有機發(fā)光二極管專利態(tài)勢發(fā)布

1、有機發(fā)光二極管有機發(fā)光二極管(OLED)專利態(tài)勢專利態(tài)勢電學發(fā)明審查部2011.122專利運用管理分析專利運用管理分析專利文獻數(shù)據(jù)專利文獻數(shù)據(jù)全球專利發(fā)展態(tài)勢全球專利發(fā)展態(tài)勢中國專利發(fā)展態(tài)勢中國專利發(fā)展態(tài)勢主要申請人分析主要申請人分析重點技術分析重點技術分析產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況3研發(fā)始于歐美；顯示產(chǎn)業(yè)化集中研發(fā)始于歐美；顯示產(chǎn)業(yè)化集中在韓國、日本、中國大陸和臺灣在韓國、日本、中國大陸和臺灣。 “863計劃”中“高清晰度平板顯示專項”當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產(chǎn)業(yè)化重點領域指南國務院關于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定大陸主要集中在長三角、大陸主要集中在長三角、珠三角以及京津地區(qū)。珠三角以及京津

2、地區(qū)。國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃綱要鼓勵進口技術和產(chǎn)品目錄（2011版）產(chǎn)業(yè)結構調整指導目錄（2011年本）5個19個40個10個 中國總量：中國總量：10153件件 全球總量：全球總量：70423項項6區(qū)域分析區(qū)域分析. .技術構成分析技術構成分析總量趨勢分析總量趨勢分析二二一一三三四四申請人分析申請人分析78專利年申請量總體呈快速增長態(tài)勢，日本和美國前期專利布局較多，韓國增長最快 全球申請99在中國、日本、韓國、美國和歐洲 9專利申請流向圖美國市場最受全球申請人重視美國和日本最重視中國市場 10申請目的地申請量發(fā)展趨勢11全球OLED各技術分支發(fā)展趨勢專利申請逐漸由上游專利向下游專利轉移專利申

3、請逐漸由上游專利向下游專利轉移 12全球OLED主要申請人排名排名前20名前10名前30名占總量比例534223大型跨國企業(yè)申請量大，集中趨勢明顯13申請人多邊申請量國別起始年度07年比例08年比例09年比例分支主要流向國家三星3912韓國199612.1%12.2%10.5%結構、封裝、應用、工藝和設備美國、日本、中國半導體能源2085日本19957.2%6.7%6.5%結構、材料美國、中國、韓國精工愛普生1849日本19969.9%11.7%10.2%結構、封裝、應用、工藝和設備美國、中國LG1184韓國199714.3%12.2%12.0%封裝、應用、工藝和設備美國、中國、日本索尼897

4、日本199517.3%19.4%10.8%結構、封裝美國、中國、韓國富士701日本199510.1%13.9%12.3%材料、應用美國、中國、韓國伊斯曼柯達669美國198010.7%4.8%0.5%材料、結構、應用日本、中國、韓國飛利浦633歐洲199410.3%9.4%11.2%應用中國、美國、日本佳能630日本199618.8%16.1%13.4%結構、材料美國、中國、韓國出光興產(chǎn)507日本198815.8%9.1%6.5%材料美國、中國、韓國、歐洲先鋒496日本19916.8%4.4%3.8%材料、結構美國、中國友達光電481中國19986.8%3.6%5.8%結構美國夏普465日本1

5、99110.8%12.7%15.8%結構美國、中國、韓國松下343日本19937.6%11.6%18.6%材料、美國、中國西門子（歐司朗）306歐洲199614.8%14.2%7.4%應用美國、日本、中國松下、夏普、索松下、夏普、索尼、佳能等申請尼、佳能等申請人保持高度活躍人保持高度活躍 綜合技術實力居綜合技術實力居前企業(yè)有三星、前企業(yè)有三星、精工愛普生和精工愛普生和LG14技術構成分析技術構成分析. .申請人分析申請人分析總體趨勢分析總體趨勢分析二二一一三三四四區(qū)域分析區(qū)域分析15國內外申請人發(fā)明申請量發(fā)展趨勢總體申請發(fā)展迅速，中國申請發(fā)展穩(wěn)定16OLED專利申請量構成類類 型型國內國內國外

6、國外合計合計申請申請授權授權有效有效申請申請授權授權有效有效申請申請授權授權有效有效發(fā)明專利量發(fā)明專利量275812281088706133943303981946224391發(fā)明構成發(fā)明構成28.1%26.6%24.8%71.9%73.4%75.2%實用新型專利量實用新型專利量32232224412122334334246實用新型構成實用新型構成96.4%96.4%99.2%3.6%3.6%0.8%專利總量專利總量3080155013327073340633051015349564637專利構成專利構成30.3%31.3%28.7%69.7%68.7%71.3%17各國在中國申請量發(fā)展趨勢日

7、韓申請人重視在中國的專利布局18各技術分支申請量發(fā)展趨勢各技術分支總體穩(wěn)定中國材料技術分支申請近期發(fā)展較快 19材料技術點申請量發(fā)展趨勢發(fā)光層材料屬于發(fā)光層材料屬于技術熱點之一技術熱點之一 結構（結構（26292629）基板結構（基板結構（955955）光學輔助層結構（光學輔助層結構（697697）增強色純結構增強色純結構 （185185）增強亮度結構增強亮度結構（ 229 229 ）增強對比度結構增強對比度結構 （5858）黑矩陣黑矩陣(58)(58)偏振結構偏振結構 (40)(40)顏色轉化顏色轉化層層 （6868）濾光層濾光層 （128128）精工愛普精工愛普生；三洋；生；三洋；三星三星

8、出光興產(chǎn)出光興產(chǎn)富士電機富士電機錸寶科技錸寶科技三星；松三星；松下；精工下；精工愛普生愛普生半導體能半導體能源；三星；源；三星；LGLG三星；友三星；友達光電；達光電；LGLG索尼；三索尼；三星；精工星；精工愛普生愛普生光散射層光散射層 （3030）光增強層光增強層 （130)130)2011年度專利分析普及推廣項目21中國大陸申請量集中區(qū)域圖濟南北京天津合肥福州江蘇南寧貴陽昆明武漢重慶蘭州銀川呼和浩特西寧上海烏魯木齊太原北京沈陽吉林廣東四川陜西申請量排名申請量排名北京北京上海上海廣東廣東江蘇江蘇吉林吉林四川四川陜西陜西22中國專利申請OLED主要申請人大型跨國企業(yè)在中國具有量、質優(yōu)勢23中國

9、專利申請中國內申請人排名 中國臺灣地區(qū)企業(yè)具有產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢 國內科研機構具有相當技術實力24戰(zhàn)略研究戰(zhàn)略研究-韓國三星韓國三星. .布局研究布局研究-日本出光興產(chǎn)日本出光興產(chǎn)申請人主體是企業(yè)，是技術發(fā)展的主要推動力量。申請人主體是企業(yè)，是技術發(fā)展的主要推動力量。研究主要申請人，學習其發(fā)展規(guī)律和成功經(jīng)驗。研究主要申請人，學習其發(fā)展規(guī)律和成功經(jīng)驗。25韓國三星-全球專利申請全球布局各領域均衡發(fā)展全球布局各領域均衡發(fā)展主要市場以美國、中國、主要市場以美國、中國、日本為重點區(qū)域日本為重點區(qū)域技術面廣，產(chǎn)業(yè)鏈齊全技術面廣，產(chǎn)業(yè)鏈齊全26韓國三星-中國專利申請中國布局量大面廣中國布局量大面廣技術方面以材料和結

10、構為重技術方面以材料和結構為重27現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)轉移現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)轉移進行全球合作進行全球合作全領域開發(fā)生產(chǎn)全領域開發(fā)生產(chǎn)戰(zhàn)略布局完善戰(zhàn)略布局完善28日本出光興產(chǎn)-全球專利申請全球布局：合作優(yōu)先全球布局：合作優(yōu)先本土為重，主要市場美國、本土為重，主要市場美國、中國、日本、歐洲均衡布局中國、日本、歐洲均衡布局技術優(yōu)勢主要在材料技術技術優(yōu)勢主要在材料技術29日本出光興產(chǎn)-中國專利申請中國布局總量不大中國布局總量不大近五年數(shù)量逐年下降近五年數(shù)量逐年下降技術布局主要為材料技術，技術布局主要為材料技術，近年材料比例增大近年材料比例增大30 索尼索尼(2005(2005年年) )東芝東芝(2008(2008年年) )

11、 松下松下(2011(2011年年) )UDC(2006UDC(2006年年) ) GOT(2011GOT(2011年年) )出光興產(chǎn)出光興產(chǎn)LG(2009LG(2009年年) ) 31關鍵技術研究內容關鍵技術研究內容. .重點技術重點技術- -多晶硅多晶硅TFTTFT前沿技術前沿技術- -氧化物氧化物TFTTFT關鍵技術突破是技術進步、行業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路。關鍵技術突破是技術進步、行業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路。研究關鍵技術，有助于業(yè)內企業(yè)明晰技術發(fā)展方向。研究關鍵技術，有助于業(yè)內企業(yè)明晰技術發(fā)展方向。33技術的專技術的專利現(xiàn)狀利現(xiàn)狀TFT技術申請量分布TFT申請量構成TFT技術中日本申請量和質均居領先地

12、位。多晶硅技術為量產(chǎn)熱點技術，氧化物技術為前沿技術。34四種TFT主要申請人分布序號a-SiP-SiOTFT氧化物申請人國別申請人國別申請人國別申請人國別1三星韓國 三星韓國 三星韓國 半導體能源日本2夏普日本精工愛普生日本 柯尼卡日本 三星韓國3LG韓國 夏普日本 理光日本 精工愛普生日本4精工愛普生日本 索尼日本 精工愛普生日本 夏普日本5索尼日本 日立顯示器日本 住友化學日本 LG 韓國主要TFT技術申請量日韓企業(yè)占領先地位35熱點技術-多晶硅TFT技術主要涉及方向多晶硅的多晶硅的形成方法形成方法與有源層與有源層配套的部配套的部件結構件結構多晶硅有多晶硅有源層性能源層性能的改進的改進 中

13、國專利申請集中于多晶硅有源層的形成工藝和方法。 國外專利申請廣泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及適用結構。如CN102082098A；KR100721957B1；US7524728B2等如JP3894441B2;CN1941298A;CN101131964A 等例如US7297980B2;KR20110053041A;EP1939933A3 等36前沿技術-氧化物TFT技術主要涉及方向 國內外研發(fā)方向一致：氧化物有源層材料的開發(fā)或形成有源層的方法。有源層有源層材料材料有源層配有源層配套的部件套的部件氧化物氧化物形成方法形成方法如CN101615582A；US7804231B2等如CN102064109A;JP2010278412A等如CN101488459A;US8017513B等37 從多晶硅從多晶硅TFT專利技術來看，國外的申請專利技術來看，國外的申請人研發(fā)方向具有前瞻性。人研發(fā)方向具有前瞻性。 從氧化物從氧化物TFT專利技術來看，國外的產(chǎn)學專利技術來看，國外的產(chǎn)學研結合較為緊密。研結合較為緊密。專利引進專利引進交叉許可交叉許可專利訴訟專利訴訟豐田、昭和豐田、昭和電工、摩托電工、摩托羅拉等羅拉等三洋電機、三洋電機、Tohoku Device、富士、日本精、富士、日本精機、機、Rohm、Denso、OPTEX、 Emagin、LiteArray、永信、