第十二章習(xí)題答案new

1、1、分析電子衍射與X衍射有何異同？答：相同點(diǎn)： 都是以滿足布拉格方程作為產(chǎn)生衍射的必要條件。 兩種衍射技術(shù)所得到的衍射花樣在幾何特征上大致相似。不同點(diǎn)： 電子波的波長比x射線短的多，在同樣滿足布拉格條件時(shí)，它的衍射角很小，約為10-2rad。而X射線產(chǎn)生衍射時(shí)，其衍射角最大可接近。 在進(jìn)行電子衍射操作時(shí)采用薄晶樣品，增加了倒易陣點(diǎn)和愛瓦爾德球相交截的機(jī)會(huì)，使衍射條件變寬。 因?yàn)殡娮硬ǖ牟ㄩL短，采用愛瓦爾德球圖解時(shí)，反射球的半徑很大，在衍射角較小的范圍內(nèi)反射球的球面可以近似地看成是一個(gè)平面，從而也可以認(rèn)為電子衍射產(chǎn)生的衍射斑點(diǎn)大致分布在一個(gè)二維倒易截面內(nèi)。 原子對(duì)電子的散射能力遠(yuǎn)高于它對(duì)x射線的

2、散射能力，故電子衍射束的強(qiáng)度較大，攝取衍射花樣時(shí)曝光時(shí)間僅需數(shù)秒鐘。2、倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間關(guān)系如何？倒易點(diǎn)陣與晶體的電子衍射斑點(diǎn)之間有何對(duì)應(yīng)關(guān)系？答：倒易點(diǎn)陣是與正點(diǎn)陣相對(duì)應(yīng)的量綱為長度倒數(shù)的一個(gè)三維空間點(diǎn)陣，通過倒易點(diǎn)陣可以把晶體的電子衍射斑點(diǎn)直接解釋成晶體相對(duì)應(yīng)晶面的衍射結(jié)果，可以認(rèn)為電子衍射斑點(diǎn)就是與晶體相對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)陣某一截面上陣點(diǎn)排列的像。關(guān)系： 倒易矢量ghkl垂直于正點(diǎn)陣中對(duì)應(yīng)的（hkl）晶面，或平行于它的法向Nhkl 倒易點(diǎn)陣中的一個(gè)點(diǎn)代表正點(diǎn)陣中的一組晶面 倒易矢量的長度等于點(diǎn)陣中的相應(yīng)晶面間距的倒數(shù)，即ghkl=1/dhkl 對(duì)正交點(diǎn)陣有a*/a，b*/b，c*/c，a*

3、=1/a，b*=1/b，c*=1/c。 只有在立方點(diǎn)陣中，晶面法向和同指數(shù)的晶向是重合的，即倒易矢量ghkl是與相應(yīng)指數(shù)的晶向hkl平行 某一倒易基矢量垂直于正交點(diǎn)陣中和自己異名的二基矢所成平面。3、用愛瓦爾德圖解法證明布拉格定律。證：如圖，以入射X射線的波長的倒數(shù)為半徑作一球（厄瓦爾德球），將試樣放在球心O處，入射線經(jīng)試樣與球相交于O*；以O(shè)*為倒易原點(diǎn)，若任一倒易點(diǎn)G落在厄瓦爾德球面上，則G對(duì)應(yīng)的晶面滿足衍射條件產(chǎn)生衍射。令入射方向矢量為k（k = 1/），衍射方向矢量為k，衍射矢量為g。則有g(shù) = 2ksin。g=1/d；k=1/，2dsin=。即厄瓦爾德球圖解與布拉格方程等價(jià)。4、畫出

4、fcc、bcc晶體的倒易點(diǎn)陣，并標(biāo)出基本適量a*，b*，c*。5、何為零層倒易面和晶帶定理？說明同一晶帶中各晶面及其倒易矢量與晶帶軸之間的關(guān)系。答：在倒易點(diǎn)陣中，通過倒易原點(diǎn)O*且與某一晶帶軸uvw垂直的二維平面稱為零層倒易面。 因?yàn)榱銓拥挂酌嫔系牡挂酌嫔系母鞯挂资噶慷己途лSr=uvw垂直，故有g(shù).r=0即hu+kv+lw=0這就是晶帶定理。 6、為何對(duì)稱入射時(shí)，即只有倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)在愛瓦爾德球面上，也能得到除中心斑點(diǎn)以外的一系列衍射斑點(diǎn)？答：如果倒易點(diǎn)是幾何點(diǎn)，那么對(duì)稱入射時(shí)就沒有倒易點(diǎn)落在厄瓦爾德球上。但是，由于電鏡樣品是薄樣品，倒易點(diǎn)拉長成倒易桿。倒易桿與厄瓦爾德球相交可以產(chǎn)生衍射。8、

5、舉例說明如何用選區(qū)衍射的方法來確定新相的慣習(xí)面及母相與新相的位向關(guān)系。答：例如分析鋼淬火時(shí)，馬氏體在奧氏體的一定結(jié)晶面上形成的，此面為慣習(xí)面，它在相變過程中應(yīng)該保持不變形與不轉(zhuǎn)動(dòng)。由于馬氏體相變時(shí)原子規(guī)則地發(fā)生位移,使新相(馬氏體)和母相之間始終保持一定的位向關(guān)系。在鐵基合金中由面心立方母相變?yōu)轶w心立方(正方)馬氏體M時(shí)具有著名的K-S關(guān)系：111011M,<01><11>M和西山關(guān)系：111110M，<211><110>M。慣性面的取向分析： 利用透射電鏡測定慣性面的指數(shù)，其根據(jù)是選區(qū)衍射花樣與選區(qū)內(nèi)組織形貌的微區(qū)對(duì)應(yīng)性。這里特介紹一

6、種最基本、較簡便的方法。該方法的基本要點(diǎn)為：使用雙傾臺(tái)或旋轉(zhuǎn)臺(tái)傾轉(zhuǎn)樣品，使慣性面平行于入射束方向，在此位向下獲得的衍射花樣中將出現(xiàn)該慣性面的衍射斑點(diǎn)。把這個(gè)位向下拍照的形貌像和相應(yīng)的選區(qū)衍射花樣對(duì)照，經(jīng)磁轉(zhuǎn)角校正后，即可確定慣性面的指數(shù)。其具體操作步驟如下：    1) 利用雙傾臺(tái)傾轉(zhuǎn)樣品，使慣性面處于與入射束平行的方向。    2) 拍照包含有慣性面的形貌像，以及該視場的選區(qū)電子衍射花樣。    3) 標(biāo)定選區(qū)電子衍射花樣，經(jīng)磁轉(zhuǎn)角校正后（即確保TEM方式下和SAED方式下

7、，沒有磁轉(zhuǎn)角差異），將慣性面在形貌像中的跡線（TEM圖像的得邊界線）畫在衍射花樣中。    4) 由透射斑點(diǎn)作跡線的垂線，該垂線所通過的衍射斑點(diǎn)的指數(shù)即為慣性面的指數(shù)。 例如： 鎳基合金中的片狀Ni3Nb相常沿著基體(面心立方結(jié)構(gòu))的某些特定平面生長。當(dāng)片狀相表面相對(duì)入射束傾斜一定角度時(shí)，在形貌像中片狀相的投影寬度較大(見圖實(shí)41a)；如果傾斜樣品使片狀相表面逐漸趨近平行于入射束，其在形貌像中的投影寬度將不斷減小；當(dāng)入射束方向與片狀相表面平行時(shí)，片狀相在形貌像中顯示最小的寬度(圖實(shí)41b)。圖實(shí)41c是入射電子束與片狀相表面平行時(shí)拍照

8、的基體衍射花樣。由圖實(shí)41c所示的衍射花樣的標(biāo)定結(jié)果，可以確定片狀相的生長慣習(xí)面為基體的(111)面。通常習(xí)慣用基體的晶面表示第二相的慣習(xí)面。母相與新相的位向分析： 利用兩相合成的電子衍射花樣的標(biāo)定結(jié)果，可以直接確定兩相間的取向關(guān)系。具體的分析方法是，在衍射花樣中找出兩相平行的倒易矢量，即兩相的這兩個(gè)衍射斑點(diǎn)的連線通過透射斑點(diǎn)，其所對(duì)應(yīng)的晶面互相平行，由此可獲得兩相間一對(duì)晶面的平行關(guān)系；另外，由兩相衍射花樣的晶帶軸方向互相平行，可以得到兩相間一對(duì)晶向的平行關(guān)系。由圖實(shí)43a給出的兩相合成電子衍射花樣的標(biāo)定結(jié)果可確定兩相的取向關(guān)系：(200)M(002)，011M。例如根據(jù)書上P176

9、的衍射斑點(diǎn)的結(jié)果，可知馬氏體的晶帶軸是001,奧氏體的晶帶軸是011。馬氏體和奧氏體的位向關(guān)系： 9、說明多晶、單晶及非晶衍射花樣的特征及形成原理。答：多晶體的電子衍射花樣是一系列不同半徑的同心圓環(huán)單晶衍射花樣是由排列得十分整齊的許多斑點(diǎn)所組成的非晶態(tài)物質(zhì)的衍射花樣只有一個(gè)漫散中心斑點(diǎn)單晶花樣是一個(gè)零層二維倒易截面，其倒易點(diǎn)規(guī)則排列，具有明顯對(duì)稱性，且處于二維網(wǎng)絡(luò)的格點(diǎn)上。因此表達(dá)花樣對(duì)稱性的基本單元為平行四邊形。單晶電子衍射花樣就是(uvw)*0零層倒易截面的放大像。多晶試樣可以看成是由許多取向任意的小單晶組成的。故可設(shè)想讓一個(gè)小單晶的倒易點(diǎn)陣?yán)@原點(diǎn)旋轉(zhuǎn)，同一反射面hkl的各等價(jià)倒易點(diǎn)（即（

10、hkl）平面族中各平面）將分布在以1/dhkl為半徑的球面上，而不同的反射面，其等價(jià)倒易點(diǎn)將分布在半徑不同的同心球面上，這些球面與反射球面相截，得到一系列同心園環(huán)，從反射球心向各園環(huán)連線，投影到屏上，就是多晶電子衍射圖。非晶的原子表現(xiàn)為近程有序，長程無序；原子的分布在非常小的范圍內(nèi)有一定的序。由于單個(gè)原子團(tuán)或多面體中原子具有近鄰關(guān)系反映到倒空間也具有對(duì)應(yīng)原子近鄰距離的一個(gè)或兩個(gè)倒易球面，反射球面與它們相交得到的軌跡都是一個(gè)或兩個(gè)半徑恒定并且以倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)為中心同心圓環(huán)。一、填空題1、電子衍射和X射線衍射的不同之處在于入射波長不同、試樣尺寸形狀不同，以及樣品對(duì)電子和X射線的散射能力不同。2、電子

11、衍射產(chǎn)生的復(fù)雜衍射花樣是高階勞厄斑、超結(jié)構(gòu)斑點(diǎn)、二次衍射、孿晶斑點(diǎn)和菊池花樣。3、偏離矢量S的最大值對(duì)應(yīng)倒易桿的長度，它反映的是角偏離布拉格方程的程度。4、單晶體衍射花樣標(biāo)定中最重要的一步是確定晶體結(jié)構(gòu)。5、二次衍射可以使密排六方、金剛石結(jié)構(gòu)的花樣中在本該消光的位置產(chǎn)生衍射花樣，但體心立方和面心立方結(jié)構(gòu)的花樣中不會(huì)產(chǎn)生多余衍射。6、倒易矢量的方向是對(duì)應(yīng)正空間晶面的 法線 ；倒易矢量的長度等于對(duì)應(yīng) 晶面間距的倒數(shù) 。7、只要倒易陣點(diǎn)落在厄瓦爾德球面上，就表示該 晶面 滿足 布拉格 條件，能產(chǎn)生 衍射 。二、名詞解釋1、偏離矢量s：倒易桿中心至與愛瓦爾德球面交截點(diǎn)的距離可用矢量s表示，s就是偏離矢

12、量。2、晶帶定律：凡是屬于uvw晶帶的晶面，它的晶面指數(shù)(hkl)都必須符合hu+kv+lw=0，通常把這種關(guān)系式稱為晶帶定律。3、相機(jī)常數(shù)：定義 K=L，稱相機(jī)常數(shù)，其中L為鏡筒長度，為電子波長。三、選擇題1、單晶體電子衍射花樣是（ A ）。A. 規(guī)則的平行四邊形斑點(diǎn)；B. 同心圓環(huán)；C. 暈環(huán)；D.不規(guī)則斑點(diǎn)。2、 薄片狀晶體的倒易點(diǎn)形狀是（ C ）。A. 尺寸很小的倒易點(diǎn)；B. 尺寸很大的球；C. 有一定長度的倒易桿；D. 倒易圓盤。3、 當(dāng)偏離矢量S<0時(shí)，倒易點(diǎn)是在厄瓦爾德球的（ A ）。A. 球面外；B. 球面上；C. 球面內(nèi)；D. B+C。4、 能幫助消除180º

13、不唯一性的復(fù)雜衍射花樣是（ A ）。A. 高階勞厄斑；B. 超結(jié)構(gòu)斑點(diǎn)；C. 二次衍射斑；D. 孿晶斑點(diǎn)。5、 菊池線可以幫助（ D ）。A. 估計(jì)樣品的厚度；B. 確定180º不唯一性；C. 鑒別有序固溶體；D. 精確測定晶體取向。6、 如果單晶體衍射花樣是正六邊形，那么晶體結(jié)構(gòu)是（ D ）。A. 六方結(jié)構(gòu)；B. 立方結(jié)構(gòu)；C. 四方結(jié)構(gòu)；D. A或B。7、有一倒易矢量為，與它對(duì)應(yīng)的正空間晶面是（ C ）。A. （210）；B. （220）；C. （221）；D. （110）；。四、 是非題1、多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射花樣一樣，隨著環(huán)直徑增大，衍射晶面指數(shù)也由低到高。（）2、單晶衍

14、射花樣中的所有斑點(diǎn)同屬于一個(gè)晶帶。（×）3、偏離矢量S=0時(shí)，衍射斑點(diǎn)最亮。這是因?yàn)镾=0時(shí)是精確滿足布拉格方程，所以衍射強(qiáng)度最大。（ ）4、對(duì)于未知晶體結(jié)構(gòu)，僅憑一張衍射花樣是不能確定其晶體結(jié)構(gòu)的。還要從不同位向拍攝多幅衍射花樣，并根據(jù)材料成分、加工歷史等或結(jié)合其它方法綜合判斷晶體結(jié)構(gòu)。（）5、電子衍射和X射線衍射一樣必須嚴(yán)格符合布拉格方程。（×）6、倒易矢量能唯一地代表對(duì)應(yīng)的正空間晶面。（ ）五、問答題1、試推導(dǎo)電子衍射的基本公式，并指出L的物理意義。解：圖為電子衍射花樣形成原理圖。其中樣品放在愛瓦爾德球的球心O處。當(dāng)入射電子束和樣品內(nèi)某一組晶面（h k l）相遇，并滿

15、足布拉格方程時(shí)，在K方向產(chǎn)生衍射束，其中圖中O、G點(diǎn)分別為入射束與衍射束在底片上產(chǎn)生的透射斑點(diǎn)（中心斑點(diǎn)）和衍射斑點(diǎn)。（矢量）是衍射晶面的倒易矢量，其端點(diǎn)O，G位于愛瓦爾德球面上，投影G通過轉(zhuǎn)換進(jìn)入正空間。 電子束發(fā)散角很小，約2º-3º， 可認(rèn)為OOGOOG，那么矢量與矢量k垂直 有R/L=/k 又有=1/ k=1/ R=L/= L 又近似有矢量R矢量 上式亦可以寫成R= Lg 式就是電子衍射的基本公式 式中L稱為電子衍射的相機(jī)常數(shù)（L為相機(jī)長度）。它是一個(gè)協(xié)調(diào)正空間和倒空間的比例常數(shù)，也即衍射斑點(diǎn)的R矢量是產(chǎn)生這一斑點(diǎn)的晶面組倒易矢量g按比例L的放大，L就是放大倍數(shù)。2

16、、 簡述單晶子電子衍射花樣的標(biāo)定方法。答：通常電子衍射圖的標(biāo)定過程可分為下列三種情況：（1）、已知相機(jī)常數(shù)和樣品晶體結(jié)構(gòu) 由近及遠(yuǎn)測定各個(gè)斑點(diǎn)的R值。 根據(jù)衍射基本公式R=lL/d求出相應(yīng)晶面間距 因?yàn)榫w結(jié)構(gòu)已知，所以可由d值定它們的晶面族指數(shù)hkl 測定各衍射斑之間的j角 決定透射斑最近的兩個(gè)斑點(diǎn)的指數(shù)(hkl) 根據(jù)夾角公式，驗(yàn)算夾角是否與實(shí)測的吻合，若不，則更換(hkl) 兩個(gè)斑點(diǎn)決定之后，第三個(gè)斑點(diǎn)為R3=R1+R2。 由g1×g2求得晶帶軸指數(shù)。（2）、相機(jī)常數(shù)未知和樣品晶體結(jié)構(gòu)已知時(shí)衍射花樣標(biāo)定（嘗試是否為立方） 由近及遠(yuǎn)測定各個(gè)斑點(diǎn)的R值。 計(jì)算R12值，根據(jù)R12

17、， R22 ， R32=N1 ， N2 ， N3關(guān)系，確定是否是某個(gè)立方晶體。 有N求對(duì)應(yīng)的hkl。 測定各衍射斑之間的j角 決定透射斑最近的兩個(gè)斑點(diǎn)的指數(shù)（ hkl ） 根據(jù)夾角公式，驗(yàn)算夾角是否與實(shí)測的吻合，若不，則更換（ hkl ） 兩個(gè)斑點(diǎn)決定之后，第三個(gè)斑點(diǎn)為R3=R1+R2。 由g1×g2求得晶帶軸指數(shù)。如果不是立方點(diǎn)陣，則晶面族指數(shù)的比值另有規(guī)律。三、未知晶體結(jié)構(gòu)，相機(jī)常數(shù)已知時(shí)衍射花樣的標(biāo)定 由近及遠(yuǎn)測定各個(gè)斑點(diǎn)的R值。 根據(jù)衍射基本公式R=lL/d求出相應(yīng)晶面間距 查ASTM卡片，找出對(duì)應(yīng)的物相和hkl指數(shù) 確定(hkl)，求晶帶軸指數(shù)。在實(shí)際中常用下下面兩個(gè)方法：

18、（1）、查表標(biāo)定法 在底片上測量約化四邊形的邊長R1、R2、R3及夾角，計(jì)算R2/R1及R3/R1。 用R2/R1、R3/R1及去查倒易點(diǎn)陣平面基本數(shù)據(jù)表（附錄14）。若與表中相應(yīng)數(shù)據(jù)吻合，則可查到倒易面面指數(shù)（或晶帶軸指數(shù)）uvw，A點(diǎn)指數(shù)h1k1l1及B點(diǎn)指數(shù)h2k2l2。 由R=lL/d式計(jì)算晶面間距，并與d值表或X射線粉末衍射卡片PDF（或ASTM）上查得的晶面間距對(duì)比，以核對(duì)物相。（2）、標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)照法 這是一種簡單易行而又常用的方法。即將實(shí)際觀察、記錄到的衍射花樣直接與標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)比，寫出斑點(diǎn)的指數(shù)并確定晶帶軸的方向。所謂標(biāo)準(zhǔn)花樣就是各種晶體點(diǎn)陣主要晶帶的倒易截面，它可以根據(jù)晶帶定理

19、和相應(yīng)晶體點(diǎn)陣的消光規(guī)律繪出(見附錄11)。3下圖為18Cr2Ni4WA經(jīng)900油淬后在透射電鏡下攝得的選區(qū)電子衍射花樣示意圖，衍射花樣中有馬氏體和奧氏體兩套斑點(diǎn)，請(qǐng)對(duì)其指數(shù)斑點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定。衍射花樣拆分為馬氏體和奧氏體兩套斑點(diǎn)的示意圖R1=10.2mm, R1=10.0mm, R2=10.2mm R2=10.0mm, R3=14.4mm , R3=16.8mm,R1和R2間夾角為90°， R1和R2間夾角為70°,L=2.05mmnm。解答：（1）、馬氏體標(biāo)定嘗試校核法：選約化四邊形如上圖：R1=10.2mm，R2=10.2mm，R3=14.4mm，=90°，計(jì)算邊

20、長比為R2/R1=10.2/10.2=1R3/R1=14.4/10.2=1.412查表法（P304）：已知馬氏體為體心立方點(diǎn)陣，故可查體心立方倒易點(diǎn)陣平面基本數(shù)據(jù)表，在表中找到比較相近的比值和夾角，從而查得uvw=001h1k1l1=110，h2k2l2=-110故R1點(diǎn)標(biāo)為110，R2點(diǎn)標(biāo)為-110，R3點(diǎn)按下式標(biāo)定：h3=h2+h1=1-1=0k3=k2+k1=1+1=2l3=l2+l1=0+0=0故R3點(diǎn)標(biāo)為020核對(duì)物相已知L=2.05mm·nm，所以RiR1R3計(jì)算值di=L/Ri0.200980.14236卡片值di(-Fe)0.202690.14332hkl110200

21、-Fe由卡片查得，兩者相符。標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)照法（P294）：（2）殘余奧氏體的標(biāo)定 在底片上，取四邊形如上圖，得R1=10.0mm，R2=10.0mm。R3=16.8mm，不是短對(duì)角線。=70°。 計(jì)算di、對(duì)照卡片di，找出hkl;已知L=2.05mm·nm，所以RiR1R2R3計(jì)算值di=L/Ri0.20500.20500.122卡片值di(-Fe)0.20700.20700.126hkl111111022 標(biāo)定一套指數(shù)從111中任取11-1作為R1點(diǎn)指數(shù)列出111中各個(gè)等價(jià)指數(shù)，共8個(gè)，即111，11-1，1-11，-111，1-1-1，-11-1，-1-11，-1-1-

22、1。由于其他七個(gè)指數(shù)和11-1的夾角都是70.53°，與實(shí)測70°相符?？梢詮闹腥芜x一個(gè)的指數(shù)為-11-1作為R2。由矢量疊加原理，R3點(diǎn)的指數(shù)分別為02-2。 確定uvwuvw=g1×g2，求得uvw=011查表法（P304）：4、下圖為18Cr2Ni4WA經(jīng)900油淬400回火后在透射電鏡下攝得的滲碳體選區(qū)電子衍射花樣示意圖，請(qǐng)對(duì)其指數(shù)斑點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定。R1=9.8mm, R2=10.0mm,=95°, L=2.05mmnm解：由 得 得d1=0.209nm，d2=0.205nm,查表法（P305）： 查表得：(h1k1l1)為（-1-2 1） （h2k

23、2l2）為（2 -1 0）又R1R2，可確定最近的衍射斑點(diǎn)指數(shù)為(h1k1l1)即（-1 -2 1） 第二個(gè)斑點(diǎn)指數(shù)為（2 -1 0），又由R1+R2=R3 得 h3=h1+h2,k3=k1+k2,l3=l1+l2得第三個(gè)斑點(diǎn)指數(shù)為（1 -3 1）5、產(chǎn)生電子衍射的必要條件與充分條件是什么？答：產(chǎn)生電子衍射的充分條件是Fhkl0，產(chǎn)生電子衍射必要條件是滿足或基本滿足布拉格方程。6、為什么說從衍射觀點(diǎn)看有些倒易點(diǎn)陣也是衍射點(diǎn)陣，其倒易點(diǎn)不是幾何點(diǎn)？其形狀和所具有的強(qiáng)度取決于哪些因素，在實(shí)際上有和重要意義？答：倒易點(diǎn)陣中的一個(gè)點(diǎn)代表的是正點(diǎn)陣中的一組晶面。衍射點(diǎn)陣是那些能產(chǎn)生衍射（去掉結(jié)構(gòu)消光）的

24、倒易點(diǎn)陣。衍射點(diǎn)陣中倒易點(diǎn)不是幾何點(diǎn)，其形狀和強(qiáng)度取決于晶體形狀和倒易體與厄瓦爾德球相交的位置。根據(jù)衍射花樣可以推測晶體形態(tài)或缺陷類型以及衍射偏離布拉格角的程度。7、為什么TEM既能選區(qū)成像又能選區(qū)衍射？怎樣才能做到兩者所選區(qū)域的一致性。在實(shí)際應(yīng)用方面有何重要意義？答 TEM 成像系統(tǒng)主要是由物鏡，中間鏡和投影鏡組成。如果把中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合，則在熒光屏上得到一幅放大像，這就是TEM的成像操作。如果把中間鏡的物平面和物鏡的背焦面重合，則在熒光屏上得到一幅電子衍射花樣，這就是TEM的電子衍射操作。降低成像的像差，精確聚焦才能做到兩者所選區(qū)域一致。實(shí)際應(yīng)用中是通過選區(qū)衍射確定微小物相的晶體結(jié)構(gòu)。8、從原理及應(yīng)用方面分析電子衍射與X衍射在