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文檔簡介

1、 LTE考題-華為 單選題 多選題 判斷題 1、ICIC技術(shù)主要是用來解決：（A） A、系統(tǒng)同頻干擾 B、容量受限 C、深度覆蓋 D、系統(tǒng)間干擾 2、對于雙路的室分系統(tǒng)來說，影響性能的因數(shù)有哪些？ （C） A、雙路功率的平衡度 B、雙路天線間距 C、A 1*2011 L 5C 可悄害 8 F DRRU3152-f* 2 20 W FA; 1*2011 l 約C 現(xiàn)網(wǎng)升級愎塊不再新發(fā)賞 9 E DRRU322 o 2 * 50 W E. 2*101 L *6C E頻段取通遺.主力柄害 10 單 ifillRRU FA吃 DRRU3161-fae W3CW; EH伽 FA:1*2Oi L-M2C;

2、 E:2*20M LFC FA.E頻段單通道主力箱害 11 FA-85dBm； SINR25 好點(diǎn)：RSRP二-85-95dBm； SINR： 16-25 中點(diǎn)：RSRP二-95-L05dBm； SINR： 11-15 差點(diǎn)：RSRP=-105-115dBm; SIN：3-10 極差點(diǎn)：RSRP-115dB；SINR3） 188、LTE的覆蓋和小區(qū)的配置帶寬相關(guān)，小區(qū)的帶寬越大，覆蓋性能越好。（錯(cuò)） 189、E-RAB異常釋放的原因有（4個(gè)答案）（BCDE）（應(yīng)該是ABDE） A、網(wǎng)絡(luò)擁塞 B、無線層/傳輸層問題 C、UE長時(shí)間處于不活動狀態(tài) D、核心網(wǎng)問題 E、切換失敗 （E-RAB不同原因的異常釋放：無線層問題導(dǎo)致的E-RAB異常釋放；傳輸層問題導(dǎo)致的 E-RAB異常釋放;網(wǎng)絡(luò)擁塞導(dǎo)致的E-RAB異常釋放;切換

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