ICP刻蝕工藝要點(diǎn)講解

1、ICP考試題庫(kù)，選擇題。B）RPMB 32000D 18000）時(shí)，設(shè)備能夠正常工作1、ICP刻蝕機(jī)的分子泵正常運(yùn)行時(shí)的轉(zhuǎn)速大約在（A 20000C 400002、北微ICP本底真空和漏率指標(biāo)為（AB2.5mT0.5mT2.5mT/minA0 0.1mT1mT/minC 0.3-0.5mT1.0mT/min3、NMC刻蝕機(jī)當(dāng)前SRF時(shí)間為（ C ）時(shí)，要求對(duì)設(shè)備進(jìn)行開(kāi)腔清潔A 50HB 100HC 200HD 2000H4、 SLR ICP托盤(pán)、螺絲等清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程（ABC）A：用DI水噴淋托盤(pán)（底盤(pán)和蓋子）、耐高溫橡皮條（7根）、螺絲B:用N2吹干C:螺絲使用一次后清洗；托盤(pán)和橡皮條使用三

2、次后清洗；當(dāng)天全部聲波清洗5、 ELEDE ICP鋁盤(pán)、石英蓋、密封圈清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程（ABCD ）A. 用DI水浸泡石英托盤(pán) 20minB. 用DI水沖洗一遍C. 用N2吹干D. 用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程（ABC ）A. 用專用螺絲刀把托盤(pán)的螺絲擰松，用手?jǐn)Q開(kāi)，放回固定位置B. 用手輕輕地取出石英蓋C. 用專用鑷子將晶片夾放到相應(yīng)的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工藝步驟（ABC ）A. 用小起子將鋁蓋輕輕翹開(kāi)B. 移開(kāi)鋁板C. 用真空吸筆將蝕刻片吸到相應(yīng)的盒子里 二，填空題。1. 蝕刻好的晶片測(cè)得的高度是1.75um底徑是2.74um那么需要進(jìn)行補(bǔ)刻大

3、約 300S2. 蝕刻時(shí)一般設(shè)置氦氣的壓力是4Torr當(dāng)實(shí)際壓力超過(guò) 5.2Torr會(huì)報(bào)警氦漏3. NMC機(jī)臺(tái)正常工作時(shí)分子泵的轉(zhuǎn)速是32000 RPM4. 在NMC工作中氮?dú)獾淖饔檬谴祾咔惑w氦氣的作用時(shí)冷卻晶片（托盤(pán)） 氧氣的作用是 清潔腔室三氯化硼的作用是蝕刻晶片5. 1 Torr = 133 P a6. 清洗晶片時(shí)丙酮的作用是清洗有機(jī)物 異丙醇的作用是清洗 丙酮7曝光使光刻膠有選擇性，正膠 光照 地方,負(fù)膠 未被光照 地方,光刻膠被顯影液反應(yīng)掉8.ICP的清潔沒(méi)有做好會(huì)造成晶片死區(qū)盲區(qū) 等缺陷9. 造成馬賽克的因素有晶片的平整度,勻膠的均勻性，曝光臺(tái)的清潔度10. NMC機(jī)臺(tái)連續(xù)工作_5

4、小時(shí)需要做Dryclean11. 每周五檢查冷凍機(jī)冷凍液剩余情況，低于第一個(gè)金屬環(huán)時(shí)應(yīng)添加異丙醇 12. 當(dāng)機(jī)臺(tái)閑置2小時(shí)以上再生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行一次預(yù)熱動(dòng)作13作業(yè)過(guò)程中，杜絕晶片放錯(cuò)片盒，以工藝記錄本的刻號(hào)為準(zhǔn)14. 實(shí)驗(yàn)時(shí)裝片要仔細(xì)查看晶片，避免把好晶片當(dāng)成廢片作為陪片刻蝕15. 實(shí)驗(yàn)片刻蝕完放回原來(lái)的盒子中，不可另外單獨(dú)存放16. 每蝕刻完一個(gè) RUN抽取兩片進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)數(shù)據(jù)如有異常，立即報(bào)告工藝人員17. 拿晶片測(cè)量數(shù)據(jù)時(shí)，不可用手觸摸晶片表面，避免晶片污染導(dǎo)致測(cè)量誤差18. 每班下班前保證有三盒有膠廢片，用過(guò)的廢片滿一盒后要及時(shí)送往清洗站19. 蝕刻前進(jìn)行晶片的挑選，凡有馬賽克

5、、污染、針孔等缺陷超過(guò)0.2mm的不能蝕刻，收集到返工盒里，待滿一盒，流到清洗站清洗20. 每次做完P(guān)M后連續(xù)做5個(gè)SEASONS著做4片實(shí)驗(yàn)，若實(shí)驗(yàn)片數(shù)據(jù)和外觀 0K就正常生產(chǎn)， 負(fù)責(zé)在做3個(gè)SEASONS 4片實(shí)驗(yàn)，直到能夠生產(chǎn)為止三，判斷題：1, ICP 刻蝕的工藝氣體是三氟甲烷 (X )2, Corial冷凍機(jī)里面裝的是 ACE ( X )3, ICP石英托盤(pán)用ACE清潔 (X )4, 真空吸筆頭容易脫落，吸片前檢查一遍吸筆頭是否穩(wěn)固 (V )5, 每次生產(chǎn)時(shí)用無(wú)塵布加IPA擦拭片盒和 CM腔室 (V )6, 操作員可更改ICP生產(chǎn)程序 (X )四，問(wèn)答題：1. 在檢測(cè)發(fā)現(xiàn)有很多的廢片

6、如滿天星；邊不對(duì)稱；刮花等，試分析一下造成這些廢片的原因。答：造成滿天星的因素可能是 1晶片曝光過(guò)程中光刻板污染、顯影過(guò)程中脫膠等，但是刻蝕 前沒(méi)有鏡檢，2裝完片沒(méi)有進(jìn)行吹掃有顆粒落在晶片上，3機(jī)臺(tái)長(zhǎng)久沒(méi)有做PM有顆粒掉在晶片上。邊不對(duì)稱：1裝片時(shí)沒(méi)有調(diào)整好，2蓋石英蓋時(shí)造成晶片移位。刮花：1裝片調(diào)整時(shí)鑷子刮到晶片，2目檢時(shí)遺漏了刮花缺陷，3擰螺絲時(shí)手指衣袖等碰到晶片。2. NMC機(jī)臺(tái)在進(jìn)行手動(dòng)操作時(shí)，機(jī)臺(tái)里只有一個(gè)托盤(pán)，托盤(pán)真正的位置在機(jī)械手臂上，但 是系統(tǒng)顯示托盤(pán)位置為未知狀態(tài)，此時(shí)該如何操作？答：點(diǎn)擊手動(dòng)模式再點(diǎn)擊托盤(pán)同步，在“設(shè)置托盤(pán)存在狀態(tài)下”設(shè)置腔室的選項(xiàng)為托盤(pán)不存在，機(jī)械手臂為托

7、盤(pán)存在托盤(pán)1,2,3,4,5 的位置都設(shè)置為托盤(pán)不存在然后點(diǎn)擊“與系統(tǒng) 記錄同步”點(diǎn)擊“與設(shè)備信號(hào)同步”此時(shí)機(jī)械手臂上會(huì)顯示有托盤(pán)，其他地方都沒(méi)有托盤(pán)， 這樣就可以進(jìn)行接下來(lái)的操作了。3. 什么叫做選擇比？如果晶片上光刻膠的厚度是2.5um,要刻出高度約為 1.55um的產(chǎn)品， 那么理想的選擇比應(yīng)該是多少？答：選擇比就是蝕刻藍(lán)寶石襯底的速度與蝕刻光刻膠的速度的比值。要刻出高度為1.55um的晶片理想的選擇比應(yīng)該是 0.62以上選擇比=1.55 / 2.5=0.624.下圖是一張簡(jiǎn)化的 NMC機(jī)臺(tái)的工藝配方，描述一下各個(gè)參數(shù)的含義。參數(shù)Stable1Etch1Stable2Etch2Stabl

8、e3Etch3flowPressure(mTorr)33331.51.50SRFPower(W)0190001400019000BRFPower0200020007000HeliumPressure(Torr)4444444GasBCL3(300sccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060Pen vlvPositi on DelayTime0000001000SRFReflectPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoi nt40404040404040答：Pressu

9、re(mTorr) 工藝腔室壓力， SRFPower(W)上電極加載功率，BRFPower下電極加載功率，HeliumPressure(Torr)氦氣壓力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量，Time(sec)蝕刻時(shí)間，PenvlvPositionDelayTimePV擺閥位置，SRFReflectPower(W)上電極反射功率，BRFReflectPower(W)下電極反射功率，C5SetPoint等離子體密度。5.簡(jiǎn)述CORIAL ICP作業(yè)流程圖6.簡(jiǎn)述CORIAL ICP裝片工藝步驟1.裝備好材料，包括石英托盤(pán)、帶密封圈的鋁蓋、藍(lán)寶石晶片；2.用無(wú)塵布蘸IPA擦拭石英托盤(pán)、鋁

10、蓋；3.將密圭寸圈均勻內(nèi)陷于鋁板小槽中；4.石英托盤(pán)背面朝上， 用真空吸筆吸取晶片背面，按一定順序放在晶片位置上，晶片平邊對(duì)準(zhǔn)托盤(pán)平邊；5.將鋁蓋放在晶片頂部，并輕壓，使鋁板嵌入托盤(pán)小槽中；6.裝好后，用無(wú)塵布蘸些許 IPA擦拭托盤(pán)背面，將托盤(pán)翻轉(zhuǎn)，輕輕擦拭托盤(pán)邊緣，小心碰到晶片表面。7.簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗托盤(pán)作業(yè)流程圖8. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖9. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP托盤(pán)清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程A. 用DI水浸泡石英托盤(pán)20min ;B. 用DI水沖洗一遍；C. 用N2吹干；D. 用IPA擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。10. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清

11、洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入 狀態(tài)，選擇 ;B. 點(diǎn)擊 顯示步驟，再點(diǎn)擊 ;C. 等待纟吉束，反應(yīng)室處于破真空狀態(tài)，擰掉反應(yīng)爐室上4顆鎖緊螺絲，打開(kāi)反應(yīng)室；D. 拆下石英細(xì)管，先用無(wú)塵布蘸上DIW,擦洗反應(yīng)室內(nèi)壁和石英窗口，再用無(wú)塵布蘸上IPA擦洗。注意檢查下電極上的彈簧圈是否有損壞，如有損壞，請(qǐng)及時(shí)更換，最后清 潔完后，按照?qǐng)D示安裝石英細(xì)管；E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮條，再放置好；F. 在 狀態(tài)，選擇 ，將 清零， 自動(dòng)加 1 ；G. 結(jié)束后，蓋上反應(yīng)室，擰上螺絲，注意先不用擰緊，點(diǎn)擊EXIT mode出maintenance mode,，等機(jī)臺(tái)進(jìn)入 vacuum ready狀態(tài)，擰緊

12、反應(yīng)室上的螺絲 .。11. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP作業(yè)流程圖12. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A. 用無(wú)塵布蘸IPA擦拭鋁托盤(pán)表面（包括 O-ring ）；B. 用專用鑷子將晶片按照一定順序夾放到托盤(pán)的各個(gè)位置上（如上圖），以邊緣均勻蓋住密封圈為準(zhǔn)（除平邊），如左下圖（不含石英蓋）所示；C. 放置石英蓋時(shí)不能移動(dòng)晶片，對(duì)準(zhǔn)定位銷(xiāo)將石英蓋輕放至托盤(pán)上，以邊緣均勻蓋住密封 圈為準(zhǔn)（除平邊），如右下圖（含石英蓋）所示；D. 擰上螺絲（注意不擰緊，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E. 用力矩螺絲刀擰內(nèi)中外圈螺絲，每隔2個(gè)擰一次，分2次擰緊，1次檢查；F. 檢查一遍晶片是否放好，并用專用吹掃

13、工具吹掃一遍；G. 用無(wú)塵布蘸IPA擦拭鋁托盤(pán)底部，注意不可將IPA沾到晶片上；H. 將裝載托盤(pán)輕放至片盒上。13. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP蝕刻作業(yè)操作I, 打開(kāi)傳輸腔室門(mén)，將片盒輕放在卡板上，剛好卡住定位銷(xiāo)，切忌左右移動(dòng)片盒;2,點(diǎn)擊 配方，打開(kāi) 工藝配方 ，檢查所選配方的工藝參數(shù)；3，點(diǎn)擊 片盒配方 ，打開(kāi)所選的片盒配方；若沒(méi)有要選擇的配方，則新建一個(gè);4，點(diǎn)擊 主界面 ，查看片盒配方詳細(xì)信息，確認(rèn)無(wú)誤，點(diǎn)擊開(kāi)始工藝；5，待工藝結(jié)束后，打開(kāi)傳輸腔室門(mén)，取出片盒及托盤(pán)，卸下晶片；14. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP清洗石英蓋、鋁盤(pán)、螺絲作業(yè)流程圖15. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖1

14、6. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP螺絲清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程A. 把螺絲裝在小燒杯里，倒入IPA覆蓋為宜，超聲波振動(dòng) 10min ;B. 用N2把螺絲吹干17. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP清洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入維護(hù)/工藝模塊，在腔室操作中點(diǎn)擊吹掃,至少吹掃100次；B. 吹掃完畢后，點(diǎn)擊吹大氣，進(jìn)行腔室破真空動(dòng)作；C. 按照正確的流程打開(kāi)反應(yīng)室；D. 移走反應(yīng)室零部件（石英蓋、密封圈、內(nèi)襯、壓環(huán)等）；E. 先用浸有DI水的無(wú)塵布擦拭反應(yīng)室內(nèi)壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的無(wú)塵布上看不到殘余物的顏色為止；F. 按照步驟E擦拭反應(yīng)室其余每個(gè)地方，特別是真空測(cè)量孔；G手動(dòng)把升降針升起，用浸有 IPA的無(wú)塵布擦

15、拭三針；H. 用浸有IPA的無(wú)塵布擦拭卡盤(pán)、聚焦環(huán)表面；I. 按照步驟E擦拭其他的部件（內(nèi)襯、壓環(huán)等）；J .安裝反應(yīng)室零部件（石英蓋、密封圈、內(nèi)襯、壓環(huán)等）；K 關(guān)閉反應(yīng)室；L.恢復(fù)反應(yīng)室狀態(tài)18. 簡(jiǎn)述SLR ICP作業(yè)流程圖19. 簡(jiǎn)述SLR ICP裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A：用打圈圈的方式使橡皮條均勻分布在底盤(pán)的各個(gè)小槽上；B：判斷托盤(pán)的方向，以中間的區(qū)域?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)，若定位橫邊往下的，則托盤(pán)兩邊的兩個(gè)小孔 分別為左右兩孔；C:用專用鑷子將晶片夾放到托盤(pán)的各個(gè)位置上，并對(duì)準(zhǔn)位置；D:把螺絲放在蓋子的小孔里；E:以蓋子邊緣的一個(gè)小孔為左邊，對(duì)應(yīng)托盤(pán)的左邊位置，小心地放在底盤(pán)上；F:用內(nèi)六角起子對(duì)角地?cái)Q螺絲，分兩次擰。第一次擰的程度為7成緊，第二次力度相對(duì)均勻地稍微擰緊；G:用專用吹掃工具吹掃已裝好片的托盤(pán)一遍。20. 簡(jiǎn)述SLR