(完整版)微電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢

1、本文由 jschen63 貢獻ppt 文檔可能在WA嘲瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機查看。微電子技術(shù)的發(fā)展主要內(nèi)容微電子技術(shù)概述；微電子發(fā)展歷史及特點；微電子前沿技術(shù)；微電子技術(shù)在軍事中的應用。2010-11-26北京理工大學微電子所22010-11-26北京理工大學微電子所3 工藝流程圖 厚膜、深刻蝕、次數(shù)少多次重復去除 刻 刻蝕 犧牲層，釋放結(jié)構(gòu) 多 工藝 工工藝2010-11-26工5微電子技術(shù)概述微電子技術(shù)是隨著集成電路，尤其是超大規(guī)模集成電路而發(fā)展起來的一門新的技術(shù)。微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的

2、技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學中的各項工藝技術(shù)的總和；微電子學是一門發(fā)展極為迅速的學科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微電子學發(fā)展的方向；衡量微電子技術(shù)進步的標志要在三個方面：一是縮小芯片中器件結(jié)構(gòu)的尺寸，即縮小加工線條的寬度；二是增加芯片中所包含的元器件的數(shù)量，即擴大集成規(guī)模；三是開拓有針對性的設(shè)計應用。2010-11-26 北京理工大學微電子所6微電子技術(shù)的發(fā)展歷史1947 年晶體管的發(fā)明；到 1958 年前后已研究成功以這種組件為基礎(chǔ)的混合組件；1962年生產(chǎn)出晶體管一一晶體管邏輯電路和發(fā)射極耦合邏輯電路；由于MOSt路在高度集成和功耗方面的優(yōu)點，70年代，微電子技術(shù)進入了MO池路時代

3、；隨著集成密度日益提高，集成電路正向集成系統(tǒng)發(fā)展，電路的設(shè)計也日益復雜、費時和昂貴。實際上如果沒有計算機的輔助，較復雜的大規(guī)模集成電路的設(shè)計是不可能的。2010-11-26 北京理工大學微電子所7微電子技術(shù)的發(fā)展特點超高速：從 1958 年 TI 研制出第一個集成電路觸發(fā)器算起，到 2003 年 Intel 推出的奔騰4處理器（包含5500萬個晶體管）和 512Mb DRAM包含超過5億個 晶體管），集成電路 年平均增長率達到45；輻射面廣：集成電路的快速發(fā)展，極大的影響了社會的方方面面，因此微電子產(chǎn)業(yè)被列為支柱產(chǎn)業(yè)。2010-11-26 北京理工大學微電子所82010-11-26北京理工大學

4、微電子所9摩爾定律1965 年， 美國硅谷仙童半導體公司的戈登. 摩爾， 研 究了 1959 到 1965 年半導體工業(yè)發(fā)展的數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)：如果將能夠集成在一塊芯片上的晶體管數(shù)量畫在一個半對數(shù)坐標上，可以得到一條直線；歸納出：集成電路上可容納的晶體管數(shù)量，大約每隔1824個月就會翻一番； 此后半導體工業(yè)的發(fā)展也進一步地證實了這一結(jié)論：1969 年 Intel 4位微處理器4004有 2300 只晶體管，時鐘頻率104KHz。 1998 年 Intel 推出的奔騰II ， 32 位的處理器，有750萬只晶體管，CPU時鐘450MHz集成度提高了 260倍，而時鐘頻率提高了4326倍。2010-11

5、-26 北京理工大學微電子所102010-11-26北京理工大學微電子所11微電子前沿技術(shù)微電子制造工藝，包括元器件的生產(chǎn)、測試和 封裝等；微電子材料的研究；超大規(guī)模集成電路/混合信號/射頻集成電路設(shè) 計技術(shù)；MEMS術(shù)等。2010-11-26北京理工大學微電子所12微電子制造工藝微加工技術(shù)（Microfabrication ）是制造MEMS勺主要手段。微加工技術(shù)包括IC制造技術(shù) （如光刻、薄膜淀積、注入擴散、干法和濕法刻蝕等）、 微 機械加工技術(shù)（ Micromachining ）（如犧牲層技術(shù)、各向異性刻蝕、反應離子深刻蝕（DRIE）、LIGA、雙面光刻、鍵合，以及軟光刻技術(shù)等）和特殊微加

6、工技術(shù)。目前微電子制造的主要方法也是“自上而下”的微型化過程，即采用光刻和刻蝕等微加工方法，將大的材料制造為小的結(jié)構(gòu)和器件，并與電路集成，實現(xiàn)系統(tǒng)微型化。2010-11-26 北京理工大學微電子所13光刻工藝示意圖2010-11-26北京理工大學微電子所14光刻工藝面臨的技術(shù)問題由于工藝尺寸的減小，必須使用波長更短的光源， 實現(xiàn)越來越困難，從早期的水銀燈直到現(xiàn) 在使用的遠紫外線，甚至研發(fā)中的粒子束；導致光刻設(shè)備以及掩模成本急劇上升；光刻時小尺寸圖形所產(chǎn)生的干涉和衍射效應使得光刻圖案失真越來越嚴重，嚴重影響制造出的電路的性能以及一致性；必須加以矯正，甚至在設(shè)計階段就必須考慮這一影響，加大了投入。

7、2010-11-26 北京理工大學微電子所15氧化 /擴散示意圖2010-11-26北京理工大學微電子所17等離子刻蝕示意圖2010-11-26北京理工大學微電子所17離子注入示意圖2010-11-26北京理工大學微電子所18MEMS 的典型工藝過程的典型工藝過程淀積犧牲層PECVD SiO2 2 m光亥U犧牲層(a)刻蝕犧牲層(RIE) 刻蝕犧牲層(b)淀積結(jié)構(gòu)層LPCVD poly-Si 1 科 m(c)MEMS 的典型工藝過程的典型工藝過程光刻結(jié)構(gòu)層(d)刻蝕結(jié)構(gòu)層(RIE) 刻蝕結(jié)構(gòu)層(RIE)(e)去除犧牲層，去除犧牲層，釋放結(jié)構(gòu)層HF(f)半導體材料元素半導體：鍺、硅、硒、硼、碲、

8、銻等；化合物半導體：砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等；有機半導體：萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等； 無定形半導體：氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。2010-11-26北京理工大學微電子所21晶體半導體材料的制備2010-11-26北京理工大學微電子所22元素半導體元素半導體是指由單一元素晶體組成的襯底材料； 如鍺、硅、硒、硼、碲、銻等；硅是當前使用最廣泛、工藝最成熟的半導體材料； 硅材料的禁帶寬度、載流子漂移率等指標適中， 制備成本低；在電路指標要求較高的場合，硅材料有其缺陷。2010-11-26北京理工大學微電子所化合物半導體23由化合物組成的半導體材料；種類繁多、

9、特性各異；如：砷化鎵主要用來制作高頻電路和器件；碳化硅主要用于制作大功率、耐高溫和特種環(huán)境下工作的器件；存在制作成本高昂，工藝穩(wěn)定性和兼容性，設(shè)計環(huán)境缺乏等問題；對其研究和認識程度不如硅材料。2010-11-26 北京理工大學微電子所24有機半導體和無定形半導體有機半導體主要用于發(fā)光器件和生物芯片；無定形半導體主要用于生物芯片；這兩種半導體材料是近年來的研究熱點。 2010-11-26北京理工大學微電子所25集成電路設(shè)計集成電路設(shè)計面臨主要問題可以分為以下三個方面： 超大規(guī)模集成電路設(shè)計；高精度模擬、混合信號集成電路設(shè)計；射頻集成電路設(shè)計。目的是設(shè)計出速度更快、功耗更低、面積更小、功能更多的芯

10、片。2010-11-26 北京理工大學微電子所26超大規(guī)模集成電路設(shè)計超大規(guī)模集成電路設(shè)計主要難點在于如何在最短的時間內(nèi)完成千萬門級電路的設(shè)計任務(wù)，并 進行有效的驗證；主要的技術(shù)問題如下：自動布局、布線算法；行之有效的驗證方法； 日益嚴格的功耗要求；面積和成本的考慮等。2010-11-26 北京理工大學微電子所27混合信號集成電路設(shè)計技術(shù)混合信號即數(shù)字信號和模擬信號的統(tǒng)稱；將處理上述兩種信號的電路集成在同一個芯片中必須解決相互的干擾問題，尤其是數(shù)字信號對于模擬信號的干擾；如果此類芯片能夠完成以前一個電子系統(tǒng)才能完成的任務(wù)，又可以將其稱為SOC（片上系 統(tǒng)）。此時，模數(shù)、軟硬協(xié)同驗證問題就必須加

11、以解決。2010-11-26北京理工大學微電子所28射頻集成電路設(shè)計技術(shù)射頻集成電路是近幾年研究的熱點，過去使用AsGa 等寬禁帶材料實現(xiàn)；近幾年隨著硅工藝的改進，越來越多的設(shè)計者使用硅材料設(shè)計射頻集成電路；因此， 對于射頻集成電路，芯片測試、多芯片封裝、不同制造工藝的融合等都成為比較棘手的問題。2010-11-26北京理工大學微電子所29設(shè)計方法學的變遷隨著微電子技術(shù)的發(fā)展， 集成電路設(shè)計方法學也發(fā)生了變遷；從純手工設(shè)計到自動綜合、布局布線；從“自底向上”的設(shè)計 方式發(fā)展到“自頂向下”的設(shè)計方式，直至“中間相遇” 的設(shè)計方式；從單純的仿真驗證到多種驗證方式相結(jié)合；從單一平臺到數(shù)模、軟 硬協(xié)同

12、等。宏單元2010-11-26北京理工大學微電子所30SOCSOC (System OnChip )是一類復雜芯片，其功能涵蓋一個電子系統(tǒng)全部的功能；上圖是一個軟件無線電的示意圖，包含射頻、ADC以及軟件控制的數(shù)字部分。北京理工大學微電子所2010-11-2631FPGA2010-11-26北京理工大學微電子所32MEMS 技術(shù)MEMS (Microelectromechancial Systems) :微電子機械系統(tǒng)也稱 微系統(tǒng)或微機械, 是利用集成電路制造技術(shù)和微加工技術(shù)把微結(jié)構(gòu)、微傳感器、微執(zhí)行器、控制處理電路，甚至接口、通 訊和電源等制造在一塊或多塊芯片上的微型集成系統(tǒng)。 MEMS的出

13、現(xiàn)使芯片遠遠超越了以處理電信號為目的的集成電路，其功能拓展到機、光、熱、電、化學、生物等領(lǐng)域。 2010-11-26 北京理工大學微電子所33MEMS 的定義MEMS是尺寸在微米到毫米量級的集成系統(tǒng)；典型MEM盅括微機械結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器和控制電路，可以實現(xiàn)測量、信息處理和執(zhí)行功能。光聲模擬傳感字器號轉(zhuǎn)換理處信號數(shù)信字數(shù)數(shù)字模擬信號轉(zhuǎn)換器行執(zhí)機械能 電 能電 機械光 /電2010-11-26電 典型微系統(tǒng)的功能組成34MEMS 的特點MEMS 的一般特點尺寸結(jié)構(gòu)微?。何⒚椎胶撩锥嗄芰坑蛳到y(tǒng)：力、熱、電、光、生、化無所不包基于但不限于集成電路技術(shù)和微加工技術(shù)制造不完全是宏觀對象的按比例縮小宏觀

14、物理學規(guī)律仍舊成立，但是控制因素發(fā)生了變化MEMS 的衍生特點可以大批量生產(chǎn)成本低、功耗小多樣性、復雜性、難度大2010-11-26北京理工大學微電子所35MEMS 的分類信息領(lǐng)域光開關(guān)及其陣列、RF MEM出關(guān)、數(shù)字微鏡器件(DMD、MEMST調(diào)電容、電感等傳感器領(lǐng)域壓力、流量、溫度、濕度、氣體傳感器微加速度計、微機械陀螺生物領(lǐng)域生物芯片、微型流體通道分析系統(tǒng)、毛細管電泳、芯片實驗室（LOC）2010-11-26北京理工大學微電子所36集成電路的老化、測試技術(shù)由于制造工藝的偏差和變化，制造出來的產(chǎn)品會偏離設(shè)計指標，因此必須對批量產(chǎn)品進行測 試； 同時為了減小芯片在正常使用過程中的失效概率，

15、還需對芯片進行老化工藝；由于芯片的功能和復雜程度日益提高，測試和老化的難度也在提高；例如，對于一個 CPU說，進行一次完整的老化、測試流程可能耗時數(shù)月之久，花費數(shù)百萬美元。2010-11-26 北京理工大學微電子所37微電子技術(shù)在軍事領(lǐng)域中的應用微電子技術(shù)的發(fā)展及應用，不僅提升了軍事裝備和作戰(zhàn)平臺的性能，而且導致了新式武器以及新兵種的產(chǎn)生。微電子技術(shù)的出現(xiàn)改變了傳統(tǒng)戰(zhàn)爭的模式，即從面對面的戰(zhàn)斗演變成當今及未來的超視距作戰(zhàn)；戰(zhàn)爭發(fā)展的需求和軍事系統(tǒng)的發(fā)展，促使軍事電子產(chǎn)品向著小型化、輕量化和智能化的方向發(fā)展，并對微 電子技術(shù)提出了高性能、高集成度、高可靠等越來越 高的技術(shù)要求；軍用集成電路將在進

16、一步縮小線寬、增大集成度的基礎(chǔ)上，尋求在改進集成技術(shù)、采用新型材料、研制新概念器件上的突破。2010-11-26 北京理工大學微電子所38微電子技術(shù)對武器系統(tǒng)的影響（一）集成電路的運用，使武器系統(tǒng)從信息能力方面使武器裝備性能發(fā)生了革命性的變化。美國F-15戰(zhàn)斗機的AN/APG-63雷達在信號處理器采用了超大規(guī)模集成電路以后，信號處理速度提 高了幾倍； “戰(zhàn)斧”巡航導彈、 “ 愛國者”防空導彈、 “鋪 路石”激光制導炸彈的制導系統(tǒng)小型化，都是在使用超大規(guī)模集成電路后才得以實現(xiàn)。2010-11-26北京理工大學微電子所39微電子技術(shù)對武器系統(tǒng)的影響（二）微電子技術(shù)的使用，使武器系統(tǒng)的體積、重量和功

17、耗大大減小，可靠性大大提高；美國F 111 飛機采用超高速集成電路后，平 均故障間隔時間從原來的40h 提高到 5000h左 右， 元件數(shù)從224 個下降到60 個， 愛國者導彈在采用超高速集成電路后電子模塊從200個下 降至 13 個。2010-11-26北京理工大學微電子所40微電子技術(shù)在軍事領(lǐng)域的應用制等系統(tǒng)對微電子器件的性能、尺寸和可耗、小體積、耐高溫、抗輻射等高技術(shù)子綜合技術(shù)的迅速發(fā)展。由于軍事通信、雷達、導航、電子戰(zhàn)、火力控靠性 有很高的要求，特別是高速度、低噪聲、低功需求 , 導致材料、器件結(jié)構(gòu)、電路設(shè)計、封裝等微電2010-11-26北京理工大學微電子所42微電子技術(shù)在軍事領(lǐng)域

18、的應用軍事電子系統(tǒng)對微電子技術(shù)的需求主要有：高密度、高速度、低功耗、高頻、大功率、寬工作溫度范圍、抗輻射和高可靠等性能；根據(jù)先進國家的關(guān)鍵軍事技術(shù)清單，需求的重點 微電子產(chǎn)品主要有：硅基集成電路、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器集成電路(A/D 、 D/A 轉(zhuǎn)換器 ) 、 專用集成電路 (ASIC) 、現(xiàn)場可編程集成電路、存儲器集成電路、微處理器集成電路、系統(tǒng)級芯片集成電路、智能集成電路、化合物半導體集成電路、納米電子集成電路、分子電子學集成電路及抗惡劣環(huán)境集成電路。2010-11-26 北京理工大學微電子所42微懸臂梁微懸臂梁的特點無標記檢測特異性 高靈敏度(可達1X10-8g) 高通量(陣列化)一個通用的檢測平

19、臺微懸臂梁的制作硅，濃硼注入1019, KOH蝕自停止微懸臂梁的制作硅，濃硼注入1019, KOH蝕自停止爆炸物檢測利用燃爆溫度不同，檢測爆炸物的屬性。檢測TNT的靈敏度可達70X10-12g光敏二極管陣列光引入的噪聲小，可測變形量1? 需要透明介質(zhì)且對準要求高典型的探測器系統(tǒng)位移傳感器叉指電容上下移動，利用衍射光斑的變化測位移改變量熱機械檢測硬盤的數(shù)據(jù)讀取加電燒坑，加電復原多次加電，聚合物膜將變形流量檢測加速度傳感器加速度傳感器廣泛應用于汽車領(lǐng)域的安全氣囊、懸掛系統(tǒng)、車身穩(wěn)定控制系統(tǒng)；軍事領(lǐng)域的導彈制導、引信、 衛(wèi)星姿控導航；消費電子領(lǐng)域的照攝像機穩(wěn)定裝置、洗衣機振動測量、 玩具； 計算機及

20、無線通信領(lǐng)域的虛擬現(xiàn)實、硬盤保護、筆記本電腦防盜；工業(yè)領(lǐng)域的機器人測控、機床振動測量、電梯控制；醫(yī)學領(lǐng)域的心臟起博器、運動與睡眠狀態(tài)監(jiān)視；環(huán)境能源領(lǐng)域的地震預警、石油勘探。，加速度傳感器(a)(b)IC 部分 NPN NMOS(c)傳感器部分保護層 傳感器多晶硅結(jié)構(gòu)(d)(e)Analog Devices 公司(ADI)制造的單片雙軸微加速度傳感器ADXL202加速度傳感器梳狀叉指電容：靜電驅(qū)動，電容檢測，諧振工作，梳狀叉指電容：靜電驅(qū)動，電容檢測，諧振工作，應用廣泛加速度傳感器梳狀叉指電容犧牲層淀積和光刻2 科m LPCVD PSG, 1000 C致密和 回流 PSG,致密和回流1h濕法刻

21、蝕下凹點 (dimples )RIE 結(jié)構(gòu)層支撐錨點多晶硅結(jié)構(gòu)層淀積、多晶硅結(jié)構(gòu)層淀積、摻雜和退火2 m LPCVDpoly (undoped), 610 C 0.3 科 mPSGon top (for doping purpose) 1050 C對稱擴散 小時 對稱擴散1小時 對稱擴散 小時，N2保護加速度傳感器梳狀叉指電容去除頂部PSG去除頂部光刻和 RIE 刻蝕結(jié)構(gòu)層多晶硅光刻和 RIE 刻蝕結(jié)構(gòu)層多晶硅RIE釋放HF 刻蝕 刻蝕 PSG 刻蝕 水浸潤 干法釋放，干法釋放，避免粘連室溫紅外探測器紅外傳感器是黑暗環(huán)境下成像的主要手段。在軍事領(lǐng)域，非制冷紅外探測技術(shù)已經(jīng)廣泛應用到了紅外監(jiān)視、

22、警戒、探測、偵查、跟蹤和瞄準的各個領(lǐng)域，尤其是在導彈紅外尋的器、 單兵武器紅外槍瞄、便攜式導彈瞄準具、單兵 紅外夜視儀等方面國內(nèi)外已經(jīng)形成了批產(chǎn)。在頭盔夜視儀、監(jiān) 視員視覺增強器和大型軍用光電系統(tǒng)中的應用已經(jīng)全面展開。21 世紀初，非制冷紅外熱成像技術(shù)還被應用到無人偵察機(UAV和微型用空器(MAV照相，或者應用到偵查探測的一次性傳感器上。由于非制冷的獨特技術(shù)優(yōu)勢，并且隨著非制冷紅外熱成像技 術(shù)的不斷進步，目前應用高靈敏度制冷型紅外熱成像技術(shù)的軍用光電將逐漸被非制冷技術(shù)取代。室溫紅外探測器利用紅外成像技術(shù)拍攝到的圖像室溫紅外探測器紅外輻射紅外吸收層熱敏電阻空腔熱絕緣結(jié)構(gòu)基底紅外探測器結(jié)構(gòu)示意圖

23、探測器主要由紅外吸收層、熱敏電阻、熱絕緣結(jié)構(gòu)、支撐基 底四部分組成。工作原理：“吸收紅外輻射-敏感區(qū)域溫度變化-電阻值變化”。室溫紅外探測器RF MEMS 開關(guān) 開關(guān)應用前景：軍用領(lǐng)域：以 RFMEMSf關(guān)技術(shù)為基石tB,可研制RFMEM%相器、智能天線、T/R模塊,是實現(xiàn)上萬單元相控陣天線的關(guān)鍵技術(shù)，對雷達預警、戰(zhàn)術(shù)戰(zhàn)略偵察，衛(wèi)星組網(wǎng)和制導等軍事領(lǐng)域均有重要意義民用領(lǐng)域：由于開關(guān)的低功耗、集成化的獨特優(yōu)點，將在手機等移動通信設(shè)備上得到廣泛應用。RF MEMS 開關(guān) 開關(guān)應用舉例：開關(guān)在無線通訊中的應用：因其插入損耗小、隔離度高、功耗低、體積小等特點，正符合未來通信系統(tǒng)向微型化發(fā)展的需求。RF

24、 MEMS 開關(guān) 開關(guān)應用舉例：開關(guān)在移相器中的應用：在CPV#輸線上周期性加載高Q值的并聯(lián)開關(guān)，在中心信號線和橋之間加電壓后，將改變CPW傳輸線的負載電容，從而改變傳輸線的特性阻抗和傳輸系數(shù) 來實現(xiàn)相移。相控陣天線每個單元都有移相器，在計算機控制下， 改變天線孔徑上的相位分布，來實現(xiàn)波束在空間掃描，即電子掃描相位掃描陣列示意圖RF MEMS 開關(guān) 開關(guān)應用舉例：開關(guān)在天線中的應用：在網(wǎng)格每一臂上都嵌入了一個開關(guān)，通過控制開關(guān)的通斷來實現(xiàn)信號沿不同路徑傳播，實現(xiàn)多頻段、多極化的功能。RF MEMS 開關(guān) 開關(guān)工作原理RF MEMS 開關(guān)開關(guān)開關(guān)的制造RF MEMS 開關(guān)開關(guān)RF MEMS 開關(guān)

25、流水后的照片MEMS 在武器裝備中的應用武器裝備中的應用用于武器制導和個人導航的慣性導航組合單兵攜帶、戰(zhàn)場實時監(jiān)測、毒氣以及細菌檢測和救護等武器安全、保險、 引信和無人值守分布式傳感器炮彈彈道修正、子母彈開倉控制、侵徹點控制推進和燃燒控制系統(tǒng)、飛機分布式空氣動力學控制超小型、超低功率無線通訊信號處理、小型分析儀器高密度、低功耗的大量數(shù)據(jù)存儲器件敵友識別系統(tǒng)、顯示和光纖開關(guān)的集成微光學機械器件2010-11-26北京理工大學微電子所69MEMS 在軍事航空航天應用小結(jié)基于MEM鼓術(shù)白微/納衛(wèi)星目前已發(fā)射的基于 MEMS術(shù)的微/納衛(wèi)星主要有：俄羅斯航天研究院SPUTNIK22 美國 Aeroast

26、ro 的 Bitsy , 亞利桑那大學的AUSat , 斯坦福大學的SQUIRT22 和 PicoSat , 英國 Surrey 大學的 SNAP21 墨西哥 Anahuac 大學的AniSat 2000 年2月，美國DARP府口 Aero2 space 公司成功地發(fā)射了世界上第一顆皮型衛(wèi)星，重量僅245 g,主要是試驗 MEMS RF技術(shù)。MEMS衛(wèi)星的組網(wǎng)與“虛擬衛(wèi)星” 是衛(wèi)星技術(shù)發(fā)展的重要方向，是目前世界 MEMSH星的研究熱點。北京理工大學微電子所2010-11-2670MEMS 在軍事航空航天應用小結(jié)微型飛行器微型飛行器( Micro Aerial Vehicle , MAV) 因尺

27、寸小( 5km) 和飛行時間長( 15 min) , 能夠自主飛行, 并能以可接受的成本執(zhí)行某一特定任務(wù), 被認為是 未來戰(zhàn)場上的重要偵察和攻擊武器; 具有價格低廉、便于攜帶、操作簡單、安全性好等優(yōu)點。2010-11-26北京理工大學微電子所71MEMS 在軍事航空航天應用小結(jié)微型飛行器目前 , 微型飛行器的研究主要集中在美、日、 德等發(fā)達國家美國 MLB 公司研制出翼展為45 cm 的微型飛行器Bat , 該機飛行時間 20 min , 飛行速度約為64 km/ h , 飛行高度457m ； 美國 Aero Vir2 onment 公司研制出名為“黑寡婦”(Black Widow) 的直徑 15 cm 的圓盤狀微型飛行器, 飛行時間22 min , 飛行距離16 km ; 美國 Intelligent Auto mation 公司制作了長15 cm、重90 g的微型 飛行器，它裝備有自動制導系統(tǒng),該飛行器能以約 70 1