高電壓技術(shù)試題

1、一、選擇1.流注理論未考慮 ()的現(xiàn)象。A. 碰撞游離B.表面游離C.光游離D.電荷畸變電場2.極化時(shí)間最短的是)。A.電子式極化C.偶極子極化B.離子式極化D.空間電荷極化3.先導(dǎo)通道的形成是以 ()的出現(xiàn)為特征。A. 碰撞游離B. 表現(xiàn)游離C. 熱游離D.光游離4.下列因素中，不會(huì)影響液體電介質(zhì)擊穿電壓的是（）A.電壓的頻率B.溫度C.電場的均勻程度D. 雜質(zhì)5.電暈放電是一種（）。A. 滑閃放電B.非自持放電C. 沿面放電D.自持放電6.以下四種氣體間隙的距離均為10cm，在直流電壓作用下，擊穿電壓最低的是（）。A. 球球間隙 (球徑 50cm)B. 棒板間隙，棒為負(fù)極C.針針間隙D.棒

2、板間隙，棒為正極7.不均勻的絕緣試品，如果絕緣嚴(yán)重受潮，則吸收比K將()A.遠(yuǎn)大于1B.遠(yuǎn)小于1C.約等于1D.不易確定衡量電介質(zhì)損耗的大小用（）表示。A.相對電介質(zhì)B.電介質(zhì)電導(dǎo)C.電介質(zhì)極化D.介質(zhì)損失角正切9.以下哪種因素與tg無關(guān)。（）A.溫度B.外加電壓C.濕度D.電壓的頻率10.SF6 氣體具有較高絕緣強(qiáng)度的主要原因之一是()A. 無色無味性 B.不燃性 C. 無腐蝕性D.電負(fù)性11.下列哪種電介質(zhì)存在雜質(zhì) “ 小橋 ” 現(xiàn)象()A.氣體B.液體C.固體D.無法確定12.構(gòu)成沖擊電壓發(fā)生器基本回路的元件有沖擊性主電容 C1，負(fù)荷電容 C2，波頭電阻 R1 和波尾電阻 R2。為了獲得

3、一很快由零上升到峰值然后較慢下降的沖擊電壓，應(yīng)使()A.C1C2,R1R2B.C1C2,R1R2C.C1R2D.C1C2,R10.030.06C.0.060.10D.0.100.2518、下面的選項(xiàng)中，非破壞性試驗(yàn)包括_，破壞性實(shí)驗(yàn)包括 _。A. 絕緣電阻試驗(yàn)B.交流耐壓試驗(yàn)C.直流耐壓試驗(yàn)D.局部放電試驗(yàn)絕緣油的氣相色譜分析F.操作沖擊耐壓試驗(yàn)G.介質(zhì)損耗角正切試驗(yàn)H.雷電沖擊耐壓試驗(yàn)二、填空1、 氣體放電現(xiàn)象包括 _和_兩種現(xiàn)象。2、極不均勻電場中，屏障的作用是由于其對_的阻擋作用，造成電場分布的改變。3、工頻耐壓試驗(yàn)中，加至規(guī)定的試驗(yàn)電壓后，一般要求持續(xù) _秒的耐壓時(shí)間。4、按絕緣缺陷存

4、在的形態(tài)而言,絕緣缺陷可分為_缺陷和 _缺陷兩大類。5、_是表征電介質(zhì)在電場作用下極化程度的物理量。6、根據(jù)巴申定律， 在某一 PS 值下，擊穿電壓存在 _值。7、用 QSI 型電橋測量介質(zhì)損失角正切時(shí)，其接線方式分為 _接線和 _接線。8、氣體內(nèi)的各種粒子因高溫而動(dòng)能增加，發(fā)生相互碰撞而產(chǎn)生游離的形式稱為_。9、在極不均勻電場中，正極性擊穿電壓比負(fù)極性擊穿電壓 _。10、標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件為：溫度t020 C，壓力b0_kPa，絕對濕度 h0 11g / m311、下行的負(fù)極性雷通?？煞譃? 個(gè)主要階段：_、_、_。12、介質(zhì)損失角正切的計(jì)算公式是_，tan表示 _。13 、 介 質(zhì) 熱老 化

5、的 程 度 主 要 是 由 _和_來決定的。14、純凈液體介質(zhì)的擊穿理論分為_和_。15、在局部放電測量中，q 稱為 _，是指_。16、在對電力設(shè)備絕緣進(jìn)行高電壓耐壓試驗(yàn)時(shí)，所采用的電壓波形有 _、_、_、_。17、目前實(shí)用的局部放電測量的方法， 使用得最多的測量方法是 _、_、_。18、沖擊電壓發(fā)生器的原理是_。19、電力系統(tǒng)外絕緣的沖擊高壓試驗(yàn)通常可以采樣 15 次沖擊法，即是 _。被試品施加正、負(fù)極性沖擊全波試驗(yàn)電壓各 15 次，相鄰兩次沖擊時(shí)間間隔應(yīng)不小于 1min三、問答：1、為什么棒板間隙中棒為正極性時(shí)電暈起始電壓比負(fù)極性時(shí)略高？（ 1）當(dāng)棒具有正極性時(shí)，間隙中出現(xiàn)的電子向棒運(yùn)動(dòng)，

6、進(jìn)入強(qiáng)電場區(qū)， 開始引起電離現(xiàn)象而形成電子崩。隨著電壓的逐漸上升， 到放電達(dá)到自持、爆發(fā)電暈之前， 在間隙中形成相當(dāng)多的電子崩。當(dāng)電子崩達(dá)到棒極后， 其中的電子就進(jìn)入棒極，而正離子仍留在空間， 相對來說緩慢地向板極移動(dòng)。于是在棒極附近，積聚起正空間電荷，從而減少了緊貼棒極附近的電場， 而略為加強(qiáng)了外部空間的電場。這樣，棒極附近的電場被削弱，難以造成流柱，這就使得自持放電也即電暈放電難以形成。（ 2）當(dāng)棒具有負(fù)極性時(shí)， 陰極表面形成的電子立即進(jìn)入強(qiáng)電場區(qū)， 造成電子崩。 當(dāng)電子崩中的電子離開強(qiáng)電場區(qū)后，電子就不再能引起電離，而以越來越慢的速度向陽極運(yùn)動(dòng)。 一部份電子直接消失于陽極，其余的可為氧原

7、子所吸附形成負(fù)離子。電子崩中的正離子逐漸向棒極運(yùn)動(dòng)而消失于棒極，但由于其運(yùn)動(dòng)速度較慢， 所以在棒極附近總是存在著正空間電荷。 結(jié)果在棒極附近出現(xiàn)了比較集中的正空間電荷， 而在其后則是非常分散的負(fù)空間電荷。 負(fù)空間電荷由于濃度小， 對外電場的影響不大，而正空間電荷將使電場畸變。棒極附近的電場得到增強(qiáng)， 因而自持放電條件易于得到滿足、易于轉(zhuǎn)入流柱而形成電暈放電。2、均勻電場和極不均勻電場間隙放電特性有何不同？間隙有哪些放電現(xiàn)象？均勻電場和極不均勻電場氣隙放電特性有何不同？在均勻電場中，氣體間隙內(nèi)流注一旦形成，放電達(dá)到自持的程度， 氣隙就被擊穿。 不均勻電場分稍不均勻和極不均勻， 在同樣極間距離時(shí)稍

8、不均勻電場的擊穿電壓比均勻電場的均勻電場氣隙的要低，在極不均勻電場氣隙中自持放電條件即是電暈起始條件， 由發(fā)生電暈至擊穿的過程還必須升高電壓才能完成。3、正流 注過程與負(fù)流注過程的發(fā)展機(jī)理有何不同？當(dāng)電子雪崩到達(dá)陽極時(shí)，雪崩中積累的帶電粒子會(huì)引起陽極與雪崩頭部之間區(qū)域的電場產(chǎn)生畸變，并使得該區(qū)域?qū)щ娦栽黾?。這樣，該區(qū)域電場強(qiáng)度就會(huì)減小， 而使得雪崩頭部與陰極之間的電場強(qiáng)度增大。 如果這種畸變發(fā)展到一定程度，將會(huì)引起正極性流注的產(chǎn)生。 在正流注的產(chǎn)生過程中，電場畸變尖峰（此處正電荷最密集）向陰極擴(kuò)展， 形成所謂的離子波。 在離子波發(fā)展路徑中，陰極產(chǎn)生的電子和附著產(chǎn)生的負(fù)離子會(huì)向電場畸變尖峰處快速

9、漂移 （因?yàn)殡妶龌兗夥逄幣c陰極間電場強(qiáng)度比較大， 大于湯遜放電時(shí)），這引起電場畸變尖峰處帶電粒子進(jìn)一步積聚， 使得該處導(dǎo)電性增強(qiáng)。于是，尖峰位置向陰極移動(dòng)，且與陰極之間的電場畸變更加嚴(yán)重， 這種自放大過程促進(jìn)了流注向陰極快速擴(kuò)展。 在離子波峰值區(qū)域與陽極之間， 電場強(qiáng)度基本穩(wěn)定在一個(gè)很小的值，有效的電離系數(shù)（考慮了電荷損失）為零負(fù)流注的發(fā)展速度比正流注的要小4、純凈液體電介質(zhì)的電擊穿理論和氣體擊穿理論兩者之間有差別嗎？為什么？電擊穿理論：以液體分子由電子的碰撞而產(chǎn)生電離為前提。氣泡擊穿理論： 液體分子由電子碰撞而產(chǎn)生氣泡，或在電場作用下因其他原因產(chǎn)生氣泡，由氣泡的成長和氣泡內(nèi)的放電導(dǎo)致液體電

10、介質(zhì)擊穿。在外施電場較高時(shí)，純凈液體中產(chǎn)生氣泡的原因：1)由陰極強(qiáng)場發(fā)射的電子電流加熱液體， 使它分解出氣泡。2)由電場加速的電子碰撞液體分子， 使液體分子解離產(chǎn)生出氣泡。3)靜電排斥作用。4)電極上尖的或不規(guī)則的凸起物上的電暈放電引起液體氣化。小橋理論：液體電介質(zhì)中的雜質(zhì)容易極化而電場方向定向排列，形成雜質(zhì)“小橋” ，使泄漏電流增大，促使水分汽化、氣泡擴(kuò)大，排成氣體“小橋”，最后將在氣體通道中發(fā)生擊穿5、總結(jié)提高液體電解質(zhì)擊穿電壓的各種方法。方法： 1、提高及保持油的品質(zhì) 消除液體中的雜質(zhì)，不能形成“小橋2、覆蓋層在金屬電極表面緊貼一層固體絕緣薄層，使“小橋”不能直接接觸電極，減小泄漏電流，

11、阻斷“小橋”熱擊穿的發(fā)展過程。 3、絕緣層 緊貼在金屬電極上的較厚的固體絕緣層，其介電常數(shù)大于液體， 而減小了電極附近的電場強(qiáng)度，防止電極附近局部放電的發(fā)生。4、屏障 一是機(jī)械地阻隔雜質(zhì)小橋的形成；二是在不均勻電場中，使另一面電場變得比較均勻，起改善電場分布的作用。5、保護(hù)設(shè)備與被保護(hù)設(shè)備的伏秒特性應(yīng)如何配合？為什么？保護(hù)設(shè)備的伏秒特性應(yīng)始終低于被保護(hù)設(shè)備的伏秒特性。這樣，當(dāng)有一過電壓作用于兩設(shè)備時(shí)，總是保護(hù)設(shè)備先擊穿， 進(jìn)而限制了過電壓幅值，保護(hù)了被保護(hù)設(shè)備6、測量絕緣材料的泄漏電流為什么用直流電壓而不用交流電壓？因?yàn)橹绷麟妷鹤饔孟碌慕橘|(zhì)損失僅有漏導(dǎo)損失，而交流作用下的介質(zhì)損失不僅有漏導(dǎo)損失還有極化損失。所以在直流電壓下，更容易測量出泄漏電流。7、測量絕緣