溫度變化對(duì)無線數(shù)據(jù)收發(fā)的影響

1、溫度變化對(duì)無線數(shù)據(jù)收發(fā)的影響rfdt1000：現(xiàn)在的流行無線數(shù)據(jù)收發(fā)ic幾乎普遍采納晶振+pll+超外差。采納晶振+pll的一個(gè)重要緣由是想獲得高穩(wěn)定。但是晶振+pll電路能不能滿足要求呢？唯恐很難。首先我們看看晶振+pll電路溫度特性：晶振+pll電路合成的射頻頻率和晶振的頻率是成正比的，晶振+pll電路的頻率穩(wěn)定性打算于晶振。晶振有l(wèi)c、y和ac等三種切型，其中l(wèi)c、y型的溫度系數(shù)是100ppm,ac型約為20ppm-30ppm,下面我們計(jì)算一下溫度漂移會(huì)造成頻率飄移： 晶振 頻段 溫度變幻 頻率變幻 100ppm 315m 40 1.26m 100ppm 433m 40 1.733m 1

2、00ppm 868m 40 3.4720m 100ppm 915m 40 3.66m 20ppm 315m 40 252k 20ppm 433m 40 346.4k 20ppm 868m 40 694.4k 20ppm 915m 40 732k 再來看看頻率變幻對(duì)接收有什么影響：我們看看一組芯片資料-ic1 中頻帶寬 130 khz 頻道間隔 153.6khz 鄰道挑選 32db -ic2 中頻帶寬 175khz 鄰道挑選 不詳 由以上數(shù)據(jù)我們看出,當(dāng)收發(fā)兩端溫度差達(dá)到40度時(shí),將引起多大的增益變幻.那么像諸如此時(shí)能用,彼時(shí)不能用;此地能用,彼地不能用的環(huán)境問題就不難理解了.chunyang：

3、現(xiàn)實(shí)中，基于pll技術(shù)的現(xiàn)代rf芯片已十分少見無補(bǔ)償?shù)娜菀譸ll設(shè)計(jì)，一個(gè)典型的pll包括一個(gè)低漂移的參考振蕩源（徹低片內(nèi)資源，無需外部介入）和vco，芯片上電時(shí)內(nèi)電路是有先后次序的，本振優(yōu)先，待本振穩(wěn)定后有的設(shè)計(jì)是自動(dòng)按照參考源校正有的則需要人工干預(yù)操作，校正方法是通過測(cè)量本振頻率與參考源做比較，然后通過負(fù)反饋調(diào)整vco實(shí)現(xiàn)高精度的頻率合成，一個(gè)調(diào)整后的典型本振誤差指標(biāo)小于等于1khz（極其普通的指標(biāo)），全工作溫度范圍。實(shí)際用法中，為獲得良好的耐溫變參數(shù)還有無數(shù)針對(duì)詳細(xì)芯片型號(hào)的技巧，可以在徹低不增強(qiáng)任何附加成本的前提下，僅僅利用芯片自身的設(shè)計(jì)特性實(shí)現(xiàn)耐受全工作溫度范圍內(nèi)的波動(dòng)。比如：隨機(jī)抽

4、取樣品，一個(gè)置入極限低溫，一個(gè)置于極限高溫，通訊無誤；或者，開頭二者同溫，然后一個(gè)升溫至極限高溫，一個(gè)降溫至極限低溫，囫圇溫變過程以上指標(biāo)可以在任何目前主流pll型無線芯片（可以微步長(zhǎng)調(diào)整頻率的，這解釋了芯片的結(jié)構(gòu)）上實(shí)現(xiàn)，固然詳細(xì)個(gè)案的工藝會(huì)有不同，技巧而已，有心者通過前述提醒應(yīng)能悟出實(shí)施辦法。這還是容易便宜型pll無線芯片所實(shí)行的技術(shù)手段，高端通訊產(chǎn)品會(huì)有更復(fù)雜、有效、迅速的應(yīng)對(duì)技術(shù)，總體而言，正是由于避開了大量用法高精度、低溫飄的本振系統(tǒng)，無線產(chǎn)品才變得越來越小，越來越廉價(jià)，若非如此，手機(jī)等大宗微型無線產(chǎn)品根本就不會(huì)浮現(xiàn)。 想當(dāng)年（1990s初），我設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)第一代無線抄表系統(tǒng)，用全模擬技術(shù)實(shí)現(xiàn)的窄帶數(shù)傳無線信道，晶體本振挺直倍頻，其它都好，就是溫變受不了，這極大的制約了該產(chǎn)品的推廣，但技術(shù)在長(zhǎng)進(jìn)，當(dāng)年的難題現(xiàn)在的小菜。再補(bǔ)充一點(diǎn)，以上只是針對(duì)溫度/頻率