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文檔簡介
2023甘肅省集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項樣題1
集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項來源于集成電路行業(yè)真實工作任務(wù),由
“集成電路設(shè)計與仿真”、“集成電路工藝仿真”、“集成電路測試”
及“集成電路應(yīng)用”四部分組成。
第一部分集成電路設(shè)計與仿真
使用集成電路版圖設(shè)計軟件,根據(jù)下面計數(shù)器功能要求(計數(shù)器
初值和進制隨機抽?。褂弥付üに嘝DK,設(shè)計集成電路原理圖和
版圖,并進行功能仿真。
設(shè)計要求如下:
1.芯片引腳:1個CP時鐘輸入端;3個信號輸出端Q2、Q1、
Q0;1個VCC電源端;1個GND接地端。
2.功能要求:輸出端Q2、Q1、Q0由高到低組成狀態(tài)S(Q2Q1Q0),
S狀態(tài)范圍為1~7即二進制值(001)2~(111)2。CP上升沿計數(shù),
每次計數(shù)S的值自增m,若超過(111)2則再從(001)2繼續(xù)增加。
初始狀態(tài)S0由比賽現(xiàn)場裁判長抽取的任務(wù)參數(shù)確定,m值由
比賽現(xiàn)場裁判長抽取的任務(wù)參數(shù)從1~6之中確定。
3.仿真設(shè)置:VCC為+5V,CP為1kHz。
4.通過DRC檢查和LVS驗證。
5.使用MOS管數(shù)量應(yīng)盡量少。
6.所設(shè)計版圖面積應(yīng)盡量小。
現(xiàn)場評判要求:
1.只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗證
結(jié)果、版圖及尺寸。
1
2.不能進行增加、刪除、修改、連線等操作。
參數(shù)抽取舉例:
如圖1-1所示,現(xiàn)場抽取初始狀態(tài)S0=110,現(xiàn)場抽取m值為3;
則第一個CP上升沿到來后,S值自增3次(111、001、010)變?yōu)?/p>
(010)2;第二個CP上升沿到來后,S值自增3次(011、100、101)
變?yōu)?01;第三個CP上升沿到來后,S值自增3次(110、111、001)
變?yōu)?01;以此類推,繼續(xù)循環(huán)計數(shù)。注意:上述自增3次的過程僅
供分析參考,并不體現(xiàn)在電路時序中。
S0(Q2Q1Q0)
抽取結(jié)果
待抽取參數(shù)
(舉例)110
011010
初始狀態(tài)值
110
S0(Q2Q1Q0)
111101
每次自增m值3
100001
圖1-1舉例說明狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖
2
第二部分集成電路工藝仿真
選擇題應(yīng)根據(jù)工藝問題或視頻片斷選擇適合的答案,漏選、多選、
錯選均不得分。仿真操作題應(yīng)根據(jù)題目要求,按照集成電路工藝規(guī)范,
在交互仿真平臺進行仿真操作。
1.(單選)視頻展示的是封裝工藝中引線鍵合的操作過程,其中現(xiàn)
象②表示的環(huán)節(jié)是()。
A.燒球
B.植球
C.走線
D.壓焊
2.(單選)在顯影后檢查的視頻中,發(fā)現(xiàn)有異?,F(xiàn)象,其中造成①
標注現(xiàn)象的原因可能是什么?
A.選錯對位標記
B.對準偏差
C.顆粒沾污
D.前道涂膠異常
3.(單選)視頻結(jié)尾處為某工藝設(shè)備的操作界面,若此時需要打開
該設(shè)備載片臺的真空系統(tǒng),應(yīng)點擊()號位置的按鍵。
A.①
B.②
C.③
D.④
3
4.(單選)視頻展示的裝片機外觀中,進行芯片粘接動作的位置是
()標注的區(qū)域。
A.①
B.②
C.③
D.④
5.(單選)視頻中是塑料封裝時的操作,如果在視頻結(jié)尾處時未及
時取塑封料,而是靜置一段時間后再將塑封料投入塑封機,此時
可能會造成()。
A.塑封體氣泡
B.塑封體上的打標字跡模糊
C.塑封溢料
D.塑封料流動性差
6.(多選)在視頻中,沒有被粘接而留在藍膜上的晶??赡艽嬖诘?/p>
不良現(xiàn)象是什么?
A.崩邊
B.缺角
C.針印過深
D.針印偏出PAD點
4
7.(多選)視頻中表述的是在晶圓外檢過程中使用油墨筆進行打點
的操作。在操作過程中,如果跳過標注為①的操作,可能會出現(xiàn)
怎樣的異?,F(xiàn)象?
A.無影響
B.墨點沾污到其他合格晶粒
C.墨點偏大
D.墨點偏小
8.(多選)視頻表述的是封裝工藝中引線鍵合的操作過程,其中①
指示的部位是()。
A.第一焊點
B.第一鍵合點
C.第二焊點
D.第二鍵合點
9.(多選)晶圓劃片后對其外觀進行檢查,觀察到視頻中的不良現(xiàn)
象,出現(xiàn)該異常的原因可能有()。
A.載片臺步進過大
B.劃片刀磨損
C.劃片刀轉(zhuǎn)速過大
D.冷卻水流量過小
10.(多選)激光打標是為芯片打上標識的過程,當大量出現(xiàn)視頻中
①標注的現(xiàn)象時,下列操作正確的有()。
5
A.繼續(xù)完成本批次作業(yè)
B.暫停設(shè)備作業(yè)
C.將存在該問題的芯片報廢處理
D.技術(shù)人員檢修光路
11.(仿真操作)晶圓打點—故障結(jié)批:集成電路制造晶圓測試工藝
打點環(huán)節(jié)故障處理和作業(yè)結(jié)批
12.(仿真操作)芯片粘接——設(shè)備運行:集成電路制造封裝工藝芯
片粘接部分裝片機設(shè)備運行
13.(仿真操作)曝光—設(shè)備運行:集成電路制造流片工藝光刻部分
曝光環(huán)節(jié)的曝光機設(shè)備運行過程
6
14.(仿真操作)干法刻蝕—故障與結(jié)批:集成電路制造流片工藝刻
蝕部分的干法刻蝕操作過程中故障排除和作業(yè)結(jié)批
15.(仿真操作)晶圓劃片—參數(shù)設(shè)置:集成電路制造封裝工藝的晶
圓劃片部分參數(shù)設(shè)置
7
第三部分集成電路測試
參賽選手從現(xiàn)場下發(fā)的元器件中選取待測試芯片及工裝所需元
件和材料,參考現(xiàn)場下發(fā)的技術(shù)資料(芯片手冊、元器件清單等),
在規(guī)定時間內(nèi),按照相關(guān)電路原理與電子裝接工藝,設(shè)計、焊接、調(diào)
試工裝板,搭建和配置測試環(huán)境,使用測試儀器與工具,實施并完成
測試任務(wù)。
集成電路測試共分為數(shù)字集成電路測試和模擬集成電路測試兩
項子任務(wù)。
子任務(wù)一:數(shù)字集成電路測試
待測芯片:加法器(例如:CD74HC283E)
參數(shù)測試
(1)開短路測試
(2)VOL輸出低電平電壓測試
(3)IOH輸出高電平電流測試
(4)IIH輸入高電平電流測試
功能測試
設(shè)計、焊接、調(diào)試完成測試工裝,搭建并配置測試環(huán)境,測試芯
片邏輯功能,應(yīng)設(shè)置輸入引腳、控制引腳狀態(tài),記錄輸出引腳電壓值
并標注單位。
子任務(wù)二:模擬集成電路測試
待測芯片:LM358
LM358是雙運算放大器。內(nèi)部包括有兩個獨立的、高增益、內(nèi)部
頻率補償?shù)倪\算放大器,適合于電源電壓范圍很寬的單電源使用,也
適用于雙電源工作模式,在推薦的工作條件下,電源電流與電源電壓
8
無關(guān)。它的使用范圍包括傳感放大器、直流增益模塊和其他所有可用
單電源供電的使用運算放大器的場合。
參數(shù)測試
(1)輸入失調(diào)電壓
(2)輸入失調(diào)電流
(3)電源供電電流
(4)輸出短路電流
(5)輸出電壓范圍
(6)共模抑制比
(7)電源抑制比
(8)開環(huán)增益
應(yīng)用電路測試
利用比賽現(xiàn)場提供的LM358芯片、萬能板、各類阻容元件、晶體
管器件等,搭建一個300mA的恒流源。
測試并記錄以下數(shù)據(jù);
(1)恒流源輸出電流穩(wěn)定性。
(2)負載兩端的電壓以及紋波系數(shù)。
(3)恒流源的效率。
9
第四部分集成電路應(yīng)用
集成電路應(yīng)用任務(wù)要基于單片機(LK32T102或stm32f103c8t6)
及運放(LM358)等設(shè)計一款頻率及幅度可調(diào)方波信號發(fā)生器。
參賽選手利用LM358、LK32T102或stm32f103c8t6、AMS1117
等集成電路芯片及4位8段數(shù)碼管模塊搭建方波信號發(fā)生器,編寫控
制程序,實現(xiàn)頻率、占空比可調(diào)等功能。
1.數(shù)碼管顯示部分如圖4-1和圖4-2所示。
0000000
圖4-1頻率顯示圖4-2占空比顯示
2.實現(xiàn)過程
(1)開機初始化PWM、定時器等相關(guān)資源;
(2)通過上下按鍵切換需要設(shè)置參數(shù)欄;
(3)圖4-1所示是設(shè)置頻率參數(shù),設(shè)置完成后按下確認按鍵后立
即生效;
(4)圖4-2所示設(shè)置占空比參數(shù);
(5)以上兩個參數(shù)設(shè)置全部通過數(shù)字按鍵輸入?yún)?shù),程序內(nèi)判斷
輸入?yún)?shù)的范圍是否正確;
(6)設(shè)置完成后點擊打開輸出按鍵,即可正常輸出設(shè)置的方波;
(7)通過模式切換按鍵直接切換模式,切換后立即生效無需按下
確認按鍵。
3.說明
(1)
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