數(shù)字集成電路設(shè)計流程ppt課件

1、數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路設(shè)計流程設(shè)計流程1;.2 什么是集成電路？什么是集成電路？( (相對分立器件組成的電路而言相對分立器件組成的電路而言) ) 把組成電路的元件、器件以及相互間的連線放在單個芯片上，整個電路就在這把組成電路的元件、器件以及相互間的連線放在單個芯片上，整個電路就在這個芯片上，把這個芯片放到管殼中進(jìn)行封裝，電路與外部的連接靠引腳完成。個芯片上，把這個芯片放到管殼中進(jìn)行封裝，電路與外部的連接靠引腳完成。 什么是集成電路設(shè)計？什么是集成電路設(shè)計？ 根據(jù)電路功能和性能的要求，在正確選擇系統(tǒng)配置、根據(jù)電路功能和性能的要求，在正確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計規(guī)則的情況

2、下，盡量減小芯片面積，降電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計規(guī)則的情況下，盡量減小芯片面積，降低設(shè)計成本，縮短設(shè)計周期，以保證全局優(yōu)化，設(shè)計出滿足要求的集成電路。低設(shè)計成本，縮短設(shè)計周期，以保證全局優(yōu)化，設(shè)計出滿足要求的集成電路。3 1947年12月Bell實驗室肖克萊、巴丁、布拉頓發(fā)明了第一只點接觸金鍺晶體管，1950年肖克萊、斯帕克斯、迪爾發(fā)明單晶鍺NPN結(jié)型晶體管。 52年5月英國皇家研究所的達(dá)默提出集成電路的設(shè)想。 這就是世界上最早的集成電路，也就是現(xiàn)代集成電路的雛形或先驅(qū)。4 集成電路的發(fā)展除了物理原理外還得益于許多新工藝的發(fā)明： 50年美國人奧爾和肖克萊發(fā)明的 56年美國人富勒發(fā)明的

3、 60年盧爾和克里斯坦森發(fā)明的 70年斯皮勒和卡斯特蘭尼發(fā)明的等等，使晶體管從點接觸結(jié)構(gòu)向平面結(jié)構(gòu)過渡并給集成電路工藝提供了基本的技術(shù)支持。因此， 此后40多年來，IC經(jīng)歷了從SSI(Small Scale ntegreted)-MSI-LSI-VLSI-ULSI的發(fā)展歷程。現(xiàn)在的IC工藝已經(jīng)接近半導(dǎo)體器件的極限工藝。以CMOS數(shù)字IC為例，在不同發(fā)展階段的特征參數(shù)見表11。5表1-1 集成電路不同發(fā)展階段的特征參數(shù)主要特征主要特征主要特征SSISSIMSIMSILSILSIVLSIVLSIULSIULSIGSLGSL元件數(shù)元件數(shù)/ /片片10 10 109 9特征線寬特征線寬mm5-105-

4、103-53-51-31-3 11201201001004040151510-1510-15結(jié)深結(jié)深 mm1.2-20.5-1.20.2-0.50.1-0.2硅片直徑硅片直徑inchinch 2 22-32-3 4-5 4-56 68 812126 可以按器件結(jié)構(gòu)類型、集成電路規(guī)模、使用基片材料、電路功能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方法劃分。 雙極型 TTLECL NMOS 單片IC MOS型 PMOS CMOS BiCMOS按結(jié)構(gòu)分類 BiMOSBiCMOS 混合IC 厚膜混合IC 薄膜混合IC 7按規(guī)模分類 SSI/MSI/LSI/VLSI/ULSI/GSI 組合邏輯電路 數(shù)字電路 時序邏輯電路 按功能

5、分類 模擬電路 線性電路 非線性電路 數(shù)?；旌想娐?集成電路的設(shè)計過程：集成電路的設(shè)計過程： 設(shè)計創(chuàng)意設(shè)計創(chuàng)意 + + 仿真驗證仿真驗證功能要求功能要求行為設(shè)計（行為設(shè)計（VHDL）Sing off集成電路芯片設(shè)計過程框架集成電路芯片設(shè)計過程框架是是行為仿真行為仿真綜合、優(yōu)化綜合、優(yōu)化網(wǎng)表網(wǎng)表時序仿真時序仿真布局布線布局布線版圖版圖后仿真后仿真否否是是否否否否是是設(shè)計業(yè)設(shè)計業(yè)9 設(shè)計的基本過程設(shè)計的基本過程 （舉例）（舉例） 功能設(shè)計功能設(shè)計 邏輯和電路設(shè)計邏輯和電路設(shè)計 設(shè)計驗證設(shè)計驗證 版圖設(shè)計版圖設(shè)計 集成電路設(shè)計的最終輸出是掩膜版圖，通過制版和工藝流片可以得到所需的集成電路設(shè)計的最終輸

6、出是掩膜版圖，通過制版和工藝流片可以得到所需的集成電路。集成電路。 設(shè)計與制備之間的接口：版圖設(shè)計與制備之間的接口：版圖10 集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計設(shè)計芯片檢測芯片檢測單晶、外單晶、外延材料延材料掩膜版掩膜版芯片制造芯片制造過程過程封裝封裝測試測試系統(tǒng)需求系統(tǒng)需求11 一、設(shè)計手段的演變過程 IC的設(shè)計方法和手段經(jīng)歷了幾十年的發(fā)展演變，從最初的全手工設(shè)計發(fā)展到現(xiàn)在先進(jìn)的可以全自動實現(xiàn)的過程。這也是近幾十年來科學(xué)技術(shù)，尤其是電子信息技術(shù)發(fā)展的結(jié)果。從設(shè)計手段演變的過程劃分，設(shè)計手段經(jīng)歷了手工設(shè)計、計算機(jī)輔助設(shè)計（ICCAD）、電子設(shè)計自動化EDA、電

7、子系統(tǒng)設(shè)計自動化ESDA以及用戶現(xiàn)場可編程器階段。12 設(shè)計過程全部由手工操作，從設(shè)計原理圖，硬件電路模擬，到每個元器件單元的集成電路版圖設(shè)計，布局布線直到最后得到一套集成電路掩膜版，全部由人工完成。 設(shè)計流程為： 設(shè)計原理圖，硬件電路，電路模擬，元器件版圖設(shè)計，版圖布局布線，（分層剝離，刻紅膜，初縮精縮，分步重復(fù)）制版，流片，成品。13 2計算機(jī)輔助設(shè)計： 從70年代初開始，起初僅僅能夠用個人計算機(jī)輔助輸入原理圖，接著出現(xiàn)SPICE電路模擬軟件，逐漸開始ICCAD的發(fā)展，后來越來越多的計算機(jī)輔助設(shè)計軟件，越來越強(qiáng)的計算機(jī)輔助設(shè)計功能，不但提供了先進(jìn)的設(shè)計方法和手段，更推動ICCAD技術(shù)向自動

8、化設(shè)計發(fā)展。初期的ICCAD功能較少，只能對某些功能進(jìn)行輔助設(shè)計，現(xiàn)在利用計算機(jī)輔助設(shè)計可以實現(xiàn)的功能大致包括：電路或系統(tǒng)設(shè)計，邏輯設(shè)計，邏輯、時序、電路模擬，版圖設(shè)計，版圖編輯，反向提取，規(guī)則檢查等等。14 3用計算機(jī)輔助工程CAE的電子設(shè)計自動化EDA： CEA配備了成套IC設(shè)計軟件，為IC設(shè)計提供了完備、統(tǒng)一、高效的工作平臺。使利用EDA設(shè)計LSI和VLSI成為可能。ICCAD和EDA以及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展使IC設(shè)計發(fā)生兩個質(zhì)的飛躍： （1）版圖設(shè)計方面：除了傳統(tǒng)的人機(jī)交互式方法對全定制版圖進(jìn)行編輯、繪圖外，定制，半定制設(shè)計思想的確立使自動半自動布局成為可能。 （2）邏輯設(shè)計方面：

9、邏輯綜合軟件的開發(fā)，使系統(tǒng)設(shè)計者只要用硬件描述語言（如VHDL語言）給出系統(tǒng)行為級的功能描述，就可以由計算機(jī)邏輯綜合軟件處理，得到邏輯電路圖或網(wǎng)表，優(yōu)化了邏輯設(shè)計結(jié)果。 EDA設(shè)計流程：系統(tǒng)設(shè)計，功能模擬，邏輯綜合，時序模擬，版圖綜合，后模擬。15 4 4電子系統(tǒng)設(shè)計自動化電子系統(tǒng)設(shè)計自動化ESDAESDA ESDA的目的是為設(shè)計人員提供進(jìn)行系統(tǒng)級設(shè)計的分析手段，進(jìn)而完成系統(tǒng)級自動化設(shè)計，最終實現(xiàn)SOC芯片系統(tǒng)。但ESDA仍處于發(fā)展和完善階段，尚需解決建立系統(tǒng)級仿真庫和實現(xiàn)不同仿真工具的協(xié)同模擬。 利用ESDA工具完成功能分析后，再用行為級綜合工具將其自動轉(zhuǎn)化成可綜合的寄存器級RTL的HDL描

10、述，最后就可以由EDA工具實現(xiàn)最終的芯片設(shè)計。 ESDA的流程：系統(tǒng)設(shè)計，行為級模擬，功能模擬，邏輯綜合，時序模擬，版圖綜合，后模擬。然后由生產(chǎn)廠家制版，流片，成品。16 5可編程器件的ASIC設(shè)計 可編程ASIC是專用集成電路發(fā)展的另一個有特色的分支，它主要利用可編程的集成電路如PROM,GAL,PLD,CPLD,FPGA等可編程電路或邏輯陣列編程，得到ASIC。其主要特點是直接提供軟件設(shè)計編程，完成ASIC電路功能，不需要再通過集成電路工藝線加工。 可編程器件的ASIC設(shè)計種類較多，可以適應(yīng)不同的需求。其中的PLD和FPGA是用得比較普遍得可編程器件。適合于短開發(fā)周期，有一定復(fù)雜性和電路規(guī)

11、模的數(shù)字電路設(shè)計。尤其適合于從事電子系統(tǒng)設(shè)計的工程人員利用EDA工具進(jìn)行ASIC設(shè)計。17 1.4 1.4 ASICASIC設(shè)計方法：設(shè)計方法： 集成電路制作在只有幾百微米厚的原形硅片上，每個硅片可以容納數(shù)百甚至成千上萬個管芯。集成電路中的晶體管和連線視其復(fù)雜程度可以由許多層構(gòu)成，目前最復(fù)雜的工藝大約由6層位于硅片內(nèi)部的擴(kuò)散層或離子注入層，以及6層位于硅片表面的連線層組成。就設(shè)計方法而言，設(shè)計集成電路的方法可以分為全定制、半定制和可編程IC設(shè)計三種方式。 18 1.4.1全定制設(shè)計簡述 全定制ASIC是利用集成電路的最基本設(shè)計方法（不使用現(xiàn)有庫單元），對集成電路中所有的元器件進(jìn)行精工細(xì)作的設(shè)計

12、方法。全定制設(shè)計可以實現(xiàn)最小面積，最佳布線布局、最優(yōu)功耗速度積，得到最好的電特性。該方法尤其適宜于模擬電路，數(shù)?；旌想娐芬约皩λ俣?、功耗、管芯面積、其它器件特性（如線性度、對稱性、電流容量、耐壓等）有特殊要求的場合；或者在沒有現(xiàn)成元件庫的場合。 特點：精工細(xì)作，設(shè)計要求高、周期長，設(shè)計成本昂貴。 由于單元庫和功能模塊電路越加成熟，全定制設(shè)計的方法漸漸被半定制方法所取代。在現(xiàn)在的IC設(shè)計中，整個電路均采用全定制設(shè)計的現(xiàn)象越來越少。19 全定制設(shè)計要求：全定制設(shè)計要求： 全定制設(shè)計要考慮工藝條件，根據(jù)電路的復(fù)雜和難度決定器件工藝類型、布全定制設(shè)計要考慮工藝條件，根據(jù)電路的復(fù)雜和難度決定器件工藝類型

13、、布線層數(shù)、材料參數(shù)、工藝方法、極限參數(shù)、成品率等因素。線層數(shù)、材料參數(shù)、工藝方法、極限參數(shù)、成品率等因素。 需要經(jīng)驗和技巧，掌握各種設(shè)計規(guī)則和方法需要經(jīng)驗和技巧，掌握各種設(shè)計規(guī)則和方法,一般由專業(yè)微電子一般由專業(yè)微電子IC設(shè)計人設(shè)計人員完成；員完成； 常規(guī)設(shè)計可以借鑒以往的設(shè)計，部分器件需要根據(jù)電特性單獨設(shè)計；常規(guī)設(shè)計可以借鑒以往的設(shè)計，部分器件需要根據(jù)電特性單獨設(shè)計； 布局、布線、排版組合等均需要反覆斟酌調(diào)整，按最佳尺寸、最合理布局、布局、布線、排版組合等均需要反覆斟酌調(diào)整，按最佳尺寸、最合理布局、最短連線、最便捷引腳等設(shè)計原則設(shè)計版圖。最短連線、最便捷引腳等設(shè)計原則設(shè)計版圖。 版圖設(shè)計與

14、工藝相關(guān)，要充分了解工藝規(guī)范，根據(jù)工藝參數(shù)和工藝要求合版圖設(shè)計與工藝相關(guān)，要充分了解工藝規(guī)范，根據(jù)工藝參數(shù)和工藝要求合理設(shè)計版圖和工藝。理設(shè)計版圖和工藝。 201.4.2.半定制設(shè)計方法簡述 半定制設(shè)計方法又分成基于標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)計方法和基于門陣列的設(shè)計方法。 是：將預(yù)先設(shè)計好的稱為標(biāo)準(zhǔn)單元的邏輯單元，如與門，或門，多路開關(guān)，觸發(fā)器等，按照某種特定的規(guī)則排列，與預(yù)先設(shè)計好的大型單元一起組成ASIC?；跇?biāo)準(zhǔn)單元的ASIC又稱為CBIC(Cell based IC)。 是在預(yù)先制定的具有晶體管陣列的基片或母片上通過掩膜互連的方法完成專用集成電路設(shè)計。 半定制主要適合于開發(fā)周期短，低開發(fā)成本、投資、

15、風(fēng)險小的小批量數(shù)字電路設(shè)計。21 1.4.3基于標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)計方法 該方法采用預(yù)先設(shè)計好的稱為標(biāo)準(zhǔn)單元的邏輯單元，如門電路、多路開關(guān)、觸發(fā)器、時鐘發(fā)生器等，將它們按照某種特定的規(guī)則排列成陣列，做成半導(dǎo)體門陣列母片或基片，然后根據(jù)電路功能和要求用掩膜版將所需的邏輯單元連接成所需的專用集成電路。單元庫中所有的標(biāo)準(zhǔn)單元均如同搭積木或砌墻一樣拼接起來，通常 22CBIC的主要優(yōu)、缺點： 用預(yù)先設(shè)計、預(yù)先測試、預(yù)定特性的標(biāo)準(zhǔn)單元庫，省時、省錢、少風(fēng)險地完成ASIC設(shè)計任務(wù)。設(shè)計人員只需確定標(biāo)準(zhǔn)單元的布局以及CBIC中的互連。標(biāo)準(zhǔn)單元可以置放于芯片的任何位置。所有掩膜層是定制的；可內(nèi)嵌定制的功能單元；制造

16、周期較短，開發(fā)成本不是太高。需要花錢購買或自己設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)單元庫；要花較多的時間進(jìn)行掩膜層的互連設(shè)計。 具有一個標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)與4個固定功能塊的基于單元的ASIC示意圖見圖1.2。2324 CBIC的設(shè)計和版圖規(guī)則：的設(shè)計和版圖規(guī)則：版心面積較小，無冗余元件，但建庫工作量大，版心面積較小，無冗余元件，但建庫工作量大， 所有掩膜層需定制，晶所有掩膜層需定制，晶體管和互連由定制方法連接；可以內(nèi)嵌定制的功能塊；制造周期較短。體管和互連由定制方法連接；可以內(nèi)嵌定制的功能塊；制造周期較短。 標(biāo)準(zhǔn)單元的版圖結(jié)構(gòu)見圖標(biāo)準(zhǔn)單元的版圖結(jié)構(gòu)見圖1.31.3，兩層金屬的布局及布線見圖，兩層金屬的布局及布線見圖1.41.4。

17、單元按。單元按等高不等寬的方式排列成行，行間留出布線通道，金屬等高不等寬的方式排列成行，行間留出布線通道，金屬1 1和金屬和金屬2 2采取互相垂采取互相垂直運行。上方和下方的最底層金屬分別為直運行。上方和下方的最底層金屬分別為VDDVDD和和GAN(VSS)GAN(VSS)。在在n n阱區(qū)內(nèi)進(jìn)行阱區(qū)內(nèi)進(jìn)行P P擴(kuò)散形成擴(kuò)散形成P P溝溝MOSMOS器件，在器件，在P P阱區(qū)擴(kuò)散阱區(qū)擴(kuò)散N N型型N N形成形成MOSMOS器件。器件。MOSMOS器件的源漏之間器件的源漏之間采用金屬柵或者多晶柵。源、漏（柵）開引線孔，經(jīng)金屬線互連構(gòu)成電路。采用金屬柵或者多晶柵。源、漏（柵）開引線孔，經(jīng)金屬線互連構(gòu)

18、成電路。各單元與其它單元之間通過中心連接點的引線孔連接。各單元與其它單元之間通過中心連接點的引線孔連接。 在采用多層金屬的結(jié)構(gòu)中，金屬層之間的連接也是通過特定的過孔實現(xiàn)。在采用多層金屬的結(jié)構(gòu)中，金屬層之間的連接也是通過特定的過孔實現(xiàn)。25 圖1.3 標(biāo)準(zhǔn)單元的版圖結(jié)構(gòu)26271.4.4基于門陣列的ASIC 用門陣列設(shè)計的ASIC中，只有上面幾層用作晶體管互連的金屬層由設(shè)計人員用全定制掩膜方法確定，這類門陣列稱為掩膜式門陣列MGA（masked gate array）。門陣列中的邏輯單元稱為宏單元，其中每個邏輯單元的基本單元版圖相同，只有單元內(nèi)以及單元之間的互連是定制的?？蛻粼O(shè)計人員可以從門陣列

19、單元庫中選擇預(yù)先設(shè)計和預(yù)定特性邏輯單元或宏單元，進(jìn)行定制的互連設(shè)計。門陣列主要適合于開發(fā)周期短，低開發(fā)成本的小批量數(shù)字電路設(shè)計。28 MGA門陣列可以分為：門陣列可以分為： 通道式門陣列基本單元行與行之間留有固定的布線通道，只有互連是定制通道式門陣列基本單元行與行之間留有固定的布線通道，只有互連是定制的。的。 無通道門陣列（門海）無預(yù)留的布線區(qū)，在門陣列掩膜層上面布線。無通道門陣列（門海）無預(yù)留的布線區(qū)，在門陣列掩膜層上面布線。 結(jié)構(gòu)式門陣列結(jié)合結(jié)構(gòu)式門陣列結(jié)合CBIC和和MGA的特點，除了基本單元陣列外，還有內(nèi)嵌的特點，除了基本單元陣列外，還有內(nèi)嵌的定制功能模塊。芯片效率高，價格較低，設(shè)計周

20、期短。的定制功能模塊。芯片效率高，價格較低，設(shè)計周期短。 由于由于MGA的門陣基本單元是固定的，不便于實現(xiàn)存儲器之類的電路。在內(nèi)嵌的門陣基本單元是固定的，不便于實現(xiàn)存儲器之類的電路。在內(nèi)嵌式門陣列中，留出一些式門陣列中，留出一些IC區(qū)域?qū)ｉT用于實現(xiàn)特殊功能。利用該內(nèi)嵌區(qū)域可以設(shè)計存區(qū)域?qū)ｉT用于實現(xiàn)特殊功能。利用該內(nèi)嵌區(qū)域可以設(shè)計存儲器模塊或其它功能電路模塊。儲器模塊或其它功能電路模塊。29 1.4.5.可編程ASIC 可編程邏輯器件（PLD，programable logic device）是一類標(biāo)準(zhǔn)的通用IC，對這類器件編程也可以實現(xiàn)ASIC功能。 可編程邏輯器件的特點是： 無定制掩膜層或邏

21、輯單元 設(shè)計周期短 單獨的大塊可編程互連 由可編程陣列邏輯，觸發(fā)器或鎖存器組成邏輯宏單元矩陣。 適合于短開發(fā)周期，有一定復(fù)雜性和電路規(guī)模的數(shù)字電路設(shè)計。尤其適合于從事電子系統(tǒng)設(shè)計的工程人員利用EDA工具進(jìn)行ASIC設(shè)計。 30 常用可編程器件類型： 各類可編程只讀存儲器PROM（programable read-only memory）； 通用陣列邏輯GAL（generic array logic）可編程邏輯陣列PLA（programable logic array）,由固定“或”陣列和可編程“與”陣列組成，熔絲型。可編程陣列邏輯PAL （programable array logic）,由固

22、定“與”陣列和可編程“或”陣列組成，有熔絲型和可擦寫?？删幊踢壿嬈骷LD（programable logic device）和復(fù)雜的可編程邏輯器件CPLD。適合于短開發(fā)周期，有一定復(fù)雜性和電路規(guī)模的數(shù)字電路設(shè)計。尤其適合于從事電子系統(tǒng)設(shè)計的工程人員利用EDA工具進(jìn)行ASIC設(shè)計。31 1.4.6現(xiàn)場可編程門陣列FPGA FPGA比PLD更大、更復(fù)雜，并具有現(xiàn)場可編程特性。其基本特點：無定制掩膜層基本邏輯單元和互連采用編程的方法實現(xiàn)核心電路是規(guī)則的可編程基本邏輯單元陣列，可以實現(xiàn)組合邏輯和時序邏輯基本邏輯單元被可編程互連矩陣包圍可編程I/O單元圍繞著核心電路 設(shè)計的ASIC一般都有冗余問題設(shè)計

23、周期很短，但單片電路價格較高FPGA具有不同容量的系列產(chǎn)品，容量有萬門級、十萬門級、百萬門級等多種。323334FPGAFPGA的轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換 FPGAFPGA轉(zhuǎn)換到門陣列，降低價錢轉(zhuǎn)換到門陣列，降低價錢 網(wǎng)表轉(zhuǎn)換，用布局布線后提出的網(wǎng)表及庫單元映射網(wǎng)表轉(zhuǎn)換，用布局布線后提出的網(wǎng)表及庫單元映射 時序一致性時序一致性 門陣列芯片的可測性（門陣列芯片的可測性（FPGAFPGA母片經(jīng)過廠家嚴(yán)格測試）母片經(jīng)過廠家嚴(yán)格測試） 管腳的兼容性管腳的兼容性 多片多片F(xiàn)PGAFPGA向單片門陣列轉(zhuǎn)換向單片門陣列轉(zhuǎn)換35兼容設(shè)計方法兼容設(shè)計方法 不同的設(shè)計方法有各自的優(yōu)勢，如果把它們優(yōu)化組合起來，則有望設(shè)計出性不同

24、的設(shè)計方法有各自的優(yōu)勢，如果把它們優(yōu)化組合起來，則有望設(shè)計出性能良好的電路。能良好的電路。 以微處理器為例以微處理器為例 數(shù)據(jù)邏輯：位片式或陣列結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)，圖形重復(fù)多：數(shù)據(jù)邏輯：位片式或陣列結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)，圖形重復(fù)多：BBLBBL方法，方法，ALUALU、移位移位器、寄存器等作為單元進(jìn)行人工全定制設(shè)計器、寄存器等作為單元進(jìn)行人工全定制設(shè)計 隨機(jī)控制邏輯：差別較大，隨機(jī)控制邏輯：差別較大，SCSC或或PLAPLA方法實現(xiàn)方法實現(xiàn) 存儲器：存儲器：ROMROM或或RAMRAM實現(xiàn)實現(xiàn)36 1.5設(shè)計流程圖例 ASIC設(shè)計流程是指從電路輸入到完成版圖設(shè)計直到完成后仿真的整個過程：1.設(shè)計輸入采用硬件描述語言

25、（HDL）或電路圖的輸入方式輸入電路原理圖；2.邏輯綜合采用HDL和邏輯綜合工具產(chǎn)生網(wǎng)表，說明各邏輯單元的連接關(guān)系。3.系統(tǒng)劃分將大系統(tǒng)劃分成若干個ASIC模塊。4.布圖前仿真檢查設(shè)計功能是否正確。5.布圖規(guī)則在芯片上排列網(wǎng)表的模塊。6.布局決定模塊中單元的位置。7.布線單元與模塊之間連線。8.提取確定互連的電阻和電容。9.布圖后仿真檢查加上互連線負(fù)載后的電路設(shè)計效果。37381.6ASIC成本評述 IC設(shè)計需要根據(jù)電路功能和性能要求，選擇電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計規(guī)則，盡量減小芯片面積、降低設(shè)計成本、縮短設(shè)計周期，最終設(shè)計出正確、合理的掩膜版圖，通過制版和工藝流片得到所需的集成電路。

26、 從經(jīng)濟(jì)學(xué)的角度看，ASIC的設(shè)計要求是在盡可能短的設(shè)計周期內(nèi)，以最低的設(shè)計成本獲得成功的ASIC產(chǎn)品。 但是，由于ASIC的設(shè)計方法不同，其設(shè)計成本也不同。39 全定制設(shè)計周期最長，設(shè)計成本貴，設(shè)計費用最高，適合于批量很大或者對產(chǎn)品成本不計較的場合。 半定制的設(shè)計成本低于全定制，但高于可編程ASIC，適合于有較大批量的ASIC設(shè)計。 用FPGA設(shè)計ASIC的設(shè)計成本最低，但芯片價格最高，適合于小批量ASIC產(chǎn)品。 現(xiàn)在的大部分ASIC設(shè)計都是以半定制和FPGA形式完成的，所以我們僅就具有可比性的FPGA、MGA和CBIC的設(shè)計成本進(jìn)行比較、分析。401.6.1ASIC工藝成本比較 半定制和半

27、定制和FPGA可編程可編程ASIC設(shè)計的設(shè)計的元件成本比較：CBIC元件成本MGAFPGA按照一般的工藝規(guī)則，實現(xiàn)相同功能的FPGA的每門價格一般是MGA和CBIC價格的25倍。但是半定制ASIC必須以數(shù)量取勝，否者，其設(shè)計成本要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于FPGA的設(shè)計成本。ASIC設(shè)計生產(chǎn)不單單要考慮元件成本，ASIC元件的批量大小、生產(chǎn)周期的長短，產(chǎn)品利潤、產(chǎn)品壽命等等因素，也是決定采取哪種設(shè)計方法、生產(chǎn)工藝和成本限制的重要因素。411.6.2產(chǎn)品成本 任何產(chǎn)品的總成本可以分成固定成本和可變成本：總成本產(chǎn)品固定成本產(chǎn)品可變成本售出量固定成本與銷售量無關(guān)，但分?jǐn)偟矫總€售出產(chǎn)品的固定成本隨銷售量的增長而下降。C

28、BIC需要進(jìn)行版圖設(shè)計和流片，其固定成本較高，但一般批量較大，由于采取無冗余設(shè)計，芯片利用率高，攤到每個元件的成本較低；MGA只要進(jìn)行掩膜互連設(shè)計和流片，有一定批量，但芯片利用率不高，存在一定的冗余，固定成本居中，每個產(chǎn)品的成本也居中；FPGA不需掩膜工藝，固定成本最低，但批量小，攤到每個元件的成本最高。 42由于MGA和CBIC的固定成本比較高，當(dāng)銷售量比較低時，MGA和CBIC的成本比FPGA高；當(dāng)其數(shù)量增加到盈虧平衡點時，兩者的成本相等。FPGA和MGA之間的盈虧平衡點的元件數(shù)量大約是2000個，F(xiàn)PGA和CBIC之間達(dá)到盈虧平衡點的元件數(shù)約是4000個，MGA和CBIC之間盈虧平衡點所

29、需的時間約為20000個。FPGA、MGA、CBIC之間的盈虧平衡點以及元件成本見圖1.11。43441.6.3ASIC固定成本 ASIC固定成本包括工程師培訓(xùn)費和設(shè)計費（包括硬件、軟件、電路設(shè)計、可測性設(shè)計、掩膜、仿真、測試程序）等。FPGA的固定成本最低：通常利用比較簡單的EDA工具和FPGA系統(tǒng)仿真軟件等，就可以由設(shè)計人員在普通計算機(jī)工作機(jī)房完成最終ASIC產(chǎn)品。用MGA和CBIC方法實現(xiàn)的ASIC，除了需要一整套比較昂貴的EDA系統(tǒng)和仿真軟件外，設(shè)計人員還要完成較復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計、仿真、測試等工作，還要支付一次性工程費用NRE。需要支付掩膜成本、芯片生產(chǎn)、測試、封裝等費用。其設(shè)計難度、周

30、期、成本均大于FPGA。45 MGA和CBIC方式ASIC設(shè)計周期基本上可以界定為從著手設(shè)計到完成ASIC版圖設(shè)計和后模擬的過程。 而掩膜ASIC產(chǎn)品周期還應(yīng)包括流片、測試、封裝的過程。因此，除了設(shè)計周期較長外，值得一提的是，MGA和CBIC的工藝還存在一次流片失敗的風(fēng)險。長的生產(chǎn)周期和流片風(fēng)險對生產(chǎn)商的利潤有巨大影響。圖1.13給出利潤的模型，說明設(shè)計周期延長對產(chǎn)品利潤的影響。若產(chǎn)品的總銷售額為6000萬美元，若發(fā)生3個月延期，銷售總額會降至2500萬美元，收入損失3500萬美元。46471.6.4ASIC可變成本 ASIC的可變成本主要由流片時的工藝、材料費用、合格率等因素決定。材料費用與

31、硅圓片直徑、成本、芯片面積、集成度、成品率等多種因素有關(guān)。實際上，可變成本回隨著時間和外界條件而變。按照摩爾的預(yù)測模型，芯片中晶體管數(shù)目每隔18隔月翻1倍。書中圖表1.14給出采用不同設(shè)計方法時，元件可變成本的電子數(shù)據(jù)表參考值。4849 隨著圓片尺寸不斷增大，圓片加工成本、設(shè)備成本、維護(hù)運行成本都會發(fā)生變化。所以可變成本會隨著時間、工藝、成品率、經(jīng)濟(jì)形勢、ASIC尺寸和復(fù)雜程度而變。對于任何新的工藝技術(shù)，一年后每門的價格下降40，兩年后下降30。對于線寬，85年為2微米，87年1.5微米，89年為1微米，9193年為0.8-0.6微米，9697年為0.5-0.35微米，9800年為0.25-0

32、.18微米，目前工藝水平為0.13微米。圖1.15給出每門價格以30左右的水平下降的趨勢。501.7ASIC單元庫的來源 對于可編程ASIC，F(xiàn)PGA公司以成套設(shè)計工具形式提供幾千美元的一套的邏輯單元庫。對于MGA和CBIC，可以有3種選擇：ASIC供應(yīng)商提供單元庫；從第三方供應(yīng)商處購買；自己建立自己的單元庫。無論采用哪種方式，ASIC單元庫的每個單元必須包括：物理版圖、行為級模型、Verilog/VHDL模型、詳細(xì)時序模型、測試策略、電路原理圖、單元符號、連線負(fù)載模型、布線模型。對于MGA和CBIC單元庫，都需要完成單元設(shè)計和單元版圖。 51二、主要內(nèi)容描述二、主要內(nèi)容描述2.1 IC2.1

33、 IC設(shè)計特點及設(shè)計信息描述設(shè)計特點及設(shè)計信息描述2.2 2.2 設(shè)計流程設(shè)計流程522.1 2.1 設(shè)計特點和設(shè)計信息描述設(shè)計特點和設(shè)計信息描述 設(shè)計特點設(shè)計特點( (與分立電路相比與分立電路相比) ) 對設(shè)計正確性提出更為嚴(yán)格的要求對設(shè)計正確性提出更為嚴(yán)格的要求 測試問題測試問題 版圖設(shè)計：布局布線版圖設(shè)計：布局布線 分層分級設(shè)計分層分級設(shè)計( (Hierarchical design)Hierarchical design)和模塊化設(shè)計和模塊化設(shè)計 高度復(fù)雜電路系統(tǒng)的要求高度復(fù)雜電路系統(tǒng)的要求 什么是分層分級設(shè)計？什么是分層分級設(shè)計？ 將一個復(fù)雜的集成電路系統(tǒng)的設(shè)計問題分解為復(fù)雜性較低的

34、設(shè)計級別，這將一個復(fù)雜的集成電路系統(tǒng)的設(shè)計問題分解為復(fù)雜性較低的設(shè)計級別，這個級別可以再分解到復(fù)雜性更低的設(shè)計級別；這樣的分解一直繼續(xù)到使最終個級別可以再分解到復(fù)雜性更低的設(shè)計級別；這樣的分解一直繼續(xù)到使最終的設(shè)計級別的復(fù)雜性足夠低，也就是說，能相當(dāng)容易地由這一級設(shè)計出的單的設(shè)計級別的復(fù)雜性足夠低，也就是說，能相當(dāng)容易地由這一級設(shè)計出的單元逐級組織起復(fù)雜的系統(tǒng)。一般來說，級別越高，抽象程度越高；級別越低，元逐級組織起復(fù)雜的系統(tǒng)。一般來說，級別越高，抽象程度越高；級別越低，細(xì)節(jié)越具體細(xì)節(jié)越具體53從層次和域表示分層分級設(shè)計思想從層次和域表示分層分級設(shè)計思想 域：行為域：集成電路的功能域：行為域：

35、集成電路的功能 結(jié)構(gòu)域：集成電路的邏輯和電路組成結(jié)構(gòu)域：集成電路的邏輯和電路組成 物理域：集成電路掩膜版的幾何特性和物物理域：集成電路掩膜版的幾何特性和物 理特性的具體實現(xiàn)理特性的具體實現(xiàn)層次：系統(tǒng)級、算法級、寄存器傳輸級層次：系統(tǒng)級、算法級、寄存器傳輸級( (也稱也稱RTLRTL級級) )、 邏輯級與電路級邏輯級與電路級5455系統(tǒng)級系統(tǒng)級行為、性行為、性能描述能描述CPU、存儲、存儲器、控制器器、控制器等等芯片、電路芯片、電路板、子系統(tǒng)板、子系統(tǒng)算法級算法級I/O算法算法硬件模塊、硬件模塊、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)部件間的物部件間的物理連接理連接RTL級級狀態(tài)表狀態(tài)表ALU、寄存、寄存器、器、MU

36、X微存儲器微存儲器芯片、宏單芯片、宏單元元邏輯級邏輯級布爾方程布爾方程門、觸發(fā)器門、觸發(fā)器單元布圖單元布圖電路級電路級微分方程微分方程晶體管、電晶體管、電阻、電容阻、電容管子布圖管子布圖層次 行為域 結(jié)構(gòu)域 物理域 56設(shè)計信息描述設(shè)計信息描述 分類分類內(nèi)容內(nèi)容語言描述語言描述(如如 VHDL語語言、言、Verilog語言等語言等)功能描述與邏輯描述功能描述與邏輯描述功能設(shè)計功能設(shè)計功能圖功能圖邏輯設(shè)計邏輯設(shè)計邏輯圖邏輯圖電路設(shè)計電路設(shè)計電路圖電路圖設(shè)設(shè)計計圖圖版圖設(shè)計版圖設(shè)計符號式版圖符號式版圖, 版圖版圖舉例：x=ab+ab；CMOS與非門；CMOS反相器版圖57 什么是版圖？一組相互套合

37、的圖形，各層版圖相應(yīng)于不同的工藝步驟，每一什么是版圖？一組相互套合的圖形，各層版圖相應(yīng)于不同的工藝步驟，每一層版圖用不同的圖案來表示。層版圖用不同的圖案來表示。 版圖與所采用的制備工藝緊密相關(guān)版圖與所采用的制備工藝緊密相關(guān)582.2 2.2 設(shè)計流程設(shè)計流程 理想的設(shè)計流程理想的設(shè)計流程( (自頂向下：自頂向下：TOP-DOWNTOP-DOWN） 系統(tǒng)功能設(shè)計，邏輯和電路設(shè)計，版圖設(shè)計系統(tǒng)功能設(shè)計，邏輯和電路設(shè)計，版圖設(shè)計硅編譯器硅編譯器silicon compilersilicon compiler( (算法級、算法級、RTLRTL級向下）級向下）門陣列、標(biāo)準(zhǔn)單元陣列等門陣列、標(biāo)準(zhǔn)單元陣列等

38、邏輯和電路描述邏輯和電路描述系統(tǒng)性能編譯器系統(tǒng)性能編譯器系統(tǒng)性能指標(biāo)系統(tǒng)性能指標(biāo)性能和功能描述性能和功能描述邏輯和電路編譯器邏輯和電路編譯器幾何版圖描述幾何版圖描述版圖編譯器版圖編譯器制版及流片制版及流片統(tǒng)統(tǒng)一一數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)庫庫59典型的實際設(shè)計流程典型的實際設(shè)計流程 需要較多的人工干預(yù)需要較多的人工干預(yù) 某些設(shè)計階段無自動設(shè)計軟件，通過模擬分析軟件來完成設(shè)計某些設(shè)計階段無自動設(shè)計軟件，通過模擬分析軟件來完成設(shè)計 各級設(shè)計需要驗證各級設(shè)計需要驗證60典型的實際設(shè)計流程典型的實際設(shè)計流程 1 1、系統(tǒng)功能設(shè)計、系統(tǒng)功能設(shè)計 目標(biāo)：實現(xiàn)系統(tǒng)功能，滿足基本性能要求目標(biāo)：實現(xiàn)系統(tǒng)功能，滿足基本性能要求 過

39、程：功能塊劃分，過程：功能塊劃分，RTLRTL級描述，行為仿真級描述，行為仿真 功能塊劃分功能塊劃分 RTLRTL級描述（級描述（RTLRTL級級VHDLVHDL、Verilog)Verilog) RTL RTL級行為仿真：總體功能和時序是否正確級行為仿真：總體功能和時序是否正確61 功能塊劃分原則：功能塊劃分原則： 既要使功能塊之間的連線盡可能地少，接口清晰，又要求功能塊規(guī)模合既要使功能塊之間的連線盡可能地少，接口清晰，又要求功能塊規(guī)模合理，便于各個功能塊各自獨立設(shè)計。同時在功能塊最大規(guī)模的選擇時要理，便于各個功能塊各自獨立設(shè)計。同時在功能塊最大規(guī)模的選擇時要考慮設(shè)計軟件可處理的設(shè)計級別考慮

40、設(shè)計軟件可處理的設(shè)計級別62 算法級：算法級： 包含算法級綜合：將算法級描述轉(zhuǎn)換到包含算法級綜合：將算法級描述轉(zhuǎn)換到 RTLRTL級描述級描述 綜綜 合：合： 通過附加一定的約束條件從高一級設(shè)計通過附加一定的約束條件從高一級設(shè)計 層次直接轉(zhuǎn)換到低一級設(shè)計層次的過程層次直接轉(zhuǎn)換到低一級設(shè)計層次的過程 邏輯級：邏輯級： 較小規(guī)模電路較小規(guī)模電路63實際設(shè)計流程實際設(shè)計流程 系統(tǒng)功能設(shè)計系統(tǒng)功能設(shè)計 輸出：語言或功能圖輸出：語言或功能圖 軟件支持：多目標(biāo)多約束條件優(yōu)化問題軟件支持：多目標(biāo)多約束條件優(yōu)化問題 無自動設(shè)計軟件無自動設(shè)計軟件 仿真軟件：仿真軟件：VHDLVHDL仿真器、仿真器、Verilo

41、gVerilog仿真器仿真器64實際設(shè)計流程實際設(shè)計流程 2 2、邏輯和電路設(shè)計、邏輯和電路設(shè)計 概念：確定滿足一定邏輯或電路功能的由邏輯或電路單元組成的邏輯或電路結(jié)概念：確定滿足一定邏輯或電路功能的由邏輯或電路單元組成的邏輯或電路結(jié)構(gòu)構(gòu) 過程：過程：A.A.數(shù)字電路：數(shù)字電路：RTLRTL級描述級描述 邏輯綜合邏輯綜合( (Synopsys,Ambit)Synopsys,Ambit) 邏輯網(wǎng)表邏輯網(wǎng)表 邏輯模擬與驗證，時序分析和優(yōu)化邏輯模擬與驗證，時序分析和優(yōu)化 難以綜合的：人工設(shè)計后進(jìn)行原理圖輸入，再進(jìn)行邏輯模擬難以綜合的：人工設(shè)計后進(jìn)行原理圖輸入，再進(jìn)行邏輯模擬65 電路實現(xiàn)（包括滿足電

42、路性能要求的電路結(jié)構(gòu)和元件參數(shù)電路實現(xiàn)（包括滿足電路性能要求的電路結(jié)構(gòu)和元件參數(shù)) )：調(diào)用單元庫完成；：調(diào)用單元庫完成； 沒有單元庫支持：對各單元進(jìn)行電路設(shè)計，通過電路模擬與分析，預(yù)測電路的沒有單元庫支持：對各單元進(jìn)行電路設(shè)計，通過電路模擬與分析，預(yù)測電路的直流、交流、瞬態(tài)等特性，之后再根據(jù)模擬結(jié)果反復(fù)修改器件參數(shù)，直到獲得直流、交流、瞬態(tài)等特性，之后再根據(jù)模擬結(jié)果反復(fù)修改器件參數(shù)，直到獲得滿意的結(jié)果。由此可形成用戶自己的單元庫滿意的結(jié)果。由此可形成用戶自己的單元庫66單元庫：一組單元電路的集合單元庫：一組單元電路的集合 經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計、并通過設(shè)計規(guī)則檢查和反復(fù)工藝驗證，能正確反映所需的邏輯經(jīng)

43、過優(yōu)化設(shè)計、并通過設(shè)計規(guī)則檢查和反復(fù)工藝驗證，能正確反映所需的邏輯和電路功能以及性能，適合于工藝制備，可達(dá)到最大的成品率。和電路功能以及性能，適合于工藝制備，可達(dá)到最大的成品率。 元件元件 門門 元胞元胞 宏單元宏單元( (功能塊功能塊) ) 基于單元庫的描述：層次描述基于單元庫的描述：層次描述 單元庫可由廠家提供，可由用戶自行建立單元庫可由廠家提供，可由用戶自行建立67 B. B. 模擬電路：尚無良好的綜合軟件模擬電路：尚無良好的綜合軟件 RTLRTL級仿真通過后，根據(jù)設(shè)計經(jīng)驗進(jìn)行電路設(shè)計級仿真通過后，根據(jù)設(shè)計經(jīng)驗進(jìn)行電路設(shè)計 原理圖輸入原理圖輸入 電路模擬與驗證電路模擬與驗證 模擬單元庫模

44、擬單元庫 邏輯和電路設(shè)計的輸出：網(wǎng)表（元件及其連接關(guān)系）或邏輯圖、電路圖邏輯和電路設(shè)計的輸出：網(wǎng)表（元件及其連接關(guān)系）或邏輯圖、電路圖 軟件支持：邏輯綜合、邏輯模擬、電路模擬、時序分析等軟件軟件支持：邏輯綜合、邏輯模擬、電路模擬、時序分析等軟件 ( (EDAEDA軟件軟件系統(tǒng)中已集成系統(tǒng)中已集成) ) 68實際設(shè)計流程實際設(shè)計流程 3. 3. 版圖設(shè)計版圖設(shè)計 概念：根據(jù)邏輯與電路功能和性能要求以及工藝水平要求來設(shè)計光刻用概念：根據(jù)邏輯與電路功能和性能要求以及工藝水平要求來設(shè)計光刻用的掩膜版圖，的掩膜版圖，ICIC設(shè)計的最終輸出。設(shè)計的最終輸出。 什么是版圖？一組相互套合的圖形，各層版圖相應(yīng)于

45、不同的工藝步驟，什么是版圖？一組相互套合的圖形，各層版圖相應(yīng)于不同的工藝步驟，每一層版圖用不同的圖案來表示。版圖與所采用的制備工藝緊密相關(guān)每一層版圖用不同的圖案來表示。版圖與所采用的制備工藝緊密相關(guān)69 版圖設(shè)計過程：由底向上過程版圖設(shè)計過程：由底向上過程 主要是布局布線過程主要是布局布線過程 布局：將模塊安置在芯片的適當(dāng)位置，滿足一定目標(biāo)函數(shù)。對級別最低的功能布局：將模塊安置在芯片的適當(dāng)位置，滿足一定目標(biāo)函數(shù)。對級別最低的功能塊，是指根據(jù)連接關(guān)系，確定各單元的位置，級別高一些的，是分配較低級別塊，是指根據(jù)連接關(guān)系，確定各單元的位置，級別高一些的，是分配較低級別功能塊的位置，使芯片面積盡量小。

46、功能塊的位置，使芯片面積盡量小。 布線：根據(jù)電路的連接關(guān)系（連接表）在指定區(qū)域（面積、形狀、層次）百分布線：根據(jù)電路的連接關(guān)系（連接表）在指定區(qū)域（面積、形狀、層次）百分之百完成連線。布線均勻，優(yōu)化連線長度、保證布通率。之百完成連線。布線均勻，優(yōu)化連線長度、保證布通率。70 版圖設(shè)計過程版圖設(shè)計過程大多數(shù)基于單元庫實現(xiàn)大多數(shù)基于單元庫實現(xiàn)（1 1）軟件自動轉(zhuǎn)換到版圖，可人工調(diào)整（規(guī)則芯片）軟件自動轉(zhuǎn)換到版圖，可人工調(diào)整（規(guī)則芯片）（2 2）布圖規(guī)劃（）布圖規(guī)劃（floor planning)floor planning)工具工具 布局布線工具（布局布線工具（place&routepla

47、ce&route） 布圖規(guī)劃：在一定約束條件下對設(shè)計進(jìn)行物理劃分，并初步確定芯片面積和形布圖規(guī)劃：在一定約束條件下對設(shè)計進(jìn)行物理劃分，并初步確定芯片面積和形狀、單元區(qū)位置、功能塊的面積形狀和相對位置、狀、單元區(qū)位置、功能塊的面積形狀和相對位置、I/OI/O位置，產(chǎn)生布線網(wǎng)格，位置，產(chǎn)生布線網(wǎng)格，還可以規(guī)劃電源、地線以及數(shù)據(jù)通道分布還可以規(guī)劃電源、地線以及數(shù)據(jù)通道分布（3 3）全人工版圖設(shè)計：人工布圖規(guī)劃，提取單元，人工布局布線（由底向上：?。┤斯ぐ鎴D設(shè)計：人工布圖規(guī)劃，提取單元，人工布局布線（由底向上：小功能塊到大功能塊）功能塊到大功能塊）71單元庫中基本單元單元庫中基本單元較小的功

48、能塊較小的功能塊總體版圖總體版圖版圖檢查與驗證版圖檢查與驗證布局布線布局布線布局布線布局布線較大的功能塊較大的功能塊布局布線布局布線布圖規(guī)劃布圖規(guī)劃人工版圖設(shè)計典型過程人工版圖設(shè)計典型過程72 版圖驗證與檢查版圖驗證與檢查 DRCDRC：幾何設(shè)計規(guī)則檢查幾何設(shè)計規(guī)則檢查 ERCERC：電學(xué)規(guī)則檢查電學(xué)規(guī)則檢查 LVSLVS：網(wǎng)表一致性檢查網(wǎng)表一致性檢查 POSTSIMPOSTSIM：后仿真（提取實際版圖參數(shù)、電阻、電容，生成帶寄生量的后仿真（提取實際版圖參數(shù)、電阻、電容，生成帶寄生量的器件級網(wǎng)表，進(jìn)行開關(guān)級邏輯模擬或電路模擬，以驗證設(shè)計出的電路功器件級網(wǎng)表，進(jìn)行開關(guān)級邏輯模擬或電路模擬，以驗證

49、設(shè)計出的電路功能的正確性和時序性能等能的正確性和時序性能等) )，產(chǎn)生測試向量，產(chǎn)生測試向量 軟件支持：成熟的軟件支持：成熟的CADCAD工具用于版圖編輯、人機(jī)交互式布局布線、自動布工具用于版圖編輯、人機(jī)交互式布局布線、自動布局布線以及版圖檢查和驗證局布線以及版圖檢查和驗證73 設(shè)計規(guī)則設(shè)計規(guī)則 ICIC設(shè)計與工藝制備之間的接口設(shè)計與工藝制備之間的接口 制定目的：使芯片尺寸在盡可能小的前提下，避免線條寬度的偏差和不同制定目的：使芯片尺寸在盡可能小的前提下，避免線條寬度的偏差和不同層版套準(zhǔn)偏差可能帶來的問題，盡可能地提高電路制備的成品率層版套準(zhǔn)偏差可能帶來的問題，盡可能地提高電路制備的成品率 什

50、么是設(shè)計規(guī)則？考慮器件在正常工作的條件下，根據(jù)實際工藝水平什么是設(shè)計規(guī)則？考慮器件在正常工作的條件下，根據(jù)實際工藝水平( (包包括光刻特性、刻蝕能力、對準(zhǔn)容差等括光刻特性、刻蝕能力、對準(zhǔn)容差等) )和成品率要求，給出的一組同一工藝和成品率要求，給出的一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制，主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制，主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、凹口、面積等規(guī)則，分別給出它們的最小值，以防止掩膜圖形的斷裂、連凹口、面積等規(guī)則，分別給出它們的最小值，以防止掩膜圖形的斷裂、連接和一些不良物理效應(yīng)的出現(xiàn)。接和一些不良物理效應(yīng)的出現(xiàn)。74 設(shè)計規(guī)則的表示方

51、法設(shè)計規(guī)則的表示方法 以以 為單位：把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為為單位：把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為 的倍數(shù)。的倍數(shù)。 與工藝與工藝線所具有的工藝分辨率有關(guān)，線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之線所具有的工藝分辨率有關(guān)，線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準(zhǔn)偏差，一般等于柵長度的一半。間的最大套準(zhǔn)偏差，一般等于柵長度的一半。 優(yōu)點：版圖設(shè)計獨立于工藝和實際尺寸優(yōu)點：版圖設(shè)計獨立于工藝和實際尺寸 舉例：舉例： 以微米為單位：每個尺寸之間沒有必然的比例關(guān)系，以微米為單位：每個尺寸之間沒有必然的比例關(guān)系， 提高每一尺寸的合理度；簡化度不高提高每一尺寸的合理度；簡化度不高

52、 舉例：舉例： 75總體要求總體要求系統(tǒng)功能設(shè)計系統(tǒng)功能設(shè)計寄存器傳輸級寄存器傳輸級描述描述寄存器傳輸級寄存器傳輸級模擬與驗證模擬與驗證子系統(tǒng)子系統(tǒng)/功能塊功能塊綜綜 合合門級邏輯門級邏輯網(wǎng)表網(wǎng)表邏輯模擬邏輯模擬與驗證與驗證電路模擬電路模擬與驗證與驗證版圖生成版圖生成邏輯圖邏輯圖電路圖電路圖76最終版圖數(shù)據(jù)最終版圖數(shù)據(jù)與測試向量與測試向量制版制版與工藝流片與工藝流片計算機(jī)輔助計算機(jī)輔助測試測試( ICCAT)生產(chǎn)定型生產(chǎn)定型工藝模擬工藝模擬版圖幾何設(shè)計規(guī)則和版圖幾何設(shè)計規(guī)則和電學(xué)規(guī)則檢查電學(xué)規(guī)則檢查網(wǎng)表一致性檢網(wǎng)表一致性檢查和后仿真查和后仿真77 ICIC設(shè)計流程視具體系統(tǒng)而定設(shè)計流程視具體系

53、統(tǒng)而定 隨著隨著 IC CADIC CAD系統(tǒng)的發(fā)展，系統(tǒng)的發(fā)展，ICIC設(shè)計更側(cè)重系統(tǒng)設(shè)計設(shè)計更側(cè)重系統(tǒng)設(shè)計 正向設(shè)計，逆向設(shè)計正向設(shè)計，逆向設(shè)計 S SoC: IPoC: IP（Intelligent ProprietaryIntelligent Proprietary） 庫庫( (優(yōu)化設(shè)計優(yōu)化設(shè)計) ) 軟核：行為級描述軟核：行為級描述 firm IP: firm IP: 門級門級 hard IP:hard IP:版圖級，版圖級， D/A A/D DRAMD/A A/D DRAM，優(yōu)化的深亞微米電路等優(yōu)化的深亞微米電路等 ICIC設(shè)計與電路制備相對獨立的新模式設(shè)計與電路制備相對獨立的新模

54、式 FoundryFoundry的出現(xiàn)的出現(xiàn)78三、可測性設(shè)計技術(shù)三、可測性設(shè)計技術(shù) 什么是集成電路測試？對制造出的電路進(jìn)行功能和性能檢測，檢測并定位出什么是集成電路測試？對制造出的電路進(jìn)行功能和性能檢測，檢測并定位出電路的故障，用盡可能短的時間挑選出合格芯片。電路的故障，用盡可能短的時間挑選出合格芯片。 集成電路測試的特殊性集成電路測試的特殊性 什么是可測性設(shè)計？在盡可能少地增加附加引線腳和附加電路，并使芯片性什么是可測性設(shè)計？在盡可能少地增加附加引線腳和附加電路，并使芯片性能損失最小的情況下，滿足電路可控制性和可觀察性的要求能損失最小的情況下，滿足電路可控制性和可觀察性的要求 可控制：從輸

55、入端將芯片內(nèi)部邏輯電路置于指定狀態(tài)可控制：從輸入端將芯片內(nèi)部邏輯電路置于指定狀態(tài) 可觀察：直接或間接地從外部觀察內(nèi)部電路的狀態(tài)可觀察：直接或間接地從外部觀察內(nèi)部電路的狀態(tài)79結(jié)構(gòu)式測試技術(shù)結(jié)構(gòu)式測試技術(shù) 掃描途徑測試掃描途徑測試 概念：將時序元件和組合電路隔離開，解決時序電路測試?yán)щy的問題。概念：將時序元件和組合電路隔離開，解決時序電路測試?yán)щy的問題。 將芯片中的時序元件將芯片中的時序元件( (如觸發(fā)器、寄存器等如觸發(fā)器、寄存器等) )連接成一個或數(shù)個移位寄連接成一個或數(shù)個移位寄存器存器( (即掃描途徑即掃描途徑) )，在組合電路和時序元件之間增加隔離開關(guān)，并用專，在組合電路和時序元件之間增加

56、隔離開關(guān)，并用專門信號控制芯片工作于正常工作模式或測試模式。當(dāng)芯片處于正常模式門信號控制芯片工作于正常工作模式或測試模式。當(dāng)芯片處于正常模式時，組合電路的反饋輸出作為時序元件的輸入，移位寄存器不工作；當(dāng)時，組合電路的反饋輸出作為時序元件的輸入，移位寄存器不工作；當(dāng)芯片處于測試模式時，組合電路的反饋輸出與時序元件的連接斷開，可芯片處于測試模式時，組合電路的反饋輸出與時序元件的連接斷開，可以從掃描輸入端向時序元件輸入信號，并可以將時序元件的輸出移出進(jìn)以從掃描輸入端向時序元件輸入信號，并可以將時序元件的輸出移出進(jìn)行觀察行觀察80組合邏輯移位寄存器(掃描路徑)輸出輸入模式選擇時鐘掃描進(jìn)掃描出反饋輸入反

57、饋輸出1. 測試模式，掃描途徑是否正確；測試模式，掃描途徑是否正確；2. 測試序列移入移位寄存器，穩(wěn)定后組測試序列移入移位寄存器，穩(wěn)定后組合電路輸入，與反饋輸入一起通過組合合電路輸入，與反饋輸入一起通過組合邏輯，觀察組合邏輯的輸出，與期望值邏輯，觀察組合邏輯的輸出，與期望值比較；比較；3. 正常工作模式，組合電路的反饋輸出正常工作模式，組合電路的反饋輸出送入時序元件；將電路轉(zhuǎn)為測試模式把送入時序元件；將電路轉(zhuǎn)為測試模式把時序元件中的內(nèi)容移出，也與期望值比時序元件中的內(nèi)容移出，也與期望值比較，與上述組合邏輯的輸出一起用來檢較，與上述組合邏輯的輸出一起用來檢查芯片的功能查芯片的功能測試序列用確定性

58、算法自動生成81 掃描途徑測試技術(shù)存在的問題掃描途徑測試技術(shù)存在的問題 需要增加控制電路數(shù)量和外部引腳，需要將分散的時序元件連在一起，需要增加控制電路數(shù)量和外部引腳，需要將分散的時序元件連在一起，導(dǎo)致芯片面積增加和速度降低；導(dǎo)致芯片面積增加和速度降低； 串行輸出結(jié)果，測試時間較長。串行輸出結(jié)果，測試時間較長。82特征量分析測試技術(shù)特征量分析測試技術(shù) 內(nèi)建測試技術(shù)，在芯片內(nèi)部設(shè)計了內(nèi)建測試技術(shù)，在芯片內(nèi)部設(shè)計了“測試設(shè)備測試設(shè)備”來檢測芯片的功能，避免了來檢測芯片的功能，避免了數(shù)據(jù)需要串行傳輸?shù)酵獠吭O(shè)備的問題數(shù)據(jù)需要串行傳輸?shù)酵獠吭O(shè)備的問題 概念：把對應(yīng)輸入信號的各節(jié)點響應(yīng)序列壓縮，提取出相應(yīng)的

59、特征量，保存概念：把對應(yīng)輸入信號的各節(jié)點響應(yīng)序列壓縮，提取出相應(yīng)的特征量，保存在寄存器中，只需比較實測響應(yīng)序列和正常序列的特征量，可以減少計算機(jī)在寄存器中，只需比較實測響應(yīng)序列和正常序列的特征量，可以減少計算機(jī)內(nèi)存，提高測試速度內(nèi)存，提高測試速度 增加的芯片面積不多，但故障檢測和診斷的有效率不高增加的芯片面積不多，但故障檢測和診斷的有效率不高83自測試技術(shù)自測試技術(shù) 在芯片內(nèi)部建立自測試結(jié)構(gòu)電路，不需要外部激勵。在芯片內(nèi)部建立自測試結(jié)構(gòu)電路，不需要外部激勵。 常見的自測試結(jié)構(gòu)包括表決電路、錯誤檢測與校正碼技術(shù)等常見的自測試結(jié)構(gòu)包括表決電路、錯誤檢測與校正碼技術(shù)等84四、四、ASICASIC設(shè)計

60、的熱點和趨勢設(shè)計的熱點和趨勢 1 1、SOC SOC 設(shè)計；設(shè)計； 2 2、數(shù)字邏輯相模擬電路和數(shù)?；旌想娐?；、數(shù)字邏輯相模擬電路和數(shù)模混合電路；853.1 3.1 SOC（System on Chip,片上系統(tǒng)）技術(shù)1 1、SOCSOC技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用 SOCSOC的工作開始于的工作開始于2020世紀(jì)世紀(jì)9090年代年代, ,雖然對雖然對SOCSOC至今尚無非常明確的定義，至今尚無非常明確的定義，但一般認(rèn)為，采用深亞微米（但一般認(rèn)為，采用深亞微米（DSMDSM）工藝技術(shù)，工藝技術(shù)，IPIP核的復(fù)用和軟硬件協(xié)同核的復(fù)用和軟硬件協(xié)同設(shè)計是設(shè)計是SOCSOC的三大技術(shù)特征。的三大技術(shù)特征。862