DW01中文資料.doc

1、DW01鋰電池保護(hù) IC一、主要特性靜態(tài)電流待機(jī)電流（檢測(cè)到過(guò)放之后）過(guò)充檢測(cè)精度 （Topt=25）過(guò)充檢測(cè)精度（Topt=0 到 50）過(guò)放檢測(cè)精度過(guò)放檢測(cè)電壓過(guò)流保護(hù)過(guò)充延遲（VDD=4.4V）過(guò)放延遲（VDD=2.2V 帶有內(nèi)置電容）封裝典型值：4.0uA典型值：0.2uA 50mV 60mV 100mV2.0V 到 3.0V，每步 0.005V0.04V 到 0.32V，每步 0.04V110mS22mS（最小值）SOT23-6/6-pin二、基本描述DW01 是一款單節(jié)可充電鋰電池保護(hù)集成電路，具有過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流及短路保護(hù)功能。IC 內(nèi)部包含：三個(gè)電壓檢測(cè)電路、一個(gè)基準(zhǔn)電路、一個(gè)

2、延遲電路、一個(gè)短路保護(hù)電路和一個(gè)邏輯電路。當(dāng)充電電壓逐漸增大超過(guò)過(guò)充檢測(cè)電路的閾值 VDET1 時(shí)，Cout Pin 的輸出電壓即過(guò)充檢測(cè)電路的輸出電壓 VD1 會(huì)變到低電位，也就是充電器負(fù)端的電位。在進(jìn)入過(guò)充保護(hù)狀態(tài)后，當(dāng) VDD 電壓降低到 VREL1 下方或者當(dāng)電池組脫離充電器而接一個(gè)負(fù)載，且 VDD 介于VDET1 與 VREL1 之間時(shí) VD1 可以復(fù)位，即 Cout Pin 輸出變?yōu)楦唠娢?。?dāng)放電電壓低于過(guò)放檢測(cè)電路的閾值 VDET2 時(shí)，經(jīng)過(guò)一段固定的延遲時(shí)間，Dout Pin 的輸出即過(guò)放檢測(cè)電路的輸出 VD2 會(huì)變?yōu)榈碗娢?。這時(shí)，若給電池充電，當(dāng)電池電壓上升到過(guò)放檢測(cè)電路的閾

3、值電壓之上時(shí)，VD2 恢復(fù)，Dout 的輸出電壓變?yōu)楦唠娖健．?dāng)有過(guò)流情況出現(xiàn)時(shí)，內(nèi)部過(guò)流檢測(cè)電路會(huì)檢測(cè)到，經(jīng)過(guò)一段固定的延遲時(shí)間后，VD3 和Dout 變?yōu)榈碗娖?，放電回路被切斷。這時(shí)，若將電池組從負(fù)載系統(tǒng)中分開(kāi)，VD3 會(huì)恢復(fù)使 Dout變?yōu)楦唠娖健．?dāng)有外部短路電流時(shí)，短路保護(hù)電路會(huì)立即使Dout變?yōu)榈碗娢?，?dāng)外部短路電流消失后，Dout 會(huì)轉(zhuǎn)換為高電位。在檢測(cè)到過(guò)放之后， 會(huì)通過(guò)關(guān)閉一些內(nèi)部電路使電源電流非常低。IC過(guò)充檢測(cè)電路的延遲時(shí)間可以通過(guò)連接外部電容進(jìn)行設(shè)置。Cout Pin 和Dout Pin的輸出類(lèi)型是CMOS。封裝形式為SOT23-6。1DW01鋰電池保護(hù) IC三、電路框圖四

4、、Pin 腳圖DW01五、Pin 腳定義Pin 腳位123456VDDVss符號(hào)DoutV-CoutPin 描述過(guò)放檢測(cè)電路的輸出，CMOS 輸出充電器的負(fù)端輸入 Pin過(guò)充檢測(cè)電路的輸出，CMOS 輸出空腳位電源地2DW01鋰電池保護(hù) IC六、最大絕對(duì)額定值符號(hào)V-VcoutVdoutPDToptTstq項(xiàng)目輸入電壓 V-Cout PinDout Pin功耗工作溫度范圍儲(chǔ)存溫度范圍額定值VDD-18 到 VDD+0.3VDD-18 到 VDD+0.3VDD-0.3 到 VDD+0.3150-30 到 85-55 到 125單位VVVmW最大絕對(duì)額定值是極限值，在任何情況下都不能片刻超過(guò)。而且

5、，任兩項(xiàng)不能同時(shí)達(dá)到此值。在最大絕對(duì)額定值以上工作會(huì)引起器件特性衰退或者永久損壞。這里僅強(qiáng)調(diào)額定值，并不表示在額定值下實(shí)際的工作情況。七、電氣特性符號(hào)VDD1項(xiàng)目輸入電壓條件VDD 到 VSS 之間的電壓檢測(cè)電源電壓的上升沿溫度 25050*NoteVREL1tVDET1VDET2VREL2tVDET2VDET3tVDET3VshorttshortVol1Voh1Vol2Voh2IDDIstandby過(guò)充檢測(cè)恢復(fù)電壓過(guò)充保護(hù)延遲時(shí)間過(guò)放閾值電壓過(guò)放檢測(cè)恢復(fù)電壓過(guò)放保護(hù)延遲時(shí)間過(guò)流閾值電壓過(guò)流保護(hù)延遲時(shí)間短路保護(hù)電壓短路保護(hù)延遲時(shí)間Cout Pin N 溝道導(dǎo)通電壓Cout Pin P 溝道導(dǎo)通

6、電壓Dout Pin N 溝道導(dǎo)通電壓Dout Pin P 溝道導(dǎo)通電壓靜態(tài)電流待機(jī)電流VDD=3.6V to 2.2V檢測(cè)“V-”pin 電壓的上升沿VDD=3.0VVDD=3.9VVDD=3.0VVDD=4.4VIol=50uA,VDD=3.9VIol=-50uA, VDD2.2VIol=50uA,VDD=3.9VVDD=3.9V, V-=0VVDD=2.0V3.43.4VDD=3.6V to 4.4V檢測(cè)電源電壓的下降沿最小值1.54.254.244.05802.302.90220.1251.200.15101.35100.353.70.23.740.260.30.50.18151.50

7、500.54.304.304.101102.403.00典型值最大值104.354.364.151402.503.10單位VVVDET1過(guò)充閾值電壓VVmsVVmsVmsVusVVVVuAuA*注意：考慮到工藝參數(shù)的波動(dòng)，我們采用 trim 來(lái)補(bǔ)償與溫度有關(guān)的參數(shù)。然而，此規(guī)格書(shū)是由設(shè)計(jì)而不是產(chǎn)品測(cè)試來(lái)保證的。3DW01鋰電池保護(hù) IC八、工作過(guò)程1VD1/過(guò)充檢測(cè)VD1監(jiān)控VDD pin的電壓。當(dāng)VDD電壓逐漸升高超過(guò)過(guò)充檢測(cè)電路的閾值VDET1時(shí)，VD1會(huì)檢測(cè)到過(guò)充，同時(shí)將Cout Pin 的輸出轉(zhuǎn)為低電位使得承擔(dān)外部充電控制的N MOS管關(guān)斷。有兩種情況可以讓VD1 復(fù)位，使Cout P

8、in的輸出重新回到高電位，從而使系統(tǒng)重新恢復(fù)到充電過(guò)程。第一種情況是VDD電壓拉低到 “VREL1” 以下；第二種情況，是將電池組與充電器斷開(kāi)，并連接一負(fù)載放電，使VDD值降低到介于“VDET1”和“VREL1”之間。在檢測(cè)到過(guò)充并且VDD電壓高于VDET1時(shí)，電池連接到負(fù)載使負(fù)載電流流過(guò)外部充電控制MOSFET的寄生二極管。當(dāng)VDD通過(guò)負(fù)載電流的持續(xù)抽取被拉低到VDET1以下時(shí)，Cout Pin輸出轉(zhuǎn)為高電平。當(dāng)VDD高于VDET1后在一定的輸出延遲時(shí)間內(nèi)又降回到低于VDET1，VD1將不會(huì)輸出一個(gè)信號(hào)來(lái)關(guān)斷充電控制的MOSFET。Cout Pin 的電平轉(zhuǎn)換器與緩沖驅(qū)動(dòng)器結(jié)合在一起使Cou

9、t Pin的低電平為V- Pin 的電壓，而且Cout Pin的高電平為VDD電壓。2VD2/過(guò)放檢測(cè)VD2監(jiān)控VDD Pin 的電壓。當(dāng)VDD電壓低于過(guò)放檢測(cè)電路的閾值電壓VDET2時(shí)，VD2會(huì)檢測(cè)到過(guò)放，同時(shí)Dout Pin輸出為低電平使得外部過(guò)放控制N MOS管關(guān)斷。在進(jìn)入到過(guò)放保護(hù)狀態(tài)后，為了使VD2復(fù)位并且Dout Pin的輸出恢復(fù)到高電平，對(duì)DW01 而言，必須要給電池組充電。如果VDD電壓維持在過(guò)放檢測(cè)電路的閾值電壓VDET2之下，充電電流會(huì)通過(guò)外部放電控制MOSFET的寄生二極管路徑。當(dāng)VDD電壓重新升高到VDET2 之上時(shí)，Dout Pin轉(zhuǎn)換為高電平，這時(shí)放電過(guò)程將可以通過(guò)

10、導(dǎo)通的放電控制MOSFET繼續(xù)進(jìn)行。將電池組連接到充電器，當(dāng) VDD 電壓高于 VDET2 時(shí)，Dout Pin 電位立即變?yōu)楦唠娖?。?duì) DW01 來(lái)說(shuō)，當(dāng) VDD 電壓等于或者高于過(guò)放恢復(fù)電壓/VDET2 時(shí)，過(guò)放保護(hù)情況會(huì)被解除。過(guò)放檢測(cè)電路的延遲時(shí)間是固定的，當(dāng) VDD=2.2V 時(shí) tVDET2 最小為 22ms。當(dāng) VDD 電壓低于 VDET2 后在一定的輸出延遲時(shí)間內(nèi)又重新被拉高到高于 VDET2，VD2 將不會(huì)輸出一個(gè)信號(hào)來(lái)關(guān)斷放電控制的 MOSFET。VD2 檢測(cè)到過(guò)放之后，靜態(tài)電流會(huì)減小到典型值 0.2uA（VDD=2.0V），此時(shí)只有充電檢測(cè)電路工作。Dout Pin 的輸

11、出類(lèi)型具有 CMOS 特性，即輸出高電平為 VDD，輸出低電平為 Vss。4DW01鋰電池保護(hù) IC3VD3/過(guò)流檢測(cè)，短路檢測(cè)過(guò)流檢測(cè)電路和短路保護(hù)電路在兩個(gè)控制MOSFET 同時(shí)為“ON” 時(shí)才能工作。當(dāng)V- Pin的電壓值介于短路保護(hù)電壓Vshort 和過(guò)流保護(hù)閾值電壓VDET3之間時(shí)，過(guò)流檢測(cè)電路工作并且提高V- Pin的電壓高于Vshort 使短路保護(hù)電路工作，從而使Dout Pin 的輸出為低電平，外部放電控制 N MOS管被關(guān)斷。過(guò)流檢測(cè)電路的延遲時(shí)間是固定的，在VDD=3.0V時(shí)，典型值是10ms。在這個(gè)延遲時(shí)間內(nèi)，如果V- Pin從介于Vshort和VDET3之間的一個(gè)電位快速恢復(fù)，會(huì)使放電控制MOSFET保持“H”。當(dāng)短路保護(hù)電路開(kāi)始工作時(shí)，Dout Pin 將會(huì)輸出低電平，其延遲時(shí)間的典型值為10us。V- Pin有一個(gè)連接到Vss Pin的內(nèi)置下拉電阻，典型值為100kOhm。當(dāng) IC 進(jìn)入過(guò)流或短路保護(hù)狀態(tài)后，如果將引起過(guò)流或外部短路的因素消除，可以使外部放電控制MOSFET自動(dòng)導(dǎo)通，同時(shí)V- Pin的電位通過(guò)內(nèi)部下拉電阻拉低到Vss。 如果 VDD 電壓