干刻工藝介紹

1、干刻工藝介紹 Array-DRY 2015/7/20干刻工藝介紹干蝕刻原理12干蝕刻模式3干蝕刻工藝參數(shù)4干蝕刻反應(yīng)方式干蝕刻評價項目6干刻工藝介紹鍍膜(PVD、CVD)上光阻(Coater)光罩 曝光(Exposure)去光阻液(Stripper)去光阻蝕刻 (Dry、Wet)酸氣體鍍下一層膜顯影(Developer)顯影液清洗干刻工藝介紹 非金屬層非金屬層GIESPAS1/PAS2SiO2SiNxO2 He Ar +CF4 Cl2 BCl3SiF4氣體，易于抽走干蝕刻：將特定氣體置于低壓狀態(tài)下施以電壓，將其激發(fā)成Plasma，對特定膜層加以化學(xué)性蝕刻和離子轟擊，達到去除膜層的一種蝕刻方式；

2、干蝕刻原理干刻工藝介紹Plasma基板光阻 薄膜光阻光阻去掉不想要的薄膜 留下想要的干刻工藝介紹化學(xué)反應(yīng)-等向性刻蝕物理反應(yīng)-異向性刻蝕SiF4PlasmaPlasmaF*SiF4F*干蝕刻反應(yīng)方式干刻工藝介紹干蝕刻模式plasmaF*F*F*plasmaCF2+ F*plasma CF2+ F*plasmaCF2+ F*RIE modeECCP modePE modeICP modePlasma EtchingReactive Ion EtchingEnhanced Capacitive coupled PlasmaInductively Coupled Plasma干刻工藝介紹干蝕刻工藝參

3、數(shù)干刻工藝介紹工藝工藝參數(shù)參數(shù)溫度溫度壓力壓力RFRFpowerpower過刻過刻時間時間蝕刻蝕刻時間時間氣體氣體流量流量評價項目ER/U%Taper角形態(tài)下層膜膜厚下層膜電性Resist殘渣信賴性Contact寸法干蝕刻評價項目干刻工藝介紹選取13個點，測量段差，計算刻蝕率與均一性 刻蝕率與均一性刻蝕率：刻蝕某層膜的速率，即平均刻蝕膜厚/刻蝕時間，（ERmax ERmin）/2/刻蝕時間（/min）均一性均一性：ERmaxERmin/ERmax ERmin表示1枚panel內(nèi)若干點之間ER的偏差干刻工藝介紹選擇比：ER上/ER下被etching的膜和下層膜的ER的比例。SiO/IGZO Si

4、O/IGZO 7 7SiO/SiO/金屬金屬 7 7SiN/ITO SiN/ITO 7 7 下層膜膜厚干刻工藝介紹 Taper角 Taper是指蝕刻后的斷面傾斜度，是蝕刻制程中相當(dāng)重要的要求，與后續(xù)沉積的薄膜覆蓋性有相當(dāng)密切的關(guān)系。80干刻工藝介紹 下層膜電性金屬阻抗半導(dǎo)體特性VIVglVthVghVgl: 所有TFT全部關(guān)閉的Gate電壓（一般設(shè)為-12.7V）。Vgh: 所有TFT全部打開并穩(wěn)定的Gate電壓（一般設(shè)為27V）Vth: 閾值電壓，即能使TFT半導(dǎo)體導(dǎo)電的最小Gate電壓.TFT特性曲線干刻工藝介紹 一般分為單邊（Single side）和雙邊（Both side）CD lossBoth side CD loss=DICD-FICDSingle side CD loss=(DICD-FICD)/2CD lossFICDDICD干刻工藝介紹 Resist殘渣 plasma不能改變光刻膠特性。 信賴性 老化試驗之后，閾值電壓需大于Vgl。 Contact 寸法干刻工藝介紹干刻工