ICP刻蝕工藝要點(diǎn)

1、ICP 考試題庫(kù)，選擇題。B ） RPM B 32000 D 18000 ）時(shí)，設(shè)備能夠正常工作1、ICP 刻蝕機(jī)的分子泵正常運(yùn)行時(shí)的轉(zhuǎn)速大約在（ A 20000 C 40000B2.5mT0.5mT2.5mT/min2、北微 ICP 本底真空和漏率指標(biāo)為（ A A 0 0.1mT1mT/minC 0.3-0.5mT 1.0mT/min3、NMC 刻蝕機(jī)當(dāng)前 SRF時(shí)間為（C ）時(shí)，要求對(duì)設(shè)備進(jìn)行開腔清潔A 50HB 100HC 200HD 2000H4、SLR ICP 托盤、螺絲等清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程 （ABC）A:用 DI 水噴淋托盤（底盤和蓋子） 、耐高溫橡皮條（ 7根）、螺絲B: 用 N2

2、吹干C:螺絲使用一次后清洗；托盤和橡皮條使用三次后清洗；當(dāng)天全部聲波清洗5、ELEDE ICP鋁盤、石英蓋、密封圈清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程（ ABCD ）A. 用 DI 水浸泡石英托盤 20minB. 用 DI 水沖洗一遍C. 用 N2 吹干D用 IPA 擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程 （ ABC ） A用專用螺絲刀把托盤的螺絲擰松，用手?jǐn)Q開，放回固定位置 B用手輕輕地取出石英蓋C用專用鑷子將晶片夾放到相應(yīng)的盒子里7、CORIAL ICP 卸晶片工藝步驟 （ ABC ）A 用小起子將鋁蓋輕輕翹開B 移開鋁板C 用真空吸筆將蝕刻片吸到相應(yīng)的盒子里 二，填空題。1. 蝕刻好的晶片測(cè)得的

3、高度是 1.75um底徑是 2.74um 那么需要進(jìn)行補(bǔ)刻大約 300S2. 蝕刻時(shí)一般設(shè)置氦氣的壓力是 4Torr 當(dāng)實(shí)際壓力超過 5.2Torr 會(huì)報(bào)警氦漏3. NMC機(jī)臺(tái)正常工作時(shí)分子泵的轉(zhuǎn)速是 32000 RPM4. 在 NMC工作中氮?dú)獾淖饔檬谴祾咔惑w 氦氣的作用時(shí) 冷卻晶片 （ 托盤） 氧氣的作用是 清潔腔室 三氯化硼的作用是 蝕刻晶片5. 1 Torr = 133 P a6. 清洗晶片時(shí)丙酮的作用是清洗 有機(jī)物 異丙醇的作用是清洗 丙酮7. 曝光使光刻膠有選擇性， 正膠 光照 地方，負(fù)膠 未被光照地方， 光刻膠被顯影液反應(yīng)掉8.ICP 的清潔沒有做好會(huì)造成晶片 死區(qū)盲區(qū) 等缺陷9

4、. 造成馬賽克的因素有 晶片的平整度 ， 勻膠的均勻性 ， 曝光臺(tái)的清潔度10. NMC機(jī)臺(tái)連續(xù)工作 5 小時(shí)需要做 Dryclean11. 每周五檢查冷凍機(jī)冷凍液剩余情況，低于第一個(gè)金屬環(huán)時(shí)應(yīng)添加異丙醇12. 當(dāng)機(jī)臺(tái)閑置 2 小時(shí)以上再生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行一次預(yù)熱動(dòng)作13. 作業(yè)過程中，杜絕晶片放錯(cuò)片盒，以工藝記錄本的刻號(hào)為準(zhǔn)14. 實(shí)驗(yàn)時(shí)裝片要仔細(xì)查看晶片，避免把好晶片當(dāng)成廢片作為陪片刻蝕15. 實(shí)驗(yàn)片刻蝕完放回原來的盒子中，不可另外單獨(dú)存放16. 每蝕刻完一個(gè) RUN，抽取兩片進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)數(shù)據(jù)如有異常，立即報(bào)告工藝人員17. 拿晶片測(cè)量數(shù)據(jù)時(shí)，不可用手觸摸晶片表面，避免晶片污染導(dǎo)致測(cè)量

5、誤差18. 每班下班前保證有三盒有膠廢片，用過的廢片滿一盒后要及時(shí)送往清洗站19. 蝕刻前進(jìn)行晶片的挑選，凡有馬賽克、污染、針孔等缺陷超過0.2mm2 的不能蝕刻 , 收集到返工盒里，待滿一盒，流到清洗站清洗20. 每次做完 PM后連續(xù)做 5個(gè) SEASON接著做 4片實(shí)驗(yàn)，若實(shí)驗(yàn)片數(shù)據(jù)和外觀 OK就正常生產(chǎn)，負(fù)責(zé)在做 3個(gè)SEASON和 4片實(shí)驗(yàn)，直到能夠生產(chǎn)為止 三，判斷題：1, ICP 刻蝕的工藝氣體是三氟甲烷（）2，Corial 冷凍機(jī)里面裝的是 ACE （ ）3， ICP 石英托盤用 ACE清潔（）4, 真空吸筆頭容易脫落，吸片前檢查一遍吸筆頭是否穩(wěn)固（）5，每次生產(chǎn)時(shí)用無(wú)塵布加 I

6、PA 擦拭片盒和 CM腔室（ ）6，操作員可更改 ICP 生產(chǎn)程序（ ）四，問答題：1.在檢測(cè)發(fā)現(xiàn)有很多的廢片如滿天星； 邊不對(duì)稱； 刮花等，試分析一下造成這些廢片的原因。 答：造成滿天星的因素可能是 1 晶片曝光過程中光刻板污染、 顯影過程中脫膠等， 但是刻蝕 前沒有鏡檢， 2裝完片沒有進(jìn)行吹掃有顆粒落在晶片上， 3 機(jī)臺(tái)長(zhǎng)久沒有做 PM有顆粒掉在晶 片上。邊不對(duì)稱： 1 裝片時(shí)沒有調(diào)整好， 2 蓋石英蓋時(shí)造成晶片移位。刮花： 1 裝片調(diào)整時(shí)鑷子刮到晶片， 2 目檢時(shí)遺漏了刮花缺陷， 3 擰螺絲時(shí)手指衣袖等 碰到晶片。 2NMC機(jī)臺(tái)在進(jìn)行手動(dòng)操作時(shí)，機(jī)臺(tái)里只有一個(gè)托盤，托盤真正的位置在機(jī)械手

7、臂上，但 是系統(tǒng)顯示托盤位置為未知狀態(tài)，此時(shí)該如何操作？ 答: 點(diǎn)擊手動(dòng)模式再點(diǎn)擊托盤同步， 在“設(shè)置托盤存在狀態(tài)下” 設(shè)置腔室的選項(xiàng)為 托盤不存 在，機(jī)械手臂為 托盤存在 托盤 1,2,3,4,5 的位置都設(shè)置為 托盤不存在 然后點(diǎn)擊 “與系統(tǒng) 記錄同步”點(diǎn)擊“與設(shè)備信號(hào)同步”此時(shí)機(jī)械手臂上會(huì)顯示有托盤，其他地方都沒有托盤， 這樣就可以進(jìn)行接下來的操作了。3. 什么叫做選擇比？如果晶片上光刻膠的厚度是2.5um，要刻出高度約為 1.55um 的產(chǎn)品，那么理想的選擇比應(yīng)該是多少？答：選擇比就是蝕刻藍(lán)寶石襯底的速度與蝕刻光刻膠的速度的比值。 要刻出高度為 1.55um 的晶片理想的選擇比應(yīng)該是

8、0.62 以上選擇比 =1.55 2.5=0.624. 下圖是一張簡(jiǎn)化的 NMC機(jī)臺(tái)的工藝配方，描述一下各個(gè)參數(shù)的含義。參數(shù)Stable1Etch1Stable2Etch2Stable3Etch3flowPressure(mTorr)33331.51.50SRFPower(W)0190001400019000BRFPower0200020007000HeliumPressure(Torr)4444444GasBCL3(300sccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060PenvlvPositionDelayTime0000001000SRFReflec

9、tPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoint40404040404040答： Pressure(mTorr) 工藝腔室壓力， SRFPower(W)上電極加載功率， BRFPower 下電極加載功率， HeliumPressure(Torr) 氦氣壓力， GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量， Time(sec) 蝕刻時(shí)間， PenvlvPositionDelayTime PV擺閥 位置， SRFReflectPower(W) 上電極 反射功率， BRFReflectPower(W) 下電極反射功率，

10、 C5SetPoint 等離子體密度。5簡(jiǎn)述 CORIAL ICP 作業(yè)流程圖6簡(jiǎn)述 CORIAL ICP 裝片工藝步驟1裝備好材料，包括石英托盤、帶密封圈的鋁蓋、藍(lán)寶石晶片；2用無(wú)塵布蘸 IPA 擦拭石英托盤、鋁蓋；3將密封圈均勻內(nèi)陷于鋁板小槽中；4石英托盤背面朝上， 用真空吸筆吸取晶片背面，按一定順序放在晶片位置上，晶片平邊對(duì)準(zhǔn)托盤平邊；5將鋁蓋放在晶片頂部，并輕壓，使鋁板嵌入托盤小槽中；6裝好后，用無(wú)塵布蘸些許 IPA 擦拭托盤背面，將托盤翻轉(zhuǎn)，輕輕擦拭托盤邊緣，小心碰到晶片表面。7.簡(jiǎn)述 CORIAL ICP 清洗托盤作業(yè)流程圖8. 簡(jiǎn)述 CORIAL ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖9簡(jiǎn)述

11、 CORIAL ICP 托盤清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程A. 用 DI 水浸泡石英托盤 20min；B. 用 DI 水沖洗一遍；C. 用 N2 吹干；D用 IPA 擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。10. 簡(jiǎn)述 CORIAL ICP清洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入 狀態(tài)，選擇 ；B. 點(diǎn)擊 顯示步驟，再點(diǎn)擊 ；C. 等待 結(jié)束，反應(yīng)室處于破真空狀態(tài)，擰掉反應(yīng)爐室上4 顆鎖緊螺絲，打開反應(yīng)室；D. 拆下石英細(xì)管，先用無(wú)塵布蘸上DIW，擦洗反應(yīng)室內(nèi)壁和石英窗口，再用無(wú)塵布蘸上IPA 擦洗。注意檢查下電極上的彈簧圈是否有損壞，如有損壞，請(qǐng)及時(shí)更換，最后清 潔完后，按照?qǐng)D示安裝石英細(xì)管；E. 用真空硅脂涂抹真空

12、密封橡皮條，再放置好；F. 在 狀態(tài)，選擇，將 清零， 自動(dòng)加 1；G. 結(jié)束后， 蓋上反應(yīng)室， 擰上螺絲， 注意先不用擰緊， 點(diǎn)擊 退出 maintenance mode,，等機(jī)臺(tái)進(jìn)入 vacuum ready 狀態(tài)，擰緊反應(yīng)室上的螺絲 . 。11. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP 作業(yè)流程圖12. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A. 用無(wú)塵布蘸 IPA 擦拭鋁托盤表面（包括 O-ring ）；B. 用專用鑷子將晶片按照一定順序夾放到托盤的各個(gè)位置上（如上圖） ，以邊緣均勻蓋住 密封圈為準(zhǔn)（除平邊） , 如左下圖（不含石英蓋）所示；C. 放置石英蓋時(shí)不能移動(dòng)晶片，對(duì)準(zhǔn)定位銷將石英蓋輕放

13、至托盤上，以邊緣均勻蓋住密封 圈為準(zhǔn)（除平邊） ，如右下圖（含石英蓋）所示；D. 擰上螺絲（注意不擰緊，避免衣袖、手套碰到晶片表面） ；E. 用力矩螺絲刀擰內(nèi)中外圈螺絲，每隔 2 個(gè)擰一次，分 2 次擰緊， 1 次檢查；F. 檢查一遍晶片是否放好，并用專用吹掃工具吹掃一遍；G. 用無(wú)塵布蘸 IPA 擦拭鋁托盤底部，注意不可將 IPA 沾到晶片上；H. 將裝載托盤輕放至片盒上。13. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP 蝕刻作業(yè)操作1， 打開傳輸腔室門，將片盒輕放在卡板上，剛好卡住定位銷，切忌左右移動(dòng)片盒；2， 點(diǎn)擊 配方 ，打開 工藝配方 ，檢查所選配方的工藝參數(shù)；3， 點(diǎn)擊 片盒配方 ，打開所選的片盒

14、配方；若沒有要選擇的配方，則新建一個(gè)；4， 點(diǎn)擊 主界面 ，查看片盒配方詳細(xì)信息，確認(rèn)無(wú)誤，點(diǎn)擊開始工藝 ；5， 待工藝結(jié)束后，打開傳輸腔室門，取出片盒及托盤，卸下晶片；14. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP清洗石英蓋、鋁盤、螺絲作業(yè)流程圖15. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖16. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP螺絲清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程 A把螺絲裝在小燒杯里，倒入 IPA 覆蓋為宜，超聲波振動(dòng) 10min ；B用 N2 把螺絲吹干17. 簡(jiǎn)述 ELEDE ICP清洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入維護(hù)/工藝模塊 ，在腔室操作中點(diǎn)擊吹掃, 至少吹掃 100次；B. 吹掃完畢后，點(diǎn)擊 吹大氣 ，進(jìn)行腔室

15、破真空動(dòng)作；C. 按照正確的流程打開反應(yīng)室；D. 移走反應(yīng)室零部件（石英蓋、密封圈、內(nèi)襯、壓環(huán)等） ；E. 先用浸有 DI 水的無(wú)塵布擦拭反應(yīng)室內(nèi)壁，再用 IPA 擦拭，直到擦拭的無(wú)塵布上看不 到殘余物的顏色為止；F. 按照步驟 E 擦拭反應(yīng)室其余每個(gè)地方，特別是真空測(cè)量孔； G手動(dòng)把升降針升起，用浸有 IPA 的無(wú)塵布擦拭三針；H用浸有 IPA 的無(wú)塵布擦拭卡盤、聚焦環(huán)表面；I. 按照步驟 E 擦拭其他的部件（內(nèi)襯、壓環(huán)等） ；J 安裝反應(yīng)室零部件（石英蓋、密封圈、內(nèi)襯、壓環(huán)等） ；K 關(guān)閉反應(yīng)室；L恢復(fù)反應(yīng)室狀態(tài)18. 簡(jiǎn)述 SLR ICP 作業(yè)流程圖19. 簡(jiǎn)述 SLR ICP 裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A:用打圈圈的方式使橡皮條均勻分布在底盤的各個(gè)小槽上；B:判斷托盤的方向，以中間的區(qū)域?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)，若定位橫邊往下的，則托盤兩邊的兩個(gè)小孔 分別為左右兩孔；C:用專用鑷子將晶片夾放到托盤的各個(gè)位置上，并對(duì)準(zhǔn)位置；D:把螺絲放在蓋子的小孔里；E: 以蓋子邊緣的一個(gè)小孔為左邊，對(duì)應(yīng)托盤的左邊位置，小心地放在底盤上；F:用內(nèi)六角起子對(duì)角地?cái)Q螺絲，分兩次擰。第一次擰的程度為 7 成緊，第二次力度相對(duì) 均勻地稍微擰緊；G:用專用吹掃工具吹掃已裝好片的托盤一遍。20. 簡(jiǎn)述 SLR IC