湖北高科技設備項目可行性研究報告模板

1、泓域咨詢 /湖北高科技設備項目可行性研究報告湖北高科技設備項目可行性研究報告MACRO 泓域咨詢報告說明隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從14納米到10納米階段向7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當前市場普遍使用的沉浸式光刻機受光波長的限制，關鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。芯片線寬的縮小及新制造工藝的采用（如多重模板工藝），對刻蝕技術的精確度和重復性要求更高?？涛g技術需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標上滿足更高的要求，刻蝕設備隨之更新進步，例如：刻

2、蝕設備的靜電吸盤從原來的四分區(qū)擴展到超過20個分區(qū)，以實現(xiàn)更高要求的均勻性；更好的腔體的溫度控制實現(xiàn)生產(chǎn)重復性的提高。本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資6540.02萬元，其中：建設投資5700.58萬元，占項目總投資的87.16%；建設期利息117.60萬元，占項目總投資的1.80%；流動資金721.84萬元，占項目總投資的11.04%。根據(jù)謹慎財務測算，項目正常運營每年營業(yè)收入16500.00萬元，綜合總成本費用13695.50萬元，凈利潤1632.40萬元，財務內部收益率20.00%，財務凈現(xiàn)值3866.19萬元，全部投資回收期5.86年。本期

3、項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項目技術上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結構合理，技術方案設計優(yōu)良。本期項目的投資建設和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。綜合判斷，我國發(fā)展仍處于可以大有作為的重要戰(zhàn)略機遇期，也面臨諸多矛盾疊加、風險隱患增多的嚴峻挑戰(zhàn)。必須準確把握戰(zhàn)略機遇期內涵和條件的深刻變化，增強憂患意識、責任意識，強化底線思維，尊重規(guī)律與國情，積極適應把握引領新常態(tài)，堅持中國特色社會主義政治經(jīng)濟學的重要原則，堅持解放和發(fā)展社會生產(chǎn)力、堅持社會主義市場經(jīng)濟改革方向、堅持調動各方面積極性，堅定信心，迎難而上，繼續(xù)集中力量辦好自己的事情，著

4、力在優(yōu)化結構、增強動力、化解矛盾、補齊短板上取得突破，切實轉變發(fā)展方式，提高發(fā)展質量和效益，努力跨越“中等收入陷阱”，不斷開拓發(fā)展新境界?？尚行匝芯渴峭顿Y決策前的活動，它是在事件沒有發(fā)生之前的研究，是對事物未來發(fā)展的情況、可能遇到的問題和結果的估計，具有預測性。因此，必須進行深入地調查研究，充分地占有資料，運用切合實際的預測方法，科學地預測未來前景。本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。目錄第一章 總論第二章 背景及必要性第三章 市場分析第四章 產(chǎn)品方案第五章 選址方

5、案分析第六章 建筑工程方案分析第七章 原輔材料供應第八章 工藝技術設計及設備選型方案第九章 項目環(huán)保分析第十章 勞動安全分析第十一章 項目節(jié)能分析第十二章 人力資源配置分析第十三章 進度規(guī)劃方案第十四章 投資方案分析第十五章 項目經(jīng)濟效益第十六章 項目招投標方案第十七章 風險評估分析第十八章 項目綜合評價第十九章 附表第一章 總論一、項目名稱及投資人（一）項目名稱湖北高科技設備項目（二）項目投資人xxx有限公司（三）建設地點本期項目選址位于xx（以最終選址方案為準）。二、編制原則1、所選擇的工藝技術應先進、適用、可靠，保證項目投產(chǎn)后，能安全、穩(wěn)定、長周期、連續(xù)運行。2、所選擇的設備和材料必須可

6、靠，并注意解決好超限設備的制造和運輸問題。3、充分依托現(xiàn)有社會公共設施，以降低投資，加快項目建設進度。4、貫徹主體工程與環(huán)境保護、勞動安全和工業(yè)衛(wèi)生、消防同時設計、同時建設、同時投產(chǎn)。5、消防、衛(wèi)生及安全設施的設置必須貫徹國家關于環(huán)境保護、勞動安全的法規(guī)和要求，符合行業(yè)相關標準。6、所選擇的產(chǎn)品方案和技術方案應是優(yōu)化的方案，以最大程度減少投資，提高項目經(jīng)濟效益和抗風險能力?？茖W論證項目的技術可靠性、項目的經(jīng)濟性，實事求是地作出研究結論。三、編制依據(jù)1、一般工業(yè)項目可行性研究報告編制大綱;2、建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)(第三版);3、建設項目用地預審管理辦法;4、投資項目可行性研究指南;5、產(chǎn)業(yè)

7、結構調整指導目錄。四、編制范圍及內容本報告對項目建設的背景及概況、市場需求預測和建設的必要性、建設條件、工程技術方案、項目的組織管理和勞動定員、項目實施計劃、環(huán)境保護與消防安全、項目招投標方案、投資估算與資金籌措、效益評價等方面進行綜合研究和分析，為有關部門對工程項目決策和建設提供可靠和準確的依據(jù)。五、項目建設背景近年來全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計占所有半導體產(chǎn)品銷售額的90%以上，是半導體產(chǎn)品最重要的組成部分。半導體設備主要服務于這兩類產(chǎn)品的制造環(huán)節(jié)，將半導體設備行業(yè)進一步細分，細分行業(yè)為集成電路設備行業(yè)中的刻蝕設備行業(yè)和LED設備行業(yè)中的MOCVD設備行業(yè)。從需求端

8、分析，隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展，中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場，衍生出了巨大的半導體器件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，從2013年到2018年僅中國半導體集成電路市場規(guī)模就從820億美元擴大至1,550億美元，年均復合增長率約為13.58%。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，中國的半導體器件消費還將持續(xù)增加，中國將成為全球半導體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析，對比巨大的國內市場需求，國產(chǎn)半導體集成電路市場規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關總署的數(shù)據(jù)，僅半導體集成電路產(chǎn)品的進口額從2015年起已

9、連續(xù)四年位列所有進口商品中的第一位，不斷擴大的中國半導體市場規(guī)模嚴重依賴于進口，中國半導體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。綜合判斷，我國發(fā)展仍處于可以大有作為的重要戰(zhàn)略機遇期，也面臨諸多矛盾疊加、風險隱患增多的嚴峻挑戰(zhàn)。必須準確把握戰(zhàn)略機遇期內涵和條件的深刻變化，增強憂患意識、責任意識，強化底線思維，尊重規(guī)律與國情，積極適應把握引領新常態(tài)，堅持中國特色社會主義政治經(jīng)濟學的重要原則，堅持解放和發(fā)展社會生產(chǎn)力、堅持社會主義市場經(jīng)濟改革方向、堅持調動各方面積極性，堅定信心，迎難而上，繼續(xù)集中力量辦好自己的事情，著力在優(yōu)化結構、增強動力、化解矛盾、補齊短板上取得突破，切實轉變發(fā)展方式，提高發(fā)展質量

10、和效益，努力跨越“中等收入陷阱”，不斷開拓發(fā)展新境界。六、結論分析（一）項目選址本期項目選址位于xx（以最終選址方案為準），占地面積約20.01畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（二）建設規(guī)模與產(chǎn)品方案項目建成后，形成年產(chǎn)高科技設備00000套的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進度本期項目按照國家基本建設程序的有關法規(guī)和實施指南要求進行建設，本期項目建設期限規(guī)劃24個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資6540.02萬元，其中：建設投資5700.58萬元，占項目總投資的

11、87.16%；建設期利息117.60萬元，占項目總投資的1.80%；流動資金721.84萬元，占項目總投資的11.04%。（五）資金籌措項目總投資6540.02萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx有限公司計劃自籌資金（資本金）4140.02萬元。根據(jù)謹慎財務測算，本期工程項目申請銀行借款總額2400.00萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預期營業(yè)收入（SP）：16500.00萬元（含稅）。2、年綜合總成本費用（TC）：13695.50萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤（NP）：1632.40萬元。4、財務內部收益率（FIRR）：20.00%。5、全部投資回收期（Pt）：5.86年（含建設期24個月）。6、達

12、產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：2858.11萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益本項目實施后，可滿足國內市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)濟技術指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積13339.99約20.01畝1.1總建筑面積16007.99容積率1.201.2基底面積7603.79建筑系數(shù)57.00%1.3投資強度萬元/畝269.651.4基底面積7603.792總投資萬元6540.022.1建設投資萬元5700.582.1.1工程費用

13、萬元4887.262.1.2工程建設其他費用萬元667.042.1.3預備費萬元146.282.2建設期利息萬元117.602.3流動資金721.843資金籌措萬元6540.023.1自籌資金萬元4140.023.2銀行貸款萬元2400.004營業(yè)收入萬元16500.00正常運營年份5總成本費用萬元13695.506利潤總額萬元2176.547凈利潤萬元1632.408所得稅萬元544.139增值稅萬元534.7610稅金及附加萬元627.9611納稅總額萬元1706.8512工業(yè)增加值萬元4134.6913盈虧平衡點萬元2858.11產(chǎn)值14回收期年5.86含建設期24個月15財務內部收益率

14、20.00%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元3866.19所得稅后第二章 背景及必要性一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況（1）刻蝕設備行業(yè)在新技術方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢集成電路制造工藝集成電路制造工藝繁多復雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝。薄膜沉積工藝系在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，勻膠工藝系把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝系把光罩上的圖形轉移到光刻膠，刻蝕工藝系把光刻膠上圖形轉移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉移。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉移到晶圓上。半導體制造工藝：薄膜沉積、光刻和

15、刻蝕是半導體制造三大核心工藝制造先進的集成電路器件，如同建一個幾十層的微觀樓房，或建一個多層的高速立交橋。等離子體刻蝕技術刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術，其中以等離子體干法刻蝕為主導。等離子體刻蝕設備是一種大型真空的全自動的加工設備，一般由多個真空等離子體反應腔和主機傳遞系統(tǒng)構成。等離子體刻蝕設備的分類與刻蝕工藝密切相關，其原理是利用等離子體放電產(chǎn)生的帶化學活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發(fā)生化學反應，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出

16、微觀結構。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據(jù)被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（單晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結構；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設備涵蓋了主要的刻蝕應用?？涛g技術水平發(fā)展狀況及未來發(fā)展趨勢隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從14納米到10納米階段向7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當前市場普遍使用的沉浸式光刻

17、機受光波長的限制，關鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。芯片線寬的縮小及新制造工藝的采用（如多重模板工藝），對刻蝕技術的精確度和重復性要求更高。刻蝕技術需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標上滿足更高的要求，刻蝕設備隨之更新進步，例如：刻蝕設備的靜電吸盤從原來的四分區(qū)擴展到超過20個分區(qū)，以實現(xiàn)更高要求的均勻性；更好的腔體的溫度控制實現(xiàn)生產(chǎn)重復性的提高。集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進入3D時代。目前64層3DNAND閃存

18、已進入大生產(chǎn)，96層和128層閃存正處于研發(fā)中。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)?？涛g要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結構上，加工40：1到60：1的極深孔或極深的溝槽。3DNAND層數(shù)的增加要求刻蝕技術實現(xiàn)更高的深寬比。（2）MOCVD設備行業(yè)在新技術方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢在光電子半導體LED領域存在一個類似摩爾定律的海茲定律，即LED的價格每10年將為原來的1/10，輸出流明則增加20倍。自1993年第一顆商業(yè)化藍光LED誕生以來，經(jīng)過20多年的發(fā)展，制造藍光LED的MOCVD技術已達到較為成熟的階段，目前MOCVD設備企業(yè)主要在提

19、高大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的性能、降低生產(chǎn)成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進行技術開發(fā)，以滿足下游應用市場的需求。主流MOCVD設備反應腔的加工能力從31片4英寸外延片發(fā)展到34片4英寸外延片，現(xiàn)在行業(yè)主流廠商正在開發(fā)41片4英寸外延片超大反應器。 制造紅黃光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD設備，這些設備還有待進一步開發(fā)。MiniLED和MicroLED可能帶來的顯示器件革命孕育著更大的市場機會。二、區(qū)域產(chǎn)業(yè)環(huán)境分析從國內看，經(jīng)濟長期向好的基本面沒有改變，發(fā)展前景依然廣闊，但提質增效、轉型升級的要求更加緊迫。經(jīng)濟發(fā)展進入新常態(tài)，向形態(tài)更高級、分工更優(yōu)化、結構更合理階段演化的趨勢更加

20、明顯。消費升級加快，市場空間廣闊，物質基礎雄厚，產(chǎn)業(yè)體系完備，資金供給充裕，人力資本豐富，創(chuàng)新累積效應正在顯現(xiàn)，綜合優(yōu)勢依然顯著。新型工業(yè)化、信息化、城鎮(zhèn)化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化深入發(fā)展，新的增長動力正在孕育形成，新的增長點、增長極、增長帶不斷成長壯大。全面深化改革和全面推進依法治國正釋放新的動力、激發(fā)新的活力。同時，必須清醒認識到，發(fā)展方式粗放，不平衡、不協(xié)調、不可持續(xù)問題仍然突出，經(jīng)濟增速換擋、結構調整陣痛、動能轉換困難相互交織，面臨穩(wěn)增長、調結構、防風險、惠民生等多重挑戰(zhàn)。有效需求乏力和有效供給不足并存，結構性矛盾更加凸顯，傳統(tǒng)比較優(yōu)勢減弱，創(chuàng)新能力不強，經(jīng)濟下行壓力加大，財政收支矛盾更加突出，金

21、融風險隱患增大。農(nóng)業(yè)基礎依然薄弱，部分行業(yè)產(chǎn)能過剩嚴重，商品房庫存過高，企業(yè)效益下滑，債務水平持續(xù)上升。城鄉(xiāng)區(qū)域發(fā)展不平衡，空間開發(fā)粗放低效，資源約束趨緊，生態(tài)環(huán)境惡化趨勢尚未得到根本扭轉?；竟卜展┙o仍然不足，收入差距較大，人口老齡化加快，消除貧困任務艱巨。重大安全事故頻發(fā)，影響社會穩(wěn)定因素增多，國民文明素質和社會文明程度有待提高，法治建設有待加強，維護社會和諧穩(wěn)定難度加大。三、項目承辦單位發(fā)展概況企業(yè)履行社會責任，既是實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境、社會可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實現(xiàn)企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應經(jīng)濟社會發(fā)展趨勢的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內在需求；既是企業(yè)轉變發(fā)展

22、方式、實現(xiàn)科學發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻能源、創(chuàng)造和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會責任，依法經(jīng)營、誠實守信，節(jié)約資源、保護環(huán)境，以人為本、構建和諧企業(yè)，回饋社會、實現(xiàn)價值共享，致力于實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境和社會三大責任的有機統(tǒng)一。公司把建立健全社會責任管理機制作為社會責任管理推進工作的基礎，從制度建設、組織架構和能力建設等方面著手，建立了一套較為完善的社會責任管理機制。公司在“政府引導、市場主導、社會參與”的總體原則基礎上，堅持優(yōu)化結構，提質增效。不斷促進企業(yè)改變粗放型發(fā)展模式和管理方式，補齊生態(tài)環(huán)境保護不足和區(qū)域發(fā)展不協(xié)調的短板，走綠色、協(xié)調和可持續(xù)發(fā)展道路，不斷優(yōu)化

23、供給結構，提高發(fā)展質量和效益。牢固樹立并切實貫徹創(chuàng)新、協(xié)調、綠色、開放、共享的發(fā)展理念，以提質增效為中心，以提升創(chuàng)新能力為主線，降成本、補短板，推進供給側結構性改革。面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結構調整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機構、企業(yè)文化、質量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，配合產(chǎn)業(yè)供給側結構改革。同時，公司注重履行社會責任所帶來的發(fā)展機遇，積極踐行“責任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。四、行業(yè)背景分析（1）半導體行業(yè)概述半導體行業(yè)的重要性半導體行業(yè)是現(xiàn)代經(jīng)濟社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎支撐，其產(chǎn)品被廣泛地

24、應用于電子通信、計算機、網(wǎng)絡技術、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，是絕大多數(shù)電子設備的核心組成部分。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每1美元半導體芯片的產(chǎn)值可帶動相關電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應奠定了半導體行業(yè)在國民經(jīng)濟中的重要地位。半導體與信息安全的發(fā)展進程息息相關，世界各國政府都將其視為國家的骨干產(chǎn)業(yè)，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平逐漸成為了國家綜合實力的象征。半導體行業(yè)的發(fā)展狀況從歷史上看，半導體行業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動行業(yè)屢獲新生。半導體核心元器件晶體管自誕生以來，帶動了全球半導體產(chǎn)業(yè)20世紀50年代至90年代的迅猛增長。進入21世紀以后市場日趨成熟，隨著PC、手機

25、、液晶電視等消費類電子產(chǎn)品市場滲透率不斷提高，行業(yè)增速逐步放緩。近年在以物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應用領域強勁需求的帶動下，全球半導體產(chǎn)業(yè)恢復增長。根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導體市場規(guī)模從3,056億美元迅速提升至4,688億美元，年均復合增長率達到8.93%。半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。半導體行業(yè)在過去都遵循著摩爾定律，晶體管密度每隔18-24個月便會增加一倍。信息技術的進步是背后的主要驅動力，伴隨著電子產(chǎn)品在人類生活的更廣泛普及以及智能化，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興

26、產(chǎn)業(yè)的革命為整個行業(yè)的下一輪進化提供了動力，半導體行業(yè)有望長期保持旺盛的生命力。中國半導體行業(yè)現(xiàn)狀從需求端分析，隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展，中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場，衍生出了巨大的半導體器件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，從2013年到2018年僅中國半導體集成電路市場規(guī)模就從820億美元擴大至1,550億美元，年均復合增長率約為13.58%。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，中國的半導體器件消費還將持續(xù)增加，中國將成為全球半導體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析，對比巨大的國內市場需求，國產(chǎn)半導體集成電路

27、市場規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關總署的數(shù)據(jù)，僅半導體集成電路產(chǎn)品的進口額從2015年起已連續(xù)四年位列所有進口商品中的第一位，不斷擴大的中國半導體市場規(guī)模嚴重依賴于進口，中國半導體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。（2）半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈簡介半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體產(chǎn)品按功能區(qū)分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規(guī)模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，占4,688億美元半導體市場整體規(guī)模的比例分別約為83.9

28、%、8.1%、5.1%和2.9%；相較于2017年，集成電路增長14.6%，光電子器件增長9.3%，分立器件增長11.7%，傳感器增長6.0%。集成電路和光電子器件是半導體產(chǎn)品最主要的門類。（3）半導體設備行業(yè)概況半導體設備的重要性半導體設備行業(yè)屬于半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一，根據(jù)半導體行業(yè)內“一代設備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗，半導體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半導體設備要超前半導體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品。半導體設備支撐10倍大的芯片制造產(chǎn)業(yè)，對信息產(chǎn)業(yè)有成百上千倍的放大作用，隨著半導體行業(yè)的迅速發(fā)展，半導體產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復雜程度與日俱增，生產(chǎn)半導體產(chǎn)品所需的制造

29、設備需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術壁壘高、制造難度大及研發(fā)投入高等特點。半導體設備價值普遍較高，一條制造先進半導體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投資中設備價值約占總投資規(guī)模的75%以上，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設備需求市場。全球半導體制造設備行業(yè)簡介2013年以來，隨著全球半導體行業(yè)整體景氣度的提升，半導體設備市場也呈增長趨勢。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估621億美元，年均復合增長率約為14.33%，高于同期全球半導體器件市場規(guī)模的增速。全球半導體設備市場目前主要由國外廠商主導，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競爭格局。根據(jù)VLSIResear

30、ch統(tǒng)計，2018年全球半導體設備系統(tǒng)及服務銷售額為811億美元，其中前五大半導體設備制造廠商，由于起步較早，憑借資金、技術、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導體設備市場65%的市場份額。中國半導體設備行業(yè)簡介從需求端分析，根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額估計為128億美元，同比增長56%，約占全球半導體設備市場的21%，已成為僅次于韓國的全球第二大半導體設備需求市場。從供給端分析，根據(jù)中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年國產(chǎn)半導體設備銷售額預計為109億元，自給率約為13%。中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)包括集成電路、LED、面板、光伏等設備

31、，實際上國內集成電路設備的國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術含量最高的集成電路前道設備市場自給率更低。對應巨大的需求缺口，中國半導體設備進口依賴的問題突出，專用設備大量依賴進口不僅嚴重影響我國半導體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也對我國電子信息安全造成重大隱患。下游客戶資本性支出波動及行業(yè)周期性情況半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體終端需求會影響半導體制造行業(yè)的發(fā)展。而在半導體制造產(chǎn)業(yè)中，半導體設備行業(yè)的下游客戶是晶圓廠。當半導體終端需求增長時，晶圓廠會加大資本性支出，擴大其生產(chǎn)規(guī)模，開始建設新廠或進行產(chǎn)能升級。隨著晶圓廠的資本性支出加大，半導體設備銷售也會

32、隨之增長。因此，半導體設備銷售的周期性和波動性較下游半導體制造行業(yè)更大?？傮w而言，半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。近年來，隨著半導體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導體設備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。隨著半導體產(chǎn)業(yè)日趨成熟，特別是集成電路和微觀器件產(chǎn)業(yè)不斷地出現(xiàn)更多半導體產(chǎn)品，半導體終端應用越來越廣。隨著終端應用逐漸滲透到國民經(jīng)濟各個領域，下游客戶晶圓廠的資本性支出的波動和行業(yè)周期性有望降低。（4）細分行業(yè)概述近年來全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計占所有半導體產(chǎn)品銷售額的90%以上，是半導體產(chǎn)品最重要的組成部分。半導體設備主要服務

33、于這兩類產(chǎn)品的制造環(huán)節(jié)，將半導體設備行業(yè)進一步細分，細分行業(yè)為集成電路設備行業(yè)中的刻蝕設備行業(yè)和LED設備行業(yè)中的MOCVD設備行業(yè)?？涛g設備行業(yè)概況集成電路設備包括晶圓制造設備、封裝設備和測試設備等，晶圓制造設備的市場規(guī)模占比超過集成電路設備整體市場規(guī)模的80%。晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設備。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2017年按全球晶圓制造設備銷售金額占比類推，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約24

34、%、23%和18%。隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結構3D化，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應來實現(xiàn)，使得相關設備的加工步驟增多。在需求增長較快的刻蝕設備領域，行業(yè)集中度較高，泛林半導體占據(jù)刻蝕設備市場份額半壁江山。隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設備的使用量不斷增大，泛林半導體由于其刻蝕設備品類齊全，從65納米、45納米設備市場起逐步超過應用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。TheInformationNetwork數(shù)據(jù)顯示，泛林半

35、導體在刻蝕設備行業(yè)的市場占有率從2012年的約45%提升至2017年的約55%，主要替代了東京電子的市場份額。排名第二的東京電子的市場份額從2012年的30%降至2017年的20%。應用材料位于第三，2017年約占19%的市場份額。前三大公司在2017年占據(jù)刻蝕設備總市場份額的94%，行業(yè)集中度高，技術壁壘明顯。MOCVD設備行業(yè)概況LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。該產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；制造外延片需要的MOCVD設備；制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。LED外延片的制

36、備是LED芯片生產(chǎn)的重要步驟，與集成電路在多種核心設備間循環(huán)的制造工藝不同，主要通過MOCVD單種設備實現(xiàn)。MOCVD設備作為LED制造中最重要的設備，其采購金額一般占LED生產(chǎn)線總投入的一半以上，因此MOCVD設備的數(shù)量成為衡量LED制造商產(chǎn)能的直觀指標。近年來，中國LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動了作為產(chǎn)業(yè)核心設備的MOCVD設備需求量的快速增長。高工LED數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年中國MOCVD設備保有量從1,222臺增長至1,718臺，年均復合增長率達18%。根據(jù)LEDinside統(tǒng)計，中國已成全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量占全球比例已超40%。高工LED目前

37、MOCVD設備下游應用主要包括藍光LED，藍光LED則主要用于照明領域。藍光LED與熒光粉的組合促生了取代白熾燈、熒光燈的新一代照明市場。更值得注意的是，藍光LED和氮化鎵有密不可分的聯(lián)系，藍光LED研發(fā)取得突破的關鍵是科學家們找到了氮化鎵這種具有較大禁帶寬度的半導體材料。氮化鎵基LED促進了照明行業(yè)的發(fā)展。目前MOCVD設備主要用于氮化鎵基及砷化鎵基半導體材料外延生長，其中氮化鎵基LEDMOCVD主要用于生產(chǎn)氮化鎵基LED的外延片。根據(jù)LEDinside的數(shù)據(jù)顯示，2018年全年氮化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為215臺，砷化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為65臺，氮化鎵基MOCVD設備約占全部MOC

38、VD市場份額的77%。除藍光LED，MOCVD設備還可應用于綠光LED、紅光LED、深紫外LED，以及MiniLED、MicroLED、功率器件等諸多新興領域，MOCVD設備的市場規(guī)模會有望進一步擴大。第三章 市場分析一、行業(yè)基本情況1、行業(yè)發(fā)展態(tài)勢及面臨的機遇（1）新應用推動市場需求持續(xù)旺盛縱觀半導體行業(yè)的發(fā)展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，而每一次技術變革是驅動行業(yè)持續(xù)增長的主要動力。歷史證明，隨著消費電子產(chǎn)品朝著智能化、輕薄化、便攜化發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，從個人電腦、寬帶互聯(lián)網(wǎng)到移動互聯(lián)網(wǎng)的技術更替，使得集成電路、MEMS、功率器件等半導體產(chǎn)業(yè)的

39、市場前景和發(fā)展機遇越來越廣闊。雖然短期內個人電腦和智能手機滲透率接近高位在一定程度上影響半導體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動的如云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應用的興起，逐漸成為半導體行業(yè)新一代技術的變革力量。從長遠來看，伴隨新應用推動市場需求的持續(xù)旺盛，半導體行業(yè)的景氣度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下，全球的半導體巨頭如三星、英特爾、海力士等紛紛在近期提出加大資本性支出的計劃，或開啟新一輪的半導體投資周期。作為半導體生產(chǎn)環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比最大的部分，半導體設備將直接受益于未來持續(xù)擴張的半導體產(chǎn)業(yè)。（2）集成電路工藝的進步刺激設備需求增加在摩爾定律的推動下，元器件集成度的

40、大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導致集成電路制造工序愈為復雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝所需工序約為1,000道，而10納米工藝和7納米工藝所需工序已超過1,400道。尤其當線寬向10、7、5納米甚至更小的方向升級，當前市場普遍使用的光刻機受波長的限制精度無法滿足要求，需要采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。工序步驟的大幅增加意味著需要更多以刻蝕設備、薄膜沉積設備為代表的半導體設備參與集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)。除集成電路線寬不

41、斷縮小以外，半導體器件的結構也趨于復雜，例如存儲器領域的NAND閃存已進入3D時代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層、64層量產(chǎn)向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設備和薄膜沉積設備的需求。此外，3D結構的半導體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對刻蝕設備的技術要求是更高的深寬比，這為刻蝕設備提出了新的應用方向，帶來了新的附加值。綜上，集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結構的立體化及生產(chǎn)工藝的復雜化等因素都對半導體設備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需求，并為以刻蝕設備、薄膜沉積設備為

42、代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。（3）LED新技術和應用方向的發(fā)展將催生MOCVD的新需求LED行業(yè)的新應用和新技術同樣層出不窮，除藍光LED外，紅黃光LED、深紫外LED以及MiniLED、MicroLED、第三代半導體功率器件等諸多新產(chǎn)品方興未艾，這些領域都需要MOCVD設備，將進一步擴大MOCVD設備的市場規(guī)模。MiniLED和MicroLED具有高分辨率、高亮度、省電及反應速度快等特點，被視為新一代顯示技術，吸引蘋果、三星、LG、索尼等大型企業(yè)布局發(fā)展。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體功率器件由于具有高效、低能耗和快速轉換等優(yōu)點，正在迅速取代部分硅功率器件，并從電子領域擴

43、展到如民用高頻器件，例如5G等其他領域，市場前景廣闊。根據(jù)LEDinside預測，深紫外LED市場產(chǎn)值于2017年成長至2.23億美金，預估2022年將會到達12.24億美金，2017-2022年復合成長率達33%。除固化應用市場穩(wěn)定成長之外，表面殺菌、靜止水殺菌、流動水殺菌等應用為2018-2022年深紫外LED市場的主要成長動能。（4）全球半導體產(chǎn)能向中國大陸轉移，推動國內設備行業(yè)大力發(fā)展作為全球最大的半導體消費市場，我國對半導體器件產(chǎn)品的需求持續(xù)旺盛，中國半導體市場規(guī)模2013年至2018年年均復合增長率為14.34%。市場需求帶動全球產(chǎn)能中心逐步向中國大陸轉移，持續(xù)的產(chǎn)能轉移帶動了大陸

44、半導體整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術水平的提高。SEMI所發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預測報告顯示，2016至2017年間，新建的晶圓廠達17座，其中中國大陸占了10座。SEMI進一步預估，2017年到2020年的四年間，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預計占全球新建晶圓廠的42%，為全球之最。中國大陸晶圓廠建廠潮為半導體設備行業(yè)提供了巨大的市場空間。根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年第三季度中國大陸半導體設備銷售額同比增長106%，首次超越韓國，預計2019年將成為全球最大半導體設備市場。同時，中國大陸需求和投資的旺盛也促進了我國半導體產(chǎn)

45、業(yè)專業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展，半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的良性發(fā)展為我國設備產(chǎn)業(yè)的擴張和升級提供了機遇。（5）良好的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策為進一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年6月出臺的國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要強調，進一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導向，以技術創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機制創(chuàng)新為動力，突破集成電路關鍵裝備和材料瓶頸，推動產(chǎn)業(yè)整體提升，實現(xiàn)跨越式發(fā)展。國家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺了多項政策，推動中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國產(chǎn)化進程，將半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國家發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的決心。在良好的政策環(huán)境下，國家產(chǎn)業(yè)投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導體

46、產(chǎn)業(yè)。國家產(chǎn)業(yè)投資基金通過股權投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強技術優(yōu)勢和市場競爭力的公司，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國家產(chǎn)業(yè)投資基金設立的同時，各地也支持設立地方性投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權投資基金進入集成電路領域，以國家資金為杠桿，撬動大規(guī)模社會資本進入半導體產(chǎn)業(yè)。我國半導體設備行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于我國半導體設備行業(yè)技術水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。2、面臨的挑戰(zhàn)（1）融資環(huán)境仍不成熟半導體設備行業(yè)投資周期長，研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，為保持公司的技術優(yōu)勢，需要長期、持續(xù)不斷的研發(fā)投入。目前行業(yè)內企業(yè)主要資金來

47、源于股東的投入，融資渠道單一限制了國內產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（2）高端技術和人才的缺乏半導體設備行業(yè)屬于典型技術密集型行業(yè)，對于技術人員的知識背景、研發(fā)能力及操作經(jīng)驗積累均有較高要求。雖然近年來國家對半導體設備行業(yè)給予鼓勵和支持，但由于研發(fā)起步較晚，業(yè)內人才和技術水平仍然較為缺乏，在一定程度上制約了行業(yè)的快速發(fā)展。二、市場分析1、2006-2020年國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略在集成電路（特別是中央處理器芯片）、系統(tǒng)軟件、關鍵應用軟件、自主可控關鍵裝備等涉及自主發(fā)展能力的關鍵領域，瞄準國際創(chuàng)新前沿，加大投入，重點突破，逐步掌握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主動權。制定并完善集成電路、軟件、基礎電子產(chǎn)品、信息安全產(chǎn)品、信息服務業(yè)等領域

48、的產(chǎn)業(yè)政策。研究制定支持大型中央企業(yè)的信息化發(fā)展政策。培育有核心競爭能力的信息產(chǎn)業(yè)。加強政府引導，突破集成電路、軟件、關鍵電子元器件、關鍵工藝裝備等基礎產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸，提高在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，逐步形成技術領先、基礎雄厚、自主發(fā)展能力強的信息產(chǎn)業(yè)。2、關于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策的通知為進一步優(yōu)化軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展質量和水平，培育一批有實力和影響力的行業(yè)領先企業(yè)，在財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口等各方面制定了許多優(yōu)惠政策。在投融資方面，積極支持符合條件的軟件企業(yè)和集成電路企業(yè)采取發(fā)行股票、債券等多種方式籌集資金，拓寬直接融資渠道。3、關于海關支持

49、軟件產(chǎn)明確了經(jīng)認定的軟件進企業(yè)進口所需的自用設備以及配套件、備件可以免征進口關稅，照章征收進業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有關政策規(guī)定和措施的公告經(jīng)認定線寬小于0.25微米或投資額超過80億元人民幣的集成電路生產(chǎn)企業(yè)和經(jīng)認定的線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，其進口自用生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)，以及集成電路生產(chǎn)設備零、配件可以免征關稅和進口環(huán)節(jié)增值稅。4、國家規(guī)劃布局內重點軟件企業(yè)和集成電路設計企業(yè)認定管理試行辦法規(guī)劃布局企業(yè)須符合戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等國家規(guī)劃部署，在全國軟件和集成電路行業(yè)中具有相對比較優(yōu)勢。5、關于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路

50、產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知我國境內新辦的集成電路設計企業(yè)和符合條件的軟件企業(yè)，經(jīng)認定后，在2017年12月31日前自獲利年度起計算優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。國家規(guī)劃布局內的重點軟件企業(yè)和集成電路設計企業(yè)，如當年未享受免稅優(yōu)惠的，可減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅。6、國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要提出著力發(fā)展集成電路設計業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關鍵裝備和材料；并從成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領導小組、設立國家產(chǎn)業(yè)投資基金、加大金融支持力度、落實稅收支持政策、加強安全可靠軟硬

51、件的推廣應用、強化企業(yè)創(chuàng)新能力建設、加大人才培養(yǎng)和引進力度、繼續(xù)擴大對外開放等八個方面配備了相應的保障措施。7、中國制造2025著力提升集成電路設計水平，不斷豐富知識產(chǎn)權（IP）和設計工具，突破關系國家信息與網(wǎng)絡安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應用適配能力。掌握高密度封裝及三維（3D）微組裝技術，提升封裝產(chǎn)業(yè)和測試的自主發(fā)展能力。形成關鍵制造裝備供貨能力。8、國務院辦公廳關于進一步激發(fā)民間有效投資活力促進經(jīng)濟持續(xù)健康發(fā)展的指導意見提出發(fā)揮財政性資金帶動作用，通過投資補助、資本金注入、設立基金等多種方式，廣泛吸納各類社會資本，支持企業(yè)加大技術改造力度，加大對集成電路等關鍵領域

52、和薄弱環(huán)節(jié)重點項目的投入。第四章 產(chǎn)品方案一、建設規(guī)模及主要建設內容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積13339.99（折合約20.01畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積16007.99。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內外市場需求和xxx有限公司建設能力分析，建設規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)高科技設備00000套，預計年營業(yè)收入16500.00萬元。二、產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調整，各年生產(chǎn)綱領是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考

53、市場需求預測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。第五章 選址方案分析一、項目選址原則項目選址應符合城市發(fā)展總體規(guī)劃和對市政公共服務設施的布局要求；依托選址的地理條件，交通狀況，進行建址分析；避免不良地質地段(如溶洞、斷層、軟土、濕陷土等)；公用工程如城市電力、供排水管網(wǎng)等市政設施配套完善；場址要求交通方便，環(huán)境安靜，地形比較平整，能夠充分利.用城市基礎設施，遠離污染源和易燃易爆的生產(chǎn)、儲存場所，便于生活和服務設施合理布局；場址上空無高壓輸電線路等障礙物通過，與其他公共建筑不造成相互干擾。二、建設區(qū)基本情況湖北省，簡稱鄂，中華人民共和國省級行政區(qū)，省會武漢。地

54、處中國中部地區(qū)，東鄰安徽，西連重慶，西北與陜西接壤，南接江西、湖南，北與河南毗鄰，介于北緯29015333647、東經(jīng)10821421160750之間，東西長約740千米，南北寬約470千米，總面積18.59萬平方千米，占中國總面積的1.94%。最東端是黃梅縣，最西端是利川市，最南端是來鳳縣，最北端是鄖西縣。湖北省地勢大致為東、西、北三面環(huán)山，中間低平，略呈向南敞開的不完整盆地。在全省總面積中，山地占56%，丘陵占24%，平原湖區(qū)占20%，屬長江水系。湖北省地處亞熱帶，全省除高山地區(qū)屬高山氣候外，大部分地區(qū)屬亞熱帶季風性濕潤氣候。截至2019年末，湖北省共轄12個地級市、1個自治州、4個省直轄

55、縣級行政單位，共有25個縣級市、36個縣、2個自治縣、1個林區(qū)，常住人口5927萬人。實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值（GD）45828.31億元，其中，第一產(chǎn)業(yè)完成增加值3809.09億元，第二產(chǎn)業(yè)完成增加值19098.62億元，第三產(chǎn)業(yè)完成增加值22920.60億元。從國內看，經(jīng)濟長期向好的基本面沒有改變，發(fā)展前景依然廣闊，但提質增效、轉型升級的要求更加緊迫。經(jīng)濟發(fā)展進入新常態(tài)，向形態(tài)更高級、分工更優(yōu)化、結構更合理階段演化的趨勢更加明顯。消費升級加快，市場空間廣闊，物質基礎雄厚，產(chǎn)業(yè)體系完備，資金供給充裕，人力資本豐富，創(chuàng)新累積效應正在顯現(xiàn)，綜合優(yōu)勢依然顯著。新型工業(yè)化、信息化、城鎮(zhèn)化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化深入發(fā)展

56、，新的增長動力正在孕育形成，新的增長點、增長極、增長帶不斷成長壯大。全面深化改革和全面推進依法治國正釋放新的動力、激發(fā)新的活力。同時，必須清醒認識到，發(fā)展方式粗放，不平衡、不協(xié)調、不可持續(xù)問題仍然突出，經(jīng)濟增速換擋、結構調整陣痛、動能轉換困難相互交織，面臨穩(wěn)增長、調結構、防風險、惠民生等多重挑戰(zhàn)。有效需求乏力和有效供給不足并存，結構性矛盾更加凸顯，傳統(tǒng)比較優(yōu)勢減弱，創(chuàng)新能力不強，經(jīng)濟下行壓力加大，財政收支矛盾更加突出，金融風險隱患增大。農(nóng)業(yè)基礎依然薄弱，部分行業(yè)產(chǎn)能過剩嚴重，商品房庫存過高，企業(yè)效益下滑，債務水平持續(xù)上升。城鄉(xiāng)區(qū)域發(fā)展不平衡，空間開發(fā)粗放低效，資源約束趨緊，生態(tài)環(huán)境惡化趨勢尚未

57、得到根本扭轉?；竟卜展┙o仍然不足，收入差距較大，人口老齡化加快，消除貧困任務艱巨。重大安全事故頻發(fā)，影響社會穩(wěn)定因素增多，國民文明素質和社會文明程度有待提高，法治建設有待加強，維護社會和諧穩(wěn)定難度加大。預計地區(qū)生產(chǎn)總值增長7.8%左右，連續(xù)三年保持穩(wěn)定。主要經(jīng)濟指標好于全國、中部靠前。糧食再獲豐收；工業(yè)增加值增速快于上年、全國領先；服務業(yè)對經(jīng)濟增長貢獻率達到60%左右。高技術制造業(yè)、裝備制造業(yè)增速同比加快。規(guī)上工業(yè)企業(yè)利潤總額增長9.1%，稅收占地方一般公共預算收入比重提高到74.7%，呈現(xiàn)量增質優(yōu)的良好態(tài)勢。今年是全面建成小康社會和“十三五”規(guī)劃收官之年，要實現(xiàn)第一個百年奮斗目標，為“十四五”發(fā)展和實現(xiàn)第二個百年奮斗目標打好基礎。堅持以供給側結構性改革為主線，堅持以改革開放創(chuàng)新為動力，加快推動高質量發(fā)展，堅決打贏三大攻堅戰(zhàn)，統(tǒng)籌推進“穩(wěn)促調惠防?！?，總攻全面小康