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文檔簡介
1、目錄前端電路設(shè)計與仿真 1第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計流程11、畫雙反相器的 visio原理圖12、編寫.sp文件2第二節(jié)后端電路設(shè)計 4一、開啟linux系統(tǒng)42、然后桌面右鍵重新打開Terminal5雙反相器的后端設(shè)計流程6一、schematic電路圖繪制6二、版圖設(shè)計20畫版圖一些技巧:29三、后端驗證和提取 30第三節(jié)后端仿真36其它知識39前端電路設(shè)計與仿真第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計流程1、畫雙反相器的visio原理圖inVDd-o| M0T需1VDdM2TM31out圖1.1其中雙反相器的輸入為in輸出為out, fa為內(nèi)部節(jié)點。電源電壓Vdd=1.8V,MOS 管用的是TSMC的1.8
2、V典型MOS管(在Hspice里面的名稱為pch和nch,在 Cadence里面的名稱為pmos2v和nmos2v)。2、編寫.sp文件新建dualinv.txt文件然后將后綴名改為dualinv.sp文件 具體實例.sp文件內(nèi)容如下:dhiHlliaY - iiLi +Tfe-U ddlD勢黃皿 受青ID gu第hlLiiU時支內(nèi)苴粒程-I! Lb ' F :I J PhV-hy|nuptatarl llll .l' I I.-subcki du*Lny Ln out qndHQ f 4 ifi wH udd pm .Qn .了?4 4.匚.占61-1:1口47.n,nFrl
3、.!lTS ,質(zhì).5176HI fri :ln 1 qnd nrh 1-IMBi 打Qu AD-UVHhp 13 電工- I 13 FD-I .HIf M PK-I.HIf M nnl-l. hrttmrt2 QUK. Fa udd pch l1HM 卜川“AS-3.45M-1£1 PD-2.M-M PS-2.41-M nrd-4.3K ws-t.37第 out ft K qnd nch 1-19 hi,睚» 醺*S-1.SB*e-13PS«1.Bta-M nrtlT 工甌唧 hhT.KIHM,rnds m.以下至加質(zhì)后信號ry “* Ln uut nin 4 p
4、«il-5e(I 1.B Bhs hi寫審n訃udd « 14gnrl Dv uu( T. “以下平加惻戌悟句” .option p*s-t .trun flnj. frhn?尸。ErMi 3UgpUir Xq p1N1J Fr”餐i.m-asui'r bra# Qrlsr* THrn叫i*UfiL-l.fil-lhsriw1* TRHnu(-tlUHL-l,*rj»>1* 24二tr M qf All* THIG則dMUAL-fl.tII-his小III* TftRQvCMt)UftL-i.tIKhisfallM.9nrl.lib 'F:P
5、rogram Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和選擇的具體工藝角*這里選擇TT工藝角*劃紅線部分的數(shù)據(jù)請參考excel文件尺寸對應(yīng)6參數(shù),MOS管的W不同對應(yīng)的6個尺寸是不同的,但是這六個尺寸不隨著L的變化而變化。劃紫色線條處的端口名稱和順序一定要一致MOS場效應(yīng)晶體管描述語句:(與后端提取pex輸出的網(wǎng)表格式相同)MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val
6、> <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP開始一程序這里打開 Hspice程序HSPICE 2-2007. MMicrosGft Office目 SPICE Explorer 2007.1 加Avanwaves Z-2007.03HSfICE NT Z-2007 03HSPICE Z-SIXIT 03HSPICEEP Z-20UF.09由j Hspui Z-200f7.032.2、 彈出以下畫面然后進行仿真1、打開.sp文件3、查看波形2、按下仿真按鈕查看波形按鈕按下后彈出以下對話框如果要查看內(nèi)部節(jié)點的波形,雙擊 Top處如果
7、有多 個子電路 請單擊此 處的Top 查看如果要查看測量語句的輸出結(jié)果請查看.MTO文件(用記事本打開)® Iranaug p(xl)將"nsQriseTD=tm*s rise=i附1_出9 TDBns rise=lfall-1fall-1日巾2甘5111包tran+ TRIG* TAiRG V(QiUt)measure tran* TRIG u(in)* TARG v(out)QFallUAL-0.9 TD-RnsUAL-0.9 TD-ftns至此前端仿真教程結(jié)束第二節(jié)后端電路設(shè)計前序(打開Cadence軟件)、開啟linux系統(tǒng)雙擊桌面虛擬機的圖標Efd Ifuill
8、linl h Kr i if w Li niia - TH«n v Vv ck-v 4 &l 11A1ElI* Edit 山 r 咫 H+.:回iR *白,投球值:圓畫|畫:他髀 £e iLibu',F(xiàn)nrarvd 口口 PlVE<jIII港HW的 范孕 Red Hat Eiiterime1 Urvh1 中Red Hat Enterprise I inux 4Dewces. Mtmqty flPTMHSiXS HsrdbskCK網(wǎng)Flfl孫 現(xiàn)*twrb.% 0U5BEir* 電 SujndCa 0rm*Not«選擇 Power on thi
9、svirtualmachineSt-deiPgMt±d 碗WdWtEiMm Linux(Lccsbcri::網(wǎng) Wbdal MadresJBd Hit EntE*pn« Lnux HIReYereM:Workstation t.S-TiXMsrtirtiLcmmarwix, 聞* Bi tNf 0勵I(lǐng) iEC* WtUJi dhKlint UttgE國 Er舟 曲IE fbtikes 即成 b KE?)開啟linux之后ALnr.fuviMi WtXiK11例httQmtiT史eN tru片 £dl«tor C*HK LjfKhtfCnul«
10、Jix.aRini.B口nm Up h Num力L>w日吟 iwdtfiirm口聞WE虹加持MM 1»Im fci 在桌面右鍵選擇Open TerminalFOOEiTlDCaihDSl:-Elie Edn LerminaJ T 邊s HdpDre口感 10mhM* "# xhost locali|輸入xhost local :命令按回車Ccimpulpr直uoailr£l!ha4:i'matr<»<5 HrwrwDfe 卻 »ew ICftnirl TdJi Jjdpri»t®l<Kalhc
11、rat l# sbost locdl:片心0rM Locjil cohJttEiiHrL-s b&ihg add«d 工。包匕七電總r toHTrol liarr-tKi tOlticii Ihas t -置 su sueDcuc4lDCulhDst rc»t £Tra5hjrp5hafn之后輸入su xue命令按回車,這樣就進入了 xue用戶1、輸入命令加載Terminal 窗口calibre 軟件的license ,按回車,等到出現(xiàn)以下畫面再關(guān)閉kudiP locMhorciyrnfviEleMjew Ijtirrwial T曲 Help50 (ngc
12、ld) znlunucqudlznluaiwlczlu畫1 5工機制:知(ugcld.)zjfurcznwrlMMzncdcslHIS:5l2: 5D (ngcld) zncheckznchcckaxiszmiheckcrs16:5D(ngcld)Enchckiceznche-ckidntznchc-ckpliliIS r 53 SO 口Reid) ziKhecksvzorklrtlino-iibrm*sflr善:55:5。(niEcLd)zncmlzdedltorzndecrv|jtzndft:1 機SN:知(Bgcld)Mdlsax電廿crznrpgAznfxaiii15: 52: 5DC
13、ngrld)minleriuiluiiplicsenznloipaHer16:52: ED(ngcld)zjianag.pznimunbaznrxicdc建: 5口匚Id z»uiiC7&ixlliwiddrsdraa wriiTnr箏ra.16r512:50(Hgcld)zjwnhtb1zinwiiblinkzrwilpc工肌電:前(ngcld)znuipeiziwipcixziwnpcix2016:52: 5D(ngcld)ZMilpoyphylZzwlpusphyl?EniulfHJxph甲 1,16:52: 5D(ngcld)zjiBr1qdr2ra.11xjuuir
14、ap idiozofinsdran16: £2: SD(Bgrld)ZMFisi-giMraBiEruunspiJzniirTuisbll1酰5蕓;5。(nEcld) zmnutlallzmunutoDlal?znnnutopiald: S21 SOC,ngcld>ziwnutofiiaiMznHoniiorBlnznsimrt:1恥 52:5口 (Hgeld)香皿THzjlutllmvhdl16:£2:5D (ngcLi)16:S3: SO (ngcld) Lican&ffs xf-d- ca&a- sc-nsitiva for Bgcld1S;S2
15、?5O (iegM)16:52 j 50 加察 Id EXTERNAL FILTERSOFF16::521 5D CliifiKl) irCld using TCF-JrdrT. 12771*2、然后桌面右鍵重新打開 Terminal進入學用戶,開啟 Cadence軟件,如下圖xuea kxalhosrcrotHte Edit 50ew lerminal Tabs H 對 presc 11dcaIhost «# su xuexuelocalhost rootlS icfbfi1 4637xue©localhost rootS然后出現(xiàn)cadence軟件的界面關(guān)閉這個help窗
16、口,剩下下面這個窗口,這樣 cadence軟件就開啟了如果在操作過程中關(guān)閉了 cadence,只需要執(zhí)行步驟2即可,步驟1加載calibre 的license只在linux重啟或者剛開啟的時候運行一次就可以了。雙反相器的后端設(shè)計流程、schematic電路圖繪制1、注息在Cadence中畫schematic電路圖時,每一個節(jié)點都需要命名,不然在參數(shù)提取之后沒有命名的那些節(jié)點會被系統(tǒng)自動命名,導致用HSPICE查看內(nèi)部節(jié)點波形時難以迅速找到自己需要的節(jié)點。2、打開Cadence軟件新建庫和單元 Cell View用命令icfb&打開Cadence軟件后彈出以下CIW窗口選才F Flie-
17、New-Libirary之后彈出以下窗口這里我們新建一個名為ttest的庫。(注意:在新建library的時候要attach to anexisting techfile點擊OK以后彈出以下窗口在 technology library 這里選擇我們的 TSMC 庫 tsmc18f然后點擊OK在CIW窗口的tools菜單中選擇第二個library manager之后彈出以下窗口我們可以看到左邊Library里面有我們之間建立的ttest庫,用鼠標左鍵選擇ttest, 發(fā)現(xiàn)它的Cell和View都是空的。然后在該窗口的File-New-Cell View新建一個單元Cell ViewHie Efl
18、it v(ewHew鄉(xiāng)則bLaail Defaul6Save DeTaultsrDeskgn ManagerLilirary Cell恤wcateyor/.,.Q酋i Shell Window 下Exil5彈出以下窗口在窗口的Cell name中輸入我們需要取的名字,這里取的是dualinv。點擊OK后自動彈出畫schematic的窗口3、畫schematic電路圖點擊上面的這個作圖版面,在鍵盤上按快捷鍵i會出現(xiàn)添加器件的窗口點擊Browse后彈出以下窗口這里選中TSMC的庫tsmc18rf,在Cell中選中pmos2v, view中選中symbol 然后鼠標移到外面的畫圖板上,就會出現(xiàn)一個
19、PMOS管,左鍵點擊就可以放上 去了,按ESC回到正常的光標狀態(tài)。同理,選中TSMC庫中的nmos2v,就可以添加NMOS管。(按快捷鍵M ,然后 再點擊一下(選中)器件即可以移動器件)接下來修改MOS管的尺寸,我們看到上述MOS管的默認尺寸都是L=180n W=2u 我們這里將PMOS管修改為 W=720n NMOS管修改為 W=220n(注意:TSMC 0.18um庫nmos2V和pmos2V最小的 W 只能設(shè)置到220nm,而不能設(shè)置到180nm) 鼠標左鍵選中一個器件(如M0),然后按快捷鍵Q (property),出現(xiàn)以下調(diào)整MOS管屬性窗口Edit Objccl PropErlie
20、,s門面肥川 丹甲ly DnilftulbSi F¥rv1mm Ham、即(制 用中懵 PTwiltsNewetv cinunil instmciennlv Einrnnl mstjvicnsitMn iisnr CDFHbsejC Elnre LaJielx UcsplayCDF e&rSiWWriuscriptiml(M)luldjwkimCMjMJUnhcrafTaffBrowse刖用L砒K魅IW峭阿嶺也明bftiWY HanneOTTCeII NmmP*jo52vvalueMnw IHbiniftMThi刖/K通Ml幅MS口用 RlAMMfyOOF Pw如硼Wspla
21、yMadel iiianiepchMT曲弊 cHMiuniMT|£叫3 (H)gt用 MitlMM)Nim*eror Findersi血Ktiffnil'72Dn NEu HffffoTfMuliiijlivr4MT:Mhri,syKtcni usnr O>F在w(M)的文本框中修改前面的2u修改成我們需要的720n然后點擊OK即可 同理修改NMOS管的W=220n。之后開始連線按快捷鍵 W (wire)即可然后添加PIN腳(即與外部信號相連的端口,從圖1.1可以看出這個雙反相器電路涉及到的PIN腳有in out vdd gnd)注意:由于目前的工藝是P阱襯底,所以全部
22、NMOS管的襯底即B端要接gnd, 而PMOS管的襯底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知識補充:MOS管的襯底B端接S才能不引起襯偏,襯偏了會造成閾值電壓增大按快捷鍵P就可以添加PIN腳在pin name中輸入名稱 Direction中選中pin腳的方向(其中in的direction是input out 的 direction 是 output gnd 和 vdd 的 direction 是 inputoutput)然后按回車,光標上就會出現(xiàn)一個 pin的光影,點擊鼠標左鍵即可擺放擺放pin腳之后,將PIN腳與電路相連,同樣用快捷鍵L,出現(xiàn)命名窗口fa,然后按回車W來連線由
23、于圖1.1中還有一個內(nèi)部節(jié)點fa,這里我們就需要給內(nèi)部節(jié)點命名。按快捷鍵然后鼠標上出現(xiàn)fa光影,將fa移到內(nèi)部需要命名的線上點擊左鍵即可。然后保存電路通用,也可以用快捷鍵L來連接兩個單元:這樣就不用連線,卻能保證兩個單元連接到一起。TuU困 D&sit在畫圖板左邊工具欄里面選中第一個check and save4、將電路圖創(chuàng)建成為一個symbol ,用于仿真電路and:Sek 0口鼓iqn Window Edit Add Qieck Sheet 0Qieck and Save Save (not needed) Save As., Hierarchy Create Cllview Ne
24、w.Open.Open Symbol.Bj案:布噂西續(xù)談 Make Read Only ProbeHolHenumber Instances.From Hr* List-From Inslaiice.選擇 DesignCreate Cellview- From Cellview 彈出以下窗口點擊OK彈出以下窗口這里主要是Top Pins和Botton Pins這里需要修改,修改成如下圖點擊OK彈出以下電路Vifia郁-SyHfaol EMriq: 口士“ duilln£5FfnU口IOral:U點擊save按鈕保存這樣我們就會看到在library manager里面就多出了一個該電路
25、的symbol5、用spectre仿真器仿真電路(這里仿真一下電路主要是驗證一下自己電路有沒有畫錯,如果電路邏輯功能正 確,那么基本上可以保證自己剛才畫的電路是正確的)新建一個名為 dualtest 的 Cell View 單元(在 Library Manager下)OK按快捷鍵i添加我們之前給雙反相器電路創(chuàng)建的 symbol然后出現(xiàn)下圖接下來就要給各個端口加激勵信號和電源了按I添加器件,在analoglib中首先選擇直流電壓 Vdc,另外還要選擇vpwl作為 線性分段信號源。按Q修改vdc的屬性在DC voltage這里將電壓值設(shè)置為1.8v(注意,只要填入1.8即可,不要帶入單位)同樣修改
26、vpwl的屬性(這里我們設(shè)置一個3段線性信號,即6個點),如下圖此外我們還要添加一個gnd器件作為基準地信號(在analoglib中選擇)添加完器件之后如下圖(注意:電路的gnd與標準地gnd之間要添加一個0V的直流電壓)接下來連線以及給輸出端添加一個PIN,如下圖然后按check and sav琳存CDF PBrameterValueDtsptayiMunilnr uf pairs uf puirnbc0rrAC nuiiludifrMTM p|kdS« rQrf|lDC voltageFDflTiinif 1l0 orrWlaip 1oog附rTlnnff Z:50n 5.vfH
27、。. Q ¥mTiinu- 35».(Hn warrVotlaije 31 3 4Time J135 £而曄 4igEonTime- 5130 Oln fmfVottfljie 3o o i,FITTlntB- B20Qn 40ft加1曄£0 0 V0件Fn!ifiii!fii:y nnirn? for 1 iiwwidr-offHaise name廠Hu面her uT iKds«iTreq pairs呻XF |11.府皿屈廠atrrn:irniili iriiaff選擇 tools 中的 Analog environmentOnd:Sei:
28、0Tools Design Window Edit Add CheiAMS Opts.Analog EnvironmentDesign Synthesis DivaFIuq 邙 lan/Scbematic 導 Hierarcliy Editor Mixoii Signal Opts.PCDParasitic等SchematicsSimufatinn彈出以下窗口選擇右邊工具框中的第二個三,彈出以下窗口Slap TlMe 如值,1Chwsiing 1Aml改制,-Virtuosos Analog 口電曲rh Envircsnn-OKCancelD日用ul芯HelpAnntysis如眥力川掘!xfd
29、crwalxhZ sthv pz即“ envfp/3pa£pslljpnol3兇P印qpiuirv qp*iTrafisient Aiatysis這里設(shè)置仿真的停止時間(該時間根據(jù)自己具體需要填寫),然后點OK接下來設(shè)置需要看波形的那些端口 outputs To Be PlottedSelect On SchematicAnalog Design Environment (1)I T=27 C Sim:es Outputs Simulation Results ToolsSetup ., alyses 殺?港鈿ryP1 To Se Saved 三力如淵(融JtrauJUnTo 8e
30、HuttedSave Ail 匚Select On Schematic徽掇彼淞(茅遙外密UI_然后在要看波形的線條上單擊鼠標左鍵點一下即可點完之后該線條會變顏色以及閃爍,之前的 Analog environment窗口的outputs 中也會出現(xiàn)相應(yīng)的名稱Vjiriuosdni Amlog DQ&Ign 匚巾viirohmiEriii )Statius; SelBcling outputs to be plold.B臼回叵T-27 C sinwiabjr: spectre 9DesignAnalysesilJbraryttest3yppAigui4EihsEnaJiLeCeldualt
31、tst:1tran0200nach«»atic:施鉆i口口 3副印 Ahd加蜷 Variable% Oilpuls Siu叫電的n Rvsulls ToolsDesign Wrfc*icsg帆嶼# Nanjt/igfiLZExpr丫單Lu*FLo< 5尊F國弟rthye3. allv no< yes allg 力。12 outnntUN|R叩lace> SeleQl 口曲Outputs Id Ele F1otl£d然后點擊右邊工具欄中得倒數(shù)第三個Netlist and Run電路正確的話就會有波形liMl duaHcsl schenwhc : A
32、u口 ft 2M111FiIf FM FrUW Gr* *xl$ IilfF Mtakti J Mm TMM H*ffi E®>? L? JI :.與可玨。圍 7l*hl點擊該圖標是分離重疊的波形其他快捷鍵E看symol里面的電路Ctrl+E退出看內(nèi)部電路F讓原理圖居中P PIN管腳快捷鍵W連線L命名連線C復制Q器件屬性M移動U撤銷其他相關(guān)設(shè)置:設(shè)置回退次數(shù) CIW 窗口 -options-user preferenceUndo Limit5多個器件屬性一起修改,用shift選中以后然后選all selected以先是only current)Tools 口函即 WMuw Ed
33、it Cta AMS Opts, Aialog Envwunnwfit Dbsji SynUiesisOlvalAymftXLnoorpiaikfScliemaUcs wierwdfcy Eator Mixed Signal Opts. PCD frasitics SulKfin 品icq 箏 Imul汕口 rt 內(nèi)之后彈出以下對話框、版圖設(shè)計打開 dualinv 的 schematic 電路圖,然后 Tools-Design Synthesis-Layout XLand:£國二11startup optEonCreate a Hew1, cr !O|jen, an existing
34、 ceJMew? Create Now Open Existing.點擊OK后彈出Create New TileOK Cancel Defaults HelpLibrary NameG?l NameView NameToolttestdualAnvWUitJSULibrary path fH電 /homfi/xue/cds. lid點擊OK就會自動彈出畫layout的版面此時鍵盤上按E鍵,出現(xiàn)設(shè)置窗口Oipld.v Opliufi這里修改分辨率,將X Snap Spacing和Y Snap Spacing修改為0.005,方便之后的畫圖。點擊OK在畫layout版面的菜單中選擇 Design-
35、Gen From sourceX: -iz.lV: a.sI odIs DesHfik Win而w CfBale Edit然后彈出以下窗口點擊OK即可,版面上就生成與原schematic電路圖相對于尺寸的MOS管,如下圖注:可以不gen from source而直接在畫版圖的版面按快捷鍵I添加layout器件, 再修改尺寸,這樣也可以通過 LVS(經(jīng)過測試即使版圖中MOS的編號和schemati4的不同,但是最終輸出子電路中 MOS管編號跟schematic1相同的)選擇那四個綠色的方Ig和紫色的線,按delete刪除,刪除后就剩下四個MOS管。按shift+F將MOS管轉(zhuǎn)換為可視的layou
36、t結(jié)構(gòu),并用M快捷鍵來移動MOS管, 此時整個版面上就剩下四個 MOS管了,( Ctrl+F可以還原為Schematic結(jié)構(gòu)) 如下圖工具欄左邊的放大鏡可以放大和縮小,或者使用快捷鍵Z(放大),shift+z縮?。ò戳?Z鍵要選某一個區(qū)域才能放大,不是直接放大與縮?。┙酉聛黹_始畫圖:1、 畫PMOS管和NMOS管相連的柵極(用LSW窗口中得POLY1來畫)選中POLY1 drw然后點版圖,然后按R(畫方框),Q屬性可以看到是dg(在空白處)按S鍵,鼠標移到矩形框的邊,就能修改矩形框。修改之后讓矩形框與PMOS管NMOS管的柵極對齊。(一定要對齊,不然DRC 報錯)放大可以看到他們是否對齊,這樣
37、的是對齊的。這樣就是沒對齊。2、畫金屬走線由于該電路簡單,只需要一層金屬即可,所以只需要 在LSW中選中METAL1 drw ,然后點版圖,然后按 寬為0.5) , Q屬性可以看到是dgLSW 中的 metallP(走線),然后按F3(設(shè)置線CONT.METAL1drwHi由Canctfl 加 faull%VIA12佩imD.5Giwuge To Layerm 陽i VMthCreate Palih畫完后如下圖(注意金屬要整個覆蓋住 MOS管的D端,接觸面積大才能保證電 流)3、畫POLY1和metall之間的連接不同材料之間相連要打孔。比如Metall和polyl相連,就選M1_POLY1
38、, Metall 和Metal2相連就選M2_M1 , NMOS的襯底接觸和體相連用 M1_SUB, PMOS 管的襯底接觸和體相連而 M1_NWELLLSW中選中poly1-drw,按P,按F3,設(shè)置為0.5寬度,畫一段poly然后在這段poly上打孔,按字母。鍵,彈出以下窗口在Contact Type這里選擇 M1_POLY1,Rows這里輸入2,然后回車 (鼠標右鍵可以旋轉(zhuǎn)器件)將這個通孔放于之前的polyl上然后metall與這個通孔相連即實現(xiàn)了金屬1層與polyl之間的連接接下來輸入信號in這里也要這樣畫,畫好之后的整體圖如下4、畫襯底接觸這里要分別畫PMOS管的襯底接觸和NMOS管
39、的襯底接觸。按快捷鍵字母O, 在Contact Type這里選擇 M1_SUB,這個是NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O,在Contact Type這里選擇M1_NWELL ,這個是PMOS管的襯 底接觸。5、給PMOS管打阱因為現(xiàn)在是P阱工藝,整個畫圖的版面就是一個 P型襯底,而NMOS管是做在 P型襯底上面的,所以畫NMOS管的時不需要畫阱,而畫PMOS管時要畫nwell(即 它的襯底),nwell要包圍住PMOS管和它的襯底接觸。hvw訴TI在LSW中選中NWELL-drw,按R,畫矩形框,如下圖6、畫管腳PIN在LSW 中選中metall pin.1一一 二, | 卜I 購 META
40、L1|pin11 H METALSpin 接著點擊空白處,然后按快捷鍵 L彈出以下窗口在Label這里輸入名稱(注意這個名稱要與schematic圖中節(jié)點的名稱要相同),Height這里設(shè)置字體的高度,F(xiàn)ont這里設(shè)置 字體的樣式,然后按回車,將 PIN腳擺放到正確位置7、補全其它連線因為上圖并不完整,還有很多連線沒有連。在熟悉版圖畫法之后這一步是放在 前面做的,因為我們熟悉畫法后就知道哪里是VDD、gnd、輸入和輸出畫完這個7步驟以后點左邊工具欄的SAVE保存,然后就可以進行后面的DRC、 LVS 和 PEX 了。補充知識-多層金屬連線:(以下講解兩層金屬 metall和metal2的布線)
41、由于金屬走線經(jīng)常會交叉,所以單層金屬是不夠的,這就涉及到多層金屬的布線metal2 drw是金屬層2metall和metal2之間用通孔 M2_M1畫版圖一些技巧:1、所有的MOS管最好同方向(豎方向),不要有有橫有豎。最好是PMOS管放 一起(比如一起放上面),NMOS管放一起(一起放下面),不一定是按照schematic 電路圖上的MOS管順序來擺放。2、走線不要穿過MOS管,要繞過去。3、單排襯底接觸最長不要超過100um,比較敏感的管子要多加些接觸(兩排或多 排),襯底接觸少了電阻會大。一般情況我們采用單排襯底(即rows或columns=1) 4、橫線用金屬2,豎線用金屬1,金屬越寬
42、電阻越小。我們一般取0.5u寬度。寄生電容與發(fā)生寄生電容的兩導體面積成正比,因此線寬就0.5u夠了(能承受1mA),不需要再大。(TED)5、版圖的PMOS管和NMOS管 源極和漏極是不區(qū)分的,上下的 poly1都是柵 極。6、襯底接觸一般在下面畫一排接觸即可,對于數(shù)?;旌想娐纺硞€MOS管是特 別敏感的那用襯底全包圍。7、走線盡可能短,盡量畫的緊湊,減少延時 。8、盡量不用POLY來走線,如果兩個柵極之間具體太長,中間用金屬走線。poly 的長度最多是3-5um。9、同一層Metal之間的距離要大于最小值 0.23um, 一般是設(shè)置成大于0.5um。比如兩條metall走線之間的距離要大于0.
43、5um。10、PMOST的襯底全部接VDD NMOST的襯底全部接地各種器件之間的距離:1、PMOS管和NMOS管之間的距離一般控制在1um以上,太近DRC報錯2、兩個不同電壓nwell之間的距離要大于1.4u,因此一開始要預留5um3、Nwell和NMOS管之間的距離推薦是大于1u4、Nwell和襯底接觸以及PMOS管的距離0.5u左右5、襯底接觸和mos管距離一般設(shè)置為0.5u電容和電阻器件不選擇analoglib里面的cap和res(這兩個是理想電容電阻),電 容一般選擇tsmc里面的mimcap,電阻則要看電阻率等具體要求。(TED&黃)快捷鍵K尺寸距離(shift + k撤銷
44、尺寸)S修整M移動選上后右鍵可旋轉(zhuǎn)Z放大(ctrl+z放大兩倍,shift +z縮小兩倍)Shift選擇多個器件Shift+F顯示NMOS和PMOS器件的版圖O 打孔(pmos管襯底屬性選擇 M1_NWELL nmos管選擇M1_SUB 金屬和poly 打孔屬性選擇M1_POLY1)三、后端驗證和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生參數(shù)。最后用Hspice仿 真器仿真提取參數(shù)后的網(wǎng)表。這里主要用到的是calibre工具1、 DRC(上面工具欄中 calibre一選才i Run DRC彈出下面窗口Runset File是RUN DRC時需要填入的一些設(shè)置,方便于下次 RUN,
45、可直接取 消掉DRC主要設(shè)置rules的位置和DCR Run的路徑其余的都默認calibre lh怔raeiw也-nmDRCRules這里選擇TSMC庫文件中calibre文件下的calibre.drc(這里的DRC Run Directory是自己創(chuàng)建的一個文件夾,su xuecd /home/xue mkdir drc)這里 dcr 改為 verify/dcr一 Calibre Interactive - nmDRC v2011.2 54.26然后點擊Run DRC 彈出以下窗口Topc&n inv . a Rewuiu (in B ar 346 ChEcks)B . Cell i
46、nv - B ResultE Check PO.R 3 - 1 Re&uHLl 19 Check M1.FL1 -1 R&E-uit:團 Check. M2.B.1 - 1 Rb&uHi二題 Clwck. M3.R1 -1 RetuRiT 園 CMck M4.R 1 -1 R出制片-F w CMck M5,R1 1 R*gIT 8 Clwck Mg.R-1 - 1 R日如修L=0囪 Ch.eck UTMZ0KR.1 - 1 Resun:(運行完成之后的彈出的窗口)點開看,如果是area coverage那就是覆蓋率的問題,這種錯誤不用理會。比如 上圖中得這8個錯誤是沒關(guān)
47、系的2、Run LVS同樣Runset File點取消 設(shè)置 rules 和 input 的 netlist日伯 Iranscrlplgslupit1 vs 埼r lipRUl«$inputs海WHO幽Ue/|Mk/C9NbE限ilbr號小色. I Vi&w LOOutputsLVS Run DirmcMryRun 曰nfngl *|一二一 :(【新】lvs改為verify/lvs【新】lvs改為verify/lvs Calibre Interactive - nmLVS v2011.2 34,26 Calibre Interactive - nmLVS v2011.2_34
48、26帥utsll Layom 壯 N酬夙Nsllrstvs NeUistNgHIM 日衣ad10rlQuip MsRun ControlLayout | Netiisfi | H-Cells |TranscriptFlies:mv.sn'.riftl1| 2| 喇BW |Rum LVSF oriTtHt:aPICE Export (roin schematic viewerInputs Netlist 這里選擇 Export from schematic viewer點擊run LVS后彈出以下窗口如果是綠色笑臉則表示LVS通過,表示版圖和schematic原理圖是匹配的,說明 我們的
49、版圖沒有畫錯。如果是紅色臉蛋,表示有錯誤,那要點開看具體的錯誤說 明,再排除錯誤。3、Run PEX同樣Runset File點取消Rules設(shè)置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 設(shè)置 Export from schematic view 選上Outputs- extraction type選擇R+C(即提取寄生電阻和電容),format這里選擇 hspice(用于Hspice仿真器仿真)(如果后仿是用spectre仿真器仿真,那么format這里選擇CALIBREVIEW )Ruh £EXEriracton Type:第lar
50、 Lwl| R C| 即 Mductai聞NeIIeeK | Nels | Reports j SVDB jFormat hspice Ufe Nantes From: schematicFile: duAllirvexetlistNEW View neUlst after PEX UNshesOutputs reports這里選上 generate PEX report木口 View report after PEX finishesRun£onlrQl |Ta怦nmMH 切MeflE闡KM?5VD0 GtiWal? PEX ReportPtX fHeparl hie miKK.F
51、vpESlari 用 Vidw Hqxd arhar FWX InislwLVS Rs-riDrt Fla kTvJVK-reporLj View Ftepxl m LV5 胸甲NEW然后run PEX之后在/home/xue/pex文件夾下面生成三個我們需要用到的文件list (里面是電路的網(wǎng)表)list.pex (里面是各個節(jié)點的寄生參數(shù))list.DUALINV.pxi (里面是一些調(diào)用子電路的命令)注:在XP系統(tǒng)下用寫字板打開可查看這三個文件的內(nèi)容MOS場效應(yīng)晶體管描述語句:(pex輸出的網(wǎng)表格式)MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val &
52、gt; <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val > <NRD= val > <NRS= val >第三節(jié)后端仿真1、用Hspice仿真器進行后仿真將上述三個文件復制到XP系統(tǒng)下面,然后新建一個dualinv.sp文件(即新建文本 文檔,后綴改成.sp),這樣同一目錄下就有四個文件,如下spi coec-de 1 est一0一r 1dualinv p*K natlist I 、 dualinv pax .* FEX文件Lff PXI文件32 KBJ1 KB將list文件事的電路復制到
53、dualinv.sp文件事(即藍色框內(nèi)這部分)t dkjdnvpEH.nednl n | filfl: dualinv,r n»tliet* Creacd? Wed Aug 17 09:14:LB 2011*。峭ram "Calibre kRC"* Version "vEOOfl,120.15".i rifl udp " dual inu. pex 一 nutl i s; t. pe*Fubf t dualinv Iw gm口 vro OUT卜 OUT OOTfVDD VDDGNU GNDr IN INIMP 用Q_d N_IW_«HD_a N_M而pch“九如h AEJ-31456e-13 A5»5B456
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