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文檔簡介
1、目目 錄錄一、一、AB tAE0)(tA0 BtB 位函數(shù)的不確定性滿足下列變換關系的兩組位函數(shù) 和 能描述同一個電磁場問題。)、(A)、(AAAt A 原因:未規(guī)定 的散度 位函數(shù)的規(guī)范條件:洛倫茲條件0 tA二、二、DBtBEtDJH0 00 DBBEDHtt無源區(qū) 0tAtAEAB有源區(qū) 00222222tHHtEE 222222tJtAA波動方程波動方程達朗貝爾方程達朗貝爾方程二、二、 在以閉曲面S為邊界的有界區(qū)域內(nèi)V,如果給定t0時刻的電場強度和磁場強度的初始值,并且在 t 0 時,給定邊界面S上的電場強度的切向分量或磁場強度的切向分量,那么,在 t 0 時,區(qū)域V 內(nèi)的電磁場由麥克
2、斯韋方程惟一地確定。 惟一性定理的表述惟一性定理的表述VS 在分析有界區(qū)域的時變電磁場問題時,常常需要在給定的初始條件和邊界條件下,求解麥克斯韋方程。那么,在什么定解條件下,有界區(qū)域中的麥克斯韋方程的解才是惟一的呢?這就是麥克斯韋方程的解的惟一問題。 惟一性問題惟一性問題三、三、電磁場的能量密度:電磁場的能量密度:導電媒質的功率損耗密度(轉化):導電媒質的功率損耗密度(轉化):電磁波的能流密度(轉移):電磁波的能流密度(轉移):BHDEwwwme2121JEp HES 1 1、基本概念、基本概念nnAtWeS 能流密度能流密度意義:意義:單位時間內(nèi)穿過與能量流動方向垂直的單位面積的能量單位:單
3、位:瓦/平方米流過某曲面的功率:流過某曲面的功率:流過某曲面的能量:流過某曲面的能量: AdSP dtAdSW三、三、 ttBEDJH 2 2、坡印廷定理:、坡印廷定理:表征電磁能量守恒關系的定理 tHHtEEEBEDJH HHH EEE BHttHDEttE2121BD均勻媒質各向同性線性 BHDEtEE2121JH VVAdVBHDEdtdEAdE2121dVJH VeVAdVwdtdpAdSdV物理意義:物理意義:單位時間內(nèi),通過曲面單位時間內(nèi),通過曲面S 進入體積進入體積V的電磁能量等于體積的電磁能量等于體積V 中所中所增加的電磁場能量與損耗的能量之和。增加的電磁場能量與損耗的能量之和
4、。三、三、【例1】 同軸線的內(nèi)導體半徑為a 、外導體的內(nèi)半徑為b,其間填充均勻的理想介質。設內(nèi)外導體間的電壓為U ,導體中流過的電流為I 。(1)在導體為理想導體的情況下,計算同軸線中傳輸?shù)墓β剩唬?)當導體的電導率為有限值時,計算通過內(nèi)導體表面進入每單位長度內(nèi)導體的功率。同軸線同軸線【解】(1)在內(nèi)外導體為理想導體的情況下,電場和磁場只存在于內(nèi)外導體之間的理想介質中,內(nèi)外導體表面的電場無切向分量,只有電場的徑向分量。利用高斯定理和安培環(huán)路定理,容易求得內(nèi)外導體之間的電場和磁場分別為ln()UEeb a()ab2IHe三、三、同軸線中的電場、磁場和坡印廷矢量同軸線中的電場、磁場和坡印廷矢量(理
5、想導體情況)(理想導體情況)2 ()ln()22ln()zUIUISEHeeeb ab a內(nèi)外導體之間任意橫截面上的坡印廷矢量電磁能量在內(nèi)外導體之間的介質中沿軸方向流動,即由電源向負載,如圖所示。穿過任意橫截面的功率為2dA2d2ln()bzAaUIPS eUIb a 三、三、同軸線中的電場、磁場和坡印廷矢量同軸線中的電場、磁場和坡印廷矢量(非理想導體情況)(非理想導體情況)(2)當導體的電導率為有限值時,導體內(nèi)部存在沿電流方向的電場根據(jù)邊界條件,在內(nèi)導體表面上電場的切向分量連續(xù),即因此,在內(nèi)導體表面外側的電場為.out zzEEi n.磁場則仍為內(nèi)導體表面外側的坡印廷矢量為in2zJIEea
6、2ln()zaUIEeeab aaout2aIHeaout2232()22ln()zaaIUISEHeeaab a outoutout三、三、同軸線中的電場、磁場和坡印廷矢量同軸線中的電場、磁場和坡印廷矢量(非理想導體情況)(非理想導體情況)(2)內(nèi)導體表面外側的坡印廷矢量為223222ln()zaIUISeeaab a out由此可見,內(nèi)導體表面外側的坡印廷矢量既有軸向分量,也有徑向分量,如圖所示。 進入每單位長度內(nèi)導體的功率為22122320()d2d2SaIIPSAa zRIaa 外e21Ra式中 是單位長度內(nèi)導體的電阻。由此可見,進入內(nèi)導體中功率等于這段導體的焦耳損耗功率。結論:電磁能
7、量是由電磁場傳輸?shù)?,導體僅起著定向引導電磁能流的作用。當導體的電導率為有限值時,進入導體中的功率全部被導體所吸收,成為導體中的焦耳熱損耗功率。四、時諧電磁場四、時諧電磁場 ( , )cos( )mA r tArtr ( )( , )Re( )e( )ej tjrmA r tA rA rAr( )( , )Re( )e( )( )ijtjriimiE r tE rE re Er e( )( , )( , )( , )ReiiiijtriimE r te E r tE r tE e 222tjt ( , )mA r tArf t時諧電磁場的概念時諧電磁場的概念: :如果場源以一定的角頻率隨時間呈時
8、諧(正弦或余弦)變化,則所產(chǎn)生電磁場也以同樣的角頻率隨時間呈時諧變化。四、時諧電磁場四、時諧電磁場【例1】 將下列場矢量的瞬時值形式寫為復數(shù)形式( , )cos()sin()xxmxyymyE z te Etkze Etkz00( , , )()sin()sin()cos()cos()xzaxxH x z te H kkzte Hkztaa( )cos()mxxmzEze jEk z【例2】 已知電場強度復矢量 其中kz和Exm為實常數(shù)。寫 出電場強度的瞬時矢量答案: 【例1】 【例2】 ( )()eyxjjjkzxxmyymE ze E ee jE e200( , )()sin()ecos(
9、)ejkzjjkzxzaxxH x ze H ke Haa( , )cos()sin()xxmzE z te Ek zt 四、時諧電磁場四、時諧電磁場0HJjDEjBBD 0tt DHJBEBD 002222HkHEkE 2222kJAkA時諧場亥姆霍茲方程達朗貝爾方程復矢量的麥克斯韋方程四、時諧電磁場四、時諧電磁場例3: 已知正弦電磁場的電場瞬時值為求:(1)電場的復矢量;(2)磁場的復矢量和瞬時值。81( , )0.03sin(10)xEz tetkz88(/2)10( , )0.03cos(10)Re0.03ee2j kzjtxxE z tetkze 解:(1)因為/2( )0.03ej
10、jkzxE zee故電場的復矢量為(2)由復數(shù)形式的麥克斯韋方程,得到磁場的復矢量jkzjyjkzjyxykekezEjezEjzHee106 . 7ee03. 0)(1)(252000 58( , )Re( )e7.6 10sin(10)j tyH z tH ze ktkz磁場強度瞬時值四、時諧電磁場四、時諧電磁場電磁場能量的損耗方式歐姆損耗:導電媒質自由電荷分子動能極化損耗:電介質束縛電荷分子勢能磁化損耗:磁介質分子電流分子勢能 /cj cj cjtan/tan/tan/HJjD JEDEHjjE cHjE 導電媒質的等效介電常數(shù)引入的意義:使導電媒質Maxwell時諧方程 形同理想介質的
11、Maxwell時諧方程四、時諧電磁場四、時諧電磁場對于同時存在電極化損耗和歐姆損耗的電介質,復介電常數(shù)為 (+)cj 導電媒質損耗角正切的物理意義:傳導電流和位移電流振幅比tan/cdJJ導電媒質導電性能的相對性傳導電流:位移電流:cJEdJjE1 弱導電媒質和良絕緣體1 一般導電媒質1 良導體四、時諧電磁場四、時諧電磁場時諧場能流的求解H ESHeHtj2EESRe21Re21 HE ,HE ,HESavRe21TavdtSTS01( , )Re ( )ejtS r tS rEjHEkE 022四、時諧電磁場四、時諧電磁場平均能流密度矢量011dRe()2TavtEHTSS平均電場能量密度0
12、11dRe()4TeavewwtE DT平均磁場能量密度011dRe()4TmavmwwtH BT平均功率損耗密度011dRe()2TJavJpptE JT 二次式只有實數(shù)的形式,沒有復數(shù)形式 具有普遍意義,不僅適用于正弦電磁場,也適用于其它 時變電磁場;而 只適用于時諧電磁場。 ( , ) tS r( )avSr四、時諧電磁場四、時諧電磁場【例4】已知無源的自由空間中,電磁場的電場強度復矢量為 ,其中k 和 E0 為常數(shù)。求:(1)磁場強度復矢量H ;(2)瞬時坡印廷矢量S ;(3)平均坡印廷矢量Sav 。0( )jkzyE ze E e 【解】:(1)由得0EjH 0000011( )( )()()jkzjkzzyxkEH zE zee E eeejjz (2)電場和磁場的瞬時值為00( , )Re( )ecos()j txkEz tztkz HHe0( , )Re( )ecos()jtyz tzEtkzEEe2200000cos() cos()cos ()yxzkEkESEHe Etkzetkzetkz 四、時諧電磁場四、時諧電磁場【例4】已知無源的自由空間中,電磁場的電場強度復矢量為 ,
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