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文檔簡介

1、本證半導體:純凈晶體結(jié)構的導體。 常用的有硅和鍺。在外電場的作用下,自由電子定向移動形成電子電流;從而破壞晶格間原有的共價鍵,出現(xiàn)電子的空位,稱為空穴??昭ㄒ策M行位置的相對移動,形成空穴電流。N型半導體:在本征半導體中加入+5價的元素,(磷,銻,砷)。使導體內(nèi)的每一個原子周圍除形成共價鍵之外,有一個游離的電子,N型半導體的多數(shù)載流子電子,少數(shù)載流子空穴。電子受力移動,留下施主雜質(zhì)帶正電 (不參與導電)。 所以,雜質(zhì)半導體,多數(shù)載流子主要取決于雜質(zhì)的濃度。少數(shù)載流子有共價鍵提供,其濃度取決于溫度。整個半導體內(nèi)先電中性。當達到平衡時,擴散運動與漂移運動的作用相等,通過界面的總載流子數(shù)為零,PN結(jié)的

2、電流為0;PN結(jié)交界區(qū)形成一個高阻區(qū),稱為耗盡層。 P型半導體本征半導體+微量正3價元素,晶格內(nèi)形成共價鍵時,少電子而多空穴,即為多數(shù)載流子。電子則為少數(shù)載流子。 雜質(zhì)元素稱為受主雜質(zhì),在外界能量的作用下形成空穴的移動,留下帶負電的雜質(zhì)離子。主要靠空穴導電,PN結(jié)P型與N型的交界處形成PN結(jié)。交界兩側(cè)電子與空穴濃度差懸殊,產(chǎn)生擴散運動。電子由N向P移動,形成P向N的電子電流。交界P,N分別留下(漂移)了不能移動且顯負,正的雜質(zhì)離子,從而形成N向P的自建電場,阻礙了擴散運動,中將達到二者平衡。擴散電容PN結(jié)的導電性正向電壓P接電源高電壓,N接電源低電壓,外加電場與自建場方向相反,阻擋層變窄,促進

3、多子擴散,PN結(jié)導通。反向電壓N接電源高電壓,P接電源低電壓反向電壓超過0.幾V時少子基本在電場作用下,形成漂移電流,少子不因為電壓變大而增多,反向電流基本不變,即飽和電流。外加電場與自建場方向相同,阻擋層變寬,促進少子漂移,PN結(jié)截止,電流方向與正向偏置時相反,稱為反向電流。少子成小電流,反向電流很小。擊穿特性雪奔擊穿(碰撞擊穿)少子能量過大,與原子碰撞,從而形成電子空穴對。如此連鎖反應,反向電流快速增加。電壓超過門限值,PN結(jié)擊穿 擊穿不一定PN結(jié)的損壞齊納擊穿(電場擊穿)原子間的價電子直接拉出,形成電子空穴對,反向電流急劇增加。勢壘電容工作在擊穿條件下,反向電流變化大,電壓卻變化很小,即

4、具有穩(wěn)壓性。穩(wěn)壓二極管二極管的應用:限幅電路 門電路三極管的結(jié)構及類型無論是PNP還是NPN型的三極管,都包含三個區(qū):發(fā)射區(qū)(c)、基區(qū)(b)和集電極區(qū)(e)。 集電結(jié) 發(fā)射結(jié)正向反向正向飽和狀態(tài)放大狀態(tài)反向反向放大截止狀態(tài) 三極管的接法: Ie=Ic+Ib(共基極電流放大系數(shù),共發(fā)射極電流放大系數(shù)) 1:發(fā)射結(jié)(c)重摻雜。三極管的放大作用 2:基區(qū)(e)很薄。 3:集電極面積大。 1:當Uce不變時,輸入回路中的電流Ib與電壓Ube之間的關 系曲線稱為輸入特性三極管的特性曲線: 2:當Ib不變時,輸出回路中的電流Ic與電壓Uce之間的關系 曲線稱為輸出特性直流分析:即靜態(tài)分析,基極電流Ib、集電極電流Ic=Ib,Uce。 電容 開路 (先畫出直流通路) 電感 短路 信號源 短路共設極的電路: 1、輸入電壓與輸出電壓反相。 2、頂部失真,輸入回路就出現(xiàn)開始失真。(飽和) Uce減小到極限 3、底部失

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