T∕CSTM 00036-2020 鈰摻雜鋁鎵酸釓閃爍晶體

ICS27.120.01Cerium-dopedgadoliniumaluminumgalliumgarnetscint2020-08-03發(fā)布I請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容有可能涉及專利。本文件的發(fā)布本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)建筑材料領(lǐng)域委員會(huì)（FC0鈰摻雜鋁鎵酸釓閃爍晶體GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T7896-2008人造光學(xué)石英晶體試驗(yàn)方法GB/T32642平板顯示器基板玻璃表面粗糙度的測(cè)量方法T/CSTM00033-2020核輻射探測(cè)用無機(jī)光學(xué)單晶術(shù)語GB/T4960.6-2008、GB/T13181-2002、GB/T13376-2008、JC/T2018-2010和T/CSTM00033- 屬于立方晶系和空間群Ia3d，化學(xué)式為Gd3(Ga,Al)5O12:Ce，簡(jiǎn)稱GGAG或GAGG。簡(jiǎn)稱中的前兩個(gè)G分別是Gd及Ga的縮寫，最后一個(gè)G表示該晶體為石榴石（Garnet）結(jié)構(gòu)。2....................................................................(1)ΔE是核輻射在閃爍體中所損失的能量，N是閃爍體在吸收核輻射能量后所產(chǎn)生的光子數(shù)。當(dāng)核輻射激發(fā)源為γ射線時(shí)，閃爍體的光產(chǎn)額通常以閃爍體吸收1MeV的入光子數(shù)來表達(dá)，光產(chǎn)額的單位為光子每兆電子伏（ph）；體的光產(chǎn)額通常以閃爍體吸收1keV的入射輻射能量后所產(chǎn)生的光子數(shù)來表達(dá)，光產(chǎn)額的單位L....................................................................(2)通常以閃爍體每吸收1MeV的入射輻射能量后所探測(cè)到的光電子數(shù)來表示，光輸出閃爍體參考樣品referencesamplesofs表征鈰摻雜鋁鎵酸釓晶體能夠區(qū)分不同能量，數(shù)值上可以表100%....................................................................(3)R——閃爍體能量分辨率；ΔE——全能峰分布譜的半高全寬，單位為千電子伏（keVΔP——全能峰分布譜的半高全寬，單位為道（channelE——全能峰分布譜峰值位置對(duì)應(yīng)的能量，單位為千電子伏（keV）；P——全能峰分布譜峰值位置對(duì)應(yīng)的道數(shù)，單位為道（channel）。4技術(shù)要求4.1外觀無無4.2包裹體單個(gè)包裹體的三維最大尺寸小于3mm，且單位體積(cm3)內(nèi)肉眼可見包裹體數(shù)不超過3個(gè)。4.3尺寸公差不大于±0.1mm。4.4粗糙度44.5密度4.6光產(chǎn)額注：在加工產(chǎn)品所用鈰摻雜鋁鎵酸釓晶體中以隨機(jī)加工取樣并測(cè)試相對(duì)光不大于12%（使用137Cs作為激發(fā)源，半高全寬FullWidthatHalfMaximum）。注：在加工產(chǎn)品所用鈰摻雜鋁鎵酸釓晶體中以采取隨機(jī)加工取樣分析方式品尺寸為27mm×15mm×2.4mm，其中27mm×2.4mm的兩個(gè)表面光學(xué)拋光，其余面細(xì)磨砂處理。5.1外觀5.2包裹體5.3尺寸公差尺寸公差的測(cè)試按JC/T2018-2010中5.5.4粗糙度5.5密度5.6光產(chǎn)額與相對(duì)光輸出閃爍衰減時(shí)間的測(cè)試按GB/T13181-2002中10.2的規(guī)定進(jìn)行（使用137Cs作為激發(fā)源），記錄晶體發(fā)1√√2√√3√√4√—5√—6√√7√√8√—c)在不改變工藝技術(shù)的情況下，每二十四個(gè)月至少進(jìn)從每批產(chǎn)品中用隨機(jī)抽樣方法抽取5件產(chǎn)品，按照本標(biāo)準(zhǔn)中技每批產(chǎn)品應(yīng)由同一批原料、相同工藝條件下連續(xù)6從每批產(chǎn)品中用隨機(jī)抽樣方法抽取5%（不足107.2.1產(chǎn)品檢驗(yàn)合格后，用無水乙醇把表面擦凈，用電容紙或珍珠紙包覆產(chǎn)品裝入包裝箱內(nèi)7.2.2每批產(chǎn)品應(yīng)有產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)報(bào)告，寫明：供需雙方名稱、產(chǎn)品名稱及規(guī)格、產(chǎn)品批號(hào)光產(chǎn)額的檢測(cè)A.1檢測(cè)環(huán)境條件A.2檢測(cè)儀器123A.3參考樣品鈰摻雜鋁鎵酸釓晶體，尺寸為27mm×15mm×2.4mm，27mm×2面細(xì)磨砂處理，采用GB/T13181—2002中測(cè)量A.4樣品準(zhǔn)備測(cè)試樣品尺寸及處理方式參考A.3參考樣品A.5檢測(cè)步驟8c)樣品的待耦合面與光電倍增管光窗e)137Cs放射源放置在鉛準(zhǔn)直器內(nèi)，根據(jù)計(jì)數(shù)率來調(diào)整放射源與樣品的距離，使得計(jì)數(shù)率在f)先測(cè)量參考樣品的多道能譜，確定參考樣品的全能峰峰值對(duì)應(yīng)的道數(shù)P0，與標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較g)分別測(cè)量每個(gè)樣品的脈沖幅度譜，確定全能峰峰值對(duì)應(yīng)的道數(shù)P；A.6參數(shù)計(jì)算A.6.1光產(chǎn)額與相對(duì)光輸出按照本標(biāo)準(zhǔn)3.3中計(jì)算光產(chǎn)額的方法及所使用的光電倍增管相應(yīng)參數(shù)，分別計(jì)算出每