電子技術(shù)答案

1、電子技術(shù)練習(xí)題一、填空題1 PN結(jié)加正偏電壓時(shí), P區(qū)接_高_(dá)電位, N區(qū)接_低_電位, 此時(shí)電流_大_（大小高低）。2 常溫下，硅二極管的開(kāi)啟電壓（即：死區(qū)電壓）約_0.5_V，導(dǎo)通電壓約_0.7_V；鍺二極管的開(kāi)啟電壓（即：死區(qū)電壓）約_0.1_V，導(dǎo)通電壓約_0.2_V。3 雙極型三極管中有_二_種載流子導(dǎo)電, 是_電流_控制器件.4 場(chǎng)效應(yīng)三極管中有_一_種載流子導(dǎo)電, 是_電壓_控制器件.5 雙極型半導(dǎo)體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí), 發(fā)射結(jié)_正向_偏置, 集電結(jié)_反向_偏置.對(duì)于NPN管，此時(shí)各引腳電位大小關(guān)系是Uc _> _ UB _>_UE ;而對(duì)于PNP管，此時(shí)各引腳電

2、位大小關(guān)系是UC _<_ UB_< _ UE 。6 溫度升高時(shí), 三極管的電流放大系數(shù)變大_, 在相同IB的情況下,UBE將變_小_，ICBO變 大 。7 單管放大電路中欲獲較高的電壓放大倍數(shù)且反相輸出，應(yīng)當(dāng)選用_共射_組態(tài)放大器；欲獲較高的輸入電阻，應(yīng)當(dāng)選用_共集_組態(tài)放大器；欲獲較寬的通頻帶，應(yīng)當(dāng)選用_共基_組態(tài)放大器。 （限答雙極型三極管單管放大電路組態(tài)名稱）。9. 欲放大直流信號(hào), 應(yīng)采用_直接_耦合方式.10. 多級(jí)放大電路級(jí)間耦合有 直接 耦合、 阻容 耦合和 變壓器 耦合三種方式。11. 二變量真值表中，輸入有0則輸出為1，輸入全1則輸出為0，其邏輯關(guān)系是 與非 。1

3、2. 十進(jìn)制數(shù)14的等值二進(jìn)制數(shù)是 1110 ，8421BCD碼是 0001 0100 。13. 有一個(gè)邏輯函數(shù)F=AB,其與或表達(dá)式為，與非-與非表達(dá)式為 ，或與表達(dá)式為 ，與或非表達(dá)式為 。14. 數(shù)字電路按照功能可以分為兩類，一類是 組合 邏輯電路，另一類是 時(shí)序邏輯電路。15. 晶體三極管作開(kāi)關(guān)用時(shí)，在大信號(hào)作用下，穩(wěn)態(tài)時(shí)工作在 飽和 區(qū)和 截止 區(qū)，過(guò)渡狀態(tài)工作在 放大 區(qū)。16. 使用TTL集成門(mén)電路時(shí)，為實(shí)現(xiàn)線與邏輯功能應(yīng)選用 開(kāi)路（OC） 門(mén)電路，為實(shí)現(xiàn)總線系統(tǒng)應(yīng)選用 三態(tài) 門(mén)電路。17. TTL門(mén)電路輸出高電平的典型值是 3.6 伏，輸出低電平的典型值是 0.3 伏。18.

4、TTL與門(mén)多余輸入端應(yīng)該接 高電平 ，TTL或門(mén)多余輸入端應(yīng)該接 低電平 。19. TTL與非門(mén)的灌電流負(fù)載發(fā)生在輸出 低 電平情況下，拉電流負(fù)載發(fā)生在輸出 高 電平情況下。20. 欲將10KHZ的矩形波變換成1KHZ的矩形波可使用十分頻計(jì)數(shù)器 電路。21. 欲將10KHZ的正弦波變換成同頻率的矩形波可使用施密特觸發(fā)器或比較器電路。22. 理想集成放大器的開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod = _, 差模輸入電阻rid = _, 輸出電阻ro = _0_ ，共模抑制比 KCMR = _. (限用,0 符號(hào))23. PN結(jié)正向偏置時(shí)_多子_擴(kuò)散形成較大的正向電流，反向偏置時(shí)_少子_漂移形成較小的反向電流。

5、24. 數(shù)字邏輯電路中某一時(shí)刻的輸出狀態(tài)僅由該時(shí)刻電路的輸入信號(hào)決定，稱其為_(kāi)組合_邏輯電路。若輸出狀態(tài)還與輸入信號(hào)作用前的本身狀態(tài)有關(guān)，稱其為_(kāi)時(shí)序_邏輯電路。25. 測(cè)出兩個(gè)單管共射電路幅頻響應(yīng)曲線如圖： 從中可知（a）Au=100倍， fL=50Hz， fH=300k Hz (b) 的Au=10倍， fL=0Hz， fH=1MHz （b）電路的信號(hào)耦合方式一定是直接 耦合。二、單項(xiàng)選擇題1在本征半導(dǎo)體中，電子濃度_C_空穴濃度；在P型半導(dǎo)體中，電子濃度_A_空穴濃度；在N型半導(dǎo)體中，電子濃度_B_空穴濃度；A 小于 B 大于 C 等于 D無(wú)法判斷2當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流_B_漂

6、移電流，耗盡層_E_；當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流_A_漂移電流，耗盡層_D_。 A 小于 B 大于 C 等于 D變寬 E變窄 F不變3采用差動(dòng)放大電路是為_(kāi)C_ 而設(shè)置的。A 穩(wěn)定放大倍數(shù) B提高輸入電阻 C克服溫漂 D擴(kuò)展頻帶4集成運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，兩個(gè)輸入端的電壓u+和u-滿足關(guān)系式 A ，這叫 C 而兩個(gè)輸入端的電流I+和I-滿足關(guān)系式 E ，這叫 D 。 A u+=u- B u+>>u- C 虛短（路） D 虛斷（路） E I+ = I- = 0 F I+ < I- G虛地5在比較器中，使輸出發(fā)生跳變的_A_電壓值，叫做：門(mén)限電平或閾值電壓。 A輸入 B輸出

7、C運(yùn)放u+的 D運(yùn)放u-的6欲使放大電路輸出電阻減小，應(yīng)采用_B_負(fù)反饋，欲使放大電路 輸入電阻 增大，應(yīng)采用 C 負(fù)反饋。 A電流 B電壓 C串聯(lián) D并聯(lián)7. 反相比例放大器中RF引入的是 B 負(fù)反饋。 A電壓串聯(lián) B電壓并聯(lián) C電流串聯(lián) D電流并聯(lián)8.放大電路中引入電壓串聯(lián)負(fù)反饋，電壓放大倍數(shù)C 。A. 不變 B.增大 C.減小 D.無(wú)法判斷9. 單相橋式整流電路中，流過(guò)每個(gè)二極管的平均電流是負(fù)載電流的B倍。A. 0.25 B. 0.5 C. 1.0 D.1.510. 工作在放大狀態(tài)的三極管，測(cè)得三個(gè)管腳的電位分別為:1腳 -3.2V, 2腳 -3V, 3腳, -6V。由此可以判定三極管為

8、 D 。 A.NPN型硅管 B. PNP型硅管 C. NPN型鍺管 D. PNP型鍺管11正邏輯系統(tǒng)約定 A 電平用邏輯“1”表示 A. 高 B. 低 C. 0 D. 任意12. 當(dāng)輸入變量A、B的取值相同時(shí)，輸出F = 0，取值不同時(shí)F = 1，則輸出與輸入間的邏輯關(guān)系是 A= A.異或 B. 同或 C. 與非 D. 與或非 13在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子濃度主要取決于_C_，而少子濃度則與_A_有關(guān)系。 A溫度 B摻雜工藝 C雜質(zhì)濃度 D晶體缺陷14集成運(yùn)放內(nèi)電路大多采用_B_耦合方式. 為降低溫漂，它的輸入級(jí)采用_D_式放大電路的形式，為了提高帶負(fù)載的能力，它的輸出級(jí)大多采用_F_電路。 A阻

9、容 B 直接 C共源 D差分 E共基 F互補(bǔ)對(duì)稱 15差動(dòng)放大電路用恒流源代替發(fā)射極電阻Re_C_ 。A提高差模電壓放大倍數(shù) B提高共模電壓放大倍數(shù) C 提高共模抑制比 D 提高差模輸出電阻16用集成運(yùn)放構(gòu)成的電壓比較器電路，在穩(wěn)態(tài)時(shí)運(yùn)放處于_C_區(qū)。而當(dāng)輸出發(fā)生跳變時(shí)，它渡越過(guò)_D_區(qū)。A飽和 B截止 C非線性區(qū) D線性區(qū)17欲穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，提高輸入電阻，應(yīng)采用_C_負(fù)反饋；欲實(shí)現(xiàn)電流控制電流源，應(yīng)采用 B 負(fù)反饋。 A電流串聯(lián) B電流并聯(lián) C電壓串聯(lián) D電壓并聯(lián)18工作在放大狀.態(tài)的雙極型三極管，測(cè)得三個(gè)管腳的電位分別為：1腳：38v，2腳：31v，3腳63v， 由此可判定1腳是

10、 B 。 A發(fā)射極 B基極 C集電極 D 無(wú)法判斷19在放大電路的輸入回路中，輸入信號(hào)、 凈輸入信號(hào) 及 反饋信號(hào) 以電流形式相加減，稱為 D 反饋。A.電壓B.電流 C.串聯(lián) D.并聯(lián)20. 工作在放大狀態(tài)的雙極型三極管，測(cè)得三個(gè)管腳的電流分別為：腳流進(jìn)mA，腳流進(jìn)0.04mA，腳流進(jìn) -2.04mA，由此可知此管電流放大系數(shù)為A ，此管為C管。A.50 B.51 C.NPN D. PNP21. 單相全波橋式整流電路，電容濾波接負(fù)載的情況下，電路輸出電壓是變壓器付邊電壓有效值2的C倍。A.0.9 B.1.0 C.1.2 D.1.4 22. 為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求發(fā)射極正向偏置，集電

11、極 B 偏置：A. 正向 B. 反向 C. 無(wú) D. 變化23. 與二進(jìn)制數(shù)101001等值的十進(jìn)制數(shù)是 B A. 38 B. 41 C. 49 D. 56三、簡(jiǎn)答題1. 電路如圖所示，求uo2. 電路如圖所示，求uo3. 電路如圖，畫(huà)出其電壓傳輸特性和輸出電壓波形2v-6v+6vuiuottuoui-6v+6v-6v+6v4. 下圖所示電路中，F(xiàn)為邊沿JK觸發(fā)器 (1)列寫(xiě)觸發(fā)器控制端的邏輯函數(shù)式 (2)對(duì)應(yīng)輸入波形，畫(huà)出輸出信號(hào)的波形。（設(shè)觸發(fā)器初態(tài)為）5. 下圖所示電路中，F(xiàn)為邊沿D觸發(fā)器 (1)列寫(xiě)觸發(fā)器控制端的邏輯函數(shù)式 (2)對(duì)應(yīng)輸入波形，畫(huà)出輸出信號(hào)的波形。（設(shè)觸發(fā)器初態(tài)為）6.

12、 給定電路如圖，寫(xiě)出各觸發(fā)器的狀態(tài)方程，其中滿足的電路是（ d ）。7. 用公式法化簡(jiǎn)為最簡(jiǎn)與或式：8. 求最簡(jiǎn)或非-或非式和最簡(jiǎn)與或非式： 9. 給出三個(gè)應(yīng)用電路如圖（a），給出三個(gè)電壓傳輸特性如圖（b）請(qǐng)用“關(guān)系線條”，把電路和電壓傳輸特性相對(duì)應(yīng)連接。并標(biāo)出電壓傳輸特性上數(shù)值。（黑點(diǎn)處）10. 分析下圖所示CMOS電路是否能正常工作，寫(xiě)出能正常工作電路的輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式。A）多余輸入端不能懸空，B)輸出端不能并接，C)輸出端不能接高電平，D）可以，E)輸出端不能并接11. 分析下圖所示TTL電路的輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式。四、 分析題1. 電路如圖所示，求uo2. 下圖中集成運(yùn)放是理想的，

13、指出電路的反饋類型，計(jì)算電路的輸出電壓uo。3. 試分析如圖所示的同步計(jì)算器（設(shè)觸發(fā)器初態(tài)為0） 要求：（）列寫(xiě)觸發(fā)器控制端的邏輯函數(shù)式。 （）列狀態(tài)轉(zhuǎn)換表。 （）畫(huà)出CP與Q1、Q2、F的波形圖。 000100111111100100004. 給定3線8線譯碼器的靈活應(yīng)用電路如圖：分析電路并寫(xiě)出輸出Y1，Y2的函數(shù)表達(dá)式，其中A、B、C為輸入變量。并將Y1(A、B、C)、Y2(A、B、C)化為最簡(jiǎn)與或式。5. 試寫(xiě)出下圖中各電路的次態(tài)輸出函數(shù)表達(dá)式，并畫(huà)出給定輸入作用下Q1、Q2的電壓波形。設(shè)觸發(fā)器的初態(tài)為0。6. 同步時(shí)序邏輯電路如圖所示。列寫(xiě)觸發(fā)器控制端的邏輯函數(shù)式。試列出其狀態(tài)表，畫(huà)出其工作波形。000001001010010011011100100101101110110000五、設(shè)計(jì)題1. 試用數(shù)據(jù)選擇器74LS153實(shí)現(xiàn)邏輯F(A、B、C、D)=m(0，3，5，6)。2. 試用3線8線譯碼器74LS138實(shí)現(xiàn)邏輯F =ABC+ACD。六、綜合應(yīng)用題1. 給定電路如圖（A）, 硅三極管輸出特性如圖（B）：a) 估算 IBQ , ICQ , UCEQ (設(shè)UBEQ=0.7V)b) 求 rbe及值 (設(shè)rbe =300).c) 畫(huà)微變等效圖, 求中頻電壓放大倍數(shù)Au輸入電阻