武漢高科技設(shè)備項(xiàng)目可行性研究報(bào)告樣例模板

1、泓域咨詢(xún) /武漢高科技設(shè)備項(xiàng)目可行性研究報(bào)告武漢高科技設(shè)備項(xiàng)目可行性研究報(bào)告泓域咨詢(xún) MACRO報(bào)告說(shuō)明縱觀半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動(dòng)，但整體增長(zhǎng)趨勢(shì)并未發(fā)生變化，而每一次技術(shù)變革是驅(qū)動(dòng)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Αv史證明，隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品朝著智能化、輕薄化、便攜化發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，從個(gè)人電腦、寬帶互聯(lián)網(wǎng)到移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)更替，使得集成電路、MEMS、功率器件等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)前景和發(fā)展機(jī)遇越來(lái)越廣闊。雖然短期內(nèi)個(gè)人電腦和智能手機(jī)滲透率接近高位在一定程度上影響半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動(dòng)的如云計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，逐

2、漸成為半導(dǎo)體行業(yè)新一代技術(shù)的變革力量。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，伴隨新應(yīng)用推動(dòng)市場(chǎng)需求的持續(xù)旺盛，半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下，全球的半導(dǎo)體巨頭如三星、英特爾、海力士等紛紛在近期提出加大資本性支出的計(jì)劃，或開(kāi)啟新一輪的半導(dǎo)體投資周期。作為半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比最大的部分，半導(dǎo)體設(shè)備將直接受益于未來(lái)持續(xù)擴(kuò)張的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資39760.91萬(wàn)元，其中：建設(shè)投資33973.45萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的85.44%；建設(shè)期利息984.91萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的2.48%；流動(dòng)資金4802.55萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的12

3、.08%。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測(cè)算，項(xiàng)目正常運(yùn)營(yíng)每年?duì)I業(yè)收入94000.00萬(wàn)元，綜合總成本費(fèi)用77985.96萬(wàn)元，凈利潤(rùn)9384.88萬(wàn)元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率19.71%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值4000.26萬(wàn)元，全部投資回收期6.03年。本期項(xiàng)目具有較強(qiáng)的財(cái)務(wù)盈利能力，其財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項(xiàng)目技術(shù)上可行、經(jīng)濟(jì)上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計(jì)優(yōu)良。本期項(xiàng)目的投資建設(shè)和實(shí)施無(wú)論是經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益等方面都是積極可行的?？傮w而言，“十三五”時(shí)期，機(jī)遇與挑戰(zhàn)交織，仍是武漢加快發(fā)展的黃金機(jī)遇期。必須主動(dòng)適應(yīng)世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展新趨向新態(tài)勢(shì)，審慎把握我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新特點(diǎn)新要求，立足新階段新問(wèn)題，牢

4、牢把握發(fā)展機(jī)遇，積極應(yīng)對(duì)風(fēng)險(xiǎn)和挑戰(zhàn)，以更強(qiáng)的責(zé)任擔(dān)當(dāng)，更大的改革魄力，更廣的開(kāi)放胸懷，更實(shí)的創(chuàng)新精神，主動(dòng)作為，積極進(jìn)取，努力實(shí)現(xiàn)“十三五”經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的新跨越。該報(bào)告是確定建設(shè)項(xiàng)目前具有決定性意義的工作，是在投資決策之前，對(duì)擬建項(xiàng)目進(jìn)行全面技術(shù)經(jīng)濟(jì)分析論證的科學(xué)方法，在投資管理中，可行性研究是指對(duì)擬建項(xiàng)目有關(guān)的自然、社會(huì)、經(jīng)濟(jì)、技術(shù)等進(jìn)行調(diào)研、分析比較以及預(yù)測(cè)建成后的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。在此基礎(chǔ)上，綜合論證項(xiàng)目建設(shè)的必要性，財(cái)務(wù)的盈利性，經(jīng)濟(jì)上的合理性，技術(shù)上的先進(jìn)性和適應(yīng)性以及建設(shè)條件的可能性和可行性，從而為投資決策提供科學(xué)依據(jù)。本期項(xiàng)目是基于公開(kāi)的產(chǎn)業(yè)信息、市場(chǎng)分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)

5、分析模型而進(jìn)行的模板化設(shè)計(jì)，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報(bào)告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。目錄第一章 項(xiàng)目總論第二章 項(xiàng)目背景及必要性第三章 行業(yè)市場(chǎng)分析第四章 產(chǎn)品方案分析第五章 選址可行性分析第六章 建筑工程可行性分析第七章 原輔材料供應(yīng)第八章 技術(shù)方案第九章 環(huán)境保護(hù)方案第十章 勞動(dòng)安全生產(chǎn)分析第十一章 節(jié)能方案第十二章 組織機(jī)構(gòu)管理第十三章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃第十四章 投資計(jì)劃第十五章 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益第十六章 招標(biāo)及投資方案第十七章 風(fēng)險(xiǎn)防范第十八章 項(xiàng)目總結(jié)分析第十九章 附表第一章 項(xiàng)目總論一、項(xiàng)目名稱(chēng)及項(xiàng)目單位項(xiàng)目名稱(chēng)：武漢高科技設(shè)備項(xiàng)目項(xiàng)目單位：xxx有限責(zé)任公司二、項(xiàng)目建

6、設(shè)地點(diǎn)本期項(xiàng)目選址位于xx（以最終選址方案為準(zhǔn)），占地面積約127.45畝。項(xiàng)目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項(xiàng)目建設(shè)。三、可行性研究范圍及分工1、項(xiàng)目提出的背景及建設(shè)必要性；2、市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)；3、建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案；4、建設(shè)地點(diǎn)與建設(shè)條性；5、工程技術(shù)方案；6、公用工程及輔助設(shè)施方案；7、環(huán)境保護(hù)、安全防護(hù)及節(jié)能；8、企業(yè)組織機(jī)構(gòu)及勞動(dòng)定員；9、建設(shè)實(shí)施與工程進(jìn)度安排；10、投資估算及資金籌措；11、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)。四、編制依據(jù)和技術(shù)原則1、承辦單位關(guān)于編制本項(xiàng)目報(bào)告的委托；2、國(guó)家和地方有關(guān)政策、法規(guī)、規(guī)劃；3、現(xiàn)行有關(guān)技術(shù)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)和

7、規(guī)定；4、相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、政策；5、項(xiàng)目承辦單位提供的基礎(chǔ)資料。五、建設(shè)背景、規(guī)模（一）項(xiàng)目背景為進(jìn)一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年6月出臺(tái)的國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要強(qiáng)調(diào)，進(jìn)一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導(dǎo)向，以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機(jī)制創(chuàng)新為動(dòng)力，突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料瓶頸，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體提升，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。國(guó)家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺(tái)了多項(xiàng)政策，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速?lài)?guó)產(chǎn)化進(jìn)程，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國(guó)家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國(guó)家發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。從需求端分析，隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，中國(guó)已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費(fèi)市場(chǎng)，衍生出了巨大的半導(dǎo)體器

8、件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計(jì)，從2013年到2018年僅中國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模就從820億美元擴(kuò)大至1,550億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為13.58%。未來(lái)隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，中國(guó)的半導(dǎo)體器件消費(fèi)還將持續(xù)增加，中國(guó)將成為全球半導(dǎo)體最具活力和發(fā)展前景的市場(chǎng)區(qū)域。從供給端分析，對(duì)比巨大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，僅半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品的進(jìn)口額從2015年起已連續(xù)四年位列所有進(jìn)口商品中的第一位，不斷擴(kuò)大的中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模嚴(yán)重依賴(lài)于進(jìn)口，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

9、自給率過(guò)低，進(jìn)口替代的空間巨大?？傮w而言，“十三五”時(shí)期，機(jī)遇與挑戰(zhàn)交織，仍是武漢加快發(fā)展的黃金機(jī)遇期。必須主動(dòng)適應(yīng)世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展新趨向新態(tài)勢(shì)，審慎把握我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新特點(diǎn)新要求，立足新階段新問(wèn)題，牢牢把握發(fā)展機(jī)遇，積極應(yīng)對(duì)風(fēng)險(xiǎn)和挑戰(zhàn)，以更強(qiáng)的責(zé)任擔(dān)當(dāng)，更大的改革魄力，更廣的開(kāi)放胸懷，更實(shí)的創(chuàng)新精神，主動(dòng)作為，積極進(jìn)取，努力實(shí)現(xiàn)“十三五”經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的新跨越。（二）建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項(xiàng)目總占地面積84966.58（折合約127.45畝），預(yù)計(jì)場(chǎng)區(qū)規(guī)劃總建筑面積87515.58。其中：生產(chǎn)工程52684.38，倉(cāng)儲(chǔ)工程10151.81，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施4375.78，公共工程20303.6

10、1。根據(jù)項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計(jì)方案為：高科技設(shè)備20000套/年。六、項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度結(jié)合該項(xiàng)目建設(shè)的實(shí)際工作情況，xxx有限責(zé)任公司將項(xiàng)目工程的建設(shè)周期確定為24個(gè)月，其工作內(nèi)容包括：項(xiàng)目前期準(zhǔn)備、工程勘察與設(shè)計(jì)、土建工程施工、設(shè)備采購(gòu)、設(shè)備安裝調(diào)試、試車(chē)投產(chǎn)等。七、建設(shè)投資估算（一）項(xiàng)目總投資構(gòu)成分析本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資39760.91萬(wàn)元，其中：建設(shè)投資33973.45萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的85.44%；建設(shè)期利息984.91萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的2.48%；流動(dòng)資金4802.55萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的12.08%。（二）建設(shè)投資

11、構(gòu)成本期項(xiàng)目建設(shè)投資33973.45萬(wàn)元，包括工程建設(shè)費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備費(fèi)，其中：工程建設(shè)費(fèi)用29628.22萬(wàn)元，工程建設(shè)其他費(fèi)用3386.75萬(wàn)元，預(yù)備費(fèi)958.48萬(wàn)元。八、項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)（一）財(cái)務(wù)效益分析根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測(cè)算，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后每年?duì)I業(yè)收入94000.00萬(wàn)元，綜合總成本費(fèi)用77985.96萬(wàn)元，稅金及附加3500.87萬(wàn)元，凈利潤(rùn)9384.88萬(wàn)元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率19.71%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值4000.26萬(wàn)元，全部投資回收期6.03年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標(biāo)表主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積84966.58約127.45畝1.1總建筑面積87515.

12、58容積率1.031.2基底面積49280.62建筑系數(shù)58.00%1.3投資強(qiáng)度萬(wàn)元/畝260.601.4基底面積49280.622總投資萬(wàn)元39760.912.1建設(shè)投資萬(wàn)元33973.452.1.1工程費(fèi)用萬(wàn)元29628.222.1.2工程建設(shè)其他費(fèi)用萬(wàn)元3386.752.1.3預(yù)備費(fèi)萬(wàn)元958.482.2建設(shè)期利息萬(wàn)元984.912.3流動(dòng)資金4802.553資金籌措萬(wàn)元39760.913.1自籌資金萬(wàn)元19660.913.2銀行貸款萬(wàn)元20100.004營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元94000.00正常運(yùn)營(yíng)年份5總成本費(fèi)用萬(wàn)元77985.966利潤(rùn)總額萬(wàn)元12513.177凈利潤(rùn)萬(wàn)元9384.888所

13、得稅萬(wàn)元3128.299增值稅萬(wàn)元3223.4410稅金及附加萬(wàn)元3500.8711納稅總額萬(wàn)元9852.6012工業(yè)增加值萬(wàn)元24698.6513盈虧平衡點(diǎn)萬(wàn)元18266.81產(chǎn)值14回收期年6.03含建設(shè)期24個(gè)月15財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率19.71%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬(wàn)元4000.26所得稅后九、主要結(jié)論及建議該項(xiàng)目工藝技術(shù)方案先進(jìn)合理，原材料國(guó)內(nèi)市場(chǎng)供應(yīng)充足，生產(chǎn)規(guī)模適宜，產(chǎn)品質(zhì)量可靠，產(chǎn)品價(jià)格具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)能力。該項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益顯著，抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)，盈利能力強(qiáng)。綜上所述，本項(xiàng)目是可行的。第二章 項(xiàng)目背景及必要性一、行業(yè)背景分析1、2006-2020年國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略在集成電路（特

14、別是中央處理器芯片）、系統(tǒng)軟件、關(guān)鍵應(yīng)用軟件、自主可控關(guān)鍵裝備等涉及自主發(fā)展能力的關(guān)鍵領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)國(guó)際創(chuàng)新前沿，加大投入，重點(diǎn)突破，逐步掌握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。制定并完善集成電路、軟件、基礎(chǔ)電子產(chǎn)品、信息安全產(chǎn)品、信息服務(wù)業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)政策。研究制定支持大型中央企業(yè)的信息化發(fā)展政策。培育有核心競(jìng)爭(zhēng)能力的信息產(chǎn)業(yè)。加強(qiáng)政府引導(dǎo)，突破集成電路、軟件、關(guān)鍵電子元器件、關(guān)鍵工藝裝備等基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸，提高在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，逐步形成技術(shù)領(lǐng)先、基礎(chǔ)雄厚、自主發(fā)展能力強(qiáng)的信息產(chǎn)業(yè)。2、關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策的通知為進(jìn)一步優(yōu)化軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量和水平

15、，培育一批有實(shí)力和影響力的行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，在財(cái)稅、投融資、研究開(kāi)發(fā)、進(jìn)出口等各方面制定了許多優(yōu)惠政策。在投融資方面，積極支持符合條件的軟件企業(yè)和集成電路企業(yè)采取發(fā)行股票、債券等多種方式籌集資金，拓寬直接融資渠道。3、關(guān)于海關(guān)支持軟件產(chǎn)明確了經(jīng)認(rèn)定的軟件進(jìn)企業(yè)進(jìn)口所需的自用設(shè)備以及配套件、備件可以免征進(jìn)口關(guān)稅，照章征收進(jìn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有關(guān)政策規(guī)定和措施的公告經(jīng)認(rèn)定線寬小于0.25微米或投資額超過(guò)80億元人民幣的集成電路生產(chǎn)企業(yè)和經(jīng)認(rèn)定的線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，其進(jìn)口自用生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專(zhuān)用建筑材料、配套系統(tǒng)，以及集成電路生產(chǎn)設(shè)備零、配件可以免征關(guān)稅和進(jìn)口環(huán)節(jié)

16、增值稅。4、國(guó)家規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)認(rèn)定管理試行辦法規(guī)劃布局企業(yè)須符合戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等國(guó)家規(guī)劃部署，在全國(guó)軟件和集成電路行業(yè)中具有相對(duì)比較優(yōu)勢(shì)。5、關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知我國(guó)境內(nèi)新辦的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和符合條件的軟件企業(yè)，經(jīng)認(rèn)定后，在2017年12月31日前自獲利年度起計(jì)算優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿(mǎn)為止。國(guó)家規(guī)劃布局內(nèi)的重點(diǎn)軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，如當(dāng)年未享受免稅優(yōu)惠的，可減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅。6、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推

17、進(jìn)綱要提出著力發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料；并從成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組、設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金、加大金融支持力度、落實(shí)稅收支持政策、加強(qiáng)安全可靠軟硬件的推廣應(yīng)用、強(qiáng)化企業(yè)創(chuàng)新能力建設(shè)、加大人才培養(yǎng)和引進(jìn)力度、繼續(xù)擴(kuò)大對(duì)外開(kāi)放等八個(gè)方面配備了相應(yīng)的保障措施。7、中國(guó)制造2025著力提升集成電路設(shè)計(jì)水平，不斷豐富知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）和設(shè)計(jì)工具，突破關(guān)系國(guó)家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國(guó)產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力。掌握高密度封裝及三維（3D）微組裝技術(shù)，提升封裝產(chǎn)業(yè)和測(cè)試的自主發(fā)展能力。形成關(guān)鍵制造裝備供貨能

18、力。8、國(guó)務(wù)院辦公廳關(guān)于進(jìn)一步激發(fā)民間有效投資活力促進(jìn)經(jīng)濟(jì)持續(xù)健康發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)提出發(fā)揮財(cái)政性資金帶動(dòng)作用，通過(guò)投資補(bǔ)助、資本金注入、設(shè)立基金等多種方式，廣泛吸納各類(lèi)社會(huì)資本，支持企業(yè)加大技術(shù)改造力度，加大對(duì)集成電路等關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)重點(diǎn)項(xiàng)目的投入。二、產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析1、行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)及面臨的機(jī)遇（1）新應(yīng)用推動(dòng)市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛縱觀半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動(dòng)，但整體增長(zhǎng)趨勢(shì)并未發(fā)生變化，而每一次技術(shù)變革是驅(qū)動(dòng)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?。歷史證明，隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品朝著智能化、輕薄化、便攜化發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，從個(gè)人電腦、寬帶互聯(lián)網(wǎng)到移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)更替，使得集成電路

19、、MEMS、功率器件等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)前景和發(fā)展機(jī)遇越來(lái)越廣闊。雖然短期內(nèi)個(gè)人電腦和智能手機(jī)滲透率接近高位在一定程度上影響半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動(dòng)的如云計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)新一代技術(shù)的變革力量。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，伴隨新應(yīng)用推動(dòng)市場(chǎng)需求的持續(xù)旺盛，半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下，全球的半導(dǎo)體巨頭如三星、英特爾、海力士等紛紛在近期提出加大資本性支出的計(jì)劃，或開(kāi)啟新一輪的半導(dǎo)體投資周期。作為半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比最大的部分，半導(dǎo)體設(shè)備將直接受益于未來(lái)持續(xù)擴(kuò)張的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。（2）集成電路工藝的進(jìn)步刺激設(shè)備需求增加

20、在摩爾定律的推動(dòng)下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導(dǎo)致集成電路制造工序愈為復(fù)雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，20納米工藝所需工序約為1,000道，而10納米工藝和7納米工藝所需工序已超過(guò)1,400道。尤其當(dāng)線寬向10、7、5納米甚至更小的方向升級(jí)，當(dāng)前市場(chǎng)普遍使用的光刻機(jī)受波長(zhǎng)的限制精度無(wú)法滿(mǎn)足要求，需要采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過(guò)100次。工序步驟的大幅增加意味著需要更多以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的半導(dǎo)體設(shè)備參與

21、集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)。除集成電路線寬不斷縮小以外，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜，例如存儲(chǔ)器領(lǐng)域的NAND閃存已進(jìn)入3D時(shí)代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層、64層量產(chǎn)向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過(guò)刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的需求。此外，3D結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對(duì)刻蝕設(shè)備的技術(shù)要求是更高的深寬比，這為刻蝕設(shè)備提出了新的應(yīng)用方向，帶來(lái)了新的附加值。綜上，集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的立體化及生產(chǎn)工藝的復(fù)雜化等因素都對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需

22、求，并為以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場(chǎng)空間。（3）LED新技術(shù)和應(yīng)用方向的發(fā)展將催生MOCVD的新需求LED行業(yè)的新應(yīng)用和新技術(shù)同樣層出不窮，除藍(lán)光LED外，紅黃光LED、深紫外LED以及MiniLED、MicroLED、第三代半導(dǎo)體功率器件等諸多新產(chǎn)品方興未艾，這些領(lǐng)域都需要MOCVD設(shè)備，將進(jìn)一步擴(kuò)大MOCVD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模。MiniLED和MicroLED具有高分辨率、高亮度、省電及反應(yīng)速度快等特點(diǎn)，被視為新一代顯示技術(shù)，吸引蘋(píng)果、三星、LG、索尼等大型企業(yè)布局發(fā)展。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件由于具有高效、低能耗和快速轉(zhuǎn)換等優(yōu)點(diǎn)，正在迅速

23、取代部分硅功率器件，并從電子領(lǐng)域擴(kuò)展到如民用高頻器件，例如5G等其他領(lǐng)域，市場(chǎng)前景廣闊。根據(jù)LEDinside預(yù)測(cè)，深紫外LED市場(chǎng)產(chǎn)值于2017年成長(zhǎng)至2.23億美金，預(yù)估2022年將會(huì)到達(dá)12.24億美金，2017-2022年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)33%。除固化應(yīng)用市場(chǎng)穩(wěn)定成長(zhǎng)之外，表面殺菌、靜止水殺菌、流動(dòng)水殺菌等應(yīng)用為2018-2022年深紫外LED市場(chǎng)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能。（4）全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，推動(dòng)國(guó)內(nèi)設(shè)備行業(yè)大力發(fā)展作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的需求持續(xù)旺盛，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模2013年至2018年年均復(fù)合增長(zhǎng)率為14.34%。市場(chǎng)需求帶動(dòng)全球產(chǎn)能中心逐步向中國(guó)

24、大陸轉(zhuǎn)移，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動(dòng)了大陸半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高。SEMI所發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，2016至2017年間，新建的晶圓廠達(dá)17座，其中中國(guó)大陸占了10座。SEMI進(jìn)一步預(yù)估，2017年到2020年的四年間，全球預(yù)計(jì)新建62條晶圓加工線，其中中國(guó)大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預(yù)計(jì)占全球新建晶圓廠的42%，為全球之最。中國(guó)大陸晶圓廠建廠潮為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場(chǎng)空間。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年第三季度中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)106%，首次超越韓國(guó)，預(yù)計(jì)2019年將成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。同時(shí)，中國(guó)大陸需

25、求和投資的旺盛也促進(jìn)了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專(zhuān)業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的良性發(fā)展為我國(guó)設(shè)備產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張和升級(jí)提供了機(jī)遇。（5）良好的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策為進(jìn)一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年6月出臺(tái)的國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要強(qiáng)調(diào)，進(jìn)一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導(dǎo)向，以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機(jī)制創(chuàng)新為動(dòng)力，突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料瓶頸，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體提升，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。國(guó)家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺(tái)了多項(xiàng)政策，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速?lài)?guó)產(chǎn)化進(jìn)程，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國(guó)家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國(guó)家發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。在良好的政策環(huán)境下，國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金及民

26、間資本以市場(chǎng)化的投資方式進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金通過(guò)股權(quán)投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強(qiáng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的公司，推動(dòng)企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實(shí)現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立的同時(shí)，各地也支持設(shè)立地方性投資基金，鼓勵(lì)社會(huì)各類(lèi)風(fēng)險(xiǎn)投資和股權(quán)投資基金進(jìn)入集成電路領(lǐng)域，以國(guó)家資金為杠桿，撬動(dòng)大規(guī)模社會(huì)資本進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展契機(jī)，有助于我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。2、面臨的挑戰(zhàn)（1）融資環(huán)境仍不成熟半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資周期長(zhǎng)，研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，為保持公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，需要長(zhǎng)期、持續(xù)不斷的

27、研發(fā)投入。目前行業(yè)內(nèi)企業(yè)主要資金來(lái)源于股東的投入，融資渠道單一限制了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（2）高端技術(shù)和人才的缺乏半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于典型技術(shù)密集型行業(yè)，對(duì)于技術(shù)人員的知識(shí)背景、研發(fā)能力及操作經(jīng)驗(yàn)積累均有較高要求。雖然近年來(lái)國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)給予鼓勵(lì)和支持，但由于研發(fā)起步較晚，業(yè)內(nèi)人才和技術(shù)水平仍然較為缺乏，在一定程度上制約了行業(yè)的快速發(fā)展?！笆濉睍r(shí)期，國(guó)際國(guó)內(nèi)環(huán)境顯著變化。世界經(jīng)濟(jì)在深度調(diào)整中曲折復(fù)蘇，國(guó)際環(huán)境復(fù)雜多變。我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)入新常態(tài)，呈現(xiàn)速度變化、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、動(dòng)力轉(zhuǎn)換三大特點(diǎn)，經(jīng)濟(jì)韌性好、潛力足、回旋余地大的基本特征沒(méi)有變，經(jīng)濟(jì)發(fā)展長(zhǎng)期向好的基本面沒(méi)有變，仍處于可以大有作為的重要戰(zhàn)略

28、機(jī)遇期。創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開(kāi)放、共享等五大理念，為適應(yīng)引領(lǐng)新常態(tài)指明了方向?！笆濉睍r(shí)期，是武漢率先全面建成小康社會(huì)決勝階段，是推進(jìn)經(jīng)濟(jì)總量“萬(wàn)億倍增”、建設(shè)國(guó)家中心城市的關(guān)鍵階段。一些結(jié)構(gòu)性矛盾、功能性缺陷、體制性障礙、周期性問(wèn)題與外部環(huán)境的不確定不穩(wěn)定因素相互交織并集中體現(xiàn)，呈現(xiàn)爬坡過(guò)坎、滾石上坡的階段性特征。經(jīng)濟(jì)下行壓力較大，經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式亟待轉(zhuǎn)變；交通擁堵、環(huán)境污染、空間擁擠等“城市病”加劇，城市發(fā)展方式亟待轉(zhuǎn)變；社會(huì)不穩(wěn)定因素和風(fēng)險(xiǎn)增多，社會(huì)治理方式亟待轉(zhuǎn)變。適應(yīng)國(guó)家中心城市建設(shè)的交通樞紐功能、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)功能、要素聚集功能和綜合服務(wù)管理創(chuàng)新功能亟待增強(qiáng)。尚存在著產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力不足、民營(yíng)經(jīng)

29、濟(jì)發(fā)展不夠、居民收入水平不高的問(wèn)題，公共服務(wù)和產(chǎn)品依然呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺，弱勢(shì)群體和困難群體數(shù)量規(guī)模還較大，補(bǔ)短板、兜底線任務(wù)仍較繁重?！笆濉睍r(shí)期，多重國(guó)家戰(zhàn)略機(jī)遇疊加，保持持續(xù)較快發(fā)展的支撐條件沒(méi)有變：一是長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶戰(zhàn)略賦予武漢建設(shè)長(zhǎng)江中游航運(yùn)中心和引領(lǐng)長(zhǎng)江中游城市群發(fā)展的重任，有利于加快高端要素集聚，提升輻射帶動(dòng)功能，在推動(dòng)形成區(qū)域協(xié)同發(fā)展增長(zhǎng)極中發(fā)揮更大作用。二是全面創(chuàng)新改革試驗(yàn)和國(guó)家創(chuàng)新型城市建設(shè)，有利于強(qiáng)化體制創(chuàng)新和有效供給，加快改造傳統(tǒng)增長(zhǎng)引擎，促進(jìn)大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新，超前布局支撐城市未來(lái)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)體系和創(chuàng)新體系。三是國(guó)家新型城鎮(zhèn)化綜合試點(diǎn)、武漢城市圈科技金融改革創(chuàng)新等國(guó)家戰(zhàn)略推進(jìn)

30、實(shí)施，有利于發(fā)揮內(nèi)需前沿陣地優(yōu)勢(shì)，拓展新的消費(fèi)、投資空間，是武漢率先全面建成小康社會(huì)、打造創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)型經(jīng)濟(jì)的重要支撐。第三章 行業(yè)市場(chǎng)分析一、行業(yè)基本情況（1）半導(dǎo)體行業(yè)概述半導(dǎo)體行業(yè)的重要性半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐，其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于電子通信、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分。根據(jù)國(guó)際貨幣基金組織測(cè)算，每1美元半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)值可帶動(dòng)相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來(lái)100美元的GDP，這種價(jià)值鏈的放大效應(yīng)奠定了半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的重要地位。半導(dǎo)體與信息安全的發(fā)展進(jìn)程息息相關(guān)，世界各國(guó)政府都將其視為

31、國(guó)家的骨干產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平逐漸成為了國(guó)家綜合實(shí)力的象征。半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r從歷史上看，半導(dǎo)體行業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動(dòng)行業(yè)屢獲新生。半導(dǎo)體核心元器件晶體管自誕生以來(lái)，帶動(dòng)了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)20世紀(jì)50年代至90年代的迅猛增長(zhǎng)。進(jìn)入21世紀(jì)以后市場(chǎng)日趨成熟，隨著PC、手機(jī)、液晶電視等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)滲透率不斷提高，行業(yè)增速逐步放緩。近年在以物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強(qiáng)勁需求的帶動(dòng)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)增長(zhǎng)。根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，從2013年到2018年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從3,056億美元迅速提升至4,688億美元，年均復(fù)合

32、增長(zhǎng)率達(dá)到8.93%。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個(gè)螺旋式上升的過(guò)程，放緩或回落后又會(huì)重新經(jīng)歷一次更強(qiáng)勁的復(fù)蘇。半導(dǎo)體行業(yè)在過(guò)去都遵循著摩爾定律，晶體管密度每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍。信息技術(shù)的進(jìn)步是背后的主要驅(qū)動(dòng)力，伴隨著電子產(chǎn)品在人類(lèi)生活的更廣泛普及以及智能化，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的革命為整個(gè)行業(yè)的下一輪進(jìn)化提供了動(dòng)力，半導(dǎo)體行業(yè)有望長(zhǎng)期保持旺盛的生命力。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀從需求端分析，隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，中國(guó)已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費(fèi)市場(chǎng)，衍生出了巨大的半導(dǎo)體器件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計(jì)，從2013年到2018年僅中國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模就從820億美元擴(kuò)大至

33、1,550億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為13.58%。未來(lái)隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，中國(guó)的半導(dǎo)體器件消費(fèi)還將持續(xù)增加，中國(guó)將成為全球半導(dǎo)體最具活力和發(fā)展前景的市場(chǎng)區(qū)域。從供給端分析，對(duì)比巨大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，僅半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品的進(jìn)口額從2015年起已連續(xù)四年位列所有進(jìn)口商品中的第一位，不斷擴(kuò)大的中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模嚴(yán)重依賴(lài)于進(jìn)口，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率過(guò)低，進(jìn)口替代的空間巨大。（2）半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系

34、統(tǒng)等。半導(dǎo)體產(chǎn)品按功能區(qū)分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類(lèi)。據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場(chǎng)規(guī)模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，占4,688億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)整體規(guī)模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；相較于2017年，集成電路增長(zhǎng)14.6%，光電子器件增長(zhǎng)9.3%，分立器件增長(zhǎng)11.7%，傳感器增長(zhǎng)6.0%。集成電路和光電子器件是半導(dǎo)體產(chǎn)品最主要的門(mén)類(lèi)。（3）半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)概況半導(dǎo)體設(shè)備的重要性半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一，根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一

35、代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗(yàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開(kāi)發(fā)新一代工藝，而半導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開(kāi)發(fā)新一代產(chǎn)品。半導(dǎo)體設(shè)備支撐10倍大的芯片制造產(chǎn)業(yè)，對(duì)信息產(chǎn)業(yè)有成百上千倍的放大作用，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復(fù)雜程度與日俱增，生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的制造設(shè)備需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造難度大及研發(fā)投入高等特點(diǎn)。半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)值普遍較高，一條制造先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投資中設(shè)備價(jià)值約占總投資規(guī)模的75%以上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設(shè)備需求市場(chǎng)。全球半導(dǎo)體制造設(shè)備行業(yè)簡(jiǎn)介2013年以來(lái)，隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，半導(dǎo)體

36、設(shè)備市場(chǎng)也呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額從2013年的約318億美元增長(zhǎng)至2018年的預(yù)估621億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為14.33%，高于同期全球半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模的增速。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)目前主要由國(guó)外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。根據(jù)VLSIResearch統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)及服務(wù)銷(xiāo)售額為811億美元，其中前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，由于起步較早，憑借資金、技術(shù)、客戶(hù)資源、品牌等方面的優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)65%的市場(chǎng)份額。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)簡(jiǎn)介從需求端分析，根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年半導(dǎo)體設(shè)備在中國(guó)大陸的銷(xiāo)售額估計(jì)為128億美元，

37、同比增長(zhǎng)56%，約占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的21%，已成為僅次于韓國(guó)的全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備需求市場(chǎng)。從供給端分析，根據(jù)中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)為109億元，自給率約為13%。中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)包括集成電路、LED、面板、光伏等設(shè)備，實(shí)際上國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)自給率僅有5%左右，在全球市場(chǎng)僅占1-2%，技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備市場(chǎng)自給率更低。對(duì)應(yīng)巨大的需求缺口，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口依賴(lài)的問(wèn)題突出，專(zhuān)用設(shè)備大量依賴(lài)進(jìn)口不僅嚴(yán)重影響我國(guó)半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也對(duì)我國(guó)電子信息安全造成重大隱患。下游客戶(hù)資本性支出波動(dòng)及行業(yè)周期性情況半導(dǎo)體產(chǎn)

38、業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等。半導(dǎo)體終端需求會(huì)影響半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展。而在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的下游客戶(hù)是晶圓廠。當(dāng)半導(dǎo)體終端需求增長(zhǎng)時(shí)，晶圓廠會(huì)加大資本性支出，擴(kuò)大其生產(chǎn)規(guī)模，開(kāi)始建設(shè)新廠或進(jìn)行產(chǎn)能升級(jí)。隨著晶圓廠的資本性支出加大，半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售也會(huì)隨之增長(zhǎng)。因此，半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售的周期性和波動(dòng)性較下游半導(dǎo)體制造行業(yè)更大?？傮w而言，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個(gè)螺旋式上升的過(guò)程，放緩或回落后又會(huì)重新經(jīng)歷一次更強(qiáng)勁的復(fù)蘇。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日趨成熟，特別是集成電路和微觀器件產(chǎn)業(yè)不斷地出現(xiàn)更多半

39、導(dǎo)體產(chǎn)品，半導(dǎo)體終端應(yīng)用越來(lái)越廣。隨著終端應(yīng)用逐漸滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域，下游客戶(hù)晶圓廠的資本性支出的波動(dòng)和行業(yè)周期性有望降低。（4）細(xì)分行業(yè)概述近年來(lái)全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷(xiāo)售額合計(jì)占所有半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售額的90%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)品最重要的組成部分。半導(dǎo)體設(shè)備主要服務(wù)于這兩類(lèi)產(chǎn)品的制造環(huán)節(jié)，將半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)進(jìn)一步細(xì)分，細(xì)分行業(yè)為集成電路設(shè)備行業(yè)中的刻蝕設(shè)備行業(yè)和LED設(shè)備行業(yè)中的MOCVD設(shè)備行業(yè)。刻蝕設(shè)備行業(yè)概況集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備等，晶圓制造設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比超過(guò)集成電路設(shè)備整體市場(chǎng)規(guī)模的80%。晶圓制造設(shè)備從類(lèi)別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜

40、沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類(lèi)，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類(lèi)設(shè)備。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2017年按全球晶圓制造設(shè)備銷(xiāo)售金額占比類(lèi)推，目前刻蝕設(shè)備、光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約24%、23%和18%。隨著集成電路芯片制造工藝的進(jìn)步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒(méi)式光刻機(jī)受到波長(zhǎng)限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過(guò)等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。在需求增長(zhǎng)較快的刻蝕

41、設(shè)備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額半壁江山。隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導(dǎo)體由于其刻蝕設(shè)備品類(lèi)齊全，從65納米、45納米設(shè)備市場(chǎng)起逐步超過(guò)應(yīng)用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。TheInformationNetwork數(shù)據(jù)顯示，泛林半導(dǎo)體在刻蝕設(shè)備行業(yè)的市場(chǎng)占有率從2012年的約45%提升至2017年的約55%，主要替代了東京電子的市場(chǎng)份額。排名第二的東京電子的市場(chǎng)份額從2012年的30%降至2017年的20%。應(yīng)用材料位于第三，2017年約占19%的市場(chǎng)份額。前三大公司在2017年占據(jù)刻蝕設(shè)備總市場(chǎng)份額的94%，行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘明顯

42、。MOCVD設(shè)備行業(yè)概況LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。該產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設(shè)備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機(jī)；制造外延片需要的MOCVD設(shè)備；制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測(cè)設(shè)備；封裝需要的貼片機(jī)、固晶機(jī)、焊線臺(tái)和灌膠機(jī)等。LED外延片的制備是LED芯片生產(chǎn)的重要步驟，與集成電路在多種核心設(shè)備間循環(huán)的制造工藝不同，主要通過(guò)MOCVD單種設(shè)備實(shí)現(xiàn)。MOCVD設(shè)備作為L(zhǎng)ED制造中最重要的設(shè)備，其采購(gòu)金額一般占LED生產(chǎn)線總投入的一半以上，因此MOCVD設(shè)備的數(shù)量成為衡量LED制造商產(chǎn)能的直觀指標(biāo)。近年來(lái)，中國(guó)LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動(dòng)了作為產(chǎn)業(yè)核心

43、設(shè)備的MOCVD設(shè)備需求量的快速增長(zhǎng)。高工LED數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年中國(guó)MOCVD設(shè)備保有量從1,222臺(tái)增長(zhǎng)至1,718臺(tái)，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)18%。根據(jù)LEDinside統(tǒng)計(jì)，中國(guó)已成全球MOCVD設(shè)備最大的需求市場(chǎng)，MOCVD設(shè)備保有量占全球比例已超40%。高工LED目前MOCVD設(shè)備下游應(yīng)用主要包括藍(lán)光LED，藍(lán)光LED則主要用于照明領(lǐng)域。藍(lán)光LED與熒光粉的組合促生了取代白熾燈、熒光燈的新一代照明市場(chǎng)。更值得注意的是，藍(lán)光LED和氮化鎵有密不可分的聯(lián)系，藍(lán)光LED研發(fā)取得突破的關(guān)鍵是科學(xué)家們找到了氮化鎵這種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。氮化鎵基LED促進(jìn)了照明行業(yè)的發(fā)展。目

44、前MOCVD設(shè)備主要用于氮化鎵基及砷化鎵基半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)，其中氮化鎵基LEDMOCVD主要用于生產(chǎn)氮化鎵基LED的外延片。根據(jù)LEDinside的數(shù)據(jù)顯示，2018年全年氮化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為215臺(tái)，砷化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為65臺(tái)，氮化鎵基MOCVD設(shè)備約占全部MOCVD市場(chǎng)份額的77%。除藍(lán)光LED，MOCVD設(shè)備還可應(yīng)用于綠光LED、紅光LED、深紫外LED，以及MiniLED、MicroLED、功率器件等諸多新興領(lǐng)域，MOCVD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模會(huì)有望進(jìn)一步擴(kuò)大。二、市場(chǎng)分析（1）刻蝕設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來(lái)的發(fā)展情況與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)集成電路制造工藝集成電路制造工藝繁多復(fù)

45、雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導(dǎo)體制造三大核心工藝。薄膜沉積工藝系在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，勻膠工藝系把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝系把光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝系把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。制造芯片的過(guò)程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過(guò)薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。半導(dǎo)體制造工藝：薄膜沉積、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造三大核心工藝制造先進(jìn)的集成電路器件，如同建一個(gè)幾十層的微觀樓房，或建一個(gè)多層的高速立交橋。等離子體刻蝕技術(shù)刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻

46、蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。等離子體刻蝕設(shè)備是一種大型真空的全自動(dòng)的加工設(shè)備，一般由多個(gè)真空等離子體反應(yīng)腔和主機(jī)傳遞系統(tǒng)構(gòu)成。等離子體刻蝕設(shè)備的分類(lèi)與刻蝕工藝密切相關(guān)，其原理是利用等離子體放電產(chǎn)生的帶化學(xué)活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據(jù)被刻蝕材料類(lèi)型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（

47、單晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用?？涛g技術(shù)水平發(fā)展?fàn)顩r及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)隨著國(guó)際上高端量產(chǎn)芯片從14納米到10納米階段向7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當(dāng)前市場(chǎng)普遍使用的沉浸式光刻機(jī)受光波長(zhǎng)的限制，關(guān)鍵尺寸無(wú)法滿(mǎn)足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進(jìn)一步提升。芯片線寬的縮小及新制造工藝的采用（如多重模板工藝），對(duì)刻蝕技術(shù)

48、的精確度和重復(fù)性要求更高。刻蝕技術(shù)需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標(biāo)上滿(mǎn)足更高的要求，刻蝕設(shè)備隨之更新進(jìn)步，例如：刻蝕設(shè)備的靜電吸盤(pán)從原來(lái)的四分區(qū)擴(kuò)展到超過(guò)20個(gè)分區(qū)，以實(shí)現(xiàn)更高要求的均勻性；更好的腔體的溫度控制實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)重復(fù)性的提高。集成電路2D存儲(chǔ)器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進(jìn)入3D時(shí)代。目前64層3DNAND閃存已進(jìn)入大生產(chǎn)，96層和128層閃存正處于研發(fā)中。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)?？涛g要在氧化硅和氮化硅一對(duì)的疊層結(jié)構(gòu)上，加工40：1到60：1

49、的極深孔或極深的溝槽。3DNAND層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比。（2）MOCVD設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來(lái)的發(fā)展情況與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)在光電子半導(dǎo)體LED領(lǐng)域存在一個(gè)類(lèi)似摩爾定律的海茲定律，即LED的價(jià)格每10年將為原來(lái)的1/10，輸出流明則增加20倍。自1993年第一顆商業(yè)化藍(lán)光LED誕生以來(lái)，經(jīng)過(guò)20多年的發(fā)展，制造藍(lán)光LED的MOCVD技術(shù)已達(dá)到較為成熟的階段，目前MOCVD設(shè)備企業(yè)主要在提高大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的性能、降低生產(chǎn)成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)，以滿(mǎn)足下游應(yīng)用市場(chǎng)的需求。主流MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔的加工能力從31片4英寸外延片發(fā)展到34片4英寸外延片，現(xiàn)在

50、行業(yè)主流廠商正在開(kāi)發(fā)41片4英寸外延片超大反應(yīng)器。 制造紅黃光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD設(shè)備，這些設(shè)備還有待進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。MiniLED和MicroLED可能帶來(lái)的顯示器件革命孕育著更大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。第四章 產(chǎn)品方案分析一、建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項(xiàng)目場(chǎng)地規(guī)模該項(xiàng)目總占地面積84966.58（折合約127.45畝），預(yù)計(jì)場(chǎng)區(qū)規(guī)劃總建筑面積87515.58。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求和xxx有限責(zé)任公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)高科技設(shè)備20000套，預(yù)計(jì)年?duì)I業(yè)收入94000.00萬(wàn)元。二、產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項(xiàng)目產(chǎn)品主要從國(guó)家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場(chǎng)需

51、求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進(jìn)程度、項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益及投資風(fēng)險(xiǎn)性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場(chǎng)需求狀況進(jìn)行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)情況確定，同時(shí)，把產(chǎn)量和銷(xiāo)量視為一致，本報(bào)告將按照初步產(chǎn)品方案進(jìn)行測(cè)算。第五章 選址可行性分析一、項(xiàng)目選址原則項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，布局相對(duì)獨(dú)立，便于集中開(kāi)展科研、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)和管理活動(dòng)，并且統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關(guān)系，與當(dāng)?shù)氐慕ǔ蓞^(qū)有較方便的聯(lián)系。二、建設(shè)區(qū)基本情況武漢，簡(jiǎn)稱(chēng)漢，別稱(chēng)江城，是湖北省省會(huì)，中部六省唯一的副省級(jí)市，特大城市，國(guó)務(wù)院批復(fù)確定的中國(guó)中部地區(qū)的中心城

52、市，全國(guó)重要的工業(yè)基地、科教基地和綜合交通樞紐。截至2019年末，全市下轄13個(gè)區(qū)，總面積8569.15平方千米，建成區(qū)面積812.39平方千米，常住人口1121.2萬(wàn)人，地區(qū)生產(chǎn)總值1.62萬(wàn)億元。武漢地處江漢平原東部、長(zhǎng)江中游，長(zhǎng)江及其最大支流漢江在城中交匯，形成武漢三鎮(zhèn)隔江鼎立的格局，市內(nèi)江河縱橫、湖港交織，水域面積占全市總面積四分之一。作為中國(guó)經(jīng)濟(jì)地理中心，武漢素有九省通衢之稱(chēng)，是中國(guó)內(nèi)陸最大的水陸空交通樞紐和長(zhǎng)江中游航運(yùn)中心，其高鐵網(wǎng)輻射大半個(gè)中國(guó)，是華中地區(qū)唯一可直航全球五大洲的城市。武漢是聯(lián)勤保障部隊(duì)機(jī)關(guān)駐地、長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶核心城市、中部崛起戰(zhàn)略支點(diǎn)、全面創(chuàng)新改革試驗(yàn)區(qū)，也是全國(guó)三大

53、智力密集區(qū)之一，中國(guó)光谷致力打造有全球影響力的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心。根據(jù)國(guó)家發(fā)改委要求，武漢正加快建成以全國(guó)經(jīng)濟(jì)中心、高水平科技創(chuàng)新中心、商貿(mào)物流中心和國(guó)際交往中心四大功能為支撐的國(guó)家中心城市。武漢是國(guó)家歷史文化名城、楚文化的重要發(fā)祥地，境內(nèi)盤(pán)龍城遺址有3500年歷史。春秋戰(zhàn)國(guó)以來(lái)，武漢一直是中國(guó)南方的軍事和商業(yè)重鎮(zhèn)，明清時(shí)期成為楚中第一繁盛處、天下四聚之一。清末漢口開(kāi)埠和洋務(wù)運(yùn)動(dòng)開(kāi)啟武漢現(xiàn)代化進(jìn)程，使其成為近代中國(guó)重要的經(jīng)濟(jì)中心，被譽(yù)為東方芝加哥。武漢是辛亥革命首義之地，近代史上數(shù)度成為全國(guó)政治、軍事、文化中心?！笆濉睍r(shí)期，國(guó)際國(guó)內(nèi)環(huán)境顯著變化。世界經(jīng)濟(jì)在深度調(diào)整中曲折復(fù)蘇，國(guó)際環(huán)境復(fù)雜多變。我

54、國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)入新常態(tài)，呈現(xiàn)速度變化、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、動(dòng)力轉(zhuǎn)換三大特點(diǎn)，經(jīng)濟(jì)韌性好、潛力足、回旋余地大的基本特征沒(méi)有變，經(jīng)濟(jì)發(fā)展長(zhǎng)期向好的基本面沒(méi)有變，仍處于可以大有作為的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期。創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開(kāi)放、共享等五大理念，為適應(yīng)引領(lǐng)新常態(tài)指明了方向?！笆濉睍r(shí)期，是武漢率先全面建成小康社會(huì)決勝階段，是推進(jìn)經(jīng)濟(jì)總量“萬(wàn)億倍增”、建設(shè)國(guó)家中心城市的關(guān)鍵階段。一些結(jié)構(gòu)性矛盾、功能性缺陷、體制性障礙、周期性問(wèn)題與外部環(huán)境的不確定不穩(wěn)定因素相互交織并集中體現(xiàn)，呈現(xiàn)爬坡過(guò)坎、滾石上坡的階段性特征。經(jīng)濟(jì)下行壓力較大，經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式亟待轉(zhuǎn)變；交通擁堵、環(huán)境污染、空間擁擠等“城市病”加劇，城市發(fā)展方式亟待轉(zhuǎn)變；社

55、會(huì)不穩(wěn)定因素和風(fēng)險(xiǎn)增多，社會(huì)治理方式亟待轉(zhuǎn)變。適應(yīng)國(guó)家中心城市建設(shè)的交通樞紐功能、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)功能、要素聚集功能和綜合服務(wù)管理創(chuàng)新功能亟待增強(qiáng)。尚存在著產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力不足、民營(yíng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展不夠、居民收入水平不高的問(wèn)題，公共服務(wù)和產(chǎn)品依然呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺，弱勢(shì)群體和困難群體數(shù)量規(guī)模還較大，補(bǔ)短板、兜底線任務(wù)仍較繁重?！笆濉睍r(shí)期，多重國(guó)家戰(zhàn)略機(jī)遇疊加，保持持續(xù)較快發(fā)展的支撐條件沒(méi)有變：一是長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶戰(zhàn)略賦予武漢建設(shè)長(zhǎng)江中游航運(yùn)中心和引領(lǐng)長(zhǎng)江中游城市群發(fā)展的重任，有利于加快高端要素集聚，提升輻射帶動(dòng)功能，在推動(dòng)形成區(qū)域協(xié)同發(fā)展增長(zhǎng)極中發(fā)揮更大作用。二是全面創(chuàng)新改革試驗(yàn)和國(guó)家創(chuàng)新型城市建設(shè)，有利于強(qiáng)化體制創(chuàng)新

56、和有效供給，加快改造傳統(tǒng)增長(zhǎng)引擎，促進(jìn)大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新，超前布局支撐城市未來(lái)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)體系和創(chuàng)新體系。三是國(guó)家新型城鎮(zhèn)化綜合試點(diǎn)、武漢城市圈科技金融改革創(chuàng)新等國(guó)家戰(zhàn)略推進(jìn)實(shí)施，有利于發(fā)揮內(nèi)需前沿陣地優(yōu)勢(shì)，拓展新的消費(fèi)、投資空間，是武漢率先全面建成小康社會(huì)、打造創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)型經(jīng)濟(jì)的重要支撐。高質(zhì)量發(fā)展勢(shì)頭良好，主要指標(biāo)保持全國(guó)同類(lèi)城市前列，預(yù)計(jì)地區(qū)生產(chǎn)總值增長(zhǎng)7.8%左右。新動(dòng)能加快成長(zhǎng)，高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)增加值占經(jīng)濟(jì)總量比重達(dá)24.5%，數(shù)字經(jīng)濟(jì)占比40%左右，“芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，五大產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)全面提速，構(gòu)筑起高質(zhì)量發(fā)展強(qiáng)大支撐。當(dāng)前，武漢正處于高質(zhì)量發(fā)展關(guān)鍵時(shí)期。我們要準(zhǔn)確把握我國(guó)仍處于

57、重要戰(zhàn)略機(jī)遇期，經(jīng)濟(jì)穩(wěn)中向好、長(zhǎng)期向好的基本趨勢(shì)沒(méi)有改變，堅(jiān)定必勝信心，保持戰(zhàn)略定力，集中精力做好武漢的事情。我們要看到，推動(dòng)長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶發(fā)展、促進(jìn)中部地區(qū)崛起等國(guó)家戰(zhàn)略疊加聚焦，為武漢高質(zhì)量發(fā)展提供了戰(zhàn)略機(jī)遇，特別是第七屆世界軍人運(yùn)動(dòng)會(huì)成功舉辦，極大提升了城市知名度和國(guó)際影響力，城市認(rèn)同、城市自信空前高漲，武漢高質(zhì)量發(fā)展進(jìn)入“高光時(shí)刻”。我們必須抓住機(jī)遇、乘勢(shì)而上，提升城市能級(jí)和核心競(jìng)爭(zhēng)力，加快建設(shè)現(xiàn)代化、國(guó)際化、生態(tài)化大武漢，加速邁向國(guó)家中心城市和新一線城市。三、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展構(gòu)建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)支撐平臺(tái)，打造協(xié)作分享新經(jīng)濟(jì)，合理規(guī)劃布局創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)空間，營(yíng)造創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)社會(huì)氛圍，形成“大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新”的生動(dòng)局面。（一）全面推進(jìn)“四眾”依托互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新載體，拓寬創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的市場(chǎng)、社會(huì)需求對(duì)接通道。推進(jìn)專(zhuān)業(yè)空間、網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)和企業(yè)內(nèi)部眾創(chuàng)，加強(qiáng)創(chuàng)新資源共享合作。構(gòu)建一批低成本、便利化、全要素、開(kāi)放式的眾創(chuàng)空間，創(chuàng)辦一批智谷空間、創(chuàng)客空間等新型孵化器，建設(shè)一批創(chuàng)