EMC理論與實(shí)踐復(fù)習(xí)課

1、l 電磁騷擾電磁騷擾 Electromagnetic DisturbanceEMI“任何可能引起裝置、設(shè)備或系統(tǒng)性能降低或?qū)τ猩驘o(wú)任何可能引起裝置、設(shè)備或系統(tǒng)性能降低或?qū)τ猩驘o(wú)生命物質(zhì)產(chǎn)生損害作用的電磁現(xiàn)象。生命物質(zhì)產(chǎn)生損害作用的電磁現(xiàn)象?！眑 電磁干擾電磁干擾 Electromagnetic InterferenceEMI“電磁騷擾引起的設(shè)備、傳輸通道或系統(tǒng)或性能的下降。電磁騷擾引起的設(shè)備、傳輸通道或系統(tǒng)或性能的下降?！迸c電磁干擾與電磁干擾l 雖然電磁騷擾與電磁干擾有一定的區(qū)別，但是工雖然電磁騷擾與電磁干擾有一定的區(qū)別，但是工程上往往不以明確劃分，并統(tǒng)一縮寫(xiě)為程上往往不以明確劃分，并

2、統(tǒng)一縮寫(xiě)為EMI。l 近場(chǎng)區(qū)近場(chǎng)區(qū) nearfield regions“無(wú)功近場(chǎng)區(qū)：緊靠著天線(xiàn)的、無(wú)功場(chǎng)起主要作用的天線(xiàn)區(qū)。無(wú)功近場(chǎng)區(qū)：緊靠著天線(xiàn)的、無(wú)功場(chǎng)起主要作用的天線(xiàn)區(qū)。對(duì)大多數(shù)天線(xiàn)常取離天線(xiàn)表面距離處。對(duì)大多數(shù)天線(xiàn)常取離天線(xiàn)表面距離處?！薄拜椛浣鼒?chǎng)區(qū)：在無(wú)功近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)之間的天線(xiàn)場(chǎng)區(qū)，該場(chǎng)輻射近場(chǎng)區(qū)：在無(wú)功近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)之間的天線(xiàn)場(chǎng)區(qū)，該場(chǎng)區(qū)隨角度的分布與離天線(xiàn)的距離有關(guān)。如果天線(xiàn)的最大口區(qū)隨角度的分布與離天線(xiàn)的距離有關(guān)。如果天線(xiàn)的最大口徑尺寸不大于波長(zhǎng)，則該場(chǎng)區(qū)可能不存在。徑尺寸不大于波長(zhǎng)，則該場(chǎng)區(qū)可能不存在。”l 遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū) farfield regions“場(chǎng)隨角度的分布基本上與

3、天線(xiàn)的距離無(wú)關(guān)的天線(xiàn)場(chǎng)區(qū)。場(chǎng)隨角度的分布基本上與天線(xiàn)的距離無(wú)關(guān)的天線(xiàn)場(chǎng)區(qū)?！弊⒁猓喝绻炀€(xiàn)最大口徑尺寸注意：如果天線(xiàn)最大口徑尺寸D大于基頻波長(zhǎng)大于基頻波長(zhǎng)，遠(yuǎn)場(chǎng)離天線(xiàn)，遠(yuǎn)場(chǎng)離天線(xiàn)的距離一般取大于處。的距離一般取大于處。f/101L101LvLfLk/smv/10318000rrvv0010 . 1, 1 . 2rr088069. 0/1007. 211 . 2/103vsmsmvvrr101L101L1, 4rrmfvfvrrrr744. 11449. 300功率功率 ：12lgPPPB12lg10PPPdBWP1112PP2PWWdBWPWPPlg101lg10mWmWdBmPmWPPlg1

4、01lg10電壓電壓 ：對(duì)于純阻抗負(fù)載對(duì)于純阻抗負(fù)載式中：式中：P功率，功率，W； V降在電阻降在電阻R上的電壓，上的電壓，V； R電阻，電阻，。若以分貝（若以分貝（dB）表示，上式可寫(xiě)為：）表示，上式可寫(xiě)為：右端的第一項(xiàng)即為電壓的分貝值右端的第一項(xiàng)即為電壓的分貝值RVP2121212122212lg10lg20/lg10lg10RRVVRVRVPPPdBWn在電磁兼容領(lǐng)域，常用在電磁兼容領(lǐng)域，常用V為單位，此時(shí)，為單位，此時(shí)， 即即 以以1V為為0dB。VV11dBVVdBVVVVVVlg201lg20lg2012dBVVdB12001lg1012030RVPPdBdBmdBWdBVVPdB

5、dBdBm1073099.16120AIIIIAAdB1lg20lg2012AI實(shí)現(xiàn)電磁兼容的途徑實(shí)現(xiàn)電磁兼容的途徑形成電磁干擾的基本要素：形成電磁干擾的基本要素：1、電磁騷擾源、電磁騷擾源2、耦合途徑、耦合途徑3、敏感設(shè)備、敏感設(shè)備（d） （e） 電場(chǎng)屏蔽原理電場(chǎng)屏蔽原理 磁屏蔽原理磁屏蔽原理 rrZC23772120rrZC23772120（a）高阻抗源（電場(chǎng)源）和波）高阻抗源（電場(chǎng)源）和波（b）低阻抗源（磁場(chǎng)源）和波）低阻抗源（磁場(chǎng)源）和波 不同場(chǎng)源的近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)特性不同場(chǎng)源的近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)特性 屏蔽體對(duì)入射電磁波的衰減屏蔽體對(duì)入射電磁波的衰減 無(wú)限大均勻平面對(duì)平面波的屏蔽無(wú)限大均勻平面對(duì)平面

6、波的屏蔽 RABSE BARSErrtffteArr131. 0)lg(2000吸收損耗與頻率的關(guān)系吸收損耗與頻率的關(guān)系 rrWfRlg101 .168rrerfR23lg107 .321rrmfrR2lg1056.14反射損耗與頻率的關(guān)系反射損耗與頻率的關(guān)系 )23. 0sin23. 0(cos101lg201 . 02AjAZZZZBAWmWmdBA10mfC438105 . 11020103m341039. 22105 . 1225 . 0m1r61. 0rrrmfrR2lg1056.14161. 05 . 01020lg1056.1423dB4 .4984.3456.14rrftA13

7、1. 0dB235. 761. 0110205 . 0131. 03rrmfZ71069. 35371068. 661. 0110201069. 38 . 05 . 0104102022730rfZWm)23. 0sin23. 0(cos101lg201 . 02AjAZZZZBAWmmWmmdBj81. 1)235. 723. 0sin235. 723. 0(cos101068. 608. 01068. 608. 01lg20235. 71 . 0255BARSEdB83.5481. 1235. 74 .49計(jì)算公式類(lèi)別 （dB）吸收損耗反射損耗平面波源電場(chǎng)源磁場(chǎng)源多次反射修正因子計(jì)算公式式

8、類(lèi)別BARSErrtffteArr131. 0)lg(2000rrWfRlg101 .168rrerfR23lg107 .321rrmfrR2lg1056.14)23. 0sin23. 0(cos101lg201 . 02AjAZZZZBAWmWm通風(fēng)口通風(fēng)口顯示窗顯示窗鍵盤(pán)鍵盤(pán)指示燈指示燈電纜插座電纜插座調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)節(jié)旋鈕實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源：不同部分結(jié)合處的縫隙通風(fēng)實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源：不同部分結(jié)合處的縫隙通風(fēng)口、顯示窗、按鍵、指示燈、電纜線(xiàn)、電源線(xiàn)等口、顯示窗、按鍵、指示燈、電纜線(xiàn)、電源線(xiàn)等電源線(xiàn)電源線(xiàn)縫隙縫隙 濾波器的衰減濾波器的衰減頻率特性示意圖頻率特性示意圖騷擾源阻抗騷擾源阻抗濾波器類(lèi)型濾波器類(lèi)型負(fù)載阻抗負(fù)載阻抗低低高高低低高高高高低低低低高高源負(fù)載阻抗與濾波器網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的選擇源負(fù)載阻抗與濾波器網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的選擇Cy電容器安全等級(jí)電容器安全等級(jí) （a）共模干擾）共模干擾 (b) 差模干擾差模干擾共模與差模干擾共模與差模干擾 推薦的濾波器安裝方法推薦的濾波器安裝方法 不宜采用的濾波器安裝方法不宜采用的濾波器安裝方法 濾波器的電源輸入端過(guò)長(zhǎng)濾波器的電源輸入端過(guò)長(zhǎng) 濾波器沒(méi)有良好接地濾波器沒(méi)有良好接地 )1 . 0(l對(duì)屏蔽線(xiàn)的