圖為

(3)元素的金屬性越強(qiáng)，其第一電離能越小，則四種元素K、O、中K的第一電離能最小；元素的非金屬性越強(qiáng)；其電負(fù)性越大，所以F的電負(fù)性最大；

(4)A．得電子能力所以元素的電負(fù)性故A正確；

B．C的電子排布式：N的電子排布式：p軌道處于半充滿狀態(tài)，O的電子排布式：第一電離能應(yīng)該是N的最大，則元素的第一電離能：故B錯(cuò)誤；

C．電子層數(shù)相同核電荷數(shù)越多半徑越小，則離子半徑：故C正確；

D．Mn、Si、Cl原子的未成對(duì)電子數(shù)分別為5、2、1，即原子的未成對(duì)電子數(shù)：故D正確；

故答案為B?！窘馕觥?KFB19、略

【分析】【詳解】

（1）N原子全部連接單鍵時(shí)，N原子采用sp3雜化，N原子連接的化學(xué)鍵中含有雙鍵時(shí)，N原子采用sp2雜化，故答案為：sp2、sp3；

（2）由圖知，六個(gè)配體構(gòu)成八面體，后兩種物質(zhì)內(nèi)界均有2個(gè)氯原子、4個(gè)氨分子，其中2個(gè)氯原子的位置只有兩種：相對(duì)和相鄰，當(dāng)2個(gè)氯原子相對(duì)時(shí)，其內(nèi)界結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的，應(yīng)該是綠色的，即2個(gè)氯原子相鄰時(shí)，其內(nèi)界結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，應(yīng)該是紫色的，故其結(jié)構(gòu)為：【解析】①.sp2、sp3②.③.20、略

【分析】【分析】

原子核外有3個(gè)電子層、最外層電子數(shù)為3，主族元素中原子核外電子層數(shù)與其周期數(shù)相等、其最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相等，據(jù)此判斷在周期表中的位置；其3s、3p能級(jí)上的電子為其價(jià)電子；圖1中負(fù)離子的中心原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該離子空間構(gòu)型；

分子晶體熔沸點(diǎn)較低；原子晶體熔沸點(diǎn)較高；

該正離子中N原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì)；根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷N原子的雜化方式；環(huán)上C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3；乙基中兩個(gè)C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷C原子的雜化方式；

氮原子上連H原子形成分子間氫鍵；

同一周期元素；其第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但是第IIA族；第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；

該晶體堆積方式為六方最密堆積，該六棱柱中N原子個(gè)數(shù)根據(jù)化學(xué)式知Al原子個(gè)數(shù)為6，六棱柱體積氮化鋁密度

【詳解】

原子核外有3個(gè)電子層、最外層電子數(shù)為3，主族元素中原子核外電子層數(shù)與其周期數(shù)相等、其最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相等，據(jù)此判斷在周期表中的位置為第三周期第IIIA族；其3s、3p能級(jí)上的電子為其價(jià)電子，其價(jià)電子排布式為圖1中負(fù)離子的中心原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該離子空間構(gòu)型為正四面體形；

分子晶體熔沸點(diǎn)較低；原子晶體熔沸點(diǎn)較高；氯化鋁為分子晶體、氮化鋁為原子晶體，所以二者熔沸點(diǎn)相差較大；

該正離子中N原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷N原子的雜化方式為環(huán)上C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3、乙基中兩個(gè)C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷C原子的雜化方式，前者為雜化、后者為雜化；

氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，防止離子間形成氫鍵而聚沉或氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，該離子不易以單體形式存在所以與N原子相連的不能被氫原子替換；

同一周期元素，其第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但是第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，其第一電離能順序?yàn)橐驗(yàn)殡S著核電荷數(shù)增加，同周期主族元素的第一電離能逐漸變大，但Mg的3p軌道電子排布為全空結(jié)構(gòu)，能量比Al的更低；所以第一電離能大；

該晶體堆積方式為六方最密堆積，該六棱柱中N原子個(gè)數(shù)根據(jù)化學(xué)式知Al原子個(gè)數(shù)為6，六棱柱體積氮化鋁密度

【點(diǎn)睛】

對(duì)于六方最密堆積的晶胞來講，處于六棱柱頂角上的原子是6個(gè)晶胞共用的，常見的立方堆積是8個(gè)晶胞共用，這其實(shí)是因?yàn)榱呅蚊茕仌r(shí)每個(gè)點(diǎn)被3個(gè)六邊形共用而正方形密鋪時(shí)每個(gè)點(diǎn)被4個(gè)正方形共用對(duì)于處于六棱柱面心的原子、體心的原子，其共享方式與立方堆積無異?！窘馕觥康谌芷诘贗IIA族正四面體形氯化鋁為分子晶體、氮化鋁為原子晶體氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，防止離子間形成氫鍵而聚沉或氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，該離子不易以單體形式存在六方最密堆積21、略

【分析】【詳解】

（1）Be的電負(fù)性是1.5，Cl的電負(fù)性是3.0，Cl與Be電負(fù)性差值為1.5，電負(fù)性差值大于1.7的化合物為離子化合物，小于1.7的化合物為共價(jià)化合物，則BeCl2應(yīng)為共價(jià)化合物；

（2）鎳是28號(hào)元素，按照能量最低原理，鎳元素基態(tài)原子的核外電子排布式為：[Ar]3d84s2，價(jià)電子排布式為3d84s2；3d能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)為2；

（3）根據(jù)晶胞可知，C位于體心，C的個(gè)數(shù)為1，Ni位于6個(gè)面心，Ni的個(gè)數(shù)為6=3，Mg位于8個(gè)頂點(diǎn)，Mg的個(gè)數(shù)為8=1，則該化合物的化學(xué)式為MgCNi3，C、Ni、Mg三種元素中，Ni、Mg都是金屬元素，C為非金屬元素，電負(fù)性最大的是C?！窘馕觥竣?共價(jià)②.3d84s2③.2④.MgCNi3⑤.C22、略

【分析】【詳解】

(1)根據(jù)CO2晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，以頂點(diǎn)上的CO2分子為例，距離其最近的CO2分子分布在經(jīng)過這個(gè)頂點(diǎn)的各個(gè)面的面心上，一個(gè)頂點(diǎn)被8個(gè)晶胞共用，所以這樣的面共有=12個(gè)，所以一個(gè)CO2分子周圍有12個(gè)CO2分子緊鄰；

(2)根據(jù)均攤法，每個(gè)金剛石晶胞中碳原子的個(gè)數(shù)為=8；

(3)每個(gè)正六邊形上有6個(gè)碳原子，每個(gè)碳原子被3個(gè)六元環(huán)共用，則每個(gè)六元環(huán)占有的碳原子個(gè)數(shù)為=2；

(4)在CaF2晶胞中每個(gè)Ca2+連接4個(gè)氟離子，但在下面一個(gè)晶胞中又連接4個(gè)氟離子，所以其配位數(shù)為8，在CaF2晶胞中每個(gè)F-連接4個(gè)鈣離子；所以其配位數(shù)為4；

(5)C60中構(gòu)成微粒是分子，所以屬于分子晶體。【解析】①.12②.8③.2④.8⑤.4⑥.分子四、原理綜合題(共3題，共18分)23、略

【分析】【分析】

(1)硒為34號(hào)元素，有6個(gè)價(jià)電子，據(jù)此書寫價(jià)層電子排布圖；同一周期中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第ⅤA族元素第一電離能大于相鄰元素；氣態(tài)SeO3分子Se原子孤電子對(duì)數(shù)==0；價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+0=3，為平面三角形；

(2)確定晶體；非晶體的方法是X射線衍射。

(3)根據(jù)(SCN）2分子中分子結(jié)構(gòu)式為N≡C-S-S-C≡N分析；

(4)配合物中配位離子Cl-不與Ag+反應(yīng)，據(jù)此計(jì)算出外界離子Cl-離子的數(shù)目；據(jù)此分析解答；

(5)根據(jù)產(chǎn)物FeO的晶格能和CoO的晶格能比較進(jìn)行分析；

(6)根據(jù)均攤法確定微粒個(gè)數(shù)，即可確定化學(xué)式；晶胞參數(shù)a=×1010cm。

【詳解】

(1)硒為34號(hào)元素，有6個(gè)價(jià)電子，價(jià)電子排布圖為同一周期中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第ⅤA族元素第一電離能大于相鄰元素，因此同一周期p區(qū)元素第一電離能大于硒的元素有3種，分別為As、Br、Kr；氣態(tài)SeO3分子Se原子孤電子對(duì)數(shù)==0；價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+0=3，為平面三角形；

答案：3平面三角形。

(2)確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體的方法是是X射線衍射。

答案：X射線衍射。

(3)（SCN）2分子中分子結(jié)構(gòu)式為N≡C-S-S-C≡N，每個(gè)S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且含有兩個(gè)孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論知硫原子的雜化方式為sp3；該分子中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為5:4；

答案：sp3雜化5:4

(4)配合物的物質(zhì)的量為0.2mol/L×100×10-3L=0.02mol，氯化銀的物質(zhì)的量為配合物中配位離子Cl-不與Ag+反應(yīng)，1mol該配合物生成2molAgCl沉淀，所以1mol該配合物中含2mol外界離子Cl-，即配離子中含有2個(gè)Cl-，該配合物的化學(xué)式可寫為：[Co（NH3）5Cl]Cl2；中心離子配位數(shù)6；

答案：［Co（NH3）5Cl］Cl26

（5）因?yàn)镕e2+的半徑小于Co2+，所以FeO的晶格能大于CoO，生成物FeO比CoO穩(wěn)定，所以FeCO3的分解溫度低于CoCO3；

答案：Fe2+的半徑小于Co2+，F(xiàn)eO的晶格能大于CoO，F(xiàn)eCO3比CoCO3易分解。

（6）根據(jù)圖示可知晶胞中含4個(gè)X、4個(gè)Y，每個(gè)X中含F(xiàn)e3+：4×1/8+1=3/2，O2-：4；每個(gè)Y中含F(xiàn)e3+：4×1/8=1/2，F(xiàn)e2+：4O：4則晶胞中共有Fe3+：4×（3/2+1/2）=8，F(xiàn)e2+：4×4=16O2-：（4+4）×4=32，晶胞中鐵與氧個(gè)數(shù)比為（8+16）：32=3:4，氧化物的化學(xué)式為Fe3O4；晶胞參數(shù)a==×1010pm=×1010pm

答案：×1010【解析】3平面三角形X射線衍射sp3雜化5:4［Co（NH3）5Cl］Cl26Fe2+的半徑小于Co2+，F(xiàn)eO的晶格能大于CoO，F(xiàn)eCO3比CoCO3易分解Fe3O4×101024、略

【分析】【分析】

(1)對(duì)于一個(gè)微觀體系；它的狀態(tài)和由該狀態(tài)所決定的各種物理性質(zhì)可用波函數(shù)ψ表示，在原子或分子體系等體系中，將ψ稱為原子軌道或分子軌道，求解薛定諤方程，ψ由主量子數(shù)n，角量子數(shù)l，磁量子數(shù)m決定，即ψ（n，l，m）為原子軌道，實(shí)驗(yàn)證明，除了軌道運(yùn)動(dòng)外，電子還有自旋運(yùn)動(dòng)，由自旋量子數(shù)決定；

(2)Cu原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，失去4s能級(jí)1個(gè)電子形成Cu+；

(3)Cr3+可以與CN?形成配離子，其中Cr3+以d2sp3方式雜化，雜化軌道全部用來與CN?形成配位鍵，即形成6個(gè)配位鍵，則Cr3+的配位數(shù)為6，形成配離子為[Cr(CN)6]3?，配位鍵屬于σ鍵，CN?中含有1個(gè)σ鍵；

(4)在二氧化硅晶體；可以看作在晶體硅中每個(gè)Si-Si鍵之間連接O原子，晶體Si中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，由圖可知每2個(gè)Si-Si鍵可以形成2個(gè)六元環(huán)，而4個(gè)Si-Si鍵任意2個(gè)可以形成6種組合；

(5)與砷同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于砷的主族元素有Br和Kr；根據(jù)含氧酸中；酸的元數(shù)取決于羥基氫的個(gè)數(shù)，含非羥基氧原子個(gè)數(shù)越多，酸性越強(qiáng)；

(6)Zn、S的配位數(shù)相等，圖中兩種黑色球的數(shù)目均為4，則晶胞中Zn、S原子數(shù)目均為4，晶胞質(zhì)量為4×g，晶體密度為pg/cm3，則晶胞邊長(zhǎng)x==cm，即晶胞邊長(zhǎng)為x=×1010pm，S原子與周圍4個(gè)Zn原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，令S與Zn之間的距離為y，則正四面體中心到底面中心的距離為正四面體的高為正四面體棱長(zhǎng)=則正四面體側(cè)面的高為×底面中心到邊的距離為××故()2+(××)2=(×)2，整理得y=

【詳解】

(1)對(duì)于一個(gè)微觀體系，它的狀態(tài)和由該狀態(tài)所決定的各種物理性質(zhì)可用波函數(shù)ψ表示，在原子或分子體系等體系中，將ψ稱為原子軌道或分子軌道，求解薛定諤方程ψ，由主量子數(shù)n，角量子數(shù)l，磁量子數(shù)m決定，即ψ(n，l，m)為原子軌道；實(shí)驗(yàn)證明，除了軌道運(yùn)動(dòng)外，電子還有自旋運(yùn)動(dòng)，由自旋量子數(shù)決定，所以電子除空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)外，還有一種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)叫做自旋；

故答案為：自旋；

(2)Cu原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，失去4s能級(jí)1個(gè)電子形成Cu+，Cu+基態(tài)時(shí)電子排布式為1s22s22p63s23p63d10；其電子占據(jù)的14原子軌道；

(3)Cr3+可以與CN?形成配離子，其中Cr3+以d2sp3方式雜化，雜化軌道全部用來與CN?形成配位鍵，即形成6個(gè)配位鍵，則Cr3+的配位數(shù)為6，形成配離子為[Cr(CN)6]3?，配位鍵屬于σ鍵，CN?中含有1個(gè)σ鍵；故1mol該配離子中含有12molσ鍵；

(4)在二氧化硅晶體；可以看作在晶體硅中每個(gè)Si?Si鍵之間連接O原子，晶體Si中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si?Si鍵，由圖可知每2個(gè)Si?Si鍵可以形成2個(gè)六元環(huán)，而4個(gè)Si?Si鍵任意2個(gè)可以形成6種組合，則每個(gè)Si原子連接十二元環(huán)數(shù)目為6×2=12，每個(gè)O原子連接2個(gè)Si原子，每個(gè)Si原子和該O原子能形成3個(gè)最小環(huán)，所以每個(gè)O原子能形成6個(gè)最小環(huán)；

(5)As處于周期表中第4周期第ⅤA族，則其核外電子排布式為：[Ar]3d104s24p3，與砷同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于砷的主族元素有Br和Kr；根據(jù)含氧酸中，酸的元數(shù)取決于羥基氫的個(gè)數(shù)，含非羥基氧原子個(gè)數(shù)越多，酸性越強(qiáng)；亞砷酸（H3AsO3）中含有3個(gè)羥基氫，為三元酸，沒有非羥基氧原子，HNO3為一元酸，含有一個(gè)羥基氫，含非羥基氧原子2個(gè)，所以酸性：H3AsO3<HNO3；

(6)Zn、S的配位數(shù)相等，圖中兩種黑色球的數(shù)目均為4，則晶胞中Zn、S原子數(shù)目均為4，晶胞質(zhì)量為4×g，晶體密度為pg/cm3，則晶胞邊長(zhǎng)x==cm，即晶胞邊長(zhǎng)為x=×1010pm，S原子與周圍4個(gè)Zn原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，令S與Zn之間的距離為y，則正四面體中心到底面中心的距離為正四面體的高為正四面體棱長(zhǎng)=則正四面體側(cè)面的高為×底面中心到邊的距離為××故()2+(××)2=(×)2，整理得y=故S與Zn的距離為××1010pm；

故答案為：××1010。【解析】自旋14612126Br、Kr<××101025、略

【分析】【分析】

(1)Mg的3s軌道上的兩個(gè)電子自旋方向相同；

(2)基態(tài)Cu的價(jià)電子排布式為3d104s1；

(3)分解生成的MgO；BaO均為離子晶體；離子所帶電荷相同，離子半徑越小，晶格能越大，越穩(wěn)定，反應(yīng)越容易進(jìn)行；

(4)第一電離能在主族元素中同周期從左到右呈上升趨勢(shì)；

(5)H3AO3為一元弱酸，與水形成配位鍵，電離出[A(OH)4]-與氫離子；

(7)晶體Cu的堆積方式為面心立方最密堆積。

【詳解】

(1)電子排布圖中3s能級(jí)；2個(gè)電子自旋方向相同，違背泡利原理；

(2)基態(tài)Cu的價(jià)電子排布式為3d104s1，Cu位于第四周期的IB族ds區(qū)，Cu＋價(jià)電子排布式為3d10；

(3)MgO、BaO均為離子晶體，離子所帶電荷相同，Mg2+、Ba2+的半徑依次增大，MgO的晶格能大于BaO的晶格能，導(dǎo)致MgCO3的分解溫度小于BaCO3的分解溫度；

(4)Ge；As、Se為同周期主族元素；核電荷數(shù)依次遞增，第一電離能呈增大趨勢(shì)，但As的4p轉(zhuǎn)道為半充滿結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定，第一電離能比Se大，則Ge、As、Se元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篈s＞Se＞Ge；

(5)H3AO3為一元弱酸，與水形成配位鍵，電離出[A(OH)4]-與氫離子，[A(OH)4]-的結(jié)構(gòu)式為單鍵均為σ鍵，則1mol[A(OH)4]-中含有σ鍵的數(shù)目為8NA(或8×6.02×1023)；

(6)A．N的非金屬性比P強(qiáng)，則熱穩(wěn)定性：NH3>PH3，穩(wěn)定性的差異與NH3分子間存在氫鍵無關(guān)；故A錯(cuò)誤；

B．SiO2與CO2都是酸性氧化物，所以化學(xué)性質(zhì)相似；SiO2是正四面體結(jié)構(gòu)，采用sp3雜化，CO2是直線結(jié)構(gòu)，采用sp2雜化；故B正確；

C．SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4都是分子晶體；結(jié)構(gòu)相似，影響它們?nèi)?；沸點(diǎn)高低的主要因素是分子間作用力，不是化學(xué)鍵強(qiáng)弱，故C錯(cuò)誤；

D．CaO、KCl、KBr都是離子晶體，影響熔、沸點(diǎn)高低的主要因素離子鍵，離子鍵強(qiáng)弱用晶格能來衡量，離子鍵越強(qiáng)晶格能越大。CaO的陰陽離子半徑小、所帶電荷多，所以離子鍵最強(qiáng)，晶格能最大；KBr的陰陽離子半徑大；所帶電荷少；所以離子鍵最弱，晶格能最小，故D正確；

故答案為AC；

(7)晶體Cu的堆積方式為面心立方最密堆積，與Cu原子接觸的硬球有3層，每層有4個(gè)與之等徑且最近，因此晶體中Cu的配位數(shù)為4×3=12；對(duì)于面心立方最密堆積的晶胞而言，一個(gè)晶胞中含有的粒子個(gè)數(shù)為8