高二化學(xué)選修3三章綜合測(cè)試

1、第三章綜合測(cè)試(時(shí)間90分鐘，滿分100分)第卷(選擇題共48分)一、選擇題(本題包括16小題，每小題3分，共48分，每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意)1(2011鄭州月考)下列指定微粒的個(gè)數(shù)比為21的是()ABe2中的質(zhì)子和電子 B12H中的中子和質(zhì)子CNaHCO3晶體中的陽離子和陰離子 DBaO2(過氧化鋇)固體中的陰離子和陽離子【解析】Be2中含有4個(gè)質(zhì)子、2個(gè)電子。12H原子中含有1個(gè)中子和1個(gè)質(zhì)子。NaHCO3晶體中的鈉離子與碳酸氫根離子的個(gè)數(shù)比為11。BaO2(過氧化鋇)固體中含有Ba2、O22，陰離子和陽離子的個(gè)數(shù)比為11?！敬鸢浮緼2有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)的敘述中，錯(cuò)誤的是()A金剛石的網(wǎng)狀結(jié)

2、構(gòu)中，最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子B在氯化鈉晶體中，每個(gè)氯離子周圍都緊鄰6個(gè)氯離子C在金屬銅的晶體中，由于存在自由電子，因此銅能導(dǎo)電D分子晶體熔化時(shí)，不破壞共價(jià)鍵；原子晶體熔化時(shí)，破壞共價(jià)鍵【解析】氯化鈉晶體中鈉離子周圍緊鄰6個(gè)氯離子，氯離子周圍最近且等距離的氯離子為12個(gè)；原子晶體中只有共價(jià)鍵，故熔化時(shí)只有共價(jià)鍵被破壞?！敬鸢浮緽3(2011啟東月考)經(jīng)X射線研究證明PCl5在固態(tài)時(shí)，其空間構(gòu)型分別是正四面體和正八面體的兩種離子構(gòu)成，下列關(guān)于PCl5的推斷正確的是()APCl5晶體是分子晶體BPCl5晶體由PCl32和PCl22構(gòu)成，且離子數(shù)目之比為11CPCl5晶體由PCl4和PCl6構(gòu)成，且離

3、子數(shù)目之比為11DPCl5晶體具有良好的導(dǎo)電性【解析】含正四面體結(jié)構(gòu)的離子，其離子組成為AB4n(與NH4類比)，即為PCl4，并由此導(dǎo)出陰離子為PCl6；兩種離子的物質(zhì)的量之比為11時(shí)，符合2PCl5PCl4PCl6；因?yàn)榇嬖陔x子，此晶體應(yīng)為離子晶體?！敬鸢浮緾4(2011鹽城月考)如右圖是某無機(jī)化合物的二聚分子，該分子中A、B兩種元素都是第三周期的元素，分子中所有原子的最外層都達(dá)到8個(gè)電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列說法不正確的是()A該化合物的化學(xué)式是Al2Cl6B該化合物是離子化合物，在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電C該化合物在固態(tài)時(shí)所形成的晶體是分子晶體D該化合物中不存在離子鍵，也不含有非極性共價(jià)鍵【解析】由

4、A、B元素都在第三周期，并且所有原子的最外層都達(dá)到8個(gè)電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，可知A為Cl，B為Al，故A正確；因是二聚分子，故其固態(tài)時(shí)形成分子晶體，B錯(cuò)，C正確；該化合物中不含離子鍵，只含極性共價(jià)鍵，D正確。【答案】B5X、Y、Z、R、W是5種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，它們可組成離子化合物Z2Y和共價(jià)化合物RY3、XW4，已知Y、R同主族，Z、R、W同周期。下列說法不正確的是()A原子半徑：RW；離子半徑：ZBCE【解析】設(shè)B的原子序數(shù)為z，則A、C、D的原子序數(shù)分別為z1、z1、z8，故有z1zz1z836，z7，因此A、B、C、D分別為碳、氮、氧、磷。E元素原子的半徑在同周期中最大，則E為第

5、A族元素，E的離子與C的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，故E為Na。C形成的氣態(tài)氫化物較多，不一定為正四面體形分子，如乙烯為平面結(jié)構(gòu)，A錯(cuò)誤；NaH為離子化合物，沸點(diǎn)最高，B錯(cuò)誤；C3O2中C的價(jià)態(tài)低于4價(jià)，可以被氧氣氧化，C錯(cuò)誤；B、C、E的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，核電荷數(shù)越大，離子半徑越小，故離子半徑BCE，B、D同主族，D的離子半徑大于B的離子半徑，D正確?！敬鸢浮緿7最外層有1個(gè)電子的主族元素X與最外層有7個(gè)電子的另一主族元素Y化合，以下有關(guān)描述正確的是()AX與Y一定能形成XY型離子化合物B在XY中X的原子半徑一定比Y的原子半徑大C電解XY時(shí)，陽極一定析出Y的單質(zhì)D生成的化合物一定易溶于

6、水【解析】D由題干知X、Y分別位于元素周期表中A族和A族，易形成XY型離子化合物，但HY不屬于離子化合物，A錯(cuò)誤；B項(xiàng)大小無法確定；C項(xiàng)電解HF溶液不可能得到F2；D正確?！敬鸢浮緿8.右圖是一種新型無機(jī)材料的結(jié)構(gòu)示意圖，它含有B和N兩種元素，具有與石墨類似的片層結(jié)構(gòu)。有關(guān)該無機(jī)材料用途的敘述，正確的是()A是一種堅(jiān)硬耐磨的材料B是高溫潤(rùn)滑材料、導(dǎo)電材料C是生產(chǎn)化學(xué)纖維的原料D不能確定【解析】因具有與石墨類似的片層結(jié)構(gòu)，是混合型晶體，層與層之間可以滑動(dòng)，是高溫潤(rùn)滑材料、導(dǎo)電材料?！敬鸢浮緽9(2011棗莊模擬)解釋下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律與物質(zhì)結(jié)構(gòu)間的因果關(guān)系時(shí)，與鍵能無關(guān)的變化規(guī)律是()HF、

7、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱NH3易液化F2、Cl2、Br2、I2的熔、沸點(diǎn)逐漸升高H2S的熔、沸點(diǎn)小于H2O的熔、沸點(diǎn)NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次減低ABC D全部【解析】NH3易液化主要是因分子間存在氫鍵，F(xiàn)2、Cl2、Br2、I2的熔、沸點(diǎn)逐漸升高，是因?yàn)榉肿娱g作用力逐漸增大，H2S的熔、沸點(diǎn)小于H2O的熔、沸點(diǎn)，是因?yàn)镠2O中存在氫鍵?！敬鸢浮緾10在剛剛謝幕的2008北京奧運(yùn)會(huì)中，中國體操隊(duì)和舉重隊(duì)都取得了前所未有的輝煌。體操隊(duì)和舉重隊(duì)分別以9金1銀4銅、8金1銀的成績(jī)創(chuàng)造了歷史。在體操運(yùn)動(dòng)員上器械前，舉重運(yùn)動(dòng)員舉杠鈴前，都會(huì)在手掌心上抹一種白色的粉末，還在

8、器械上也抹一些。這種白色粉末是“鎂粉”，主要成分是碳酸鎂?！版V粉”的功能是吸汗，保持手的干燥，增加和器械之間的摩擦力，以免打滑和脫杠。關(guān)于碳酸鎂下列說法正確的是()A碳酸鎂是離子晶體，高溫時(shí)不能分解BMgCO3是碳酸鎂的分子式C碳酸鎂是只由離子鍵形成的離子化合物D碳酸鎂晶體熔融時(shí)能導(dǎo)電，是因?yàn)榫w在熔融時(shí)電離產(chǎn)生了能自由移動(dòng)的陰陽離子【解析】碳酸鎂是離子晶體，MgCO3是化學(xué)式，CO32中存在共價(jià)鍵，由離子鍵和共價(jià)鍵形成的離子化合物，高溫時(shí)能分解生成MgO和CO2?！敬鸢浮緿11下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確，且存在因果關(guān)系的是()表述1表述2A在水中，NaCl的溶解度比I2的溶解度大Na

9、Cl晶體中Cl與Na間的作用力大于碘晶體中分子間的作用力B通常條件下，CH4分子比PbH4分子穩(wěn)定性高Pb的原子半徑比C的大，Pb與H之間的鍵能比C與H間的小C在形成化合物時(shí)，同一主族元素的化合價(jià)相同同一主族元素原子的最外層電子數(shù)相同DP4O10、C6H12O6溶于水后均不導(dǎo)電P4O10、C6H12O6均屬于共價(jià)化合物【解析】A項(xiàng)I2是非極性分子，在水中的溶解度?。籆項(xiàng)氧族元素中的氧元素，鹵素中的氟元素與同族的其他元素的化合價(jià)不完全相同；D項(xiàng)，P4O10溶于水后和水反應(yīng)生成H3PO4，其溶液導(dǎo)電。【答案】B12(2011大連月考)下列有關(guān)說法不正確的是()A水合銅離子的模型如圖1所示，1個(gè)水合

10、銅離子中有4個(gè)配位鍵BCaF2晶體的晶胞如圖2所示，每個(gè)CaF2晶胞平均占有4個(gè)Ca2CH原子的電子云圖如圖3所示，H原子核外大多數(shù)電子在原子核附近運(yùn)動(dòng)D金屬Cu中Cu原子堆積模型如圖4，為最密堆積，每個(gè)Cu原子的配位數(shù)均為12【解析】由電子云圖可知，H原子核外的一個(gè)電子，在原子核附近運(yùn)動(dòng)的幾率高?！敬鸢浮緾13二氧化硅晶體是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)如下圖所示。關(guān)于二氧化硅晶體的下列說法不正確的是()A晶體中Si、O原子個(gè)數(shù)比為12B晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為8C晶體中一個(gè)硅原子共用的最小環(huán)的數(shù)目為12D晶體中Si、O原子最外層都滿足8電子結(jié)構(gòu)【解析】B項(xiàng)：SiO2晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為12，B項(xiàng)錯(cuò)，C項(xiàng)：晶體中一個(gè)硅原子共同