《光伏器件和制造工藝原理》課程考試復(fù)習(xí)題庫(kù)（含答案）

《光伏器件和制造工藝原理》課程考試復(fù)習(xí)題庫(kù)（含答案）

判斷題

1.鑄造多晶硅中位錯(cuò)密度高的區(qū)域，少子的壽命短。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

2.當(dāng)n個(gè)參數(shù)不同的太陽(yáng)電池并聯(lián)時(shí)，電池組的短路電流為各子電池短路電流之

和。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

3.運(yùn)載電荷的粒子稱(chēng)為載流子。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

4.薄膜的折射率隨氣體壓力的增大而減小，薄膜的厚度隨沉積時(shí)間的增加而成正

比增加。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

5.分凝系數(shù)小于1,說(shuō)明雜質(zhì)在固相中的濃度大于在液相中的濃度（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

6.硅片切割液的作用是攜帶碳化硅磨料進(jìn)入加工區(qū)域，起著懸浮和分散碳化硅顆

粒的作用。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

7.腐蝕速率會(huì)受到硅片的電阻率，導(dǎo)電類(lèi)型的影響，電阻率越小，載流子越少。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

8.在使用較差材料的情況下，一般會(huì)采用縮短多晶硅熔料時(shí)間來(lái)達(dá)到降低某些雜

質(zhì)濃度的目的（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

9.PSG是含有磷的硅層（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

10.現(xiàn)代硅烷的制備采用歧化法。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

11.異丙醇可以影響氫氧化鈉溶液對(duì)硅片的腐蝕速度（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

12.Kef千為有效分凝系數(shù)，其中Keff=CI/Cs（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

13.多晶硅片化學(xué)中硝酸的作用是將硅氧化為二氧化硅，氫氟酸能腐蝕二氧化硅。

。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

14.在直拉單晶硅過(guò)程中，當(dāng)熔體的溫度梯度越小，而晶體中的溫度梯度越小時(shí)，

生長(zhǎng)速率越高。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

15.腐蝕速率隨溫度的變化呈單線(xiàn)性關(guān)系，溫度越高，腐蝕速率越快。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

16.擴(kuò)散室環(huán)境衛(wèi)生和石英管及管內(nèi)石英制品的潔凈是確保硅片擴(kuò)散制結(jié)質(zhì)量的

基本條件。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

17.提高晶體中的溫度梯度，不能提高晶體生長(zhǎng)速率（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

18.晶體硅太陽(yáng)電池的受光面柵線(xiàn)是正極（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

19.緩沖劑的作用是控制腐蝕過(guò)程中的反應(yīng)速率，不使腐蝕速率過(guò)快。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

20.單晶硅制絨遵循大而均勻，布滿(mǎn)整個(gè)硅片表面的原則。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

21.單晶硅直徑的變化是通過(guò)熱流和提拉速度控制的（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

22.收尾的長(zhǎng)度要小于或者至少等于晶棒的直徑尺寸（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

23.晶體硅太陽(yáng)能電池制備工藝流程是先制絨再擴(kuò)散制結(jié)。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

24.等離子體刻蝕太陽(yáng)電池周邊的方法屬于濕法刻蝕（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

25.冷氫化技術(shù)的作用是處理HCL（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

26.在籽晶能夠承受晶體質(zhì)量的情況下，細(xì)頸應(yīng)盡可能細(xì)長(zhǎng)一些，一般直徑長(zhǎng)度

地達(dá)到1:10。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

27.當(dāng)n個(gè)參數(shù)不同的太陽(yáng)電池串聯(lián)時(shí)，電池組的開(kāi)路電壓為各子電池開(kāi)路電壓

之和，其電流大小卻決于子電池電流最小的一個(gè)。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

28.擴(kuò)散源總量恒定的條件下進(jìn)行的擴(kuò)散屬于有限源擴(kuò)散（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

29.晶硅的電阻率受到微量摻雜劑的精確控制（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

30.在籽晶熔接后應(yīng)用縮頸工藝，可以使位錯(cuò)消失而進(jìn)入無(wú)位錯(cuò)生長(zhǎng)狀態(tài)（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

31.在氧化還原反應(yīng)中，凡是得到電子的物質(zhì)或元素都被稱(chēng)為氧化劑，凡是失去

電子的物質(zhì)或元素都被稱(chēng)為還原劑。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

32.工業(yè)硅的制備方法很多，通常使用還原二氧化硅。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

33.擴(kuò)散和溫度有關(guān)，溫度越高，擴(kuò)散越快。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

34.晶體旋轉(zhuǎn)引起的強(qiáng)制對(duì)流具有促進(jìn)熱對(duì)流的作用。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

35.替位式雜質(zhì)原子的擴(kuò)散比間隙式雜質(zhì)原子擴(kuò)散快。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

36.溫度梯度越大，多晶硅中的熱應(yīng)力越小。O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

37.氫雜質(zhì)對(duì)熱施主的形成有抑制作用。O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

38.硅片中硼氧濃度越高，在光照或電流注入條件下產(chǎn)生的硼氧復(fù)合體越多，少

子壽命降低幅度越大。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

39.晶體最大的生長(zhǎng)速率取決于晶體中溫度梯度的大小（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

40.在移定時(shí)擴(kuò)散產(chǎn)生的單位面積擴(kuò)散物質(zhì)粒子的擴(kuò)散流密度J為J=-DN,其中

擴(kuò)散系數(shù)越大，擴(kuò)散得快。O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

41.澆鑄法制備多晶硅采用一個(gè)土甘煙。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

42.有機(jī)溶劑清洗遵循結(jié)構(gòu)類(lèi)似者相容原理。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

43.方塊電阻的大小不僅僅與結(jié)深有關(guān)，還與邊長(zhǎng)有關(guān)。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

44.一般情況下，刮刀材料的硬度越大，印刷成的漿料圖形精度越高。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

45.增加?xùn)啪€(xiàn)的高度可降低柵線(xiàn)的電阻（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

46.位錯(cuò)對(duì)單晶太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率有明顯的負(fù)作用，可導(dǎo)致漏電流，PN結(jié)擊穿。

()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

47,分凝系數(shù)決定單晶硅中的雜質(zhì)濃度。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

48.方塊電阻越小，摻雜濃度越大，缺陷越多。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

49.進(jìn)行再分部的目的是為了得到預(yù)定的結(jié)深（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

50.如果形成了熱施主或氧沉淀，其本身就會(huì)成為復(fù)合中心或引入復(fù)合中心的二

次缺陷，導(dǎo)致硅材料少子壽命的縮短，影響電池轉(zhuǎn)化效率。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

51.上海處在太陽(yáng)輻射資源分布的最豐富帶。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

52.王水可以溶解二氧化硅。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

53.直拉單晶硅最大生長(zhǎng)速率取決于晶體中（溫度梯度）的大小。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

54.硅晶體中的初始氧濃度越高，熱施主濃度越高，其形成速率越慢。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

55.刮刀材料硬度越小，溫度就越大，柵極線(xiàn)高會(huì)增加，線(xiàn)寬也會(huì)變大。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

56.少子壽命隨流量比的增高而增大，隨沉積溫度和沉積壓力的提高而增大。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

57.收尾的作用是防止位錯(cuò)反延。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

填空題

1.PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)阻礙（），促進(jìn)（）。

答案：多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)I少子漂移運(yùn)動(dòng)

2.SiHCI3采用（）提純

答案：精福法

3.沉積參數(shù)直接影響著SiNx膜層的沉積質(zhì)量，沉積參數(shù)分別為（）、（）、（）、

（）、（）。

答案：頻率|射頻功率|硅片溫度|氣體流量|反應(yīng)氣體濃度

4.直拉單晶硅中對(duì)于P型摻雜，（）是最常用的摻雜劑。

答案：B

5.擴(kuò)散形成的PN結(jié)的幾何位置與擴(kuò)散層表面的距離稱(chēng)為（）。

答案：結(jié)深

6.影響晶片切割的四個(gè)因素：（）、（）、（）、（）。

答案：鋼線(xiàn)張力I鋼線(xiàn)的運(yùn)動(dòng)速度I工件的進(jìn)給速度I砂漿切割能力

7.石英陶瓷土甘煙的性能特點(diǎn)：（）、（）、（）、（）、（）

答案：熱學(xué)性能I力學(xué)性能I石英在高溫下的晶型轉(zhuǎn)換I石英的高純度I易于實(shí)現(xiàn)尺

寸大型化

8.化學(xué)腐蝕的速率主要取決于整個(gè)酸性腐蝕系統(tǒng)的性質(zhì)，腐蝕系統(tǒng)包括（）和（）。

答案：腐蝕材料I腐蝕劑

9.利用太陽(yáng)能的三大技術(shù)領(lǐng)域：（）、（）、（）。

答案：光電轉(zhuǎn)換I光熱轉(zhuǎn)換I光化學(xué)轉(zhuǎn)換

10.硅片清洗常用的有機(jī)溶劑有（）

答案：甲苯或丙酮或乙醇。

11.目前，晶體硅太陽(yáng)電池組件封裝普遍采用TPT膜作為背板材料，TPT膜至少

應(yīng)該有三層結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)是（），中間層所起的作用是（），外層所起的作用是

（）

答案：PVF/PET/PVF|絕緣、|抗環(huán)境侵蝕能力

12.與直拉單晶硅相比，鑄造多晶硅的主要優(yōu)勢(shì)是（），能耗低。制備成本低，

而且其晶體（），易于大尺寸生長(zhǎng)。

答案：材料利用率高I生長(zhǎng)簡(jiǎn)便

13.燒結(jié)也是高溫下對(duì)硅片進(jìn)行（）的過(guò)程，是使金屬電極和硅片合金化形成（）。

答案：擴(kuò)散摻雜I歐姆接觸

14.生長(zhǎng)界面的形狀對(duì)單晶的（）和（）有直接影響。

答案：均勻性|完整性

15.鑄造多晶硅晶體生長(zhǎng)時(shí)解決石英士甘煙問(wèn)題的方法：（）。

答案：利用Si3N4作為涂層

16.在制備鑄造多晶硅時(shí)，通過(guò)控制凝固土甘煙周?chē)募訜嵫b置，使得凝固土甘煙的

（）

答案：底部溫度最低

17.刮刀按刀刃形狀分為（）和（）兩種，其作用是以適合的（）和（）將漿料

壓入絲網(wǎng)的漏孔中。

答案：角刀I平刀I速度I角度

18.（）是根據(jù)化學(xué)氣相沉積原理生產(chǎn)多晶硅的技術(shù)。

答案：.改良西門(mén)子法

19.原生鑄造多晶硅中的氧包括：（）、（）、（）。

答案：氧施主|氧沉淀|硼氧復(fù)合體

20.電極設(shè)計(jì)原則：（）。

答案：使電池的輸出最大

21.砂漿是（）和（）按照一定比例均勻混合制成的。

答案：聚乙二醇|碳化硅微粉

22.多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品SiCI4轉(zhuǎn)化為SiHCI3主要采用（）

答案：冷氫化技術(shù)。

23」甘煙脫離加熱區(qū)的方法：（）、（）。

答案：石英士甘煙向下移動(dòng)I隔熱裝置逐漸上升

24.位錯(cuò)具有（）和（）的特點(diǎn)。

答案：位錯(cuò)遺傳|位錯(cuò)增殖

25.堿制絨后硅片用氫氟酸漂洗，可以去除（）。

答案：Si02氧化層

26.太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝流程：（）、（）

答案：硅片清洗制絨I擴(kuò)散制結(jié)、等離子刻蝕、去磷硅玻璃、減反射膜制備,絲

網(wǎng)印刷、燒結(jié)、檢測(cè)分級(jí)。

27.制作太陽(yáng)能電池電極漿料通常由銀、鋁等導(dǎo)電金屬粉體組成的（）、低熔點(diǎn)

玻璃等材料組成的（）和（）混合而成。

答案：功能材料I粘結(jié)組分I有機(jī)載體

28.硅材料具有典型的半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性：（）

答案：電阻率特性、PN結(jié)特性、光電特性。

29.鑄造多晶硅的工藝包括，（）。

答案：裝料加熱，熔料，長(zhǎng)晶，退火和冷卻

30.晶體硅中的氧可用（）測(cè)試。

答案：紅外光譜技術(shù)

31.大氣對(duì)太陽(yáng)輻射的減弱方式：（）、（）、（）。

答案：吸收作用I散射作用I反射作用

32.化學(xué)腐蝕的效果有（）和（）兩個(gè)方面。

答案：腐蝕速率I表面質(zhì)量

33.太陽(yáng)能電池用硅片主要考慮（）等性能要求。

答案：導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、位錯(cuò)、少子壽命和厚度

34.絲網(wǎng)印刷的印刷頭組件將進(jìn)行（）和（）兩項(xiàng)操作。

答案：溢流行程|E[1刷行程

35.吸雜技術(shù)可分為：（）和（）。

答案：內(nèi)吸雜I外吸雜

36.歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)不呈現(xiàn)（）的接觸。

答案：整流效應(yīng)

37.多晶硅的制絨是利用硅的（）腐蝕特性，單晶硅的制絨是利用硅的（）腐蝕

特性；

答案：各向同性I各向異性

38.擴(kuò)散時(shí)一般是通（），其中，氮?dú)庥脕?lái)攜帶臨雜質(zhì)蒸汽進(jìn)入石英管稱(chēng)為（）o

答案：氮?dú)夂脱鯕釯通源

39.制絨的目的是為了（）

答案：減少硅片表面光的反射，增加光的吸收率，祛除硅片表面雜質(zhì)損傷層。

40.光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料（）改變的一種物理現(xiàn)象。

答案：電導(dǎo)率

41.熱交換法定向凝固鑄造多晶硅的工藝包括（）、（）、（）、（）、（）、

和（）。

答案：裝料I加熱I熔料I長(zhǎng)晶I退火I冷卻

42.影響碳化硅切割能力的主要參數(shù)是：（）其中（）對(duì)切割的影響最為明顯。

答案：粒度'硬度，寬度|粒度

43.晶體硅太陽(yáng)電池刻蝕的方法包括（）和（）兩種。

答案：濕法刻蝕|干法刻蝕

44.燒結(jié)工序中，通常采用（）或（）的快速燒結(jié)方式。

答案：紅外線(xiàn)加熱|電阻加熱

45.鋼線(xiàn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由（）、（）、（）和（）組成。

答案：收線(xiàn)輪I放線(xiàn)輪I張力控制器I滑輪

46.鑄造多晶硅的晶粒大小與其所在位置相關(guān)，也與晶體的（）有關(guān)。

答案：冷卻速率

47.P型半導(dǎo)體摻入。元素，多子為（），少子為（）。

答案：三價(jià)I空穴I電子

48.太陽(yáng)能光伏發(fā)電的最基本元件是：（）。

答案：太陽(yáng)電池

49.PECVD氮化硅膜的質(zhì)量主要有（）和（）等參數(shù)確定。

答案：折射率I膜厚

50.生長(zhǎng)成的單晶硅中的（）則是由生長(zhǎng)界面上熔體中的雜質(zhì)濃度以及（）共同

決定的

答案：雜質(zhì)濃度|分凝效應(yīng)

51.直拉單晶硅中對(duì)于N型摻雜，（）是最常用的摻雜劑。

答案：P

52.直拉單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)中的熱量傳輸過(guò)程對(duì)（）、（）、（），（）都起著決定

性的作用

答案：晶體的直徑I生長(zhǎng)速率I固液界面的形狀|晶體缺陷的形成和生長(zhǎng)

53.直拉單晶硅中氧的存在形式：（）、（）、（）、（）。

答案：間隙氧|氧熱施主|氧團(tuán)簇|氧沉淀

54.多晶硅鑄錠用石英土甘煙未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)：（）、（）、（）、（）

答案：尺寸的大型化I純度的提高I強(qiáng)度的提高I高效生煙的研究

55.單晶絨面形成最終取決于（）和（）兩個(gè)因素。

答案：腐蝕速率I各向異性

56.硼氧復(fù)合體的影響因素：（）、（）、（）、（）。

答案：硼濃度I氧濃度I溫度I光照強(qiáng)度

57.一般我們將硅片的織構(gòu)表面稱(chēng)為（），將硅片表面織構(gòu)化稱(chēng)為（）

答案：絨面|制絨。

58.（）冷土甘煙連續(xù)拉晶法（）其原理是利用電磁感應(yīng)來(lái)熔化硅原料。

答案：電磁感應(yīng)IEMC

59.擴(kuò)散是物質(zhì)分子從（）區(qū)域向較（）區(qū)域轉(zhuǎn)移，直到均勻分布的現(xiàn)象；

答案：較高濃度I低濃度

60.砂漿是由（）和（）混合而成的

答案：切割液I碳化硅微粉

61.直拉單晶爐主要包括：（）

答案：爐體、真空和充氣系統(tǒng)、晶體和土甘煙的升降旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)系統(tǒng)、熱場(chǎng)和電氣控

制裝置

62.PECVD沉積設(shè)備按結(jié)構(gòu)可分為平板式和（）；按反應(yīng)方式可分為直接式和。；

答案：管式|間接式

63.多晶硅片化學(xué)腐蝕制絨的腐蝕液是（），包含（）和（）兩部分。

答案：酸性腐蝕液I氧化劑I絡(luò)合劑

64.減反射膜的作用（）和（）。#

答案：減少光的反射I表面鈍化

65.直拉單晶爐加熱器的內(nèi)徑取決于（）、（）和（）；土甘煙的直徑由（）。

答案：土甘煙的直徑|土甘堪托的壁厚|與加熱器之間的間隙|單晶硅棒的直徑?jīng)Q定

66.方塊電阻與（）、（）及（）有關(guān)，測(cè)量方塊電阻常用（）。

答案：結(jié)深I(lǐng)載流子遷移率I雜質(zhì)分布I四探針測(cè)試法

67.切割液的作用是起著（）和（）的作用，使碳化硅顆粒均勻懸浮在切割中。

答案：懸浮I分散碳化硅顆粒

68.直拉單晶硅棒的氧雜質(zhì)在低溫?zé)崽幚頃r(shí)，會(huì)出現(xiàn)施主效應(yīng)，使得N型硅晶體

的電阻率（），P型硅晶體的電阻率（）

答案：下降|上升

69.（）印刷的網(wǎng)板由（）絲網(wǎng)和（）圖形構(gòu)成。

答案:絲網(wǎng)|網(wǎng)框|掩膜

70.硅片的清洗包括（）和（）。

答案：化學(xué)清洗I物理清洗

71.干法刻蝕的影響因素有（）、（）和（）。

答案：射頻功率|刻蝕時(shí)間|反應(yīng)氣體壓力

72.硅太陽(yáng)電池工藝中主要有兩種類(lèi)型的擴(kuò)散，即（）和（）。

答案：恒定表面源擴(kuò)散I有限表面源擴(kuò)散

73.對(duì)切割液的要求是（）、（）、（）。

答案：合適的黏度I適宜的液膜厚度I不錯(cuò)的降溫能力

74.（）印刷的五個(gè)要素：（）（）、（）、（）。

答案：絲網(wǎng)|絲網(wǎng)|刮刀|漿料|工作臺(tái)以及基片

75.直拉單晶硅和鑄造多晶硅都采用（）作為容器來(lái)盛放融化的多晶硅。

答案：石英土甘煙

76.多線(xiàn)切割機(jī)的碳化硅的（）必須比較高。

答案：集中度

77.污染物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)類(lèi)型（）、（）、（）。

答案：分子型污染I離子型污染I原子型污染

78.在光照晶體硅太陽(yáng)電池的情況下，在P-N結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，N區(qū)的（）

向P區(qū)運(yùn)動(dòng)，P區(qū)的（）向N區(qū)運(yùn)動(dòng)；

答案：空穴I電子

79.晶體中的金屬雜質(zhì)一般以（）、（）、（）和（）存在。

答案：間隙態(tài)I替位態(tài)I復(fù)合態(tài)I沉淀

80.短路電流隨入射光的光強(qiáng)增加呈（）上升。開(kāi)路電壓隨光強(qiáng)增加呈（）上升。

答案：線(xiàn)性I指數(shù)

81.碳化硅的外形是（）

答案：比較圓而且有很多棱角的。

82.鑄造多晶硅中的主要缺陷是（）。

答案：位錯(cuò)

83.光譜分為：（）、（）、（）。

答案：紅外光區(qū)|可見(jiàn)光區(qū)|紫外光區(qū)

84.擴(kuò)散方法可以分為：（）、（）、（）。

答案：氣-固擴(kuò)散|固-固擴(kuò)散|液-固擴(kuò)散

85.王水的構(gòu)成：（）

答案：三份濃鹽酸和一份濃硝酸1：1混合而成。

86.硅片表面的腐蝕加工分（）腐蝕和（）腐蝕兩種。

答案：濕法I干法

87.太陽(yáng)電池封裝過(guò)程中，太陽(yáng)電池分選的目的是為了（）。

答案：減少分配損失

88.太陽(yáng)電池的測(cè)量必須在標(biāo)準(zhǔn)條件（）T“歐洲委員會(huì)”定義的101號(hào)標(biāo)準(zhǔn),

其條件是光譜輻照度為（）W/m2、光譜為（）、電池溫度為25℃。

答案：STC|1OOO|AM1.5

89.摻雜的方法有（）、（）、（）三種。

答案：擴(kuò)散I離子注入I中子嬉變

90.標(biāo)稱(chēng)工作溫度是組件與水平面夾角成45度，輻照度為（），環(huán)境溫度為（）

度，風(fēng)速為（）情況下，開(kāi)路時(shí)的太陽(yáng)電池的平均平衡結(jié)溫；

答案：800W/m212011米每秒

91.磁控直拉單晶硅生長(zhǎng)需要注意（）的影響。

答案：熱對(duì)流

92.單晶硅的電阻率與摻雜濃度Cs的關(guān)系式：（）

心

答案：

93.絲網(wǎng)印刷的金屬電極漿料主要有（）等組成

答案：鋁漿、銀漿和銀鋁漿

94.（）與二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。

答案：氫氟酸

95.目前最主要的太陽(yáng)能電池是（）

答案：晶體硅太陽(yáng)能電池

96.氣體攜帶法擴(kuò)散分為：（）、（））和（）三種，其中國(guó)內(nèi)使用最多的是（）

液態(tài)源擴(kuò)散法。

答案：氣態(tài)源|（液態(tài)源|固態(tài)源IPOCI3

97.絲網(wǎng)印刷的漿料是由（）組成的一種流體。

答案：功能組份、粘結(jié)組份和有機(jī)載體

98.CVD的分類(lèi)：（）o

答案：APCVD、LPCVDxPECVD

99.用（），生長(zhǎng)成的（）是晶體硅太陽(yáng)電池的基礎(chǔ)原材料。

答案：高純度原生多晶硅I晶體硅

100.硅烷法制備多晶硅包含了（）、（）、（）三個(gè)步驟

答案：硅烷的制備I硅烷的提純I硅烷熱分解

101.表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向上所呈現(xiàn)的電阻為0o

答案：方塊電阻

102.有機(jī)溶劑清洗硅片的次序：（）

答案：甲苯T丙酮T乙醇T水。

103.雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式分為（）和（）。

答案：間隙式擴(kuò)散I替位式擴(kuò)散

104.制備多晶的方法：（）和（）。

答案：澆鑄法|直熔法

105.采用PECVD沉積SiNx膜時(shí)，是以（）和（）作為反應(yīng)氣體。#

答案：硅烷I氨

106.切片過(guò)程中存在的影響因素：（）

答案：線(xiàn)速、張力、桌面移動(dòng)速度、砂漿粘度、溫度和研磨特性、線(xiàn)徑、碳化硅

數(shù)目、密度。

107.光照到平面的硅片上，會(huì)有一部分光從硅表面被反射，反射率的大小取決于

硅和外界透明物質(zhì)的（）。

答案：折射率

108.多晶硅制絨清洗工藝步驟分為制絨（）（）吹干。

答案：堿洗I酸洗

109.厚膜電極中各金屬顆粒之間通過(guò)（）和（）等方式導(dǎo)電。

答案：接觸I隧穿

110.高純多晶硅制備常用的方法：（）。

答案：西門(mén)子法

111.由于空位能使氫分子分解，并能增強(qiáng)氫的擴(kuò)散，導(dǎo)致氫原子及氫的空位對(duì)在

硅中快速擴(kuò)散，并能與其懸掛鍵結(jié)合，產(chǎn)生（）。

答案：鈍化作用

112.直拉單晶硅的工藝包括：（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）。

答案：裝料|熔化|縮頸|放肩|轉(zhuǎn)肩|等徑生長(zhǎng)|收尾

113.硅片腐蝕工序主要是為了去除（）和超聲波清洗未去凈的（）。

答案：硅片表面的損傷層I部分雜質(zhì)

114.SiC在多線(xiàn)（）中的作用是切割，硅片切割三大耗材分別是（）、（）和（）。

答案：切割I(lǐng)鋼線(xiàn)I切割液I碳化硅

115.制絨的原理：（）

答案：陷光原理

116.太陽(yáng)電池中沉積的SiNx膜是一種（），既是（），又是（），還是（）。

答案：多功能膜I減反射膜I掩蔽膜I鈍化氫源

117.硅片線(xiàn)切割所需的砂漿是由硬度極高的顆粒料和（）（）組成；常用的磨蝕

材料是金剛石或（）

答案：懸浮液I/切割液I碳化硅

118.制備單晶硅的方法：（）、（），常用的是直拉法。

答案：區(qū)熔法|直拉法

119.直拉單晶爐的熱場(chǎng)系統(tǒng)包括：（）、（）、（）、（）、（）和（）

答案：石墨加熱器I土甘煙I石墨托I保溫罩I保溫蓋I石墨電極

120.N型半導(dǎo)體摻入（）元素，多子為（），少子為（）。

答案：五價(jià)I電子I空穴

121.擴(kuò)散形成的PN結(jié)的（）與O稱(chēng)為結(jié)深。

答案：幾何位置|擴(kuò)散層表面的距離

122.砂漿是（）和（）按照一定比例均勻混合。

答案：切割液I碳化硅

123.鹽酸在清洗液中起酸性介質(zhì)作用和（）。

答案：絡(luò)合作用

124.切割液的功能：（）、（）、（）、（）。

答案：高懸浮I高潤(rùn)滑I高分散I高冷卻

125.保溫罩的作用是（）；理想的保溫材料是（）

答案：減少熱量的損失I碳?xì)?/p>

126.位于電池上表面柵線(xiàn)電極形狀設(shè)計(jì)應(yīng)考慮電池（）和（）兩方面因素，應(yīng)盡

量提高金屬電極的（）。

答案：電學(xué)損失|化學(xué)損失|高寬比

127.冶金法提純多晶硅的兩種典型工藝：（）、（）。

答案：熱交換定向凝固I電磁感應(yīng)等離子技術(shù)

128.擴(kuò)散制結(jié)的主要擴(kuò)散條件：（）、（）、（）和（）。

答案：擴(kuò)散方法I擴(kuò)散雜質(zhì)源I擴(kuò)散溫度I擴(kuò)散時(shí)間

129.連續(xù)加料直拉單晶硅生長(zhǎng)的技術(shù)有（）三種。

答案：連續(xù)固態(tài)加料，連續(xù)液態(tài)加料和雙土甘煙液態(tài)加料

130.太陽(yáng)能電池發(fā)電原理：（）

答案：光生伏特效應(yīng)

131.擴(kuò)散的目的是在P（）型襯底上擴(kuò)散N（）型雜質(zhì)形成（）。

答案：N|P|PN結(jié)

132.多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的

（）,（）和（）等才能確定。

答案：晶面方向|導(dǎo)電類(lèi)型|電阻率

133.刻蝕的目的：去（）和（）。

答案：除磷硅玻璃層I去除周邊的PN結(jié)

134.高純多晶硅的制作流程：（）

答案：石英砂T冶金砂T中間產(chǎn)物T硅

135.在多晶硅的制絨過(guò)程中，腐蝕是硅的氧化過(guò)程和氧化物的溶解過(guò)程，硅的氧

化過(guò)程由（）實(shí)現(xiàn)，氧化物的溶解過(guò)程是由（）實(shí)現(xiàn)；

答案：氧化劑/硝酸/雙氧水|HF

136.多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)：（））、（）、（）

答案：改良西門(mén)子法（三氯氫硅氫還原法也對(duì)I硅烷法I四氯化氫硅還原法

137.含醇添加劑的（）溶液主要成分包括NaOH、（））、（）。

答案：NaOH|IPA異丙醇|Na2Si03

138.晶體硅太陽(yáng)電池的背電極是（）。

答案：正極

139切削液三大特性:（）、（）、（）。

答案：冷卻I潤(rùn)滑I吸附

140.在晶體硅太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中，常采用兩步擴(kuò)散法來(lái)制備pn結(jié)，第一步

是（），第二步是（）。

答案：預(yù)沉積I推進(jìn)擴(kuò)散/再分布

141.晶體硅太陽(yáng)電池整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈包括（）、（）、（）、（）。

答案：硅的提純I硅棒的制備和切片I電池片的制備I光伏系統(tǒng)

142.線(xiàn)切割多需輔材主要是（）

答案：鋼線(xiàn)、切割液、砂漿。

143.太陽(yáng)電池和組件的制造包括（）、（）

答案：太陽(yáng)電池材料的制造I太陽(yáng)電池器件的制造

簡(jiǎn)答題

1.在直拉單晶硅的制備過(guò)程中，最后為什么要進(jìn)行收尾。

答案：?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)完成時(shí)，如果晶體硅突然脫離硅熔體液面，其中斷處受到很大

的熱應(yīng)力，超過(guò)硅中位錯(cuò)產(chǎn)生的臨界應(yīng)力，導(dǎo)致大量位錯(cuò)在界面處產(chǎn)生，同時(shí)位

錯(cuò)向上部單晶部分方向延伸，延伸的距離一般能達(dá)到一個(gè)直徑。因此，在晶體硅

生長(zhǎng)結(jié)束時(shí)，要逐漸縮小晶體硅的直徑，直至很小的一點(diǎn)，然后脫離液面，完成

單晶硅生長(zhǎng)

2.光生伏特效應(yīng)

答案：當(dāng)光照射PN結(jié)，只要入射光子能量大于材料禁帶寬度，就會(huì)在結(jié)區(qū)激發(fā)

電子一空穴對(duì)。這些非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，空穴順著電場(chǎng)運(yùn)動(dòng)，在

開(kāi)路狀態(tài)，最后在N區(qū)邊界積累光生電子，在P區(qū)邊界積累光生空穴，產(chǎn)生一個(gè)

與內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。即在P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生了光生電壓U℃,這

就是PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。

3.鑄造多晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)：

答案：優(yōu)點(diǎn)：成本相對(duì)低，光電轉(zhuǎn)換效率高，生長(zhǎng)簡(jiǎn)便，易于大尺寸生長(zhǎng)和自動(dòng)

化生長(zhǎng)和控制，材料損耗小。缺點(diǎn)：具有晶界，高密度的位錯(cuò)，微缺陷和相對(duì)較

高的雜質(zhì)濃度。因而鑄造多晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率比單晶硅太陽(yáng)電池低。

4.p-n結(jié)的制備方法有哪些？晶體硅太陽(yáng)電池制備p-n常采用哪種方法？

答案：合金法、擴(kuò)散法、離子注入法和薄膜生長(zhǎng)法；常用擴(kuò)散法。

5.酸性腐蝕液中硝酸和氫氟酸的作用。

答案：硝酸的作用是將硅氧化為二氧化硅，反應(yīng)：3Si+4HN03->3Si02+2H20+4N0

T氫氟酸能腐蝕二氧化硅：Si02+6HFTH2[SiF6]+2H20o

6.銀電極與硅接觸的形成機(jī)理

答案：①有機(jī)物揮發(fā)②玻璃料在減反射膜表面聚焦③玻璃料腐蝕穿過(guò)減反射膜④

玻璃料通過(guò)與硅發(fā)生氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕坑⑤Ag晶粒在冷卻過(guò)程中腐蝕坑處

結(jié)晶

7.恒定雜質(zhì)總量擴(kuò)散的主要特點(diǎn)：

答案：（1）在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中，雜質(zhì)總量a保持不變。（2）擴(kuò)散時(shí)間越長(zhǎng)，

擴(kuò)散溫度越高，則雜質(zhì)擴(kuò)散越深，表面濃度越低。（3）表面雜質(zhì)濃度可控。

8.麗娜設(shè)備濕法刻蝕每個(gè)槽的作用及工藝控制

答案：刻蝕槽：所用溶液為HF+HN03+H2s04,邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電

流朝同一方向流動(dòng)堿洗槽：K0H噴淋中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液，去

除硅片表面的多孔硅及其雜質(zhì)，去除擴(kuò)散形成的染色，K0H溶液依靠冷卻水降溫

保持在20℃左右酸洗槽：HF循環(huán)沖刷噴淋中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿

液，去除硅片表面的磷硅玻璃。

9.多晶硅太陽(yáng)電池清洗制絨的工序過(guò)程？

答案：酸腐蝕（硝酸和氫氟酸）制絨、水洗、堿洗（K0H溶液）、水洗、Hcl和

HF溶液浸泡、水洗、風(fēng)刀吹干

10.簡(jiǎn)述區(qū)熔單晶硅和直拉單晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)

答案：區(qū)熔單晶硅：優(yōu)點(diǎn)：純度高，電學(xué)性能均勻，光電轉(zhuǎn)換效率高缺點(diǎn)：直徑

小，機(jī)械加工性差，成本高。直拉單晶硅：優(yōu)點(diǎn)：電池效率高，工藝穩(wěn)定成熟。

缺點(diǎn)：成本相對(duì)較高。

11.太陽(yáng)電池制造中的‘兩步擴(kuò)散'工藝過(guò)程，

答案：（1）采用恒定表面源擴(kuò)散的方式，在硅片表面淀積一定數(shù)量Q的雜質(zhì)原

子，擴(kuò)散溫度較低，擴(kuò)散時(shí)間較短，雜質(zhì)原子在硅片表面的擴(kuò)散深度極淺。相當(dāng)

于淀積在表面，稱(chēng)為預(yù)擴(kuò)散。（2）是有限表面源擴(kuò)散，經(jīng)預(yù)淀積的硅片在擴(kuò)散

爐內(nèi)再加熱，使雜質(zhì)向硅片內(nèi)部擴(kuò)散，重新分布達(dá)到所要求的表面濃度和擴(kuò)散深

度，稱(chēng)為主擴(kuò)散或再分布。

12.#簡(jiǎn)述太陽(yáng)電池組件的封裝工藝。

答案：（1）太陽(yáng)電池分類(lèi)和分選（2）材料裁剪（3）電極焊接（4）組件疊層（5）

組件層壓（6）組件修邊、安裝外框和接線(xiàn)盒

13.鑄造多晶硅生長(zhǎng)時(shí)，防止溫度梯度的方法?

答案：（1）生長(zhǎng)系統(tǒng)必須很好地隔熱，以便保持熔硅內(nèi)溫度的均勻性。（2）應(yīng)

保證在晶體部分凝固，熔體體積減小后，溫度沒(méi)有變化。

14.半導(dǎo)體的導(dǎo)電特征

答案：（1）導(dǎo)帶上的電子參與導(dǎo)電（2）價(jià)帶上的空穴參與導(dǎo)電（3）半導(dǎo)體具

有電子和空穴兩種載流子（4）金屬只有電子一種載流子

15.干法刻蝕的影響因素

答案：射頻功率：功率過(guò)高，對(duì)硅片損傷變大，增加結(jié)區(qū)復(fù)合；功率過(guò)小，等離

子體不穩(wěn)定，分布不均，刻蝕不均勻刻蝕時(shí)間：刻蝕時(shí)間越長(zhǎng)，對(duì)硅片造成損傷

影響越大；刻飾時(shí)間過(guò)短，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降工藝壓力：壓力取決于通氣量和泵

的抽速，合理的壓力設(shè)定值可以增加對(duì)反應(yīng)速率的控制、增加反應(yīng)氣體的有效利

用率等。氣體流量：合適的流量和氣體通入的時(shí)間比會(huì)很大程度上影響刻蝕面的

側(cè)壁形貌、反應(yīng)速率等

16.鑄造多晶硅中氫的鈍化作用：

答案：（1）氫與氧結(jié)成復(fù)合體，氫促進(jìn)氧的擴(kuò)散，對(duì)氧沉淀和氧施主有促進(jìn)作

用。（2）氫可鈍化晶界，位錯(cuò)和電活性雜質(zhì)的電學(xué)性能。（3）氫原子與雜質(zhì)、

缺陷的未飽和的懸掛鍵結(jié)合，導(dǎo)致雜質(zhì),缺陷電學(xué)性質(zhì)的鈍化。（4）氫可鈍化

晶體硅的表面。

17.為什么用PECVD方法制備的SiNx膜可適用反射膜？

答案：（1）折射率大⑵掩蔽作用好⑶沉積溫度低⑷增強(qiáng)鈍化效果

18.內(nèi)外吸雜技術(shù)的比較：

答案：（1）內(nèi)吸雜不用附加的設(shè)備（2）不引入額外的金屬雜質(zhì)（3）吸雜效果

能保持到最后

19.鑄造多晶硅生長(zhǎng)時(shí)需要解決的主要問(wèn)題？

答案：（1）盡量均勻的固液界面溫度（2）盡量小的熱應(yīng)力（3）盡量大的晶粒

（4）盡可能少的來(lái)自于土甘堪的污染

20.直拉單晶硅的制備工藝流程是什么；在保持晶體直徑不變的這個(gè)階段，哪些

因素可能影響單晶硅的質(zhì)量。

答案：多晶硅的裝料-?熔化T種晶T縮頸T放肩T等徑T收尾①晶體硅徑向的熱

應(yīng)力；②單晶爐內(nèi)的細(xì)小顆粒。

21.燒結(jié)原理與目的

答案：原理：銀漿，銀鋁漿，鋁漿印刷過(guò)的硅片，經(jīng)過(guò)烘干使有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，

膜層收縮成為固狀物緊密物黏附在硅片上，此時(shí)金屬電極材料層和硅片接觸在一

起，即燒結(jié)。目的：干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形

成良好的歐姆接觸。

22.碳化硅具有足夠的切割能力的綜合要素：

答案：（1）集中度或微分分布。（2）等效粒徑的大小。（3）圓度系數(shù)。（4）

表面較為潔凈SiC的類(lèi)型及含量。

23.簡(jiǎn)述磷吸雜的缺陷

答案：（1）多晶硅體內(nèi)含有高密度的亞晶界或小角晶界，吸雜效果差。（2）當(dāng)

材料本身位錯(cuò)密度大于106時(shí)，磷吸雜可能無(wú)效。（3）存在一個(gè)臨界氧濃度，

高于此濃度吸雜效果不明顯。（4）對(duì)晶體硅中金屬含量較多時(shí)，吸雜效果不是

特別有效。（5）成本考慮，吸雜時(shí)間不能長(zhǎng)。

24.刮刀的功能

答案：①壓迫絲網(wǎng)使絲網(wǎng)接觸印刷基板②擠壓漿料使?jié){料透過(guò)絲網(wǎng)印刷到基板上

③把多余的漿料推到絲網(wǎng)前部

25.濕法刻蝕與等離子體干法刻蝕相比的優(yōu)缺點(diǎn)。

答案：優(yōu)點(diǎn)：（1）能避免等離子刻蝕對(duì)電池邊緣的損傷，有效保護(hù)了正面PN

結(jié)，增大了電池受光面積。（2）提高電池的短路電流和開(kāi)路電壓。（3）硅片清

潔度高。（4）節(jié)水缺點(diǎn)：（1）硅片水平運(yùn)行，機(jī)碎高。（2）傳動(dòng)滾軸易變形。

（3）成本高。

26.減反射膜的作用和目的#

答案：在硅片表面沉積一層氮化硅薄膜，利用光學(xué)增透原理，減少光線(xiàn)反射，并

同時(shí)起到硅片表面的鈍化作用，有利于提高轉(zhuǎn)換效率。

27.晶體硅太陽(yáng)電池組件的制備過(guò)程及所需的主要材料？

答案：1）備料，電池分選，單焊，串焊，檢驗(yàn)，疊層，層壓，檢驗(yàn)，去毛邊，

裝框，安裝接線(xiàn)盒，測(cè)試，包裝入庫(kù)；2）鋼化玻璃、EVA、TPT、鋁邊框、接線(xiàn)

盒、焊帶。

28.直拉法的基本原理

答案：將原生多晶硅料放在石英土甘煙中加熱熔化，并獲得一定的過(guò)熱度，待溫度

達(dá)到平衡后，將固定在提拉桿上的籽晶浸人熔體中，發(fā)生部分熔化后，緩慢向上

提拉籽晶，并通過(guò)籽晶和上部籽晶桿散熱，與籽晶接觸的熔體首先獲得一定的過(guò)

冷度而發(fā)生結(jié)晶，不斷提升籽晶拉桿，使結(jié)晶過(guò)程連續(xù)進(jìn)行。

29.單晶與多晶制絨的區(qū)別:

答案：（1）單晶是堿制絨，利用單晶片各向異性的腐蝕特性由強(qiáng)堿對(duì)硅片表面

進(jìn)行一系列的腐蝕。（2）多晶是堿制絨，利用強(qiáng)酸腐蝕性酸混合液的各向同性

的腐蝕特性對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕。

30.金屬粉體材料的選擇必備條件。

答案：能與硅形成歐姆接觸，接觸電阻小，可焊性強(qiáng)，成本低廉，污染小，導(dǎo)電

率高，接觸牢固和化學(xué)穩(wěn)定性好，材料本身純度高。

31.CZ法單晶硅熔硅中雜質(zhì)的引入主要由幾種機(jī)制共同作用？

答案：（1）原生多晶硅料中所含的雜質(zhì)在熔化時(shí)熔入硅料。（2）在高溫下，用

煙直接接觸熔硅發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生各種雜質(zhì)。（3）石墨和保溫材料中的碳和其他雜

質(zhì)在高溫下也極易揮發(fā)出來(lái)。（4）硅中的Si02從熔硅自由表面揮發(fā)，氣氛中的

CO再熔入熔硅中。

32.晶體硅太陽(yáng)電池制備的工藝流程是。

答案：清洗制絨、擴(kuò)散制備pn結(jié)、去邊與去磷硅玻璃、沉積氮化硅鈍化減反射

層、絲網(wǎng)印刷前后電極和烘干、燒結(jié)、測(cè)試分選。

33.影響單晶硅制絨面的主要因素：

答案：（1）腐蝕液中酸或NaOH的溶液。（2）緩沖劑無(wú)水乙醇或異丙醇的濃度。

（3）制絨槽內(nèi)硅酸鈉的累計(jì)量。（4）制絨腐蝕的溫度及時(shí)間。（5）槽體密封

性能和乙醇或異丙醇的揮發(fā)程度。

34.熱對(duì)流對(duì)直拉單晶硅的影響？

答案：（1）在晶體硅生長(zhǎng)時(shí)。由于熔體中存在熱對(duì)流，將導(dǎo)致在晶體硅生長(zhǎng)界

面處溫度的波動(dòng)和起伏，在晶體硅中形成雜質(zhì)條紋和缺陷條紋。（2）熱對(duì)流加

劇熔體硅與石英珀煙作用，使得熔體硅雜質(zhì)中氧濃度增加，最終熔進(jìn)晶體硅中。

35.晶體硅太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)從上往下依次是什么？

答案：柵線(xiàn)（正電極），減反射層、絨面、N型層（N區(qū)）、pn結(jié)、P型層（p

區(qū)）、AI背場(chǎng)及背電極。

36.簡(jiǎn)述單晶爐熱場(chǎng)滿(mǎn)足的三個(gè)條件

答案：（1）在生長(zhǎng)界面附近的熔體有一定的過(guò)冷度，而界面附近以外的熔體必

須高于熔點(diǎn)。（2）在熔硅中徑向溫度梯度應(yīng)盡可能小，而縱向溫度梯度應(yīng)盡可

能大。（3）為保證硅材料能夠全部熔化，加熱器應(yīng)該有合適的電阻值來(lái)確保加

熱功率的輸出，以及滿(mǎn)足拉晶需求的徑向溫度梯度和縱向溫度梯度。因此加熱器

的總電阻必須與主電源變壓器的額定電流和額定電壓相匹配，以達(dá)到最佳輸出功

率。

37.互連條和匯流條的作用。

答案：互連條和匯流條也稱(chēng)為焊帶，都是在電極之間起電連接作用，互連條是收

集單個(gè)電池片上的電荷并將電池片互相連接成電池片：匯流條是搜集電池片的電

流井連接到組件接線(xiàn)盒和銅合金。

38.硅烷的制備方法

答案：SiCI4氫化法，硅合金分解法，氫化物還原法，硅的直接氫化法，SiCI4

氧化法

39.什么是流化床

答案：利用氣體或者液體通過(guò)顆粒狀固體層而使固體顆粒處于懸浮運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，進(jìn)

行氣固相反應(yīng)或者液固相反應(yīng)過(guò)程的反應(yīng)器。

40.鑄造多晶硅的兩種制備方法:

答案：（1）澆鑄法：在一個(gè)土甘煙內(nèi)將硅原料熔化，然后澆鑄在另一個(gè)經(jīng)過(guò)預(yù)熱

的土甘煙內(nèi)冷卻，通過(guò)控制冷卻速率,采用定向凝固技術(shù)制備大晶粒的鑄造多晶硅。

（2）直熔法：在土甘期內(nèi)直接將多晶硅熔化，然后通過(guò)土甘煙底部的熱交換等方式，

使得熔化體冷卻，采用定向凝固技術(shù)制造多晶硅。

41.硅片表面沾污的雜質(zhì)類(lèi)型有哪些？

答案：①油脂、松香、蠟、聚乙二醇等有機(jī)物；②金屬、金屬離子及一些無(wú)機(jī)化

合物；③塵埃及其他顆粒（硅，碳化硅）等。

42.什么是方塊電阻，結(jié)深，死層？

答案：方塊電阻也叫擴(kuò)散薄層電阻，是指表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向

上所呈現(xiàn)的電阻。擴(kuò)散形成的PN結(jié)的幾何位置與擴(kuò)散層表面的距離稱(chēng)為結(jié)深。

硅太陽(yáng)電池的發(fā)射區(qū)n+是磷擴(kuò)形成的高濃度淺結(jié)區(qū)域。在這種擴(kuò)散區(qū)中，由于

不活潑磷原子處于晶格間隙位置，會(huì)引起晶格缺陷，而且，由于磷和硅的原子半

徑不匹配，高濃度的磷還會(huì)造成晶格匹配。因此，在硅電池表層中，少數(shù)載流子

的壽命極低，表層吸收短波光子所產(chǎn)生的光生載流子對(duì)電池的光電流輸出貢獻(xiàn)甚

微，此表層稱(chēng)為‘死層'。

43.單晶硅太陽(yáng)電池清洗制絨的工序和制絨的目的？

答案：工序流程：堿腐蝕（氫氧化鈉）制絨、水洗、酸洗（Hcl溶液）、7K洗、

HF溶液浸泡、水洗、風(fēng)刀吹干（4分）；制絨目的：減小光的反射。（2分）

44.簡(jiǎn)述影響酸性腐蝕液腐蝕速率的因素？

答案：（1）決定腐蝕速率的首要因素是被腐蝕材料及腐蝕劑的性質(zhì)。（2）腐蝕

劑的溫度。（3）被腐蝕材料的表面狀況，攪拌等因素。

45.恒定表面濃度擴(kuò)散的特點(diǎn):

答案：（1）表面雜質(zhì)濃度可近似地取其擴(kuò)散溫度下的固溶度。（2）擴(kuò)散時(shí)間越

長(zhǎng)或擴(kuò)散溫度越高，雜質(zhì)擴(kuò)散越深。（3）擴(kuò)散時(shí)間越長(zhǎng)，擴(kuò)散溫度越高，擴(kuò)散

到硅片中的雜質(zhì)量越多。

46.什么是摻雜？

答案：摻雜是用一定的方式將所需的雜質(zhì)摻入硅基片的特定區(qū)域內(nèi)，并有規(guī)定的

數(shù)量和合適的分布，形成PN結(jié)。

47.硅片清洗制絨的目的（作用）

答案：（1）去除硅片表面有機(jī)物和金屬雜質(zhì)，消除硅片表面機(jī)械損傷層。（2）

減少太陽(yáng)電池表面對(duì)太陽(yáng)光反射，增加光能吸收，提高短路電流。

48.主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)

答案：刻蝕主要檢測(cè)硅片的減薄量、上升的方阻、硅片邊緣的PN型方阻上升標(biāo)

準(zhǔn)：方阻上升5個(gè)以?xún)?nèi)減薄量標(biāo)準(zhǔn)：多晶0.05-0.1克邊緣PN型：顯示P

49.絲網(wǎng)印刷形成鋁背場(chǎng)的作用

答案：（1）背電場(chǎng)能產(chǎn)生與電池PN結(jié)光生電壓，從而提高了電池的開(kāi)路電壓。

（2）由于光生載流子受到背光電場(chǎng)加速，增加了載流子的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度。（3）

驅(qū)使少數(shù)載流子離開(kāi)表面，降低復(fù)合率，既增加了短路電流，又降低了暗電流。

50.土甘煙內(nèi)涂層的作用

答案：（1）隔離了熔硅體和石英土甘煙的直接接觸，解決了黏滯問(wèn)題，而且可以

降低多晶硅中的氧'碳雜質(zhì)濃度。（2）可使生堪重復(fù)利用，降低生產(chǎn)成本。

51.電極漿料燒結(jié)的原理

答案：原理：燒結(jié)可看作是原子從系統(tǒng)中不穩(wěn)定的高能狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樽杂赡茏畹蜖?/p>

態(tài)的過(guò)程。固體顆粒具有很大的比表面積，具有極不規(guī)則的復(fù)雜表面狀態(tài)以及在

顆粒的制造、細(xì)化處理等加工過(guò)程中受到的機(jī)械、化學(xué)、熱作用所造成的嚴(yán)重結(jié)

晶缺陷等而使系統(tǒng)具有很高的自由能。

52.如何防止硅片的金屬污染？

答案：（1）防止任何金屬工具與硅晶體直接接觸，應(yīng)使用特種塑料夾具，并避

免長(zhǎng)時(shí)間使用（2）盡量使用高純度的清洗劑，金屬雜質(zhì)濃度越低越好，并嚴(yán)格

控制清洗頻次（3）部分重要的金屬雜質(zhì)易于吸附在硅片表面，可在清洗劑中放

置些無(wú)用的破損硅片來(lái)除去或者減少清洗劑的金屬雜質(zhì)。（4）在進(jìn)行高溫處理

的爐腔內(nèi)，最好采用雙層石英玻璃以隔絕來(lái)自金屬加熱不見(jiàn)的污染。

53.使用HF的原因

答案：生產(chǎn)中常使用氫氟酸溶液濕法化學(xué)腐蝕除去這層厚度為20-40nm的氧化層。

氫氟酸對(duì)磷硅玻璃和硅具有選擇性反應(yīng)，只腐蝕主要成分為Si。2的磷硅玻璃，

而不會(huì)腐蝕硅，磷硅玻璃被腐蝕完后會(huì)自動(dòng)停止反應(yīng)。

54.多線(xiàn)切割基本原理

答案：通過(guò)一根高速運(yùn)動(dòng)的鋼線(xiàn)帶動(dòng)附著在鋼絲上的切割刃料（砂漿）對(duì)硅棒進(jìn)

行摩擦，從而達(dá)到切割效果。

55.絲網(wǎng)印刷的作用。

答案：（1）制備太陽(yáng)電池接觸電極。（2）通過(guò)電極收集并輸送電池的電流。（3）

燒穿SiNx膜，進(jìn)行氫鈍化，在電池背面形成背面場(chǎng)。

56.簡(jiǎn)述等離子體刻蝕基本作原理：

答案：等離子體刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF,的母體分子在射頻功率源的

激發(fā)下產(chǎn)生電離，并形成等離子體。等離子體由帶電的電子和離子所組成，反應(yīng)

腔體中的氣體在電子的撞擊下，分解成多種中性基團(tuán)和離子，并形成大量活性基

團(tuán)。

57.原子態(tài)的金屬雜質(zhì)從哪方面影響太陽(yáng)電池的性能：

答案：（1）影響載流子濃度（2）影響少數(shù)載流子的壽命

58.晶體中氧濃度的影響因素

答案：（1）固溶度隨溫度變化（2）分凝系數(shù)（3）對(duì)流（4）熔硅和土甘蝸接觸面

積（5）氧從液態(tài)硅表面的蒸發(fā)

59.擴(kuò)散方程的物理意義。

答案：存在濃度梯度的情況下，隨著時(shí)間的推移，某點(diǎn)x處雜質(zhì)原子濃度的增加

（或減少）是擴(kuò)散雜質(zhì)原子粒子在該點(diǎn)積累（或流失）的結(jié)果對(duì)應(yīng)于不同的初始

條件和邊界條件，擴(kuò)散方程通式有不同形式的解。

60.晶體硅太陽(yáng)電池的電極采用絲網(wǎng)印刷的方法制備，制備工藝流程是什么？

答案：工藝流程：絲印背銀、烘干、絲印背鋁、烘干、絲印正銀、烘干、燒結(jié)

61.簡(jiǎn)述單晶制絨絨面形成機(jī)理：

答案：（1）金字塔從硅片缺陷處產(chǎn)生。（2）缺陷和表面玷污造成金字塔形成。

（3）化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的硅水合物不易溶解，從而導(dǎo)致金字塔形成。（4）異丙醇和

硅酸鈉是產(chǎn)生金字塔的原因。

62.為什么采用HF區(qū)PSG?

答案：氫氟酸對(duì)磷硅玻璃和硅具有選擇性反應(yīng)，只腐蝕主要成分為SiOz的磷硅

玻璃而不會(huì)腐蝕硅，磷硅玻璃被腐蝕完后會(huì)自動(dòng)停止反應(yīng)。

63.簡(jiǎn)述擴(kuò)散工藝過(guò)程的原理?

答案：P0CI3在高溫下(>600℃)分解生成PCI5和P205：

5POCLy^3PCL+吵。2充足的情況下，陽(yáng)5

進(jìn)一步分解成P205并放出CI2：

過(guò)量O)

>2P,0+10C1,T

4PC15+50]S02不足的情況下,P0C

13熱分解時(shí)不充分，生成的PCI5不易分解，對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面

狀態(tài)。P205在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成Si02和P原子，并在硅片表面形成一

層磷-硅玻璃(PSG),然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散

2PO+5Si=5SiO+4PJ

252所以在磷擴(kuò)散時(shí)，為

了促使P0C13充分的分解和避免腐蝕硅片，必須保證02流量。

64.高純多晶硅采用西門(mén)子法的制備工藝過(guò)程?

答案：西門(mén)子法主要利用金屬硅和氯化氫反應(yīng)，生成化合物三氯氫硅，其化學(xué)反

應(yīng)式為：Si+3HCI=SiHCI3+H2將原始高純多晶硅(直徑約為5mm)通電加熱至11

00℃以上，通入中間化合物和高純氫氣，發(fā)生還原反應(yīng)，采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)

生成新的高純硅沉積在硅棒上，使得硅棒不斷長(zhǎng)大，直到硅棒的直徑達(dá)到150-2

00mm,制成半導(dǎo)體高純多晶硅。反應(yīng)方程式：SiHCI3+H2=Si+3HCI或2(SiH成3)

=Si+2HCI+SiCI4

65.PSG是如何形成

答案：在P型硅片上制備PN結(jié)的擴(kuò)散過(guò)程中，P0CI_3分解產(chǎn)生的P&淀積在硅片

表面，P2O5與Si反應(yīng)生成Si。2和磷原子，形成了磷硅玻璃。

66.防止正面pn結(jié)被腐蝕的方法

答案：掩蔽正面PN結(jié)是采用涂黑膠并烘干的方法。

67.磷吸雜的特點(diǎn)

答案：（1）由于費(fèi)米能級(jí)的影響而在重磷擴(kuò)散的區(qū)域引起固溶度的提高。（2）

磷擴(kuò)散產(chǎn)生的位錯(cuò)具有吸雜作用。（3）硅自間隙原子的注入吸雜。

68.刻蝕的目的及方法

答案：目的：刻蝕作為太陽(yáng)電池生產(chǎn)中的第三道工序，其主要作用是去除擴(kuò)散后

硅片四周的N型硅，防止漏電。方法：干法刻蝕，濕法刻蝕

69.簡(jiǎn)述PECVD方法制備SiNx膜的原理。

答案：PECVD沉積技術(shù)的原理是利用輝光放電產(chǎn)生低溫等離子體，在低氣壓下將

硅片置于輝光發(fā)電的陰極上，借助于輝光發(fā)電加熱或另加發(fā)熱體加熱硅片，是硅

片達(dá)到預(yù)定溫度，然后通入適量反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)過(guò)一系列反應(yīng)，在硅片表面形

等離子體450℃

成固態(tài)薄膜，反應(yīng)式為：3SiH4+4NH3-------------^Si3N4+12H2

70.什么