我國(guó)將攻關(guān)5nm及以下工藝,2030年集成電路達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

1、我國(guó)將攻關(guān)5nm及以下工藝，2030年集成電路達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平2016 年中國(guó)集成電路進(jìn)口價(jià)值 2200 億美元，超過(guò)了石 油成為第一大進(jìn)口產(chǎn)品， 2017 年集成電路進(jìn)口額則達(dá)到了 2600 億美元， 國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)龐大， 但國(guó)產(chǎn)率還不到 20%，這 兩年大漲價(jià)的NAND閃存、DRAM內(nèi)存幾乎100%依賴進(jìn)口。 目前國(guó)內(nèi)正把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)成重點(diǎn)來(lái)抓，正在推進(jìn)一系列先 進(jìn)技術(shù)研發(fā)，比如攻關(guān) 5nm 及以下工藝技術(shù)，爭(zhēng)取 2030年 集成電路達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。新華網(wǎng)援引經(jīng)濟(jì)參考報(bào)消 息，該報(bào)記者從工信部等權(quán)威部門(mén)獲悉，為推進(jìn)國(guó)家集成 電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)綱要落地，我國(guó)將針對(duì)集成電路先進(jìn)工藝和 智能傳感器創(chuàng)新

2、能力不足等問(wèn)題，出臺(tái)一系列政策“組合 拳”，加速多個(gè)重點(diǎn)關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)的攻關(guān)，以此促進(jìn)我國(guó) 集成電路產(chǎn)業(yè)的快速健康發(fā)展，并縮小我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和 世界先進(jìn)水平的差距。據(jù)介紹，我國(guó)將組織實(shí)施“芯火”創(chuàng) 新技術(shù)， 打造一批集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)， 推動(dòng)技術(shù)、 人才、 資金、市場(chǎng)等產(chǎn)業(yè)要素集聚， 重點(diǎn)涉及的技術(shù)包括以下：推 動(dòng)建設(shè)智能傳感器國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心建設(shè)，打造 8 英寸共性技 術(shù)開(kāi)發(fā)平臺(tái)，攻克高深寬比加工技術(shù)、圓片級(jí)鍵合等關(guān)鍵技 術(shù)加快組建IC先進(jìn)工藝國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心建設(shè)，攻關(guān)5納米及以下工藝共性技術(shù)等指導(dǎo)信息光電子創(chuàng)新中心落實(shí)建設(shè)方案，重點(diǎn)建設(shè)川-V族高端光電子芯片、硅光集成芯片、 高速光器件測(cè)試

3、封裝等產(chǎn)品工藝平臺(tái)，攻關(guān) 400G 硅光器件 等關(guān)鍵技術(shù)加快落實(shí)印刷及柔性顯示創(chuàng)新中心建設(shè)方案， 開(kāi)展大尺寸印刷、量子點(diǎn)印刷等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，實(shí)現(xiàn)樣機(jī)開(kāi) 發(fā)研制繼續(xù)落實(shí)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)綱要，推動(dòng)重點(diǎn)關(guān)鍵型號(hào) CPU、 FPGA 等重大破局性部署從報(bào)道所說(shuō)的內(nèi) 容來(lái)看，智能傳感器、先進(jìn)工藝研發(fā)、光電子芯片、 400G 硅光器件、柔性顯示屏（應(yīng)該是說(shuō) OLED 技術(shù)）以及重點(diǎn)型 號(hào)的 CPU、 FPGA 芯片是關(guān)鍵，這些技術(shù)放到國(guó)際來(lái)看也是 先進(jìn)的前沿技術(shù)。國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會(huì)也制定 了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)：1、2020年產(chǎn)業(yè)目標(biāo)我國(guó)集成電 路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距將逐步縮小，全行業(yè)銷(xiāo)售收入 年均增速超過(guò)20%。移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計(jì)算、 物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路涉及技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn) 水平， 16/14nm 制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測(cè)試技術(shù)達(dá)到 國(guó)際領(lǐng)先水平。 關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系，基本 建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路體系。 2.2030 年產(chǎn)業(yè)目 標(biāo)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，一批企業(yè) 進(jìn)入國(guó)際第一梯隊(duì)，產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建 設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會(huì)預(yù)測(cè)，隨著關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)完成攻關(guān)和國(guó) 產(chǎn)化，到“十三五”末，國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)的市場(chǎng)占 有率有望提升 30