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文檔簡介

1、1,4. 領域布局和重點任務,任務目標：研制功率放大器件及前端模組、波束控制多功能芯片、濾波器/環(huán)形器、數(shù)模轉換、光電收發(fā)等產(chǎn)品，成為華為、中興等通信設備制造商的重要供應商，為我國5G領域提供核心器件支撐。 研究內容：低頻段：高性能低噪放及射頻開關；高性能模組； GaN功率管與線性功率放大器；微基站用高效率功率放大器；硅基通信射頻收發(fā)芯片； 毫米波：高性能前端模組； GaN高效Doherty功率放大器；多通道幅相多功能芯片 ;小型化隔離器/環(huán)形器 ; 26 GHz多層聚酯薄膜濾波器 ; 前端射頻直采軟件化處理芯片； 其他：高性能數(shù)據(jù)轉換器及處理芯片 ;高性能頻率合成器；光收發(fā)芯片及器件 。 參

2、與單位：13所， 8所、12所、14所、38所、55所、聲光電公司。 成果效益：預期2020年投產(chǎn)并取得6億元的營收。 計劃進度：2020年低頻段器件產(chǎn)業(yè)化，2022年毫米波器件產(chǎn)業(yè)化,1）5G基站用核心射頻器件與集成模塊,52,2. 5G核心芯片與模塊重點任務,2,4. 領域布局和重點任務,1）5G基站用核心射頻器件與集成模塊,52,2. 5G核心芯片與模塊重點任務,2020年，突破Sub-6GHz頻段基站功放及模組、開關低噪放、硅基射頻收發(fā)芯片、數(shù)模轉換器及濾波器產(chǎn)品技術并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；2022年，突破豪米波基站功放及模組、硅基射頻收發(fā)芯片、模數(shù)轉換、直采處理器芯片產(chǎn)品技術并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；產(chǎn)品

3、指標達到國際先進水平，在GaN器件及前端模塊細分領域達到國際領先，工藝節(jié)點、產(chǎn)線制程及良率水平與國外相當,3,5G基站用核心射頻器件與集成模塊,已經(jīng)突破的關鍵技術和已經(jīng)取得的成功和應用,已突破低頻大功率GaN器件技術，研制出低頻系列化宏基站大功率GaN功放器件；已突破毫米波GaN 器件及高頻封裝技術，研制出26GHz、28GHz、39GHz 毫米波GaN功放器件；已突破MEMS濾波器研制技術，研制出26GHz、28GHz、39GHzMEMS濾波器。 以上產(chǎn)品已批量或小批量供貨，已在歐洲、日本軟銀及中國本土試驗網(wǎng)進行使用及驗證,在行動中需要重點突破的技術,5G基站用射頻前端技術 5G基站用GaN Doherty集成技

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