PN7764低側(cè)mos驅(qū)動(dòng)器芯片兼容2EDN7524G_驪微電子.pdf

1、ChipownPN7762/3/4具有 5A 峰值驅(qū)動(dòng)電流的雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片深圳市驪微電子科技有限公司芯朋微一級(jí)代理概述PN7762/3/4是一款雙通道、高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) 芯片，該芯片可以作為大功率MOSFET和IGBT 的驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。PN7762/3/4的輸出可以提供高達(dá)5A拉電流和5A 灌電流的峰值電流脈沖，且輸入信號(hào)到輸出信 號(hào)的傳播延時(shí)極小，典型值為22ns。此外，該應(yīng)用領(lǐng)域l開(kāi)關(guān)模式電源l電機(jī)控制l 功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器封裝/訂購(gòu)信息SOP8芯片的兩個(gè)通道之間的傳播匹配延時(shí)小于2ns， 可將兩個(gè)通道并聯(lián)使用。該芯片的輸入管腳INA、INB兼容5V和3.3V信號(hào) 控

2、制，具有良好的抗干擾性。特性l寬電源電壓范圍：4.5V30Vl兩個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)通道l5A峰值拉電流和灌電流l快速傳播延時(shí)（典型值22ns）l快速上升和下降時(shí)間（典型值7ns）l兩通道間延時(shí)匹配時(shí)間典型值為1nsl針對(duì)更高的驅(qū)動(dòng)電流，兩個(gè)輸出可以并聯(lián) 使用l當(dāng)輸入管腳懸空時(shí)，輸出保持為低電平l采用DFN3×3和SOP8封裝ENA INAGND INB18273645ENA INA GND INBDFN3×3ENB OUTA VDDOUTBENB OUTA VDD OUTB訂購(gòu)代碼封裝PN7762SEC-R1SOP8PN7763SEC-R1SOP8PN7764SE-A1SOP

3、8PN7762DF-A1DFN3×3PN7763DF-A1DFN3×3PN7764DF-A1DFN3×3典型電路4.5V30VVDDPN7762/3/4Gate DriverVDDLoad1Rg1OUTA ENA INA ENB INB Control LogicGate DriverVDDOUTBGNDRg2Load2管腳定義管腳名管腳標(biāo)號(hào)管腳功能描述ENA1A通道使能信號(hào)，ENA=“L”，A通道輸出低；ENA=“H”， A通道輸出見(jiàn)真值表INA2A通道輸入信號(hào)，控制OUTAGND3地INB4B通道輸入信號(hào)，控制OUTBOUTB5B通道驅(qū)動(dòng)輸出VDD6電源OUT

4、A7A通道驅(qū)動(dòng)輸出ENB8B通道使能信號(hào)，ENB=“L”，B通道輸出低；ENB=“H”， B通道輸出見(jiàn)真值表真值表輸入輸出PN7762PN7763PN7764ENAENBINAINBOUTAOUTBOUTAOUTBOUTAOUTBH/FH/FLLLLHHHLH/FH/FLHLHHLHHH/FH/FHLHLLHLLH/FH/FHHHHLLLHLL××LLLLLL×(2)×F(1)FLLLLLL備注:（1）浮置狀態(tài)；（2）任何狀態(tài)功能框圖Gate DriverSignal InputControl LogicProtection UVLOGate Drive

5、r6 VDDVDDENA 17 OUT INA 2VDDVDDENB 8INB 45 OUTGND 3PN7762AB圖 1 PN7762 功能框圖Signal InputControl LogicGate DriverProtection UVLOGateDriverVDD6 VDDENA 1VDD7 OUT INA 2VDDVDDENB 8VDD5 OUTINB 4GND 3PN7763AB圖 2 PN7763 功能框圖Signal InputControl LogicGate DriverProtection UVLOGate DriverVDD6 VDDENA 1VDD7 OUT IN

6、A 2VDDVDDENB 85 OUTINB 4GND 3PN7764AB圖 3 PN7764 功能框圖極限工作范圍VDD腳耐壓.-0.332V封裝熱阻 (1)JC(1)（DFN3×3）.45oC /WoENA, ENB, INA, INB腳耐壓-0.332V封裝熱阻JC（SOP8）.40C /WOUTA, OUTB腳耐壓.-0.332V 存儲(chǔ)溫度范圍.-55150 oC 管腳焊接溫度（10秒）.260 oC人體模式ESD 能力(2)（HBM）. ±2kV人體模式ESD 能力(3)（CDM）. ±1kV備注：(1) 芯片到塑封料頂層表面的熱阻；(2) 產(chǎn)品委托第三方嚴(yán)格按照芯片級(jí) ESD 標(biāo)準(zhǔn)(ESDA/JEDEC JS-001-2017)中的測(cè)試方式和流程進(jìn)行測(cè)試； (3) 產(chǎn)品委托第三方嚴(yán)格按照芯片級(jí) ESD 標(biāo)準(zhǔn)(ESDA/JEDEC JS-002-2018)中的測(cè)試方式和流程進(jìn)行測(cè)試。適用工作范圍VDD電壓.4.530V OUTA, OUTB腳耐壓.030VENA, ENB, INA, INB電壓.030V工作環(huán)境溫度.-40125 oC重要聲明無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司保留更改規(guī)格的權(quán)利，恕不另行通知。無(wú)錫芯朋微電