電子電路基礎(chǔ)知識05394

1、電子電路基礎(chǔ)知識電路基礎(chǔ)知識(一)電路基礎(chǔ)知識（1）電阻 導(dǎo)電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用、K、M表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。 第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6

2、-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。 第四部分:序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等 例如：R T 1 1 型普通碳膜電阻a1 二、電阻器的分類 1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。 2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。 3、實(shí)心電阻器：無機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器、有機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器。 4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。 三、主要特性參數(shù) 1、

3、標(biāo)稱阻值：電阻器上面所標(biāo)示的阻值。 2、允許誤差：標(biāo)稱阻值與實(shí)際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。 允許誤差與精度等級對應(yīng)關(guān)系如下：0.5%-0.05、1%-0.1(或00)、2%-0.2(或0)、5%-級、10%-級、20%-級 3、額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為5570的條件下，電阻器長期工作所允許耗散的最大功率。 線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、

4、1、2、5、10、25、50、100 4、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。 5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時，最高工作電壓較低。 6、溫度系數(shù)：溫度每變化1所引起的電阻值的相對變化。溫度系數(shù)越小，電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數(shù)，反之為負(fù)溫度系數(shù)。 7、老化系數(shù)：電阻器在額定功率長期負(fù)荷下，阻值相對變化的百分?jǐn)?shù)，它是表示電阻器壽命長短的參數(shù)。 8、電壓系數(shù)：在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，電壓每變化1伏，電阻器的相對變化量。 9、噪聲：產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏，包括熱噪聲和電流噪聲兩部分，熱噪聲是由于導(dǎo)體內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運(yùn)動，使導(dǎo)體任意兩

5、點(diǎn)的電壓不規(guī)則變化。 四、電阻器阻值標(biāo)示方法 1、直標(biāo)法：用數(shù)字和單位符號在電阻器表面標(biāo)出阻值，其允許誤差直接用百分?jǐn)?shù)表示，若電阻上未注偏差，則均為20%。 2、文字符號法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，其允許偏差也用文字符號表示。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。 表示允許誤差的文字符號 文字符號 D F G J K M 允許偏差 0.5% 1% 2% 5% 10% 20% 3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數(shù)，即零的個數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。

6、4、色標(biāo)法：用不同顏色的帶或點(diǎn)在電阻器表面標(biāo)出標(biāo)稱阻值和允許偏差。國外電阻大部分采用色標(biāo)法。 黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍(lán)-6、紫-7、灰-8、白-9、金-5%、銀-10%、無色-20% 當(dāng)電阻為四環(huán)時，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字， 第三位為乘方數(shù)，第四位為偏差。 當(dāng)電阻為五環(huán)時，最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字， 第四位為乘方數(shù)， 第五位為偏差。 五、常用電阻器 1、電位器 電位器是一種機(jī)電元件，他*電刷在電阻體上的滑動，取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。 1.1 合成碳膜電位器 電阻體是用經(jīng)過研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體表面而成，

7、該工藝簡單， 是目前應(yīng)用最廣泛的電位器。特點(diǎn)是分辯力高耐磨性好，壽命較長。缺點(diǎn)是電流噪聲，非線性大， 耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。 1.2 有機(jī)實(shí)心電位器 有機(jī)實(shí)心電位器是一種新型電位器，它是用加熱塑壓的方法，將有機(jī)電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機(jī)實(shí)心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可*性高、耐磨性好的優(yōu)點(diǎn)。但溫度系數(shù)大、動噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可*、高耐磨性的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電壓、電流。 1.3 金屬玻璃鈾電位器 用絲網(wǎng)印刷法按照一定圖形，將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點(diǎn)是：阻值范圍寬，耐熱性好，過載能力

8、強(qiáng)，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的電位器品種，缺點(diǎn)是接觸電阻和電流噪聲大。 1.4 繞線電位器 繞線電位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體，并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電阻小，精度高，溫度系數(shù)小，其缺點(diǎn)是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。 1.5 金屬膜電位器 金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點(diǎn)是分辯力高、耐高溫、溫度系數(shù)小、動噪聲小、平滑性好。 1.6 導(dǎo)電塑料電位器 用特殊工藝將DAP（鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機(jī)體上，加熱聚合成電阻膜，或?qū)AP電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的

9、實(shí)心體作為電阻體。特點(diǎn)是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長、動噪聲小、可*性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。 1.7 帶開關(guān)的電位器 有旋轉(zhuǎn)式開關(guān)電位器、推拉式開關(guān)電位器、推推開關(guān)式電位器 1.8 預(yù)調(diào)式電位器 預(yù)調(diào)式電位器在電路中，一旦調(diào)試好，用蠟封住調(diào)節(jié)位置，在一般情況下不再調(diào)節(jié)。 1.9 直滑式電位器 采用直滑方式改變電阻值。 1.10 雙連電位器 有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器 1.11 無觸點(diǎn)電位器 無觸點(diǎn)電位器消除了機(jī)械接觸，壽命長、可*性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。 2、實(shí)芯碳質(zhì)電阻器 用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個實(shí)

10、體的電阻器。 特點(diǎn)：價格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。 3、繞線電阻器 用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。 繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高， 穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點(diǎn)是高頻性能差，時間常數(shù)大。 4、薄膜電阻器 用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜電阻器 將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。 4.2 金屬膜電阻器。 用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。 金屬膜電阻比碳膜電

11、阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。 4.3 金屬氧化膜電阻器 在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負(fù)載能力強(qiáng)。 4.4 合成膜電阻 將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。 由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu)，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓， 高阻， 小型電阻器。 5、金屬玻璃鈾電阻器 將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。 耐潮濕， 高溫， 溫度系數(shù)小，主要應(yīng)用于厚膜電路。 6、貼片電阻SMT 片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可*的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成，電

12、極采用銀鈀合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好。 7、敏感電阻 敏感電阻是指器件特性對溫度，電壓，濕度，光照，氣體， 磁場，壓力等作用敏感的電阻器。 敏感電阻的符號是在普通電阻的符號中加一斜線，并在旁標(biāo)注敏感電阻的類型，如：t. v等。 7.1、壓敏電阻 主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。 7.2、濕敏電阻 由感濕層，電極， 絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點(diǎn)為測試范圍小，特性重復(fù)性不好，受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點(diǎn)為低溫靈敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性，

13、較少使用。 氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越，可長期使用，溫度影響小，阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫，鎳鐵酸鹽，等材料。 7.3、光敏電阻 光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時，載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。 7.4、氣敏電阻 利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有：金屬氧化物氣敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。 7.5、力敏電阻 力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻，國外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的電阻率隨機(jī)械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)?？芍瞥筛鞣N力矩計，半導(dǎo)體話筒，壓

14、力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器，硒碲合金力敏電阻器，相對而言， 合金電阻器具有更高靈敏度。電路設(shè)計基礎(chǔ)知識（2）電容 電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合， 旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=106uF=1012pF 一、電容器的型號命名方法 國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號。 第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別用字母表示。 第四部分：

15、序號，用數(shù)字表示。 用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介 二、電容器的分類 按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。 按電解質(zhì)分類有：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。 按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。 高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。 低頻旁路：

16、紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。 濾 波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電容器。 調(diào) 諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。 高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。 低頻耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。 小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。 三、常用電容器 1、鋁電解電容器 用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因?yàn)檠趸び袉蜗驅(qū)щ娦再|(zhì),所以電解

17、電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動電流容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波 2、鉭電解電容器 用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機(jī)件中 3、薄膜電容器 結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路 4、瓷介電容器 穿心式或

18、支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路 5、獨(dú)石電容器 (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路 6、紙質(zhì)電容器 一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.0080.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量 一般在低頻電路內(nèi)

19、，通常不能在高于34MHz的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路 7、微調(diào)電容器 電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個電容值。 瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。 8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡單，但穩(wěn)定性較差。 線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲外電極來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的場合使用 9、陶瓷電容器 用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用

20、于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合包括高頻在內(nèi)。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路 云母電容器就結(jié)構(gòu)而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數(shù)大為下降，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好，Q值高，溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中，并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器 10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成獨(dú)石結(jié)構(gòu)性能可與

21、云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200或更高溫度下工作，額定工作電壓可達(dá)500V，損耗tg0.00050.008 四、電容器主要特性參數(shù)： 1、標(biāo)稱電容量和允許偏差 標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。 電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。 精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%） 一般電容器常用、級，電解電容器用、級，根據(jù)用途選取。 2、額定電壓 在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注

22、在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。 3、絕緣電阻 直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量0.1uf時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。 電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。 4、損耗 電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。 在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一

23、般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。5、頻率特性 隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。 五、電容器容量標(biāo)示 1、直標(biāo)法 用數(shù)字和單位符號直接標(biāo)出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn)，如R56表示0.56微法。 2、文字符號法 用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF. 3、色標(biāo)法 用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。 電容器偏差標(biāo)志符號：+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-10%-T、

24、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。電路設(shè)計基礎(chǔ)知識（3）電感線圈 電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=103mH=106uH。 一、電感的分類 按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。 按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。 按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。 按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。 二、電感線圈的主要特性參數(shù) 1、電感量L 電感

25、量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。 2、感抗XL 電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2fL 3、品質(zhì)因素Q 品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R 線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。 4、分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電

26、容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。 三、常用線圈 1、單層線圈 單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。 2、蜂房式線圈 如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導(dǎo)線來回彎折的次數(shù)，常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來繞制，折點(diǎn)越多，分布電容越小 3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈 線圈的電感量大小與有無磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。 4、銅芯線圈 銅芯線圈在超短波范圍

27、應(yīng)用較多，利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量，這種調(diào)整比較方便、耐用。 5、色碼電感器 色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以色環(huán)來標(biāo)記。 6、阻流圈（扼流圈） 限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。 7、偏轉(zhuǎn)線圈 偏轉(zhuǎn)線圈是電視機(jī)掃描電路輸出級的負(fù)載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積小、價格低。 變壓器 變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級線圈中通有交流電流時，鐵芯（或磁芯）中便產(chǎn)生交流磁通，使次級線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個或兩個以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級線圈，其

28、余的繞組叫次級線圈。 一、分類 按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。 按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。 按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。 按電源相數(shù)分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。 按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。 二、電源變壓器的特性參數(shù) 1 工作頻率 變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大，故應(yīng)根據(jù)使用頻率來設(shè)計和使用，這種頻率稱工作頻率。 2 額定功率 在規(guī)定

29、的頻率和電壓下，變壓器能長期工作，而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。 3 額定電壓 指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時不得大于規(guī)定值。 4 電壓比 指變壓器初級電壓和次級電壓的比值，有空載電壓比和負(fù)載電壓比的區(qū)別。 5 空載電流 變壓器次級開路時，初級仍有一定的電流，這部分電流稱為空載電流。空載電流由磁化電流（產(chǎn)生磁通）和鐵損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對于50Hz電源變壓器而言，空載電流基本上等于磁化電流。 6 空載損耗：指變壓器次級開路時，在初級測得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電流在初級線圈銅阻上產(chǎn)生的損耗（銅損），這部分損耗很小。 7 效率 指次級功率P2與初級功率P1比值

30、的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。 8 絕緣電阻 表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性能、溫度高低和潮濕程度有關(guān)。 三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù) 1 頻率響應(yīng) 指變壓器次級輸出電壓隨工作頻率變化的特性。 2 通頻帶 如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0，當(dāng)輸出電壓（輸入電壓保持不變）下降到0.707U0時的頻率范圍，稱為變壓器的通頻帶B。 3 初、次級阻抗比 變壓器初、次級接入適當(dāng)?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級阻抗匹配，則Ro和Ri的比值稱為初、次級阻抗比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最佳狀態(tài)，傳輸效率最高。電路設(shè)計

31、基礎(chǔ)知識（二）一、 中國半導(dǎo)體器件型號命名方法 半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S

32、-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用數(shù)字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號 例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管 日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法 二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極

33、管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、依此類推。 第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N 溝道場效應(yīng)管、M-雙向可控硅。 第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)

34、會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。 第五部分： 用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。 美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法 三、美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： 第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。 第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。 第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志

35、。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。 第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。 第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。 四、 國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法 德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號

36、及意義如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶

37、閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。 第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。 第四部分：用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。 除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下： 1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為1%、2%、5%、10%、15%；其后綴第二部分是數(shù)字

38、，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。 2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。 3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。 五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法 歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件 第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。 第三部分

39、：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。 第四部分：A、B、C-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。 俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。 一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義 CT-勢壘電容 Cj-結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結(jié)電容 Co-零偏壓電容 Cjo-零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn-結(jié)電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容 Ct-總電容 CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數(shù) Cvn-標(biāo)稱電容 IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；

40、硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流 IF（AV）-正向平均電流 IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IH-恒定電流、維持電流。 Ii- 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM-正向重復(fù)峰值電流 IFSM-正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流） Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)-正向過載電流 IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID-暗電流 IB2-單結(jié)

41、晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM-發(fā)射極峰值電流 IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM-最大輸出平均電流 IFMP-正向脈沖電流 IP-峰點(diǎn)電流 IV-谷點(diǎn)電流 IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM-控制極正向峰值電流 IR（AV）-反向平均電流 IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高

42、反向工作電壓下的漏電流。 IRM-反向峰值電流 IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM-反向重復(fù)峰值電流 IRSM-反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp-反向恢復(fù)電流 Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流 Izk-穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流 IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF-正向總瞬時電流 iR-反向總瞬時電流 ir-反向恢復(fù)電流

43、 Iop-工作電流 Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f-頻率 n-電容變化指數(shù)；電容比 Q-優(yōu)值（品質(zhì)因素） vz-穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt-通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率 PB-承受脈沖燒毀功率 PFT（AV）-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?PFTM-正向峰值耗散功率 PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率 Pd-耗散功率 PG-門極平均功率 PGM-門極峰值功率 PC-控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi-輸入功率 PK-最大開關(guān)功率 PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP-最大漏過脈沖功率 PMS-最大承受脈沖功率 Po-輸出功率 PR-反向浪涌功率 Pto

44、t-總耗散功率 Pomax-最大輸出功率 Psc-連續(xù)輸出功率 PSM-不重復(fù)浪涌功率 PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率 RF（r）-正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應(yīng)增加I，則V/I稱微分電阻 RBB-雙基極晶體管的基極間電阻 RE-射頻電阻 RL-負(fù)載電阻 Rs(rs)-串聯(lián)電阻 Rth-熱阻 R(th)ja-結(jié)到環(huán)境的熱阻 Rz(ru)-動態(tài)電阻 R(th)jc-結(jié)到殼的熱阻 r -衰減電阻 r(th)-瞬態(tài)電阻 Ta-環(huán)境溫度 Tc-殼溫 td-延遲時間 tf-下降

45、時間 tfr-正向恢復(fù)時間 tg-電路換向關(guān)斷時間 tgt-門極控制極開通時間 Tj-結(jié)溫 Tjm-最高結(jié)溫 ton-開通時間 toff-關(guān)斷時間 tr-上升時間 trr-反向恢復(fù)時間 ts-存儲時間 tstg-溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度 a-溫度系數(shù) p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度 -單結(jié)晶體管分壓比或效率 VB-反向峰值擊穿電壓 Vc-整流輸入電壓 VB2B1-基極間電壓 VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓 VEB-飽和壓降 VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓） VF-正向壓降（正向直流電壓） VF-正向壓降差 VDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VGT-門極觸發(fā)電壓 VGD-門極不觸發(fā)電壓 VG

46、FM-門極正向峰值電壓 VGRM-門極反向峰值電壓 VF（AV）-正向平均電壓 Vo-交流輸入電壓 VOM-最大輸出平均電壓 Vop-工作電壓 Vn-中心電壓 Vp-峰點(diǎn)電壓 VR-反向工作電壓（反向直流電壓） VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓） V（BR）-擊穿電壓 Vth-閥電壓（門限電壓） VRRM-反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓） VRWM-反向工作峰值電壓 V v-谷點(diǎn)電壓 Vz-穩(wěn)定電壓 Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量 Vs-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 av-電壓溫度系數(shù) Vk-膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管） VL -極限電壓 二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義 Cc-集電極電容 C

47、cb-集電極與基極間電容 Cce-發(fā)射極接地輸出電容 Ci-輸入電容 Cib-共基極輸入電容 Cie-共發(fā)射極輸入電容 Cies-共發(fā)射極短路輸入電容 Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容 Cn-中和電容（外電路參數(shù)） Co-輸出電容 Cob-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容 Coe-共發(fā)射極輸出電容 Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容 Cre-共發(fā)射極反饋電容 Cic-集電結(jié)勢壘電容 CL-負(fù)載電容（外電路參數(shù)） Cp-并聯(lián)電容（外電路參數(shù)） BVcbo-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓 BVceo-基極開路，CE結(jié)擊穿電壓 BVebo- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓 BVces-基

48、極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓 BV cer-基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓 D-占空比 fT-特征頻率 fmax-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率 hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù) hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗 hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo) h RE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù) hie-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗 hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù) hfe-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù) hoe-共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納 IB-基極直流電流或交流電流的平均值 Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值 IE-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值 Icbo-基極接地，發(fā)射極對

49、地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流 Iceo-發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Iebo-基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流 Icer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Ices-發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Icex-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 ICM-集電極

50、最大允許電流或交流電流的最大平均值。 IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值 ICMP-集電極最大允許脈沖電流 ISB-二次擊穿電流 IAGC-正向自動控制電流 Pc-集電極耗散功率 PCM-集電極最大允許耗散功率 Pi-輸入功率 Po-輸出功率 Posc-振蕩功率 Pn-噪聲功率 Ptot-總耗散功率 ESB-二次擊穿能量 rbb-基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻） rbbCc-基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積 rie-發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻 roe-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定

51、的交流輸入短路時的輸出電阻 RE-外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)） RB-外接基極電阻（外電路參數(shù)） Rc -外接集電極電阻（外電路參數(shù)） RBE-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)） RL-負(fù)載電阻（外電路參數(shù)） RG-信號源內(nèi)阻 Rth-熱阻 Ta-環(huán)境溫度 Tc-管殼溫度 Ts-結(jié)溫 Tjm-最大允許結(jié)溫 Tstg-貯存溫度 td-延遲時間 tr-上升時間 ts-存貯時間 tf-下降時間 ton-開通時間 toff-關(guān)斷時間 VCB-集電極-基極（直流）電壓 VCE-集電極-發(fā)射極（直流）電壓 VBE-基極發(fā)射極（直流）電壓 VCBO-基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的

52、最高耐壓 VEBO-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEO-發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓 VCES-發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓 Vp-穿通電壓。 VSB-二次擊穿電壓 VBB-基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） Vcc-集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VEE-發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

53、VCE(sat)-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降 VBE(sat)-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降） VAGC-正向自動增益控制電壓 Vn(p-p)-輸入端等效噪聲電壓峰值 V n-噪聲電壓 Cj-結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結(jié)電容 Co-零偏壓電容 Cjo-零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn-結(jié)電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容 Ct-總電容 CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數(shù) Cvn-標(biāo)稱電容 IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流 IF（AV）-正向平均電流 IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通