數(shù)字地和模擬地分別如何連接到電源地

1、數(shù)字地和模擬地分別如何連接到電源地2009-1-12 21:22提問者：xiaobao學(xué)者叵11瀏覽次數(shù)：2681次采用一個開關(guān)電源，adc器件要求有：vddd（數(shù)字3.3v）和vdda （模擬3.3v ）、vssd （數(shù)字地）和vssa （模擬地）。請問：1、用一個開關(guān)電源如何產(chǎn)生 vddd和vdda ？2、vssd和vssa分開布線，最后vssd和vssa如何接到電源地？1、不用分別產(chǎn)生vddd和vdda，兩者都連到3.3v上，注意兩者的設(shè)備，在器件 電源端附近加裝100uF、0.01uF的濾波電容，有必要的話，在連到電源的通路 中加33uH左右的電感加強濾波。2、 vssd和vssa分開

2、布線，最后vssd和vssa分別連到電源主濾波電容接地端 即可。不要在此點以外的地方互連。本人是搞EMC的兩地要分開LAY.最后選用O歐電阻或適當(dāng)?shù)拇胖榻拥诫娫吹乩?！用一個0歐姆的鐵絲連接兩個地達到共地目的。我們工程上是這么實現(xiàn)的，事實證明可以這么做。1, vddd和vdda分別接到磁珠,再接電源地（正極？）.2, vssd和vssa分別接到磁珠，再接電源地.3, 注意磁珠對電流的限制，不夠就多并聯(lián)幾個.0Q電阻模擬連接地數(shù)字地？2010-10-7 16:30提問者：Iilyalen299 空|瀏覽次數(shù)：577次下圖是某成熟電路中的一部分，為什么要用0Q電阻模擬連接地數(shù)字地?。坎皇?說模擬地要

3、與數(shù)字地分開嗎？我是電路忙，不懂，有誰能幫我解釋下嘛。謝 謝！ 問題補充:下圖R390R滿意回答所謂的數(shù)字地和模擬地分開，只是說兩種地不能混接在一起，要單點接地，而不 是完全分成兩個地。這個0歐電阻就是兩種地的單點接地點。數(shù)字地的連接直接加一個 0歐姆的電阻再接大地，模擬地直接和大地連接，這樣可 行嗎？滿意回答可以啊，不過要看具體應(yīng)用?？从袥]有防 EMI，防靜電等需求。有些設(shè)計喜歡在數(shù)字與模擬地間使用磁珠跨接，模擬地域機殼（大地）接追問我初次在畫電路板，就是有個芯片是數(shù)字地想要接地和單片那里太遠，就想可不可以直接接地，或者接個磁珠回答你的追問把我看糊涂了。接地和單片那里太遠什么意思。你是做PC

4、B板吧，幾層呢，就兩層板地線都是直接拉線走過去的？4, 6，8層的話都會分配專門的GND層，不會存在太遠的問題吧。上面說的磁珠跨接需要解釋下，我看快了，答錯了。磁珠跨接是指的器件布局間 在數(shù)字模擬地參考面的分割上跨接。防 EMI的作用。而你說的是直接網(wǎng)絡(luò)連接， 這樣話磁珠是沒太大意義了。你這樣用是沒問題。不過容易受到干擾，比如如果打靜電，能量直接就過去了， 另外更容易受到紋波噪聲的干擾。模擬地和數(shù)字地之間鏈接為址的量新設(shè)計撾毬元醉您的雙手把撼未來MOUSERmousencomi模擬地和數(shù)字地之間鏈接（1）模擬地和數(shù)字地間串接電感一般取值多大？一般用幾uH到數(shù)十uH。（2） 用0歐電阻是最佳選擇

5、 （1）可保證直流電位相等、（2）單點接地（限制噪聲）、（3）對所有頻率的噪聲 都有衰減作用（0歐也有阻抗，而且電流路徑狹窄，可以限制噪聲電流通過）。磁珠相當(dāng)于帶阻陷波器，只對某個頻點的噪聲有抑制作用，如果不能預(yù)知噪點，如何選擇型號，況且， 噪點頻率也不一定固定，故磁珠不是一個好的選擇。電容不通直流，會導(dǎo)致壓差和靜電積累，摸機殼會麻手。如果把電容和磁珠并聯(lián)，就是畫蛇添足，因 為磁珠通直，電容將失效。串聯(lián)的話就顯得不倫不類。電感特性不穩(wěn)定，離散分布參數(shù)不好控制，體積大。電感也是陷波，LC諧振（分布電容），對噪點有特效?？傊?，關(guān)鍵是模擬地和數(shù)字地要一點接地。 建議，不同種類地之間用 0 歐電阻相連

6、；電源引入高頻器件時用磁珠；高頻信號線耦合用小電容；電 感用在大功率低頻上。2 磁珠 采用在高頻段具有良好阻抗特性的鐵氧體材料燒結(jié)面成，專用于抑制信號線、電源線上的高頻噪聲和 尖峰干擾，還具有吸收 1000R100Mhz 就是說對 100M 頻率的信號有 1000 歐姆的電阻 因為磁珠的單位是按照它在某一頻率產(chǎn)生的阻抗來標(biāo)稱的，阻抗的單位也是歐姆。磁珠的 datasheet 上一般會附有頻率和阻抗的特性曲線圖。 一般以 100MHz 為標(biāo)準(zhǔn)， 比如 2012B601 ，就是指在 100MHz 的時候磁珠的 Impedance 為 600 歐姆。 在很多產(chǎn)品中，交換機的兩個地用電容連接起來，為什

7、么不用電感？ 你說的兩個地，其中一個是不是 機殼的？ 我估計（以下全部估計，有錯請指點） 如果用磁珠或者直接相連的話， 人體電路，加粗和縮短地線；單點接地，可有效防止由于地線公共阻抗而導(dǎo)致的部件之間的互相干擾。 而高頻電路和數(shù)字電路，地線的電感效應(yīng)較嚴(yán)重，單點接地會導(dǎo)致實際地線加長，故應(yīng)多點接地和單 點接地相結(jié)合。2）、高頻電路還應(yīng)考慮如何抑制高頻輻射噪聲。方法如下：應(yīng)盡量加粗地線，以降低噪聲對地阻抗； 大面積（滿）接地，即除傳輸信號及電源的印制線以外，其余部分全覆銅作為地線，但不要留有死的 無用大面積銅箔。3）、地線應(yīng)構(gòu)成環(huán)路，以防止產(chǎn)生高頻輻射噪聲，但環(huán)路面積不可過大，以免產(chǎn)生較大的感應(yīng)電

8、流。 注意若為低頻電路，則應(yīng)避免地線環(huán)路。4）、數(shù)字電源和模擬電源最好隔離，地線分開布置，如果有A/D 轉(zhuǎn)換電路，則只在盡量靠近該器件處單點接地。1）、若為低頻模擬電路，加粗和縮短地線；單點接地，可有效防止由于地線公共阻抗而導(dǎo)致的部件之 間的互相干擾。而高頻電路和數(shù)字電路，地線的電感效應(yīng)較嚴(yán)重，單點接地會導(dǎo)致實際地線加長，故 應(yīng)多點接地和單點接地相結(jié)合。2）、高頻電路還應(yīng)考慮如何抑制高頻輻射噪聲。方法如下：應(yīng)盡量加粗地線，以降低噪聲對地阻抗； 大面積（滿）接地，即除傳輸信號及電源的印制線以外，其余部分全覆銅作為地線，但不要留有死的 無用大面積銅箔。3）、地線應(yīng)構(gòu)成環(huán)路，以防止產(chǎn)生高頻輻射噪聲，

9、但環(huán)路面積不可過大，以免產(chǎn)生較大的感應(yīng)電流。 注意若為低頻電路，則應(yīng)避免地線環(huán)路。4）、數(shù)字電源和模擬電源最好隔離，地線分開布置，如果有A/D 轉(zhuǎn)換電路，則只在盡量靠近該器件處單點接地。最近看了好幾個安捷倫的電路圖，發(fā)現(xiàn)模擬地和數(shù)字地之間有用電容連接的，難道不怕數(shù)字地上高頻 噪聲干擾模擬地嗎，請高人指點一下，謝謝5LkCkL o?-SERDATl O-SERSTBRLY OXRLYPT ORK93d：DROIOOOpFI?-r70III宀 QluF:模擔(dān)地和數(shù)字地用電客連接上rij7肓4+18V Pg -5,7+5V Pg 2,4-7-ISV Pg 1-5,?PC BOARD INTERCON

10、NECTION OF GROUNDSGROUND GHDQ- IS CONNECTED TO GROUND AGNDIhlCROUND *AGMD1 IS CONNECTEE TO GROUND CGND AhD AGNLGROUND hAGMD； IS CONMECTEE TO GROUND GND-/GND = INGUARD ANOG GROLNDD = INGUARDI DIGITAL GROUNDJ模擬地和數(shù)字地模擬地和數(shù)字地都是地，在電氣上本來就該是相通的。布線時為了防止信號在地回路中因壓降造成的不良反饋，就把模擬地和數(shù)字地的地回路分開布置。然而總終這二個地還是得 連通”，用銅箔也行，用電容也行。不過，具體的連通點位置得仔細考慮。兩個原因，一個是布線時為了防止信號在地回路中因壓降造成的不良反饋，就把模擬地和數(shù)字地的地回路 分開布置。另一個就是防止直流干擾信號相互影響，而通過電容來隔斷做電磁兼容試驗時，有這個電容，能改善測量精度。不怕交流干擾？這里考慮的主要是直流干擾 模擬地的電路多交流，數(shù)字電路多直流。是利用了電容的特性，讓兩者地相同（通） 這個電容位置放置何處較好？無論是模擬地還是數(shù)字地， 接地時必須做到單點接地， 否則將會導(dǎo)致過長的接地， 或者并非電容總接地處，阻值差異產(chǎn)生的反饋干擾；但是模擬地是線性連續(xù)信號，也稱為直流信號，電容是隔直作用，防止直