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文檔簡(jiǎn)介
1、第一章 單晶生長(zhǎng)條件1.1 設(shè)備要求1.1.1 運(yùn)行條件(以下以 TDR-85A-ZJS 爐為例,其余爐型要求參照說(shuō)明書(shū))(1)冷卻水要求水壓:爐子進(jìn)出水壓差要求介于 23 公斤之間,真空泵進(jìn)出水壓差要求 1.5 公斤以上;爐子進(jìn)水壓力不可超過(guò) 3.5 公斤,爐子上冷卻水安全閥設(shè)置壓力 6 公斤; 水流率:爐子和電源要求供水量不低于 250 升每分鐘,單獨(dú)電源要求供水量不低于 20 升每分鐘; 水溫:推薦進(jìn)水溫度 1824oC,最大不超過(guò) 25oC;水質(zhì):弱堿性水,PH 值 69;氯離子含量10ppm,碳酸鈣含量50ppm;以純凈軟水為好。連接方式:進(jìn)出水管與爐子之間采用軟連接,防止震動(dòng)傳遞到
2、爐子。(2)壓縮空氣要求氣壓:7 公斤;推薦在壓縮空氣入口處使用壓力調(diào)節(jié)器。流率:2.5 升每秒;汽缸容積:主真空球閥:2 升;輔助真空球閥:0.5 升。(3)電力要求相制:3 相 AC380V(10%)/50Hz; 功率:192KVA。配電柜應(yīng)裝有 500V、400V 的空氣開(kāi)關(guān),和 380V/400A 的隔離開(kāi)關(guān)。(4)爐子真空要求 空爐真空度:15mTorr; 空爐泄漏率:30mTorr/hr; 帶熱場(chǎng)泄漏率:50mTorr/hr。(熱場(chǎng)已經(jīng)煅燒完全)1.1.2 日常維護(hù)(1)坩堝軸驅(qū)動(dòng)部件的維護(hù)保養(yǎng) a、經(jīng)常檢查坩堝軸的冷卻水是否通暢,避免冷卻不充分而損壞坩堝軸; b、每個(gè)月對(duì)下軸絲杠
3、至少清理一次,每次應(yīng)先清理干凈絲杠和導(dǎo)軌上的油污,加上適當(dāng)(不可太多) 潤(rùn)滑油,然后上下快升降兩次。(2)提拉頭的維護(hù)保養(yǎng) a、每次開(kāi)爐后,檢查鋼絲繩是否損壞(包括變硬、纏松、有嚴(yán)重毛刺等),如有損壞,立即更換; b、鋼絲繩在保管、使用、維修、安裝過(guò)程中不能造成任何死彎角,否則在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)引起抖動(dòng)。(3)水冷系統(tǒng)的維護(hù)保養(yǎng) a、每次加熱前檢查水流量是否充足,確保所有水路沒(méi)有堵塞,水溫傳感器運(yùn)行正常; b、出現(xiàn)水溫或水量報(bào)警要查找原因及時(shí)處理。(4)翻板閥的維護(hù)保養(yǎng) 每次裝爐前檢查閥口密封圈是否完好,翻板閥操作是否輕松、無(wú)卡滯,底部揮發(fā)物是否打掃干凈, 如發(fā)現(xiàn)問(wèn)題應(yīng)及時(shí)排除。(5)真空系統(tǒng)的維
4、護(hù)保養(yǎng) a、經(jīng)常檢查泵油,上下腔油均應(yīng)浸過(guò)小觀察窗一半。如上泵腔油不夠,應(yīng)及時(shí)補(bǔ)新油;下泵腔油不 夠,需關(guān)閉球閥,打開(kāi)左側(cè)閥門(mén),使上泵腔油下到下泵腔,然后關(guān)閉閥門(mén)。注意右側(cè)閥門(mén)保持常開(kāi); b、每次大清,先徹底放盡泵腔內(nèi)的廢油(用手慢慢拉動(dòng)傳動(dòng)皮帶,盤(pán)出下泵腔內(nèi)的廢油),然后打 開(kāi)上泵腔,清除干凈沉淀油污。最后換上新油; c、每次拆爐時(shí),拆開(kāi)真空管道所有盲板和波紋管,徹底清掃管內(nèi)的粉塵。第- 13 -頁(yè)1.2 輔料要求1.2.1 籽晶要求(1)籽晶必須嚴(yán)格按要求每爐拆下進(jìn)行檢查,要求無(wú)傷痕、無(wú)裂紋;(2)籽晶使用爐數(shù)必須記錄清楚,不清楚的,更換,然后重開(kāi)記錄;(3)吊渣使用廢舊籽晶,吊渣后換上可
5、使用的籽晶,吊料和拉晶,必須有細(xì)頸,拉晶細(xì)頸直徑要求 3-5mm;吊料細(xì)頸直徑要求 5-7mm;(4)拉晶過(guò)程,要經(jīng)常(頻率不低于 1 次/10 分鐘)觀察液面、晶體等爐內(nèi)狀況,確保坩堝邊緣沒(méi)有結(jié)晶,防止籽晶被結(jié)晶扭斷;(5)在籽晶吃重時(shí),升降籽晶轉(zhuǎn)數(shù),要分多次、小幅度(2 轉(zhuǎn)/分)進(jìn)行;(6)籽晶吃重時(shí),快速升、降晶升,不得斷斷續(xù)續(xù)地進(jìn)行,以免籽晶或細(xì)頸處被突然的加速重力或失重折斷或損傷;(7)剪斷籽晶時(shí)要在細(xì)頸的最細(xì)處剪斷,要注意用力適當(dāng),且不許用鉗子扭斷籽晶;否則該籽晶必須停用,交工段送拋光處理;(8)每 10 爐更換新籽晶;真空差的爐子的籽晶要提前 2 爐更換。1.2.2 石英坩堝要求
6、有下列特征之一者,為不合格,不能使用:(1)磕碰損傷(位于坩堝上沿的微小碰損除外)(2)裂紋(3)嚴(yán)重劃痕(4)氣泡處于內(nèi)壁,并且已經(jīng)開(kāi)裂(5)直徑3mm 的氣泡,數(shù)量1 個(gè)(6)直徑3mm 的氣泡,數(shù)量5 個(gè)(7)線度尺寸3mm 的黑點(diǎn),數(shù)量1 個(gè)(8)線度尺寸3mm 的黑點(diǎn),數(shù)量5 個(gè)(9)線度尺寸99.99%;(3)灰份含量灰份含量300ppm。對(duì)于國(guó)產(chǎn)高純石墨,如經(jīng)試用合格,可以放寬到灰份含量500ppm。1.2.4 氬氣要求(1)氣壓:爐子氬氣入口壓力要求介于 3.55 公斤之間;(2)氣體流率: 275slpm;(3)純度:99.999%;推薦在氬氣入口處使用壓力調(diào)節(jié)器。1.3 安
7、全要求1.3.1 單晶車(chē)間的安全事項(xiàng)(1)裝、拆爐時(shí),操作人員要提高安全意識(shí),嚴(yán)禁酒后作業(yè);(2)已安裝磁場(chǎng)的單晶爐,要注意不要帶磁卡(銀行卡、二代身份證等)靠近。一定不能拿鐵器等導(dǎo)磁性工具,否則強(qiáng)大的磁場(chǎng)會(huì)造成人身傷害和設(shè)備損壞;(3)嚴(yán)禁在車(chē)間內(nèi)打鬧,上班時(shí)要杜絕擅離職守、睡覺(jué)等現(xiàn)象。1.3.2 泵房的安全事項(xiàng)(1)確保泵房照明,如照明燈損壞,要及時(shí)更換;(2)確保泵房地面干燥情清潔,定期清掃泵房;(3)機(jī)械泵皮帶必須安裝防護(hù)罩;(4)清潔機(jī)械泵和換油時(shí),必須在泵的電源開(kāi)關(guān)上懸掛警示牌,工作完畢后取走警示牌;(5)洗泵時(shí)嚴(yán)禁將雜物掉入機(jī)械泵腔內(nèi),如將油灑到地面上要及時(shí)打掃干凈。1.3.3
8、拆裝爐(1)上班必須穿戴好勞保用品。拆裝爐時(shí),還需戴口罩、手套等防護(hù)用品;(2)拆爐取晶體時(shí),注意不要被燙傷,劃傷、碰傷;(3)晶體取出后按指定地點(diǎn)擺放,并將晶體上多余的籽晶部分剪掉。1.3.4 乙醇、丙酮的使用(1)工業(yè)乙醇有害,使用時(shí),要注意防止乙醇濺入眼內(nèi),禁止飲用工業(yè)乙醇;(2)嚴(yán)禁用丙酮擦拭密封圈?。?)四氯化碳可用于清洗油污,但具有強(qiáng)揮發(fā)性和腐蝕性,使用時(shí)要戴好口罩,保持環(huán)境通風(fēng)。注意:乙醇和丙酮都是易燃物,應(yīng)安全使用和妥善保管。第二章 單晶生長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)流程2.1 拆爐2.1.1 取晶體(1)停爐 4.5 小時(shí)后進(jìn)行熱檢漏并作記錄,泄漏率應(yīng)20mTorr/hr,泄漏不合格應(yīng)報(bào)修;操作步
9、驟:自動(dòng)停爐工藝下系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)熱檢漏;需手動(dòng)熱檢漏時(shí),先關(guān)閉氬氣,抽極限真空后在操作界面上按【工藝選擇】按鈕,出現(xiàn)“工藝選擇(返回)”界面,在此界面下按【檢漏】即可。(2)停爐 5 小時(shí)后,才能充氣拆爐。將晶轉(zhuǎn)設(shè)定為 0.5rpm,待晶轉(zhuǎn)下降到 0.5rpm 后再停止晶轉(zhuǎn),禁止直 接將晶轉(zhuǎn)設(shè)為零!穿戴好勞保防護(hù)用品,認(rèn)真閱讀交接班記錄,準(zhǔn)備好拆爐工具。若爐子處于負(fù)壓 狀態(tài),打開(kāi) V4 閥充氬氣至爐膛正壓。充氣完成后,必須查看晶體完全提升到副室后方可提升副室; 注意:在“氬氣真空”界面上正確設(shè)置“快充閥自動(dòng)關(guān)閉壓力”為大氣壓,爐內(nèi)壓力到正壓后 V4 閥將自動(dòng)關(guān)閉。(3)如果晶體不能完全進(jìn)入副室內(nèi),
10、無(wú)法用托晶盤(pán)防護(hù),則需在隔離閥室墊厚木板加以防護(hù),防止晶棒 掉下砸壞石墨件,并連爐蓋一起旋轉(zhuǎn)出來(lái);如果晶體可以進(jìn)入副室內(nèi),則升起副室后用托晶盤(pán)防護(hù);(4)按住控制柜上“拉伸腔提升”按鈕,直到副室高出爐膛頂部碰到中途下限位開(kāi)關(guān)時(shí),可向左撥動(dòng)“拉伸腔旋轉(zhuǎn)”開(kāi)關(guān),自動(dòng)旋開(kāi)副爐室。禁止手動(dòng)推副室旋開(kāi)!注意:取單晶時(shí)注意不要碰壞 CCD 器件?。?)在晶體下方擺好取晶框后,撤掉防護(hù)木板或托晶盤(pán),然后下降晶體,嚴(yán)禁使晶體接觸到取晶框。晶 體離取晶框底部還有 3-5mm 距離時(shí),暫停下降,觀察觸摸屏上顯示的晶體重量,小心的下降晶體, 待晶體重量剛低于 5kg 時(shí),停止下降晶體。剪斷細(xì)晶前,一人扶住取晶框,另
11、一人用手抓住重錘或 連桿(禁止抓籽晶),用斜口鉗剪斷細(xì)晶,不能扭斷!剪完細(xì)晶后逐步釋放重錘,控制好重錘旋轉(zhuǎn)和 晃動(dòng),防止鋼絲繩跳槽或籽晶磕碰損傷;(5)檢查鋼絲繩是否完好可用。若有變硬、毛刺或其他損壞情況,應(yīng)立即更換;(6)在單晶生產(chǎn)隨工單上填寫(xiě)相應(yīng)數(shù)據(jù)后,將晶體交付給收晶體人員。將鍋底料、提渣蓋等標(biāo)示好并妥 善保存,交給原料管理員。2.1.2 拆熱場(chǎng)(1)按住控制柜上“拉伸腔提升”按鈕升起爐蓋,直到拉伸腔上限位開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)松提升按鈕,向左旋開(kāi)爐蓋至壓緊爐蓋外旋限位開(kāi)關(guān)。外旋限位開(kāi)關(guān)沒(méi)有壓緊將無(wú)法提升爐筒;(2)戴上高溫隔熱手套,將導(dǎo)流筒、保溫蓋取出冷卻。將廢石英、鍋底料取出,然后將三瓣堝、石墨
12、堝 托取出冷卻。最后按住控制柜上“爐筒提升”按鈕,將爐筒升起至超出導(dǎo)向桿上端時(shí)松開(kāi)提升按鈕, 向右旋開(kāi)爐筒。按“爐筒下降”按鈕將主爐室降至離地面約 200mm。注意:(1)在升爐筒時(shí)要保護(hù)好紅外測(cè)溫儀和爐筒冷卻水管,防止碰壞拉傷;(2)以上操作過(guò)程中,要注意人身安全和設(shè)備安全!只要存在壓砸的可能,禁止人體進(jìn)入該空間。2.1.3 打掃爐內(nèi)衛(wèi)生(1)拿石墨器件的時(shí)候必須戴上線手套,嚴(yán)禁赤手接觸,使用吸塵管道時(shí),要注意防止管道被燙化在石 墨件上。石墨件較燙時(shí),不能戴薄膜手套;(2)清除取晶時(shí)可能飛濺在隔離閥裝置上的臟物和碎片;(3)所有石墨件必須徹底打掃干凈。干凈的標(biāo)準(zhǔn)是:容易取出的石墨部件:導(dǎo)流筒
13、、上下保溫蓋、上保 溫筒、三瓣堝、石墨堝托,必須打掃到全部露出石墨的本色,特別是不能留有黃色的揮發(fā)物。不容 易取出的石墨件:加熱器、主保溫筒、爐底護(hù)盤(pán)等等,在大清的時(shí)候打掃,仍然要求打掃出石墨的 本色。打掃石墨件時(shí),可用百潔布;(4)所有爐子內(nèi)壁打掃干凈,對(duì)上排氣熱場(chǎng)尤其要加強(qiáng)爐壁清掃。不能留有任何揮發(fā)物。包括副室爐筒、籽晶夾頭及重錘、兩個(gè)抽氣口、CCD 窗口、測(cè)取光孔玻璃、主觀察窗及其防護(hù)玻璃;鍍金玻璃朝向爐內(nèi)一側(cè)禁止擦拭,否則鍍金層馬上被損壞。不小心擦拭過(guò)的,應(yīng)立即更換;(5)在進(jìn)行以上打掃時(shí),必要時(shí)可以使用砂紙打磨。凡是砂紙打磨過(guò)的地方,要將砂紙上掉下的金剛砂 顆粒用吸塵泵吸干凈;(6)
14、打開(kāi)防爆閥,讓抽氣管道中氧化物燃燒,清除殘余氧化物;注意:打開(kāi)防爆閥時(shí)手和眼睛應(yīng)該與防爆閥保持一定距離。(7)清除主抽氣管道內(nèi)的氧化物;(8)最后用紗布沾無(wú)水乙醇擦干凈爐內(nèi)壁。2.1.4 裝熱場(chǎng)按順序裝好爐內(nèi)石墨件,上升或下降坩堝軸,使石墨坩堝頂部與加熱器平齊,在控制柜操作屏上校正坩堝零位。使用萬(wàn)用表歐姆檔檢查加熱器是否接地。裝熱場(chǎng)時(shí),進(jìn)行如下檢查,并調(diào)整正常:(1)加熱器石墨螺釘先擰松再擰緊,防止高溫?zé)Y(jié);(2)托桿與下軸連接是否穩(wěn)固、對(duì)中;(3)確認(rèn)石墨堝托及三瓣堝是否完好可用;(4)托桿與石墨堝托、石墨堝托與三瓣堝托之間的止口連接必須吻合良好,做到旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)自如;(5)檢查主爐室“O ”形
15、圈的位置及清潔度,用紗布沾無(wú)水乙醇清潔“O ”形圈及主爐室下法蘭密封面;(6)按“爐筒提升”按鈕使主室上升到高出加熱器上方,導(dǎo)向套轉(zhuǎn)到對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)向桿位置,按“爐筒下降”按鈕,直到主室平穩(wěn)著落于底座上;(7)開(kāi)堝轉(zhuǎn) 2rpm,檢查保溫罩、石墨坩堝與加熱器同心度,小心轉(zhuǎn)動(dòng)保溫罩位置到開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)取光孔,確認(rèn)保溫罩與加熱器絕緣良好,無(wú)短路現(xiàn)象;(8)除上下保溫蓋及導(dǎo)流筒以外的所有石墨件確認(rèn)安裝完畢,并相互對(duì)中后,才能準(zhǔn)備裝料。2.2 裝爐2.2.1 裝爐前檢查(1)仔細(xì)察看上爐生產(chǎn)記錄,確認(rèn)運(yùn)轉(zhuǎn)正常,設(shè)備完好;(2)檢查設(shè)備傳動(dòng)潤(rùn)滑部件是否正常;(3)檢查導(dǎo)向定位部件是否安裝牢固,爐室提升環(huán)是否緊固;(4)
16、確認(rèn)車(chē)間供電正常;(5)檢查各冷卻水路是否暢通,水溫、水壓、流量是否正常;(6)若發(fā)現(xiàn)上一爐生產(chǎn)過(guò)程不正常,須認(rèn)真分析原因,采取有效措施后方可繼續(xù)開(kāi)爐;(7)準(zhǔn)備好一次性手套、線手套、剪刀、口罩、裝料車(chē)等輔助用品;(8)檢查所備多晶料及母合金與報(bào)告單是否相符;(9)用擦爐紙沾酒精把裝料車(chē)擦干凈。2.2.2 檢查和安裝石英坩堝(1)打開(kāi)石英坩堝包裝,戴好薄膜手套把堝舉起對(duì)準(zhǔn)光源檢查石英坩堝無(wú)問(wèn)題;(2)將石英坩堝放入石墨坩堝內(nèi),過(guò)程中不能有任何磕碰發(fā)生,盡量安裝水平;(3)裝坩堝時(shí)要防止將坩堝外壁的石英渣子帶入堝中;(4)若發(fā)現(xiàn)石英坩堝異常應(yīng)及時(shí)與工段長(zhǎng)或單晶技術(shù)主管聯(lián)系,經(jīng)判斷不能使用后,進(jìn)行
17、更換;(5)裝完坩堝后,另?yè)Q薄膜手套,進(jìn)行裝料。2.2.3 裝料(1)用剪刀把多晶料包裝袋沿塑料線剪開(kāi),注意外層包裝袋不能接觸到料;(2)裝料技巧:a、首先選擇小碎塊(直徑小于 20mm)的料鋪放到堝底,應(yīng)盡量鋪滿坩堝底部; b、選擇較小塊(直徑小于 40mm)的料繼續(xù)裝入堝的中下部,中下部的料可以裝的緊湊些并且貼近 堝壁,但應(yīng)自然堆砌,不能硬擠。與坩堝內(nèi)壁接觸的料塊,應(yīng)盡量選擇具有表面光滑的球型面的料, 避免尖銳端對(duì)著堝壁。c、中度及較大塊料(直徑小于 70mm)碼放在坩堝中部及中上部,并注意使之對(duì)稱放置,料塊太大 時(shí),需要拍開(kāi),選擇兩塊同樣大小的料塊,雙手握實(shí)后互相拍擊,使之碎開(kāi)。拍時(shí)避免
18、崩出的料打 到眼睛或石英堝,坩堝上部要碼放成圓錐形,每塊料必須壘實(shí),保證不能滑落,上部料塊應(yīng)選擇較 大塊和大塊。堝中料塊不宜裝的太高,衡量的標(biāo)準(zhǔn)是:最上面一層的料塊,其重心處于坩堝平口之 下(裝在導(dǎo)流筒平口內(nèi)的幾塊料除外); d、裝上部的料塊時(shí),除最末一層外,仍可輕輕靠在堝壁上,但應(yīng)注意幾點(diǎn):i. 減少料塊與堝邊接觸面積,以防止掛邊;ii. 在料塊相互之間的相對(duì)位置上,要預(yù)估料塊在垮料后,是否會(huì)架橋,然后進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整;iii. 裝最上面一層時(shí) ,料塊不要靠在堝壁上。禁止為過(guò)多裝料而在坩堝上沿“搭圍墻”、硬擠硬塞,寧愿少裝料,也不要冒濺料、掛邊的風(fēng)險(xiǎn);iv. 裝料時(shí),要預(yù)留足夠的坩堝旋轉(zhuǎn)空間,確
19、保坩堝旋轉(zhuǎn)時(shí)料不會(huì)碰到導(dǎo)流筒。(3)裝料過(guò)程中應(yīng)注意: a、必須保證料塊是輕輕的與石英坩堝接觸的,避免任何的磕碰和打擊; b、裝料過(guò)程中嚴(yán)禁多晶原料與包裝袋外表直接或間接接觸; c、拍料時(shí)一定要戴好線手套,必要時(shí)戴上護(hù)目鏡; d、不論是上、中、下哪個(gè)部位,料塊尖銳部分不能直接對(duì)著坩堝壁; e、要注意裝料過(guò)程中防止把料灑進(jìn)護(hù)底盤(pán)。(4)裝完料將坩堝下降到可以安裝導(dǎo)流筒,并確保不超過(guò)下限,防止短路;(5)裝入上保溫罩、上蓋板以及導(dǎo)流筒;(5)裝導(dǎo)流筒時(shí)要戴上薄膜手套,以防止沾污多晶料及導(dǎo)流筒,并且要避免導(dǎo)流筒撞上多晶料塊,裝好后要檢查料塊與導(dǎo)流筒之間的距離,能否允許轉(zhuǎn)動(dòng)坩堝;(6)合上爐蓋。檢查籽
20、晶、重錘等是否安裝妥當(dāng),并用酒精小心擦拭干凈。合上副室,停穩(wěn)籽晶,打開(kāi)翻板閥。2.2.4 封爐(1)目檢爐內(nèi)的熱場(chǎng)石墨件位置安裝無(wú)誤,系統(tǒng)清掃干凈無(wú)異物,鋼絲繩無(wú)損傷,可以封爐;(2)用酒精擦凈主爐室、爐蓋的密封面及翻板閥;(3)手動(dòng)旋轉(zhuǎn)爐蓋至主爐室定位塊,按住“拉伸腔下降”按鈕,將爐蓋平穩(wěn)下降與主室復(fù)位。注意檢查 爐蓋合限位開(kāi)關(guān)是否正確動(dòng)作;(4)向右撥動(dòng)電控柜上拉伸腔旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān),將副爐室旋回至右旋限位開(kāi)關(guān)動(dòng)作,關(guān)閉旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān);(5)按住“拉伸腔下降”按鈕,使副爐室沿隔離閥座上端的定位塊下降至與閥室復(fù)合。2.2.5 安裝籽晶(1)查看隔離閥 “O”形圈有無(wú)損傷,確認(rèn)正常后關(guān)閉隔離閥,以防止雜質(zhì)沾
21、污原料和爐室;(2)打開(kāi)隔離閥座爐門(mén),操作籽晶升降系統(tǒng)將籽晶降至閥室,拉緊鋼絲繩拆下籽晶夾頭,檢查插銷有無(wú)損傷,確保正常后裝回籽晶夾頭;注意:為防止鋼絲繩在纜索管上錯(cuò)位,在無(wú)重錘的情況下不允許操作籽晶升降系統(tǒng)。(3)在籽晶夾頭底部撳入籽晶直到籽晶尾部凹槽,栓上定位銷,并用力往下拉一拉,確保籽晶不會(huì)松動(dòng);(4)使用紗布沾無(wú)水乙醇潔凈籽晶夾頭和籽晶;(5)扶穩(wěn)鋼絲繩至無(wú)晃動(dòng),快速下降籽晶至引晶位置以下,再用潔凈薄膜手套向下拉緊鋼絲繩,快速提升籽晶至副室中部,打開(kāi)隔離閥,關(guān)閉閥室爐門(mén)。2.2.6 修改工藝參數(shù)(1)更改工藝參數(shù)中初始裝料量為本次實(shí)際裝料量;(2)更改坩堝跟蹤控制環(huán)里投料重量為實(shí)際裝料
22、量;操作步驟:爐體控制操作界面中按【坩堝跟蹤】按鈕,出現(xiàn)“坩堝跟蹤控制環(huán)”界面,修改“投料重量” 為當(dāng)前坩堝內(nèi)的實(shí)際料重量。如果在“初始化”界面修改了初始裝料量,然后采用自動(dòng)抽真空步驟, 此處的投料重量會(huì)自動(dòng)修改為工藝參數(shù)中設(shè)置的重量。注意:由于每次裝料量有可能不同,因此裝料完成后必須確認(rèn)該參數(shù)是否正確。如果設(shè)定與實(shí)際不符,將 導(dǎo)致等徑時(shí)堝跟比與實(shí)際要求的堝跟比不同。值得注意的是,在拉晶時(shí)提出一段晶棒時(shí),如果走自 動(dòng)隔離程序,則控制系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)計(jì)算剩料重量,不需要手動(dòng)修改;如用手動(dòng)隔離,則必須手動(dòng)在“坩 堝跟蹤控制環(huán)”界面里修改“投料重量”為當(dāng)前剩料重量。如果手動(dòng)隔離又不修改重量,則拉第二 段時(shí)
23、程序會(huì)按拉第一段處理,設(shè)定拉速?gòu)拈L(zhǎng)度為零時(shí)開(kāi)始走。(3)更改工藝參數(shù)中“熔料步驟”頁(yè)面下的坩堝位置為當(dāng)前位置,或在“壓力化/熔料”頁(yè)面下的“坩堝自動(dòng)定位”設(shè)置為 0;確保熔料過(guò)程中坩堝誤提升引起事故;(4)查看工藝參數(shù)中每一步驟設(shè)置是否正確,尤其是涉及堝位的步驟。2.3 開(kāi)始單晶的生長(zhǎng)完成以上步驟之后,就可以正式啟動(dòng)晶體生長(zhǎng)程序了,對(duì)于控制系統(tǒng)界面操作還不熟悉的操作者,建 議再熟悉一下操作界面。(1)按【爐體控制】按鈕或在自動(dòng)工藝時(shí)按【切換手動(dòng)控制】按鈕,將出現(xiàn)下面的操作界面;信息提示欄中英文切換晶體/坩堝運(yùn)動(dòng)控制自動(dòng)工藝選擇爐 體 控 制主 操作 選 擇工 藝 參 數(shù)切 換 顯 示區(qū)閉環(huán)控制
24、參數(shù)顯示區(qū)(2)點(diǎn)擊畫(huà)面左側(cè)的【爐體控制】、【氬氣/真空】、【曲線數(shù)據(jù)】、【工藝參數(shù)】、【生長(zhǎng)記錄】、【輔助功能】、【切換顯示】、【系統(tǒng)維護(hù)】八個(gè)爐體控制主操作選擇按鈕即可顯示與之對(duì)應(yīng)的八個(gè)主操作界面;(3)點(diǎn)擊畫(huà)面上方的【晶體提升】、【坩堝提升】、【晶體旋轉(zhuǎn)】、【坩堝旋轉(zhuǎn)】四個(gè)按鈕可以進(jìn)入相應(yīng)界面 操作籽晶/坩堝的運(yùn)動(dòng)方向和速度;(4)頂部的【信息提示欄】?jī)?nèi)可顯示當(dāng)前工藝狀態(tài)和報(bào)警提示信息以及操作提示信息。信息提示欄在手 動(dòng)工藝狀態(tài)時(shí)底色為黃色,自動(dòng)工藝狀態(tài)時(shí)底色為綠色,報(bào)警提示時(shí)底色為紅色。報(bào)警時(shí)點(diǎn)擊信息 提示欄聲光報(bào)警器的蜂鳴器將自動(dòng)關(guān)閉;(5)點(diǎn)擊【中英文切換】按鈕可使操作界面在中文和
25、英文界面之間切換;(6)畫(huà)面中間是【工藝參數(shù)切換顯示區(qū)】和【選擇參數(shù)顯示區(qū)】,前者隨工藝狀態(tài)的更改自動(dòng)切換顯示相應(yīng)工藝狀態(tài)的工藝參數(shù),后者顯示在【切換顯示】主界面內(nèi)選擇需要觀察的相關(guān)參數(shù);(7)畫(huà)面下方分別是【等徑控制】、【熱場(chǎng)控制】、【液面溫控】、【生長(zhǎng)控制】、【坩堝跟蹤】、【壓力控制】六個(gè)閉環(huán)控制按鈕以及【升溫控制】按鈕。2.4 抽真空(1)確認(rèn)主真空泵和副真空泵一切正常后,按“主真空泵開(kāi)”按鈕啟動(dòng)機(jī)械泵;(2)對(duì)裝有較多粉料的爐子,將節(jié)流閥手動(dòng)調(diào)節(jié)至零;(3)在主界面選擇【工藝選擇】按鈕,系統(tǒng)顯示自動(dòng)工藝選擇畫(huà)面;(4)在自動(dòng)工藝界面選擇【開(kāi)始自動(dòng)拉晶】按鈕,系統(tǒng)將顯示下面的界面;(5)
26、輸入操作員工號(hào)及單晶編號(hào)后按確定按鈕,系統(tǒng)顯示檢查 1 畫(huà)面;(6)根據(jù)界面提示檢查無(wú)誤按確定按鈕,系統(tǒng)顯示檢查 2 畫(huà)面;(7)根據(jù)界面提示檢查無(wú)誤按確定按鈕,系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至抽真空工序界面并運(yùn)行抽空工序;(8)系統(tǒng)進(jìn)入抽真空工序,程序?qū)⒁来未蜷_(kāi)主真空球閥、智能蝶閥,整個(gè)抽空工序?qū)⒁罁?jù) SOP 工藝參數(shù)自動(dòng)執(zhí)行;(9)過(guò)程中根據(jù)工藝設(shè)定自動(dòng)關(guān)閉或打開(kāi)主真空球閥、氬氣閥連續(xù)沖洗爐子若干分鐘,然后將爐內(nèi)壓力 抽至極限,這樣可有效排除爐內(nèi)空氣、水氣,獲得較潔凈的晶體生長(zhǎng)環(huán)境。2.5 檢漏(1) 當(dāng)信息欄提示抽真空完成蜂鳴器報(bào)警時(shí),在抽真空工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面;注意:可以讓控制系統(tǒng)在
27、完成抽真空后自動(dòng)跳轉(zhuǎn)到檢漏,而不用人為切換。設(shè)置方法如下:按【系統(tǒng)維護(hù)】 按鈕再按【工藝設(shè)置】按鈕進(jìn)入工藝設(shè)置界面,在“自動(dòng)進(jìn)入檢漏工藝”前打;如果沒(méi)有打, 則在抽真空完成之后系統(tǒng)會(huì)報(bào)警提示抽真空完成,這時(shí)就需要手動(dòng)在“自動(dòng)工藝(返回)”界面下手 動(dòng)切入“檢漏”步驟。其他的自動(dòng)步驟都是如此。(2)選擇【檢漏】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至檢漏工序界面并運(yùn)行檢漏工序;(3)程序自動(dòng)關(guān)閉主真空球閥并延時(shí) 30 秒后開(kāi)始檢測(cè)泄漏速率,兩分鐘后將泄漏率顯示在工藝參數(shù)切換顯示區(qū)內(nèi)。注意:若泄漏過(guò)大(大于 50mTorr/hr),可手動(dòng)充幾次氬氣后再檢漏;因存在漏點(diǎn)造成漏率超標(biāo)的,查補(bǔ)漏點(diǎn)后應(yīng)重新執(zhí)行抽真空/檢漏工
28、序。2.6 壓力化(1)檢漏漏率符合工藝要求后,在檢漏工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面;(2)選擇【壓力化】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至壓力化工序界面并運(yùn)行壓力化工序;(3)程序自動(dòng)打開(kāi)上氬氣閥按工藝設(shè)定氬氣流量往爐內(nèi)充入氬氣,當(dāng)爐內(nèi)壓力達(dá)到 20Torr 自動(dòng)打開(kāi)主真 空球閥,自動(dòng)開(kāi)“壓力控制”閉環(huán)并在操作界面加色顯示,通過(guò)對(duì)節(jié)流閥開(kāi)度的自動(dòng)調(diào)節(jié)將爐壓控 制在工藝設(shè)定值,壓力化完成;(1)硅料全熔后,在熔料工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面;(2)選擇【穩(wěn)定化 1】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至穩(wěn)定化工序界面并運(yùn)行穩(wěn)定化工序;(3)加熱器功率自動(dòng)下降至工藝表設(shè)定值并根據(jù)工藝表參數(shù)逐步調(diào)整功率
29、大小,最后穩(wěn)定至接近引晶功 率;(4)坩堝根據(jù)設(shè)定的工藝參數(shù)自動(dòng)增加堝轉(zhuǎn)速度至拉晶時(shí)轉(zhuǎn)速并且自動(dòng)開(kāi)慢升至引晶堝位后停止。注意:過(guò)程中嚴(yán)密注意觀察,時(shí)刻關(guān)注堝位和液面變化情況,發(fā)現(xiàn)異常,即時(shí)切換至手動(dòng)狀態(tài)查明原因解 決問(wèn)題后再繼續(xù)執(zhí)行工序,絕對(duì)避免液面碰觸導(dǎo)流筒等危險(xiǎn)事故發(fā)生。(1)收尾完畢,在收尾工序界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面;(2)選擇【停爐】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至停爐工序界面并運(yùn)行停爐工序;(3)程序?qū)⑼顺觥盁釄?chǎng)溫度”控制閉環(huán)并下降加熱器給定功率至零,控制系統(tǒng)報(bào)警并提示關(guān)閉加熱器。按“加熱器關(guān)”按鈕關(guān)閉加熱電源;(4)根據(jù)工藝要求,程序按設(shè)定參數(shù)自動(dòng)下降堝位 2550 ,關(guān)堝轉(zhuǎn)、
30、晶轉(zhuǎn)并以給定的冷卻時(shí)拉速緩慢提升晶體;(5)停功率冷卻 34 小時(shí)后程序自動(dòng)退出“壓力控制”閉環(huán),關(guān)氬氣閥將爐內(nèi)壓力抽至極限真空進(jìn)行熱 檢漏;(6)檢漏合格,按“主真空泵關(guān)”按鈕停機(jī)械泵,繼續(xù)冷卻 2 小時(shí)后打開(kāi)爐子取出晶體。注意:過(guò)程中不允許切斷冷卻水,否則爐內(nèi)余熱可能損壞爐體部件。第- 18 -頁(yè)第三章單晶生長(zhǎng)輔助流程3.1 中途取晶晶體生長(zhǎng)過(guò)程中如需要取出一段已生長(zhǎng)的單晶,剩余硅液繼續(xù)進(jìn)行生長(zhǎng),則必須進(jìn)行中途取晶操作:3.1.1 單晶冷卻在取出單晶前,晶體應(yīng)逐步冷卻,以防止晶體裂開(kāi)。(1)將等徑控制、熱場(chǎng)控制、坩堝跟蹤控制環(huán)全部退到 OFF,放慢堝轉(zhuǎn)到 2rpm,并將加熱功率適當(dāng)升高;(
31、2)快速下降坩堝 20-30mm,使晶體脫離液面;(3)將晶升速度調(diào)整到180mm/hr,慢速提升晶體使之逐步冷卻,保持 30 分鐘后,將晶升速度加到 360mm/hr,保持 30 分鐘之后,將晶升速度加到 500mm/hr,保持 60 分鐘。最后將晶體提升到副室內(nèi)。3.1.2 隔離(1)確認(rèn)晶體全部進(jìn)入副室,按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面;(2)選擇【隔離】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至隔離工序界面并運(yùn)行隔離工序;(3)按屏幕提示關(guān)閉翻板閥至“隔離閥關(guān)”行程開(kāi)關(guān)動(dòng)作;快充氬氣至副室壓力為 400Torr,切換到手動(dòng),關(guān)閉快充閥,在副室里讓晶體冷卻 30 分鐘,再開(kāi)啟快充閥充開(kāi)副室,最后取出晶體。注
32、意:翻板閥關(guān)閉后“隔離閥關(guān)”行程開(kāi)關(guān)不動(dòng)作,程序?qū)o(wú)法自動(dòng)切換各氬氣閥開(kāi)關(guān),隔離工序也將無(wú) 法正常運(yùn)行。3.1.3 副室凈化(1)取出晶體后,檢查好籽晶、鋼絲繩。將籽晶、爐蓋上的密封圈、插板閥等擦拭干凈,合好副室;將籽晶提升進(jìn)副室;(2)打開(kāi)“副真空泵開(kāi)”按鈕,在隔離工序主界面按【工藝選擇】按鈕進(jìn)入工序選擇界面;(3)選擇【副室凈化】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉(zhuǎn)至副室凈化工序界面并運(yùn)行凈化工序;(4)控制系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行副室清洗,信息欄提示凈化完成可以打開(kāi)隔離閥提示信息并蜂鳴器報(bào)警時(shí),打開(kāi)翻板閥至“隔離閥開(kāi)”行程開(kāi)關(guān)動(dòng)作;(5)關(guān)閉輔助真空泵。注意:自動(dòng)隔離后程序自動(dòng)更改投料量為剩料重量。 正常情況,二節(jié)引
33、晶堝位為一節(jié)隔離時(shí)堝位,即隔離取晶后要求堝位不變。3.2 回熔(1)引晶拉斷、放肩時(shí)斷棱或者等徑時(shí)勒苞,切換至手動(dòng)狀態(tài),關(guān)閉等徑控制、熱場(chǎng)控制、坩堝跟蹤控制環(huán),準(zhǔn)備回熔;(2)升高加熱器功率,降低堝轉(zhuǎn)至 1-2 轉(zhuǎn),緩慢停晶轉(zhuǎn),下降坩堝。坩堝位置以液面進(jìn)入高溫區(qū)為宜;(3)逐漸將晶棒降到液面以下回熔,一次不可降太多,等液體里的固體棒溶完后方可再下降一些。如果降得過(guò)快,會(huì)使固體棒子頂?shù)绞③釄宓撞?,造成事故?.3 煅燒新的熱系統(tǒng)必須經(jīng)過(guò)高溫煅燒后才可投料拉晶。3.3.1 煅燒前準(zhǔn)備工作(1)爐子真空度滿足要求:極限真空15mTorr,泄漏率30mTorr/hr,通過(guò)后方可安裝熱場(chǎng)煅燒;(2)將
34、爐膛內(nèi)壁擦拭干凈,安裝新的熱場(chǎng)時(shí),必須將石墨件表面打掃干凈,熱場(chǎng)裝配要對(duì)中;(3)確認(rèn)鋼絲繩、坩堝軸的限位、行程和位置零位都已經(jīng)校準(zhǔn)好。3.3.2 全套新熱場(chǎng)的煅燒步驟(按 20 寸熱場(chǎng)要求)煅燒時(shí)堝位設(shè)定在零位。(1)第一步,真空煅燒,目的是去除水粉及易揮發(fā)物質(zhì) a、由于新熱場(chǎng)含有大量水分,極限真空的標(biāo)準(zhǔn)降低到 100mTorr。即抽空到 100mTorr 以內(nèi)后,即可 加熱。第一次功率 30kW,一直燒到真空數(shù)值小于 100mTorr 后,加第二次功率到 60kW,當(dāng)煅燒到真 空再次小于 100mTorr 后,加第三次功率到 90kW。保持 90kW,直到真空小于 50mTorr,停止煅燒
35、; b、在上述第二、第三次加功率后,要保證真空數(shù)值不大于 200mTorr,否則爐內(nèi)容易出現(xiàn)電離打火。 如果出現(xiàn)真空數(shù)值大于 200mTorr,則需要將功率降低到上一步驟的數(shù)值,保持煅燒 2 小時(shí)后,再次 嘗試增加功率,如此循環(huán)往復(fù),直到將真空數(shù)值燒到小于 100mTorr;(2)第二步,通氬氣煅燒,目的是徹底清潔石墨氈a、經(jīng)第一次煅燒后,將熱場(chǎng)全部拆出,徹底清掃熱場(chǎng)及爐膛。然后裝爐抽空。達(dá)到要求的極限真空(50mTorr)后,開(kāi)始加熱;b、氬氣 60slpm,爐壓 10Torr,在 2 小時(shí)內(nèi),逐步均勻地將功率加到最高功率 95kW。保持 12 小時(shí) 后停爐; c、拆爐前檢查極限真空及泄漏率
36、,如果達(dá)到工藝標(biāo)準(zhǔn)的要求:極限真空20mTorr,泄漏率40mTorr/hr; 則可轉(zhuǎn)入第三次煅燒。否則應(yīng)上報(bào)班長(zhǎng),查找原因,解決問(wèn)題后方可轉(zhuǎn)入第三次煅燒;(3)第三步,通氬氣煅燒,目的是為拉晶作準(zhǔn)備 a、將熱場(chǎng)全部拆出并清掃干凈。用砂紙打爐膛,要將爐壁內(nèi)的彩色揮發(fā)物徹底打掃干凈。對(duì)副爐室 也要仔細(xì)清掃;b、裝爐抽空,達(dá)到要求的極限真空(20mTorr)后,開(kāi)始通氬氣加熱,氬氣 60slpm,爐壓 10Torr; c、在 1 小時(shí)內(nèi)逐步升高功率到 95kW,保持 8 小時(shí)后按以下方法驗(yàn)收,驗(yàn)收合格時(shí)停爐;不合格時(shí) 繼續(xù)煅燒,但是高溫時(shí)間超過(guò) 20 小時(shí),仍未驗(yàn)收合格的,應(yīng)馬上停爐,待拆爐查找原
37、因; 真空驗(yàn)收的方法:將氬氣關(guān)閉真空抽到極限后(20mTorr),觀察真空變化趨勢(shì) 10 分鐘,真空回返 小于 2mTorr 可認(rèn)定已煅燒好,可以停爐。如達(dá)不到要求則應(yīng)繼續(xù)煅燒;(4)停爐后熱檢漏并記錄數(shù)據(jù),合格的可安排投料拉晶。注意:在第三次煅燒前,可在石墨堝內(nèi)放一片石墨氈,石墨氈上放一塊石英堝片,拆爐時(shí)觀察石英片上是否有析晶現(xiàn)象,有析晶說(shuō)明熱場(chǎng)還沒(méi)煅燒完全。析晶是石英片上出現(xiàn)的白斑,手摸能剝落;3.3.3 新石墨堝、新加熱器的煅燒高溫 8 小時(shí)后停爐。注意:(1)使用新熱場(chǎng)時(shí),一定要校準(zhǔn)平口,這樣才能安全的使用各種自動(dòng)程序;(2)上述的高溫是指其對(duì)應(yīng)的加熱功率略高于熔料的最高功率。3.4
38、大清正常拉晶 12 爐以后,需要對(duì)單晶爐系統(tǒng)進(jìn)行大清理,大清包括:(1)熱場(chǎng)清理:拆出熱場(chǎng),清理爐膛。如炭氈有損壞,應(yīng)及時(shí)更換煅燒。拆下副室上部觀察窗,清理干凈副室頂部;(2)泵腔清理:清理泵腔、更換新泵油;(3)管道清理:拆下真空管道盲板、波紋管,清理干凈抽空管道及球閥、蝶閥、防倒吸閥;(4)熱場(chǎng)熱凈化處理:煅燒 20 小時(shí);3.5 連接部位檢查(1)對(duì)于電極螺栓,容易發(fā)生松動(dòng),導(dǎo)致打火。因此,對(duì)于已經(jīng)松動(dòng)的,必須擰緊;對(duì)于沒(méi)有松動(dòng)的, 要先擰松,再擰緊,以防燒結(jié)。擰緊的尺度是:用手盡量的緊?。?)對(duì)于下軸與托桿的連接螺栓,容易燒結(jié)在一起。因此,每爐都要先擰松,再擰緊,以防燒結(jié)粘死。擰緊的尺度是:適度;(3)每爐都要檢查籽晶是否可以在夾頭內(nèi)松動(dòng),如果太緊就要查看原因;(4)裝加熱器時(shí),
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